ZXMN3B01FTA中文资料(Zetex Semiconductors)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

VDD =15V, I D =2.5A RG =6.0Ω, V GS =10V VDS =15V,V GS =5V, I =2.5A VDS =15V,V GS =10V, I =2.5A
二极管正向电压（1） 反向恢复时间（3） 反向恢复电荷（3）
TJ =25°C, I S=1.7A, VGS =0V TJ =25°C, I F=2.5A, di/dt= 100A/µs
器件标识
WIDTH 8mm 8mm
数量 每卷
3000单位 10000台
4
3Leabharlann 213mm x 2mm Dual MLP underside view
DNB
第 1期
- 2005年 10月 1
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ZXMN3AM832
绝对最大额定值 .
参数 漏源电压 栅源电压 连续漏电流用V 符号
热阻
参数 结到环境（一）（F） 结到环境（B）（F） 结到环境（C）（F） 结到环境（D）（F） 结到环境（D）（G） 结到环境（E ）（G） 符号 值 单元
R JA R JA R JA R JA R JA R JA
83.3 51 125 111 73.5 41.7
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
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ZXMN3AM832
MPPS微型包装电源解决方案 双 30V N沟道增强型 MOSFET
概要
V (BR)DSS = 30V; R
描述
DS(ON)
= 0.12 ; I
D=
3A
封装在新创新3毫米x 2mmMLP（微引线封装） 概述这种双30V N沟道沟槽MOSFET采用独特结构 结合低导通电阻与开关速度快优点.这项 使它们非常适用于高效率,低电压电源管理 应用程序.用户也将获得其他几个 性能等同于更大封装能力 提高电路效率和功率水平
40
D=0.2 热阻（℃ 20 / W）
单脉冲
0 100µ 1m 10m 100m
D=0.05 D=0.1
1
10
100
1k
100
脉冲宽度（S）
电路板铜面产品（平方厘米）
瞬态热阻抗
3.5
T =25°C 2盎司覆铜 注（G）
热阻 v电路板面产品
3.0 T =150°C 2.5
连续
耗散（ W） 2.0
1.5 1.0
- 2005年 10月
2
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ZXMN3AM832
典型特征
3.5 10 1
DC 1s V R
Limited 有限
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0
100us
2盎司铜 注（E ）（G） 2盎司铜
注意事项（一）（F）
1盎司铜 注释（d）（G）
100m A） 100ms 漏电流（ 10ms 1ms
注意事项（一）（F）
D I 10m
单脉冲,T
=25°C
0.5 0
1
10
最大功率耗散（ W） 0.0
25 50
1盎司铜 注释（d）（F）
75
100
125
150
VDS 漏源电压（V） 安全工作区
80 60
D=0.5
注意事项（一）（F）
温度（℃）
降额曲线
225 200 1盎司镀铜 注（F） 175 1盎司镀铜 150 注（G） 125 100 75 2 盎司覆铜 热阻（℃ ） 50 / W注（ F） 2盎司覆铜 25 注（G） 0 0.1 1 10
（在Tamb = 25°C除非另有说明）.
符号
MIN. 30
TYP.
MAX.
单位条件 .
V (BR)DSS I DSS I GSS V GS(th)
DS(on)
V 0.5 100
µA
I D=250µA, V GS =0V VDS =30V, V GS =0V V GS =±20V, V DS =0V ID =250µA, V DS = V GS VGS =10V, I D =2.5A VGS =4.5V, I D=2.0A VDS =4.5V,I D =2.5A
第 1期
- 2005年 10月
4
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ZXMN3AM832
典型特征
10
T = 25°C
10V 7V
5V 4.5V 4V 3.5V
T = 150°C
10V
7V
5V 4.5V 4V 3.5V 3V 2.5V V 2V
10
1
3V V 2.5V
1
漏电流（A）
漏电流（A）
I
D
0.1 0.1 1
I VDS 漏源电压（V） 输出特性
10
D
0.1 0.1 1 10
VDS 漏源电压（V） 输出特性
V = 10V I = 2.5A
10
V = 10V
1.6 1.4
和V 1.2 T = 150°C R
1
1.0
正常化 0.8ř T = 25°C V V =V I = 250uA
主要优点：
3x2mm Dual Die MLP
PCB面产品和设备安置储蓄
减少元件数量
特征
低导通 - 电阻 开关速度快 低阈值 低栅极驱动 采用3mm x2毫米MLP
应用
DC-DC转换器
电源管理功能
引脚
断开开关 电机控制
5
6
7
8
订购信息
设备
REEL 7’‘ 13’‘
胶带
ZXMN3AM832TA ZXMN3AM832TC
V V A A A A A A W mW/°C W mW/°C W mW/°C W mW/°C W mW/°C W mW/°C °C
漏电流脉冲 连续源电流（体二极管）（B）（F） 脉冲源电流（体二极管） 在TA功耗= 25°C（一）（F） 线性降额因子 在TA功耗= 25°C（B）（F） 线性降额因子 在TA功耗= 25°C（C）（F） 线性降额因子 在TA功耗= 25°C（D）（F） 线性降额因子 在TA功耗= 25°C（D）（G） 线性降额因子 在TA功耗= 25°C（E ）（G） 线性降额因子 工作和存储温度范围
NOTES (1) Measured under pulsed conditions. Width
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature. (3) For design aid only, not subject to production testing.
2盎司覆铜 注（F）
P
D
0.5 0.0 0.1 1
1盎司镀铜 注（F）
1盎司镀铜 注（G）
10
100
电路板铜面产品（平方厘米）
功率消耗 v电路板面产品
第 1期
- 2005年 10月 3
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ZXMN3AM832
电气特性
参数 静态 漏源击穿电压 零栅压漏电流 门体泄漏 门源阈值电压 静态漏源导通阻抗R
nA V
1 0.106 3.5 190 38 20 1.7 2.3 6.6 2.9 2.3 3.9 0.6 0.9 0.84 17.7 13.0 0.95 0.12 0.18
(1)
正向跨（1）（3） 动态 输入电容 输出电容 反向传输电容
g fs Ciss Coss Crss (3) t d(on) tr t d(off) tf Qg Qg Qgs Qgd V SD t rr Qrr
Notes (a) For a dual device surface mounted on 8 sq cm single sided 2oz copper on FR4 PCB, in still air conditions with all exposed pads attached. The copper are is split down the centre line into two separate areas with one half connected to each half of the dual device. (b) Measured at t<5 secs for a dual device surface mounted on 8 sq cm single sided 2oz copper on FR4 PCB, in still air conditions with all exposed pads attached. The copper are is split down the centre line into two separate areas with one half connected to each half of the dual device. (c) For a dual device surface mounted on 8 sq cm single sided 2oz copper on FR4 PCB, in still air conditions with minimal lead connections only. (d) For a dual device surface mounted on 10 sq cm single sided 1oz copper on FR4 PCB, in still air conditions with all exposed pads attached attached. The copper are is split down the centre line into two separate areas with one half connected to each half of the dual device. (e) For a dual device surface mounted on 85 sq cm single sided 2oz copper on FR4 PCB, in still air conditions with all exposed pads attached attached. The copper are is split down the centre line into two separate areas with one half connected to each half of the dual device. (f) For a dual device with one active die. (g) For dual device with 2 active die running at equal power. (h) Repetitive rating - pulse width limited by max junction temperature. Refer to Transient Thermal Impedance graph. (i) The minimum copper dimensions required for mounting are no smaller than the exposed metal pads on the base if the device as shown in the package dimensions data. The thermal resistance for a dual device mounted on 1.5mm thick FR4 board using minimum copper 1 oz weight, 1mm wide tracks and one half of the device active is Rth = 250°C/W giving a power rating of Ptot = 500mW. 第 1期
N沟道 30 20 3.7 3.0 2.9 13 3.2 13 1.5 12 2.45 19.6 1 8 1.13 9 1.7 13.6 3 24 -55到+150
单元
VDSS VGS ID GS =10V; T A =25 C (b)(f) @V GS =10V; T A =70 C (b)(f) @V GS =10V; T A = 25℃（一）（F） I DM IS I SM PD PD PD PD PD PD Tj :T stg
300µs. Duty cycle
S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC nC V ns nC
(3) VDS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
SWITCHING(2)
导通延迟时间 上升时间 关断延迟时间 下降时间 总栅极电荷 总栅极电荷 栅源充 栅漏极电荷 源漏二极管