严兵 2008 (脉冲半导体激光器电源电路分析)
窄脉冲半导体激光器驱动电路的设计与仿真试验
关键词 半 导体激光器驱动电路 ; 窄脉 冲激光器驱 动 ; 低功耗便携激光器
中 图分 类 号 TN2 4 2 D O I : 1 0 . 3 9 6 9 / j . i s s n 1 6 7 2 — 9 7 3 0 . 2 0 1 5 . 0 5 . 0 0 4
Na r r o w Pul s e Se mi c o nd u c t o r La s e r Dr i vi ng Ci r c u i t De s i g n a nd
工 作 物质有 砷 化 镓 ( Ga As ) 、 硫化镉 ( C d S ) 、 磷 化 铟
力, 抗干 扰 能力 和测 距 精 度 , 所 以半 导体 激 光 器 常
用 电流注 入法 调制 , 激光 脉 冲上 升时 间决 定 了探 测
精 度和分 辨 率 。而 脉 冲电流 宽度 , 大 小 对峰 值 功率 影 响极大 , 进 而影 响探测 距离 。激 光 脉 冲质 量 和特 性取 决 于所使 用 的激 光 二极 管 和配 套 的驱 动 电路
的设 计 。普通 的驱 动 电路通 常采 用三 极 管设 计 , 满 足 了高速 开关 的要 求 , 但 是驱 动 能力 有 限 。 目前 电
总第 2 5 1期
舰 船 电 子 工 程
S h i p El e c t r o n i c E n g i n e e r i n g
Vo 1 . 3 5 No . 5
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2 0 1 5 年第 5 期
窄脉 冲 半导 体 激 光 器 驱 动 电路 的设 计 与 仿 真试 验
Si m ul at i o n Te s t
S HENG Yu a n p i n g
脉冲半导体泵浦模块
脉冲半导体泵浦模块全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:脉冲半导体泵浦模块是一种用于激光器中的重要组件,其作用是提供高能量的脉冲激励光源。
在激光器中,脉冲半导体泵浦模块可以将电能转换为光能,从而实现激光的产生。
其具有高效率、小体积、长寿命等优点,因此在激光器领域得到了广泛应用。
脉冲半导体泵浦模块由激光二极管和晶体饮料部分组成。
激光二极管是一种将电能转换为光能的器件,具有高效率和短波长的特点。
晶体饮料部分则是用来将激光二极管发出的光聚焦到激光介质中的组件,其主要作用是增强激光的光强度和能量密度。
脉冲半导体泵浦模块将激光二极管和晶体饮料部分结合在一起,形成一个高效的激光激发器。
脉冲半导体泵浦模块的工作原理是利用半导体材料的电致辐射来激发激光介质发出激光。
当电流通过激光二极管时,激光二极管会产生一定的热量,并激发出一定波长的光。
这些光经过晶体饮料部分的聚焦作用后,将能量传递给激光介质,从而使其产生激光。
脉冲半导体泵浦模块可以根据需要调节激光的波长、脉冲宽度、能量密度等参数,满足不同应用场景的需求。
脉冲半导体泵浦模块的应用非常广泛,主要用于医疗、通信、军事等领域。
在医疗领域,脉冲半导体泵浦模块通常用于激光手术、激光治疗等医疗设备中,如激光眼科手术仪、激光美容仪等。
在通信领域,脉冲半导体泵浦模块可以用于光纤通信、激光雷达等设备中,提高通信速率和传输距离。
在军事领域,脉冲半导体泵浦模块则可以用于激光武器、激光测距仪等设备中,提高作战效率和命中精度。
脉冲半导体泵浦模块在激光器技术中扮演着重要的角色,其发展趋势主要包括提高功率密度、提高波长范围、提高调制速度等。
随着激光技术的不断发展,脉冲半导体泵浦模块也将不断升级和改进,以满足不同领域的需求。
相信在不久的将来,脉冲半导体泵浦模块将会发挥更加重要的作用,推动激光器技术的进一步发展和应用。
第二篇示例:脉冲半导体泵浦模块是一种主要用于激光器驱动的关键器件,其在激光技术领域有着重要的应用价值。
激光管驱动电源原理图
半导体激光管驱动电源电路原理图半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺,但电压和电流特性基本相同。
在工作点时,小电压变化会导致激光管电流变化较大。
此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。
二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求;输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。
随着激光器的输出功率不断加大,需要高性能大电流的稳流电源来驱动。
为了保证半导体激光器正常工作,需要对其驱动电源进行合理设计。
并且随着高频、低开关阻抗的MOSFET技术的发展,采用以MOSFET为核心的开关电源出现,开关电源在输出大电流时,纹波过大的问题得到了解决。
由于大电流激光二极管价格昂贵,而且很容易受到过电压,过电流损伤,所以高功率仅仅有大电流开关模块还不能满足高功率二极管激光器的要求,还需要相应的保护电路。
要保证电压、电流不要过冲。
因此,需要提出一整套切实可行的技术措施,来满足高功率二极管激光器的需要。
1系统构成装置输入电压为24V,输出最大电流为20A,根据串联激光管的数量输出不同电压。
如果采用交流供电,前端应该采用AC/DC作相应的变换。
该装置主要部分为同步DC/DC变换器,其原理图如图1所示。
Vin为输入电压,VM1、VM2为MOSFET,VM1导通宽度决定输出电压大小,快恢复二极管和VM2共同续流电路,整流管的导通损耗占据最主要的部分,因此它的选择至关重要,试验中选用通态电阻很低的M0SFET。
电感、电容组成滤波电路。
测量电阻两端电压与给定值比较后,通过脉冲发生器产生相应的脉宽,保持负载电流稳定。
VM1关断,快恢复二极管工作,快恢复二极管通态损耗大,VM2接着开通续流,减少系统损耗。
2工作原理VM1导通ton时,可得:公式,电流纹波为:公式,VM1关断,电流通过VD续流,接着VN2导通。
由于VM2的阻抗远小于二极管阻抗,因此通过VM2续流。
VMl、VN2触发脉冲如图2所示。
图2中td为续流二极管导通时间。
一种半导体激光器脉冲驱动电路[实用新型专利]
专利名称:一种半导体激光器脉冲驱动电路专利类型:实用新型专利
发明人:杨如祥
申请号:CN200920201877.1
申请日:20091203
公开号:CN201570776U
公开日:
20100901
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型涉及一种半导体激光器脉冲驱动电路,用于产生触发半导体激光器发光所需要的脉冲电流,包括半导体激光器触发电路;脉冲电流源电路,输入端与外接的触发脉冲相连,输出端与场效应管的栅极相连,根据输入的触发脉冲来控制场效应管的开启与导通;其特征在于:所述脉冲电流源电路包括滤波电路;微分电路;电路源电路,与现有技术相比,本实用新型在外接的触发脉冲没有触发信号情况下,电路源电路中第四三极管、第六三极管处于导通状态,场效应管处于截止状态,而一旦外接的触发脉冲有触发信号,微分电路立即把触发信号叠加到电路源电路,并驱动场效应管导通,使积聚在储能电容上的电荷迅速放电,从而产生半导体激光器所需要的脉冲电流。
申请人:宁波振东光电有限公司
地址:315403 浙江省余姚市经济开发区茂盛路3号
国籍:CN
代理机构:宁波诚源专利事务所有限公司
代理人:张一平
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半导体激光器对电源的要求
半导体激光器对电源的要求
按工作方式,半导体激光器分为脉冲式和连续式两大类。
脉冲激光器用脉冲信号来驱动,而不能用直流驱动.连续激光器(CW)型通常在阈值附近加直流偏置,再加调制电流使其工作。
此外,对脉冲激光器的驱动,可以加反馈,也可以不加反馈。
而为稳定工作,连续激光器的驱动,一定要加某种形式的反馈。
对半导体激光器脉冲电源的基本要求是,它在低阻负载上应该能产生快速电流脉冲。
因此,本质上它是一种大电流开关电路。
又由于半导体激光器两端的压降是由PN结压降及串联欧姆电阻压降组成,所以电源除了能提供大的电流脉冲外,还应给出足够大的脉冲电压幅度。
泵浦电流流过激光器时,会使PN结温度上升。
这将导致激光输出功率下降。
当大功率激光器在重复频率1~10kHz工作时,泵浦电流的脉冲宽度一般在250ns 左右。
前沿愈陡愈好,大约应为脉冲宽度的0.02~0.1。
电源中采用的开关器件是多种多样的,例如可选用快速晶闸管、雪崩晶体管、高频功率晶体管和VMOS管等。
由这些器件构成的半导体激光器脉冲电源的典型特性。
如下表所示:
由于机械放电器、电子管和氢闸流管的外形尺寸很大,只是早期在一些实验装置中使用。
后来使用较多的是晶闸管器件,特别是快速晶闸管一直广泛应用于大功率半导体激光器电源中。
从发展趋势来看,希望把泵浦电流脉冲的宽度降到20~50ns,重复频率提高到20~50kHz。
高频功率晶体管有可能达到这个要求,但是能给出的电流幅度较小(10~15A)。
要夺得大的电流脉冲和短的脉冲前沿(1~20ns),应该采用雪崩晶体管。
脉冲半导体泵浦模块-概述说明以及解释
脉冲半导体泵浦模块-概述说明以及解释1.引言1.1 概述脉冲半导体泵浦模块是一种用于产生高功率短脉冲的装置,它可以将电能转换为激光能量。
该模块由半导体激光器、泵浦光源、泵浦器、调制器和光纤组成。
脉冲半导体泵浦模块具有体积小、功耗低、效率高以及响应速度快等特点,因此广泛应用于激光领域、光通信、生命科学研究和激光器制造等领域。
在脉冲半导体泵浦模块中,通过电流脉冲对半导体激光器进行泵浦,激发激光器中的电子从低能级跃迁到高能级,产生激光辐射。
泵浦光源提供泵浦光束,通过泵浦器将泵浦光束耦合进半导体激光器中,使之形成稳定且高能量的激光脉冲。
调制器用于调节激光器的输出,可以实现激光脉冲的幅度和频率的调节。
脉冲半导体泵浦模块具有许多应用领域。
在激光领域中,它被广泛用于材料加工、精密加工、激光打标和激光照明等方面。
在光通信领域,脉冲半导体泵浦模块常用于光纤通信系统中的光放大器、激光器和光探测器等设备。
在生命科学研究中,脉冲半导体泵浦模块常用于激光显微镜、激光成像和光学探测等方面。
此外,脉冲半导体泵浦模块还可应用于激光雷达、光学测距、光学遥感和光谱分析等领域。
本文将对脉冲半导体泵浦模块的原理和应用进行详细介绍。
通过深入了解脉冲半导体泵浦模块的工作原理,我们可以更好地理解其在各个领域的应用情况。
此外,本文还将对当前脉冲半导体泵浦模块存在的问题进行总结,并展望其未来的发展方向。
通过本文的阅读,读者将对脉冲半导体泵浦模块有一个全面的了解,从而为相关领域的研究和应用提供参考。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以从以下角度进行描述:文章将会按照以下结构进行组织和呈现:第一部分是引言,主要包括概述、文章结构和目的。
- 在概述中,将简要介绍脉冲半导体泵浦模块的背景和基本概念。
可能包括脉冲半导体泵浦模块的定义、特点和应用领域。
- 在文章结构部分,将明确阐述本文所使用的文章结构和组织方式。
这将有助于读者更好地理解阅读顺序和整体架构。
半导体激光源脉冲电路的设计
半导体激光源脉冲电路的设计张涛【摘要】介绍了一种新的半导体激光源脉冲电路设计方案,基于五五五比较器集成电路设计了一种多频可控电路,能达到实时频率可调、激光器输出功率稳定及数据传输可靠的目的.该脉冲电路性能稳定、可靠,实用价值较大.【期刊名称】《通信电源技术》【年(卷),期】2019(036)004【总页数】2页(P151-152)【关键词】半导体;激光源脉冲电路;多频率【作者】张涛【作者单位】中国电子科技集团公司第二十七研究所,河南郑州 450018【正文语种】中文0 引言随着科学技术的不断发展,半导体激光源广泛应用于较多领域,如倒车雷达、二维码识别器、机器人应用、光学传感器、光网络通信技术及测距仪等。
自激光发明以来,光学的应用发生了巨大变化,出现了许多传统光学无法实现的新应用和新技术[1]。
激光可作为是高强度的光源,能形成极大的能量聚集,可切割最硬的东西,如钻石。
激光还可用于汽车制造,如倒车雷达。
对于医学领域,激光可被用作外科手术刀,用于切割血管、缝合血管以及做视网膜手术等。
对于天文领域,激光可用于测量星体的大小等。
本文重点论述了光网络通信技术中的——半导体激光源脉冲电路设计。
光网络通信结合光学和电子学,以半导体激光器为光源、光波为信息载体的光通信技术。
该技术开创了通信领域的新时代,已成为有线信道最重要的通信方式。
目前,激光的应用还处于发展阶段。
不断拓展新的应用领域、研制新的激光光源及提高和改善激光的性能,是光学、电子学及信息学等领域的学者和设计人员面临的新挑战。
半导体激光源作为光纤网络通信技术的发射源通过波长通道直接进行联网同步数据和发送文件等。
半导体激光器波长覆盖范围一般在800 nm~1.65 μm。
半导体激光器易于光纤耦合,易于进行高速电流调制,被广泛应用于光纤网络通信。
本文具体介绍了半导体激光源电路的基础知识,详细地阐述了半导体激光源电路的应用价值,以期为相关人员提供参考。
1 总体设计思路半导体激光源脉冲电路的原理是通过频率输出电路进行可选择性的多频段(1 Hz、5 Hz、10 Hz、30 Hz及50 Hz)方波信号输出,经过脉冲整形集成电路调制出需要的驱动波形,经过驱动管的电流放大,输出适合半导体驱动的电流,结合半导体形成激光辐射。
半导体激光器分析PPT课件
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1. 发射波长和光谱特性
峰值波长:在规定输出光功率时,激光器受激 辐射发出的若干发射模式中最大强度的光谱 波长。
中心波长:在激光器发出的光谱中,连接50% 最大幅度值线段的中点所对应的波长。
半导体激光器(Laser Diode 即LD)
6.3.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、半导体激光器的工作原理
受激辐射和粒子数反转分布 PN结的能带和电子分布 激光振荡和光学谐振腔 二、半导体激光器基本结构 6.3.2 半导体激光器的主要特性 一、发射波长和光谱特性 二、激光束的空间分布 三、转换效率和输出光功率特性 四、 频率特性 五、 温度特性 6.3.3 分布反馈激光器 一、 工作原理 二、DFB激光器的优点
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受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2,且比例 系数(吸收和辐射的概率)相等。
如果N1>N2,即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物 质时,光强按指数衰减, 这种物质称为吸收物质。
如果N2>N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物 质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质。
N2>N1的分布,和正常状态(N1>N2)的分布相反,所以称 为粒子(电子)数反转分布。
收) 自发辐射 受激辐射
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3
E2
初态
E1
E2
hυ=E2-E1
E1
终态
(a) 自发辐射
光子的特点:非相干光
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4
E2
hυ
E1
初态
E2
E1
终态
(b) 受激辐射 光子的特点:相干光
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5
E2
hυ
E1
初态
E2
迫弹激光引信用脉冲半导体激光电源的设计与应用
第40卷第9期红外与激光工程2011年9月Vol.40No.9Infrared and Laser Engineering Sep.2011迫弹激光引信用脉冲半导体激光电源的设计与应用姚萍萍,张毅,涂碧海,王相京,赵平建,赵欣(中国科学院安徽光学精密机械研究所,安徽合肥230031)摘要:设计了适应于迫弹激光近炸引信的小体积、低电压、窄脉宽、高功率的脉冲半导体激光电源。
采用电容充放电的模式,选用高速大功率MOSFET管作为开关,设计了相应的高速开关控制电路。
激光电源模块的重复频率高达50kHz,常规热电池供电电压条件下的输出脉冲激光峰值功率为9W,光脉冲上升沿为4.2ns,光脉宽为10ns,为有效提高迫弹激光近炸引信定距精度和抗阳光、烟雾等干扰提供了保证。
关键词:激光近炸引信;半导体激光器;驱动电路;纳秒级脉冲中图分类号:TN958.98文献标志码:A文章编号:1007-2276(2011)09-1696-05Design and application of pulsed laser diode drive sourcein laser fuze of mortarYao Pingping,Zhang Yi,Tu Bihai,Wang Xiangjing,Zhao Pingjian,Zhao Xin(Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Hefei230031,China)Abstract:A pulsed laser diode drive source for laser proximity fuze of mortar was presented,which was compactness,low voltage,short pulse and high power.The drive circuit was constructed using a capacitor and an extremely fast and high-power MOSFET as switch,which discharged the charge of capacitor to the laser.A high performance switch control circuit was also developed.The whole performance of pulsed laser diode drive circuit was validated with a lot of experiments.The output optical peak pulse power can reach9W,the rise time was4.2ns and the full width at half-maximum was10ns when the highest value of the charge voltage was limited to28V.The repetition frequency of the circuit can arrive 50kHz.All these excellent characteristics provide guarantee for improving the precision of distance measurement efficiently in laser proximity fuze of mortar and anti-interference capability of sunlight,fog and dust.Key words:laser proximity fuze;semiconductor laser;drive circuit;nanosecond pulse收稿日期:2011-01-10;修订日期:2011-02-15基金项目:中国科学院合肥物质科学研究院院长基金作者简介:姚萍萍(1985-),女,博士生,主要从事激光探测和光电子技术方面的研究。
半导体激光电源模块
半导体激光电源模块半导体激光电源模块是一种基于半导体激光技术的电源模块,它在现代电子设备中扮演着重要的角色。
本文将从激光技术的发展背景、半导体激光电源模块的原理和应用领域等方面进行介绍。
一、激光技术的发展背景激光技术是一种利用激光器产生的激光束进行加工、测量、通信等应用的技术。
自激光技术的诞生以来,其应用领域不断扩展,包括医疗、通信、材料加工等。
其中,半导体激光器由于其小巧、高效、低成本等优点,成为了激光技术中的重要组成部分。
半导体激光电源模块是将半导体激光器与电源电路等组建而成的模块。
其工作原理是通过电流注入激活半导体材料,使其产生激光辐射。
半导体激光器通常由半导体材料(如氮化镓、砷化镓等)组成的PN结构构成。
当电流通过PN结构时,电子与空穴在PN结附近的载流子重复复合,从而产生激光辐射。
三、半导体激光电源模块的特点1. 高效率:半导体激光器具有高效能转换特性,能够将电能转化为激光能量,能效高。
2. 小型化:半导体激光器体积小巧,适用于各种紧凑空间的应用场景。
3. 低成本:半导体激光器的制造成本相对较低,可大规模生产,降低产品成本。
4. 长寿命:半导体激光器寿命较长,可持续工作数千小时以上。
四、半导体激光电源模块的应用领域半导体激光电源模块在众多领域中发挥着重要作用,以下是其中几个典型应用领域的介绍:1. 工业制造:半导体激光器可用于激光切割、激光打标等工业制造领域,广泛应用于金属加工、塑料加工、纺织品加工等行业,具有高精度、高效率的特点。
2. 医疗美容:半导体激光器可用于激光手术、激光脱毛等医疗美容领域,其高能量、高精度的特性使其成为医疗美容设备中不可或缺的组成部分。
3. 通信领域:半导体激光器可用于光纤通信系统中的传输和接收,其高速、高稳定性的特点使其成为现代通信网络中的重要组成部分。
4. 科学研究:半导体激光器可用于科学研究领域的光谱分析、光学实验等应用,其高分辨率、高可调性的特点满足了科学家对于高精度实验的需求。
大功率半导体激光器驱动电源保护电路方案
大功率半导体激光器驱动电源保护电路方案1 引言半导体激光器(LD)具有体积小、重量轻、转换效率高、工作寿命长等优点,在工业、军事、医疗等领域得到了广泛应用。
LD 是以电流注入作为激励方式的一种激光器,其使用寿命、工作特性在很大程度上取决于所用驱动电源的性能好坏。
设计一个符合LD 技术要求、性能稳定、工作可靠的驱动电源是十分必要的。
近年来,有不少科研单位研究开发了一系列LD 用电流源,保证了LD的正常工作。
半导体激光器本身的性质决定其抗浪涌冲击能力差,这就要求驱动电源的稳定度高,浪涌冲击小,因此驱动电源中需要各种保护电路以满足实际要求。
通常用慢启动电路、TVS(瞬态抑制器)吸收电路、限流电路等来防止浪涌冲击及电流过大。
但大功率半导体激光器的工作电流较大,并且半导体激光器比较脆弱,传统的慢启动电路、TVS 吸收电路不能很好地满足实际要求。
本文在参考各种实用的保护电路基础上,设计出应用大功率器件强制吸收或隔离浪涌冲击和双限流保护电路,有效地保护半导体激光器不被损伤,具有较好的实际应用前景。
2原理分析2.1半导体激光器损坏机理分析在正常条件下使用的半导体激光器有很长的工作寿命。
但在不适当的工作条件下,会造成性能的急剧恶化乃至失效。
统计表明,半导体激光器突然失效,有一半以上的几率是由于浪涌击穿。
因而如何保护半导体激光器,延长半导体激光器的使用寿命是研制大功率半导体激光器驱动电源保护电路的重要问题。
主要应考虑:1)激光器必须工作在限制电流以内,一个安全可靠的限流电路是不可缺少的。
2)为了防止驱动电源浪涌冲击,必须有比较强的浪涌吸收电路。
3)由于激光器是一种敏感的电流元件,所以驱动电流不能直接加在激光器两端,慢启动电路对激光器的防护也是必不可少的。
2.2传统保护电路的特点1)在隔离变压器的原边和副边加上TVS器件,利用其高速响应特性抑制过高的电网浪涌电压和雷电感应电压。
这种措施比较有效,但受限于TVS的响应速度,如果响应速度达不到要求那就不能很好抑制浪涌冲击。
半导体激光器驱动电源的设计
半导体激光器驱动电源的设计
汪礼兵
【期刊名称】《华侨大学学报(自然科学版)》
【年(卷),期】1992(013)003
【摘要】本文根据半导体激光器的工作特性,设计了一种结构简单由慢启动电路和功率增益自动控制电路组成的驱动电源.具有防止冲激电流、工作点自动稳定和过载自动保护的功能.对该电路的组成、工作原理、设计要点和调试方法作了分析讨论.
【总页数】6页(P322-327)
【作者】汪礼兵
【作者单位】华侨大学电气技术系
【正文语种】中文
【中图分类】TN7
【相关文献】
1.高温环境下高功率半导体激光器驱动电源设计 [J], 周冠军;张雪松;蔡军;杨海波
2.高精度半导体激光器驱动电源及温控电路设计 [J], 罗亮;胡佳成;王婵媛;刘泽国
3.半导体激光器驱动电源的设计 [J], 张莹;贾文超;石淼
4.基于半导体激光器驱动电源的设计分析 [J], 吴化楠
5.半导体激光器驱动电源的设计 [J], 张莹;贾文超;石淼
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半导体激光电源模块
半导体激光电源模块半导体激光电源模块是一种利用半导体激光器作为光源的电源模块。
它通过将电能转化为激光能,实现对其他设备或系统的供电功能。
半导体激光电源模块在现代技术领域中具有重要的应用价值,本文将对其原理、结构和应用进行详细介绍。
我们来了解一下半导体激光器的原理。
半导体激光器是一种利用带限的半导体材料产生激光的器件。
在半导体材料中,通过注入电流或施加电场,可以使电子和空穴在半导体材料中发生复合过程,产生光子,从而形成激光。
这种激光具有单色性、方向性和相干性的特点。
半导体激光电源模块一般由半导体激光器、电源驱动电路和光电转换器组成。
其中,半导体激光器是核心部件,负责产生激光。
电源驱动电路提供所需的电流和电压,控制激光器的工作状态。
光电转换器则将激光能转化为其他形式的能量,如电能或热能。
在实际应用中,半导体激光电源模块有着广泛的用途。
首先,它可以用作光纤通信系统中的光源。
由于半导体激光器具有体积小、功耗低和寿命长的优点,因此它们被广泛应用于光纤通信系统中。
其次,半导体激光电源模块还可以用于医疗设备中,如激光手术刀、激光治疗仪等。
此外,它们还可以应用于雷达系统、激光测距仪、激光打印机等领域。
半导体激光电源模块的优点不仅在于其小巧的尺寸和低功耗,还在于其快速的响应速度和高效的能量转化率。
相比传统的电源模块,半导体激光电源模块具有更高的能量密度和更快的开关速度,能够提供更稳定和可靠的能源。
然而,半导体激光电源模块也存在一些挑战和问题。
首先,由于半导体激光器的特殊性质,它们对环境的温度和湿度变化较为敏感,需要在温度和湿度控制良好的环境中使用。
其次,半导体激光器的制造和加工工艺相对复杂,对材料和工艺的要求较高,造成了成本的增加。
此外,由于激光器本身具有较高的光能密度,对激光束的控制和安全性的考虑也是一个重要的问题。
半导体激光电源模块是一种重要的电源设备,具有广泛的应用前景。
它通过将电能转化为激光能,为其他设备或系统提供稳定可靠的能源。
《脉冲功率技术》结业报告
2013~2014学年度硕士研究生课程《脉冲功率技术》结业报告题目名称半导体脉冲功率开关发展研究目录1引言 (1)2 脉冲功率开关的发展 (2)2.1 传统开关 (2)2.2 半导体开关 (2)2.3反向开关晶体管 (2)2.4 新型半导体开关 (2)2.5半导体断路开关 (3)2.6脉冲晶闸管 (3)2.7功率场效应晶体管 (3)2.8绝缘栅双极晶体管 (3)3 国内外研究现状及存在的问题 (4)3.1 存在的问题 (4)3.1.1提高耐受电压等级 (4)3.1.2输出快脉冲 (4)3.1.3提高脉冲电流峰值 (4)3.2关键技术 (4)3.2.1电压提升技术 (4)3.2.2磁脉冲压缩技术 (5)4总结与展望 (6)5参考文献 (6)半导体脉冲功率开关发展研究1引言脉冲功率技术是把相对长时间内存储的具有较高密度的能量,以单次脉冲或重复频率的短脉冲方式释放到负载上的电物理技术。
在空间上压缩能量可以增加能量密度,在时间上压缩能量可以提高输出功率。
随着对脉冲功率技术研究的不断深入,脉冲功率技术被越来越多地应用到工业及民用领域。
例如在环境工程领域,已有的应用技术有脉冲电晕等离子体法净化废气技术、脉冲静电除尘、高压脉冲放电废水处理、臭氧的制取等;在生物医疗领域,已有的应用技术有体外冲击波碎石技术、产生脉冲电磁场研究对生物培养基的影响;其它领域还有矿井物探,和水下目标探、对岩石钻孔、高速x射线水下摄影、工业辐射源、快速加热淬火等。
一般的脉冲功率系统由以下几个部分组成,如图1-1所示。
图1-1 脉冲功率系统结构图其中,开关元件是脉冲功率系统的核心元件之一,特别对重复频率脉冲功率系统,大功率高速开关的性能优劣直接制约其发展的主要的瓶颈,因此开关技术的发展对于高功率脉冲技术来说至关重要。
对于脉冲功率装置来说,高压脉冲功率技术中的开关具有如下特点:(1)电流非常大,可达几十千安、几百千安几兆安或更大;(2)要求开关的闭合和断开的时间极短,在毫微秒量级;(3)开关动作频繁,要求能连续工作,特别是在重复频率下运行时;(4)高电压下运行,电压等级从几千伏到数百千伏。
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( Navy Representative office in t he Second Academy of CASC , Beijing 100854 , China )
Abstract Performance of direct2modulating p ulsed diode laser is dependent on large2current and narrow2widt h p ulsed driver circuit . The equivalent driver circuit of p ulsed LD is established. The L RC loop equatio n is modeled. The analytic solutio n is achieved by solving t he linear co nstant coefficient seco nd o rder ho mogeneo us differential equatio n. The result s compared wit h experiment s reveal t hat when t he conditio n R ≥ 2
其特征根为
R p= ± 2L p1 = p2 = R + 2L R
2
1
LC
( 3)
2
1
LC
Hale Waihona Puke 2L-2L-
1
LC
( 4)
分三种情况讨论 :
1) R > 2
L , 非振荡放电过程 C
这种情况下 , 特征根 p1 和 p2 是两个不等的负 实根 , 通过求解式 ( 2) 可得到通过电容的电流为
i= U0 ( e p1 t - e p2 t ) L ( p2 - p1 ) ( 5) ( 6) ( 7)
L/ C is met , surgeless discharging current wavefo rm can be achieved. The
calculated crest value and p ulse widt h of current are coincided wit h t ho se of experiment s. Key words p ulsed diode laser ; power supply ; driver circuit
第6卷 第4期 2008 年 8 月
光学与光电技术
O P TICS & O P TO EL EC TRON IC TEC HNOLO GY
Vol. 6 , No . 4 August , 2008
文章编号 :167223392 ( 2008) 0420001203
脉冲半导体激光器电源电路分析
p1 t
- p2 e ln
p2 t
) = 0 ,得 :
p2 p1 tm = p1 - p2
( 8)
通过分析可得 :当 t = tm 时 , 电流 i 取极大值 i max 。 电流 i 随时间 t 变化的波形如图 3 ( a ) 所示 , 电 流脉冲的脉冲宽度可近似为 t = 2 tm 。 2) R < 2 当 R<2
300 V , 根据电流式 ( 5 ) 有 : p1 ≈ - 5 . 5 ×10 , p2 ≈ - 14 . 5 × 10 , tm ≈ 11 ns , 脉冲宽度 t = 22 ns , 峰值
7 7
图6 实测激光脉冲波形
Fig. 6 Outp ut beam waveform
电流 imax = 42 A 。按估算公式计算峰值电流为 : imax = 30 A 。
L , 振荡放电过程 C L 时 , 特征根 p1 和 p2 是一对共轭 C U0 - δ e t sin ωt ωL R
2
( b)
图 3 I2t 关系曲线
Fig. 3 Current I versus time t
复数 。通过求解式 ( 2) 可得电容上的电流为
i= ( 9)
R 由于δ= , R 一般为几 Ω 左右 , L 一般为几 2L
图5 实际所测电流脉冲波形
Fig. 5 Experimental current wavefo rm
用以上电路驱动脉冲半导体激光器 , 通过光电 二极管采样可以获得如图 6 所示的激光脉冲 , 实测
Analysis of Pulsed Laser Diode Driver Circuit
YAN Bing
在 R=2
( 11 )
ω
1
arctan
ω δ
- δ。通过求解式 ( 2 ) 可得 : i =
从上可以看出电容放电也是非振荡放电过程 。
第4期
严兵 : 脉冲半导体激光器电源电路分析
3
综合以上三个过程 , 想获得非振荡的放电过 程 , 电阻和电容关系必须满足以下关系式 :
R≥ 2 L/ C ( 15 )
-
2L
2
L / C , 是振荡衰减过程 , 但是几乎看不到衰减 。
式 ( 9) 对时间 t 求导数 , 并令 :
i= ( δ- t ω ω- t ω) ωL - e sin t + e co s t = 0 , 得 : tm = U0
δ δ
3) R = 2
L / C , 临界情况 L / C的条件下 , p1 = p2 = - R/ 2 L = U0 - δ t te L ( 14)
图1 脉冲半导体激光器驱动电源结构形式
Fig. 1 Simplified circuit diagram of p ulsed diode laser driver
图2 脉冲半导体激光器驱动电源等效电路
Fig. 2 Equivalent circuit diagram of p ulsed LD driver
2
L
光学与光电技术
第6卷
d2 i di 1 +R + i =0 dt C d t2
R 2L R 2L R
2
( 2)
通过数理分析可易得 :当 t = tm 时 , 电流 i 取极 大值 imax 。 可以看出电流脉冲的脉冲宽度可近似为 1 1 2π ( 12) t= T= ・ 2 2 ω 从式 (12) 可以看出 i 呈周期性正弦衰减。由于 : δ= R µ 1 ( 13) 2L 所以 , 电容上的电流衰减很快 , 可能不到 1 个 周期 , 电流就衰减到零了 。但是只要电流方向改 变 , 即出现负电流就不是我们希望得到的 。电流 i 随时间 t 变化的波形如图 3 ( b) 所示 。
4 结 论
根据 L RC 回路方程建立的模型对脉冲半导体 激光器的大电流窄脉宽驱动电源进行了理论分析 和计算 , 实验得到的数据表明 : 当电源主要参数满
图4 脉冲半导体激光器驱动电源原理框图
Fig. 4 Functional block diagram of p ulsed LD driver
2 脉冲半导体激光器电源电路模型
的建立和分析
图 1、 2 所示分别为脉冲半导体激光器驱动电 路的一般形式和相应的等效电路 。其中 , L 为寄生 电感 ( 由于电路中有放电电容 、 开关元件 、 激光器 , 所以放电回路内部有寄生电感) , C 为储能电容 , R 为电路的总电阻 , 包括激光器等效电阻 、 开关元件
激光脉冲宽度为 27 ns 。
3 实验结果
根据以上的公式推导, 设计了满足 R >
2
L / C关系的电路参数 , 采用如图 4 所示的脉冲
半导体激光器驱动源电路 , 完成了相关实验 , 实验 结果与理论计算进行了比较 。 取 R = 10 Ω , L = 5 × 10 - 8 H , C = 10 - 8 F , U 0 =
十纳亨到几千纳亨 。所以δ=
R
2L
µ 1 , 这样 I = e δ
δ t
ω= 其中 , δ= R 2L
1
LC
的电流下降速度就非常快 , 同理 I = - e - t 上升也 就非常快 , 这就会导致 I 在负半轴的值非常小 , 有 时可以忽略不计 , 在实际调试的电路中 , 虽然 R <
( 10 )
L/ C的
1 引 言
脉冲半导体激光器具有峰值功率高 、 体积小等 优势 ,已被广泛应用于激光测距 、 激光雷达和自由 空间激光通信等领域 。在激光探测和激光通信中 , 系统带宽 、 作用距离 、 精度 、 抗干扰和低功耗等性能 都取决于半导体激光器发射的激光脉冲质量 [ 122 ] , 而半导体激光器发射的光脉冲是由激光电源产生 的电脉冲直接调制得到的 ,激光器产生的光脉冲特 性在一定程度上依赖于脉冲驱动电源的设计 ,抽运 电流的幅值 、 脉冲宽度决定了激光脉冲的峰值功 率 。因此 ,脉冲半导体激光器脉冲电源的设计是激 光应用中的一项关键技术 [ 3 ] 。 本文给出了脉冲半导体激光器驱动电源的等 效电路 ,在此基础上建立了 L RC 回路模型 ,根据线 性常系数二阶齐次微分方程的分析解结果 ,对回路 主要特征参数进行了分析 ,获得了电流2时间曲线 , 并将计算结果与实验结果做了比较 。