二极管和三极管习题
第14章二极管和三极管试题及答案
二极管和三极管1、半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B. 带正电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
A. 变窄B. 变宽C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13885 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
电子技术习题
基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。
2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。
3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。
4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。
6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。
8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。
9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。
12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。
小于诸晶体二极管的死区电压。
15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。
16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。
17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。
18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。
19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。
20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ、ｒbe都增高。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
电子技术习题册
电子技术习题册一、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“X”）1. 半导体随温度的升高，电阻会增大。
（）2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）二、选择题1.PN结的最大特点是具有（）。
A. 导电性B.绝缘性C.单向导电性 2.半导体受光照，导电性能（）。
A. 增强B.减弱C.不变 3.最常用的半导体材料是（）。
A. 铜B.硅C.铝D. 锗一、判断题1. 二极管是线性元件。
（）2. 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。
（）3. 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。
（） 4. 二极管具有单向导电性。
（）5. 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）6.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。
（） 7. 二极管加正向电压时一定导通。
（） 8. 二极管加反向电压时一定截止。
（） 9.有两个电极的元件都叫二极管。
（）10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。
（）11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
（） 12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。
（） 13. 发光二极管可以接收可见光线。
（）14. 若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。
（）二、选择题1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。
A：立即导通B：到0.3V才开始导通C：超过死区电压时才开始导通 D：不导通 2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A：基本正常 B：将被击穿C：将被烧坏 D：电流为03.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。
A：很小的电阻 B：很大的电阻 C：短路 D：电阻4.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）. A：约等于150V B：略大于150V C：等于75VD：等于300V5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。
《电工与电子技术基础》电子部分习题
第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。
2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。
三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。
2、晶体二极管因所加电压过大而。
并出现的现象，称为热击穿。
3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。
（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。
（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。
（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。
（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。
二极管和三极管试题及答案
题目编号:13879 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中半导体的导电能力（）。
A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C======================================================================题目编号:13880 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中当温度升高时，半导体的导电能力将（）。
A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。
A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
A. 带负电B.带正电C.不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。
A.变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
数字逻辑电路__刘常澍主编____第二章习题答案
第2章 习题答案2-1 二极管、三极管用于数字电路中与用于模拟电路有什么不同？答：二极管和三极管在数字电路中主要用作开关，工作于大信号状态，即二极管工作在正向导通和反向截止两个状态，三极管工作在饱和于截止两个状态； 模拟电路中二极管一般工作在小信号状态或反向击穿状态，三极管一般工作在放大状态。
2-2 有两个二极管A 和B ，在相同条件下测得A 管的I F ＝10mA ，I R ＝2mA ；B 管的I F＝30mA ，I R ＝0.5μA ；比较而言，哪个性能更好？答：B 管更好，因为其反向漏电流较小而正向允许电流大。
2-3 三极管工作在截止、饱和、放大状态的外部条件各是什么？答：截止时，使发射结反偏即v BE ≤0；饱和时，使基极电流等于或大于基极饱和电流，即i B ≥I BS =V CC /βR C ；放大时，使发射结正偏，而i B <I BS =V CC /βR C 。
2-4 MOS 管工作在截止、恒流、可变电阻区的外部条件各是什么？ 答：对于常用的增强型NMOS 管，截止时，使栅源电压小于开启电压V T 即v GS >V GS(th)N ；工作于恒流区时，使v DS >v GS - V GS(th)N ；工作于可变电阻区时，使v DS <v GS - V GS(th)N2-5 二极管电路如图P2-5所示。
v I ＝5sin ωt （V ），假设二极管是理想二极管，试画出输出 v O 的波形。
若考虑二极管的导通压降V D ＝0.7V ，画出输出v O 的波形。
解：输出波形如图解P2-5所示。
(a)为输入波形， D 为理想二极管时输出波形为(b)， 考虑D 导通压降为0.7伏时输出波形为(c)。
2-6 二极管开关电路如图P2-6所示。
二极管导通电压为0.7V ，试分析输入端A 、B 分别为0V 和5V 时管子的工作状态，输出电压v O ＝？解：v A =5V ，v B =0V 时，D 2、D 1均导通 v O =–0.7V ； v A =5V ，v B =5V 时， D 2、D 1均导通 v O =4.3V ； v A =0V ，v B =5V 时，D 1 导通、D 2截止 v O =4.3V ； v A =5V, v B =0V 时, D 1截止、D 2导通 v O =4.3V 。
电子线路练习题
练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。
（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。
（）3、晶体二极管具有单向导电性。
（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。
A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。
一、判断题：1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。
（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。
（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。
（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。
（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。
（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。
（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定3、（）又称为电子型半导体。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定5、（）内部自由电子是多数载流子。
A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。
（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。
（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。
（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。
二极管三极管练习题(学生用)
一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
2．本征半导体的主要特性有、、。
3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。
5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。
6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。
图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。
8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。
9．PN结的电击穿包括和两类。
10．按材料不同，二极管可分为和两类。
11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。
12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。
13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。
14．三极管属控制型器件。
15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。
16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。
图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。
单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。
电工电子技术 第5章习题 半导体器件
）的
b
5-13 随着正向电流的增大,普通二极管的直流电阻和交流
电阻( d ).
a) 二 者 都 增 大
b) 前 者 增 大 , 后 者 减 小
c) 前者减小, 后者增大 d) 二者都减小
5-14 用万用表的R*10和R*100档测量同一个二极管的正向
电阻,两次测量的值分别是R1和R2, 则二者相比,( c )。
判断VD2的状态
(3) 根据上述判断可以画出等效电路:
VD1
VD2
I E1 8V
R
E2 16V
UO
等效电路
则流过电阻Ｒ（Ｒ＝３kΩ ）
的电流和所求的电压为：
Ｉ ＝ (E1+E2 ) /R
＝ (8+16)V /3kΩ ＝ 8mA
UＯ＝ - E1 ＝ - 8V
例5-3 图示电路中，VD1和VD2均为理想二极管，直流电压
A VD1 B
VD2
R1
R2
ui
U1 U2
uo
C
U1>U2， ui<U2 时的等效电路
VD1和VD2均做短路处理 后的等效电路如图所示。 由图可知：
uo=ui
例5-４
在图示电路中，Ｅ＝5V、ui=10sinωt(V)、
VD为理想二极管，试画出输出电压uo的波形。
R
VD
ui
E
uo
5V
解: 在ui和5V电源共同作用下，在哪个时间区段 上VD正向导通，在哪个时间区段上VD反向截止。 画出等效电路，最后在等效电路中求出uo的波形。
UDRM U2 2 172 V ID 0.5Io 1 A
可选用二极管2CZ11C，其最大整流电流为1A，
电子技术基础(含答案)
83.已知图所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
84.放大电路如图所示，已知图中Rb1＝10kΩ， Rb2＝2．5kΩ，Rc＝2kΩ，Re＝750Ω，RL＝1．5kΩ，Rs＝10kΩ，Vcc＝15V，β＝150。设Cl，C2，C3都可视为交流短路，试用小信号分析法计算电路的电压增益AV，源电压放大倍数AVS，输入电阻Ri，输出电阻Ro。
21.如果三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ）
A.放大B.饱和C.截止D.倒置
22.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真。
A.饱和B.截止C.交越D.频率
23.射极输出器的主要特点是（ ）
A.电压放大倍数无穷大，输出电阻高，输入电阻低
B.电压放大倍数接近1，输出电阻低，输入电阻高
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
16.以下电路中，可用作电压跟随器的是（ ）。
A．差分放大电路B．共基放大电路C．共射放大电路D．共集放大电路
17.共模抑制比KCMRR是（ ）。
A. 差模输入信号与共模输入信号之比
B. 输入量中差模成份与共模成份之比
C. 差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比
C.除放大电路以外还有信号通道 D.输出与输入信号成非线性的关系
40.对于放大电路，所谓开环是指（ ）。
A．无信号源 B．无反馈通路 C．无电源 D．无负载
41.整流的目的是（ ）。
A.将交流变为直流 B.将高频变为低频 C.将正弦波变为方波D.将直流变为交流
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
二极管、三极管练习题
二极管、三极管习题一、填空题1、晶体三极管通过改变来控制。
2、对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三管处于_______ 状态。
3、一个三极管有两个PN结，分别称为结和结。
4、ＰＮ结具有性，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结5、半导体二极管按其所使用的材料可分为管和管两类。
6、硅管的死区电压约为V，锗管的死区电压约为V。
7、半导体三极管的结构分为三个区，分别是区、区、区。
8、三极管按其内部结构分为和两种类型9、三极管三个电极的电流存在关系。
10、三极管有三个工作状态，即、和状态，状态具有放大作用。
11、、三极管工作在截止状态时，相当于开关；工作在饱和状态时，相当于开关。
二、选择题1、晶体三极管处于放大状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
(a) 发射结反偏，集电结正偏(b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏(d) 发射结正偏，集电结反偏2、半导体二极管的主要特点是具有（）。
(a) 电流放大作用 (b) 单向导电性(c) 电压放大作用3、稳压管起稳压作用，是利用它的（）。
A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性4、二极管两端加上正向电压时（）A 一定导通B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
(完整版)模拟电路部分习题答案
1．放大电路的静态工作点ICQ和UCEQ计算如下。
根据题3-9图所示电路列写直流负载线方程如下：
分别令IC=0，UCE=0，代入直流负载线方程，得到负载线上两个坐标点，M（3，0），N（0，1），连接M、N得到直流负载线。
根据直流通路，得基极静态工作电流为
直流负载线MN与iB=IB=15.3μA的输出特性曲线的交点Q就是静态工作点。Q点坐标为
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N沟道MOS场效应管的UGS大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。2-3．怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏？
2．RL=∞时，输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值的计算。
若RL=∞，交流负载线斜率与直流负载线斜率相同，为
如题3-9图b所示。
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3．若RL=7kΩ，交流负载线斜率为
输入电压ui为正弦电压时输出最大不失真电压的幅值为
3-6如题3-12图所示放大电路中，已知晶体管的β=100，UBE=－0.3V。
3．输入电阻和输出电阻。
解：
1．静态工作点计算
2．电压增益AU。
本题目电路中，有旁路电容C，此时放大电路的电压增益为，
3．输入电阻和输出电阻的计算。
解：
a不能。没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
(完整版)二极管习题
二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。
（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。
（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。
（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。
（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。
二极管、三极管放大电路练习题
R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的 电位差VD 。
VD= VD＋ － VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之 间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通， 两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导 通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的 各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电 路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管 的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1
电子技术-半导体-二极管-三极管-基础题1202311半期考前复习题-电子技术1.自然界的物质按照导电能力不同,可分为________三大类型。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
[填空题] *空1答案：导体、绝缘体和半导体2.目前用来制造半导体器件的材料是 __________，它们都是四价元素具有晶体结构。
[填空题] *空1答案：硅和锗3. 半导体又称_______ [填空题] *空1答案：晶体4.半导体具有3个奇妙且可贵的特性:_________。
在纯净的半导体中掺人微量的三价或五价元素,它的导电性能将大大增强。
应用掺杂技术可以制造出二极管、三极管、场效晶体管、晶闸管和集成电路等半导体器件。
[填空题] *空1答案：掺杂性5._________. 导温度对半导体的导电能力影响很大。
温度越高，价电子获得的能量越大，挣脱共价键柬缚形成自由电子和空穴就越多，导电能力就越强。
利用平导体对温度十分敏感的特性，可以制成热敏电阻及其他热敏器件。
[填空题] *空1答案：热敏性6._________. 半导体受到光照时，自由电子和空穴数量会增多，导电能力随之增强,这就是半导体的光电性。
利用这种特性能制造各种光电器件，如光电二极管、光电三极管、光控晶闸管等，如图1-3所示，从而实现路灯、航标灯的自动控制或制成火灾报。
[填空题] *空1答案：光电性7.在硅、锗半导体中，人为掺人微量的其他元素后,所得的半导体称为________,其类型有P型半导体和N型半导体,这两种半导体是制造各种半导体器件的基础材料。
[填空题] *空1答案：杂质半导体8.在纯净半导体硅或锗中掺人硼、铝等三价元素就形成_________。
特点是:空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电荷的空穴，所以又称空穴半导体[填空题] *空1答案：P型半导体9.在纯净半导体硅或锗中掺人微量磷、砷等五价元素就形成________。
特点是:自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电荷的自由电子，所以又称自由电子半导体。
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第9章 二极管和三极管
一.选择题
1、在本征半导体中掺入微量的 价元素，形成N 型半导体。
A.二
B.三
C.四
D.五
2、在P 型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、本征半导体温度升高以后， 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变
B.空穴数增多，自由电子数基本不变
C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
D.自由电子数和空穴数都不变
4、空间电荷区是由 构成的。
A.电子
B.空穴
C.离子
D.分子
5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
D. 无法确定
6、稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
D. 前者反偏、后者正偏
8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
D. 都有可能
9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 。
A. 83
B. 91
C. 100
D. 10
10、晶体管是 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 ；图2为 。
[基极电位总是处于中间]
A.NPN 硅管
B.PNP 硅管
C.NPN 锗管
D.PNP 锗管
12、场效应管是 器件。
A.电流控制电流
B.电流控制电压
C.电压控制电压
D.电压控制电流
13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化
C.保护信号源
D.防止输出电压被短路
① 0V 5.7V 图
1 ① 9V 2.3V 图2
14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c的作用是。
A.限制集电极电流的大小
B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
C.防止信号源被短路
D.保护直流电压源E C
15、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形，二者相位。
A.相同
B.相反
C.相差90°
D.相差270°
16、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b失真消除，这种失真一定是失真。
A.饱和
B.截止
C.双向
D.相位
17、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，I B=20μA，I C=1mA。
若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则I B和I C分别是。
A. 10μA，1mA
B. 20μA，2mA
C. 30μA，3mA
D. 40μA，4mA
18、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的。
A.输入电阻大
B.输入电阻小
C.输出电阻大
D.输出电阻小
19、要求组成的多级放大电路体积最小，应选耦合方式。
A.阻容
B.直接
C.变压器
D.阻容或变压器
20、放大电路的三种组态（）。
A. 都有电压放大作用
B. 都有电流放大作用
C. 都有功率放大作用
D. 都不是
二.填空
1、PN结中扩散电流的方向是：，漂移电流的方向是。
2、PN结的最大特点是。
3、使PN结正偏的方法是：将P区接电位，N区接电位。
4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向，空间电荷区变，有利于载流子的漂移运动，阻碍载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻，PN结处于状态。
6、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
以上为第一章习题
7、从基极输入，从集电极输出的是共极电路，从基极输入，从发射极输出的是共极电路。
8、共放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共放大电路的电流放大倍数不可能大于1
9、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级
60dB，放大器的总增益为，总的放大倍数为。
10、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的时，所对应的两个频
率分别称为和，它们之间的频率范围，称为放大电路的，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
11、多级电压放大器级间耦合方式有耦合、耦合和耦合三种。
三.判断题
1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
（）
2、PN结正向电流的大小由温度决定的。
（）
3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
（）
4、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
5、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
6、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）
7、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）
8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）
9、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）
10、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）
11、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）
12、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）
13、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）
四.分析题
1、已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。
试求左图所示电路中电阻R的取值范围。
2、下图示电路中，已知输入R1=1kΩ，R L=3kΩ，U I=12V，U Z=6V，I Z=5mA，P ZM=90mW，问输出电压U O能否等于6V？
第9章答案：
一、选择题
1~5DCCCA 6~10CBACA 11~15DA、DABA 16~20BABBC
二、填空
1、从P区到N区，从N区到P区。
2、单向导电性。
3、高、低
4、多数，少数
5、相同，宽，少数、多数、大，截止。
6、空穴，电子。
7、射、集电。
8、集电极，基极
9、100 ，10 。
10、0.707 上限频率和下限频率通频带，
11、直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。
三.判断题
1√ 2、 ×3、 ×4、 ×5、 √6、 × 7、×8、√9、×10、×11、√12、 ×13、×
四.分析题
1、已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求左图所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流
I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA
电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围
为
Ω=-=
k 8.136.0Z Z I ～I U U R
2、下图示电路中，已知输入R 1=1k Ω，R L =3k Ω，U I =12V ，U Z =6V ，I Z =5mA ，P ZM =90mW ，
问输出电压U O 能否等于6V ？
解：稳压管正常稳压时，工作电流I DZ 应满足I Z ＜I DZ
＜I ZM ，而 mA V
mW U P I Z ZM ZM 15690=== 即 5mA ＜I DZ ＜15mA
设电路中D Z 能正常稳压，则U O =U Z =6V 。
可求得：
mA R U R U U I I I L
Z Z I L R DZ 4=--=-= 显然，I DZ 不在稳压工作电流范围内。