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肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
肖特基二极管简介
肖特基二极管简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
肖特基二极管简介
BTA54C BTA54SDO41SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。
肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。
超过200V电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。
与可控硅元件不一样。
电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A规格的有做到200V电压。
电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管通用参数全套汇编
1.最大反向电压（VRRM）：肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
超过此电压，二极管可能会被击穿。
2.推荐工作温度（TJ）：在此温度下，肖特基二极管的性能指标可以
得到保证。
3.最大正向连续工作电流（IF）：在该电流下，二极管能够维持正常
工作。
4.最大稳态功耗（PD）：在该功耗下，二极管能够正常工作而不发生
过热。
5.正向压降（VF）：当二极管正向导通时，导通电流下的电压降。
6.反向电流（IR）：当二极管反向偏置时，反向流过的电流。
7.正向容量（CJ）：该参数是指正向偏置下的二极管电容。
8.反向容量（CR）：该参数是指反向偏置下的二极管电容。
9.串联电阻（RS）：该参数是指二极管正向导通时产生的串联电阻。
10.反向恢复时间（TRR）：指二极管从正向导通到反向截止的恢复时间。
11.正向导通时的电流增益（hFE）：指二极管正向导通时的放大倍数。
12.耐压（VR）：指肖特基二极管所能承受的最大反向电压。
13.工作频率：指肖特基二极管能够稳定工作的频率范围。
14.反向压降漂移：指反向电压增加时，反向压降随之增加的量。
15.动态电阻（RD）：指正向导通时肖特基二极管的动态导通电阻。
上述是关于肖特基二极管通用参数的一些重要内容，并不是细致的详
细解释，但是它们在设计和选择肖特基二极管时都是需要考虑的。
这些参
数的不同取值会对肖特基二极管的性能有直接的影响，所以在具体应用中，我们应该根据需要选择合适的肖特基二极管以确保电路的可靠性和稳定性。
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肖特基二极管规格书
以下是一个典型的肖特基二极管规格书包含的信息：
产品名称和型号：如1N5817等。
电气特性：
正向电压（VF）：指二极管在正向工作时的电压，通常在0.2至1.5伏之间。
反向电压（VR）：指二极管在反向工作时的最大电压，通常在20至200伏之间。
正向电流（IF）：指二极管在正向工作时的最大电流，通常在1至10安培之间。
反向漏电流（IR）：指二极管在反向工作时的最大漏电流，通常在数微安至数毫安之间。
瞬态响应时间：指二极管在电压或电流瞬间变化时从低电平到高电平的响应时间，通常在数纳秒至数微秒之间。
封装类型：肖特基二极管常见的封装类型有DO-41、TO-220等。
温度特性：二极管的电气特性会受到温度的影响，因此规格书中会标明温度特性，如最大工作温度等。
应用范围：肖特基二极管常用于开关电源、电机驱动、逆变器等电路中，规格书中会标明适用的应用范围。
常用肖特基二极管简表
常用肖特基二极管参数简表型 号厂商封 装 电流If/A 反 压Vrrm/V 压降Vf/V 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100IR轴向 5.00100 0.66 MBR735 GS TO2207.5035 0.84 MBR745GS TO2207.50450.84 MBR745IR TO2207.50450.841SS294TOS SC‐590.1400.60 BAT15‐099INF SOT1430.1140.3210MQ060N IR SMA0.77900.6510MQ100N IR SMA0.77 100 0.9610BQ015IR SMB 1.00150.34SS12 GS DO214 1.00 200.50 MBRS13 0LT3ON 1.0030 0.3910BQ040IR SMB 1.0040 0.53RB060L‐40ROHM PMDS 1.00400.55RB160L‐40ROHM PMDS 1.00400.55SS14GS DO214 1.00400.50 MBRS140T3ON ‐ 1.0040 0.6010BQ060IR SMB 1.00600.57SS16GS DO214 1.00600.7510BQ100IR SMB 1.001000.78 MBRS1100T3ON ‐ － 1.00 1000.7510MQ040N IR SMA 1.10400.5115MQ040N IR SMA 1.70400.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00450.4530BQ015 IR SMC 3.00 150.3530BQ040IR SMC 3.00400.5130BQ060IR SMC 3.00600.5830BQ100IR SMC 3.00100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 400.84 MBRS340T3ON ‐ － 3.00 40 0.52RB051L‐40ROHM PMDS 3.00 400.45 MBRS360T3ON ‐ － 3.00600.7030WQ04FN IR DPAK 3.30400.6230WQ06 FN IR DPAK3.30600.7030WQ10 FN IR DPAK 3.30 1000.9130WQ03FN IR DPAK 3.50300.5250WQ03FN IR DPAK 5.50300.5350WQ06 FN IR DPAK 5.5 060 0.576CWQ06F N IR DPAK 6.6060 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817ON轴向 1.0020 0.751N5818ON轴向 1.00300.551N5819ON轴向 1.00400.60SB130 GS轴向 1.00 300.50 MBR150 ON轴向 1.0050 1.00 MBR160 ON 轴向 1.0060 1.00 11DQ10IR 轴向 1.101000.85 11DQ04IR轴向 1.10400.55 11DQ05IR轴向 1.10500.58 11DQ06IR轴向 1.10 600.58 MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.43 1N5820 ON 轴向 3.00200.85 1N5821ON轴向 3.00 300.38 1N5822ON轴向 3.00 400.52 MBR360ON轴向 3.0060 1.00 SS32 GS DO214 3.0020 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 IR TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 80SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70 95SQ015 － 轴向 9.00 15 0.31 90SQ040 － 轴向 9.00 40 0.48 10TQ045 － TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR106 0 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.70 10TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 CT IR TO220 10.00 45 0.84 10CTQ150‐1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32 150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.0060 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.0080 0.72 16CTQ100 IR TO220 pr 16.00100 0.72 16CTQ100‐1 IR D2Pak 16.00100 0.72 18TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ01 IR TO220 19.00 15 0.36 20CTQ045IRTO220 pr20.00450.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CTIRTO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1 IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO24730.004532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1IRD2Pak30.00300.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020IRTO22040.00200.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO24740.00150.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.68 40L45CW IR TO247 40.00 45 0.70 40CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.0060 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 1000.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr60.0045 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00450.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030IRTO247AC70.00300.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.67 80CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045AIRD6180.00450.47 83CNQ100A IR D61 80.001000.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41200.00 40 0.54 200CNQ040 IR TO244AB200.00 45 0.54 200CNQ045 IR TO244AB200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03240NQ045 IR HALFPAK240.00 45 0.55 301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.411N60 VOLTTS轴向0.15 40 0.5 1N60P VOLTTS轴向0.5 45 0.5 1N5711 agilent轴向0.015 70 0.41 1N5712 agilent轴向0.035 20 0.55 5082-5810 agilent轴向0.035 20 0.41 5082-2811 agilent轴向0.020 15 0.41 5082-2835 agilent轴向0.010 8 0.34 型号厂家封装电流If/A 反 压Vrrm/V压降Vf/V 编制：w5jj@ 2009‐8‐19修订。
肖特基整流二极管的几个技术参数
肖特基整流二极管的几个技术参数肖特基整流二极管选型1.肖特基二极管用于防止电源反接。
就看你怎么连接了。
如果串联到电路中，就直接连接，如果并联，就反接。
2，TVS二极管最好是用表测一下来确定正负极。
3，并联在电路中使用要反接。
正接反接：二极管正极接地，负极靠近电源一般是稳压管正向导通相当于小电阻，反向截止被阻断。
肖特基二极管1.导通压降VF:VF为肖特基二极管正向导通时肖特基二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的肖特基二极管。
2.反向饱和漏电流IR:IR指在肖特基二极管两端加入反向电压时，流过肖特基二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的肖特基二极管。
3.额定电流IF:指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.浪涌电流IFSM:允许流过正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
越大越好5.反向峰值电压VRM:即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使肖特基二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
越大越好6.直流反向电压VR:;上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.工作频率fM:由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
肖特基二极管的fM值较高，最大可达100GHz。
肖特基二极管特点
肖特基二极管特点一、什么是肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管，它是由金属与半导体接触而形成的。
与常规二极管相比，肖特基二极管具有一些独特的特点和优势。
二、肖特基二极管的特点1.低 forward voltage drop (VF): 肖特基二极管的正向电压降低，通常在0.2V左右，远低于常规的硅二极管。
这意味着在正向工作时，肖特基二极管的功耗较低，可以减少能量损耗和发热，提高效率。
2.快速开关速度: 肖特基二极管的开关速度非常快，正向恢复时间（Trr）短。
这使它适用于高频应用和快速开关电路。
3.低反向漏电流 (IRR) : 肖特基二极管的反向漏电流很低，通常在纳安级别。
这使得它在低功耗应用中表现出色，并具有较高的性能稳定性。
4.优秀的温度特性: 肖特基二极管具有较好的温度特性，温度变化对其工作电压的影响较小。
5.抗辐射能力强: 肖特基二极管具有较高的抗辐射能力，能够在强辐射条件下正常工作，适用于核电站和其他辐射环境。
6.低噪声、低失真: 由于肖特基二极管的特殊结构，其内部噪声相对较低，能够提供清晰的信号传输和高质量的信号处理，减少失真。
7.良好的反向耐压能力: 肖特基二极管具有较高的反向耐压能力，通常在几十伏特到一百伏特之间，能够满足各种应用的要求。
8.可靠性高: 由于肖特基二极管没有PN结，且工作在较低的正向电压下，因此具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
9.适应广泛: 肖特基二极管适用于各种应用场合，例如功率电子、通信设备、工业控制、汽车电子、太阳能电池等。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其独特的特点，广泛应用于各个领域。
以下是肖特基二极管在不同领域的应用示例：1. 电源供电在电源供电系统中，肖特基二极管可以用于功率因数校正电路、开关电源、充电器等。
其低损耗和高效率的特点使得电源供电系统更加节能和可靠。
2. 通信设备在通信设备中，肖特基二极管可以用于高频振荡器、射频放大器和混频器等。
肖特基&快恢复&达林顿
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A 中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性.SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
IR
国际整流器公司IR是国际整流器公司(International Rectifier)的英文简称，是一家从事先进电源管理技术的世界领先企业，涉及数字、模拟以及混合信号，集成电路，先进电路器件，电源系统和电子元器件等方面；同时IR也是一家从事电脑，家电，汽车，消费电子和防御系统制造的领先者，依赖红外线技术改进自身产品的性能和效率。
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。
IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。
主要产品：- 高性能数字、模拟及混合信号集成电路- 先进电路器件- 功率系统- 基准MOSFET/irfsite/index.asp功率半导体领袖IR国际整流器公司(代码:IRF - 纽约证券交易所)是高级电源管理技术的先驱及全球领先的数字,模拟及混合信号集成电路,先进电路器件,动力系统和元件。
计算机世界领先的制造商,家用电器,汽车,消费电子和国防系统的红外技术,以推动其产品性能和效率。
今天,电源管理技术起着拯救世界日益减少的能源储备比以往任何时候都更加重要的作用。
国际整流器公司1947年成立,是老牌的功率半导体厂商。
在过去的五十多年里,国际整流器公司在半导体行业中创下了许多项世界第一: · 1958年发布第一个商业齐纳二极管和太阳能电池 · 1959年第一个推出硅可控整流器件(SCR) · 1962年率先发展了外延工艺用以生产工业上最稳定的高压SCR · 1974年采用玻璃钝化工艺生产出功率晶体管和大功率达林顿管 · 1979年售出第一个hexagonal-celled功率MOSFET · 1983年发布第一个智能功率IC、第一个高压功率IC · 1996年首次采用4-mask MOS FET工艺生产第五代HEXFET功率。
肖特基二极管选型原则
肖特基二极管选型原则
肖特基二极管（Schottky diode）是一种具有低电压降和快速响应的二极管，常用于高频、快速开关、整流等应用中。
肖特基二极管的选型原则如下：
1. 正向电压降（VF）：选择正向电压降较低的肖特基二极管能减小能量损耗，提高效率。
一般情况下，正向电压降越小，正向电流越大，因此需要根据具体的应用场景来平衡这两个参数。
2. 反向漏电流（IR）：反向漏电流指的是在反向工作条件下，产生的漏电流。
选择反向漏电流较小的肖特基二极管能减小回路功耗，提高性能。
3. 反向击穿电压（VR）：反向击穿电压指的是在反向工作条件下，可以承受的最大电压。
根据实际应用中的电压需求，选择能够满足需求的反向击穿电压的肖特基二极管。
4. 极限工作温度（Tj）：肖特基二极管的温度特性较强，其性能会随温度的变化而发生改变。
根据实际应用中的工作环境温度要求，选择能够适应该温度范围的肖特基二极管。
5. 切换速度（td）：肖特基二极管具有快速的开关速度，选择具有更短切换时间的肖特基二极管能够提高开关性能和响应速度。
根据具体应用的需求，需要综合考虑以上参数，选择最合适的
肖特基二极管。
同时，还需要考虑器件的封装形式、可靠性、成本等因素。
肖特基二极管的参数
常用肖特基二极管参数型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0.6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.58 30BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.62 30WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.70 30WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.53 50WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.81 1N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55 SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84 MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84 MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3110TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.7340L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.4185CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.72 16CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.72 16CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.64 20TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.3283CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.3282CNQ030A IR D61 80.00 30 0.3782CNQ045A IR D61 80.00 45 0.4783CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41系统分类: 电源技术 | 用户分类: 电源技术 |。
肖特基的工作原理
肖特基的工作原理肖特基（Schottky）二极管是一种特殊类型的二极管，其工作原理基于金属-半导体的接触。
它由一个金属与半导体材料形成的PN结构组成，而不是常规的PN结构中的两种不同类型的半导体材料。
肖特基二极管的工作原理可以通过金属与半导体接触形成的面积电势垒来解释。
在肖特基二极管中，金属接触到n型半导体材料的一侧，而p型半导体材料的一侧则未被金属覆盖。
这种金属与半导体之间的接触形成了一个正向电势垒，使电子从n型半导体向金属辐射，并形成一个逆向漏电流。
当施加正向偏压时，即将正电压施加到金属端，而负电压施加到半导体端时，电子会从金属向半导体材料注入。
由于金属对电子具有很低的功函数和高电导率，电子可以在金属-半导体界面上快速通过，并进入半导体材料。
这种注入过程在肖特基二极管中被称为“电子注入”。
当电子注入到半导体材料时，它们会与空穴发生复合，导致电流流过二极管。
在肖特基二极管中，正向工作时，由于电子注入的数量较大，电流可以在非常短的时间内形成。
这使得肖特基二极管具有快速开关和高频应用的能力。
与之相反，当施加反向偏压时，即将正电压施加到半导体端，而负电压施加到金属端时，电子注入被抑制。
这是因为在反向偏压下，电子注入需要克服金属与半导体接触面处的电势垒才能发生，而这个电势垒反向偏压中会增加。
因此，在反向偏压下，肖特基二极管有很小的漏电流。
肖特基二极管的一个重要特性是其低阈值电压。
由于金属-半导体界面形成的电势垒较低，肖特基二极管可以在较低的电压下开始导通，从而在一些特定的应用中提供更高的效率。
肖特基二极管还具有快速开关速度和低反向恢复时间的优势。
这是因为在肖特基二极管中，电子注入和抽取的过程非常迅速。
由于电子的移动速度远高于空穴，因此反向恢复的时间也更短。
此外，肖特基二极管还具有低功耗和高耐压能力的优点。
由于电子注入和抽取过程的高效率，肖特基二极管的功耗较低。
同时，它们还能承受较高的电压，使其在高压应用中具有重要的作用。
低ir 肖特基二极管
低ir 肖特基二极管（原创版）目录1.低 ir 肖特基二极管的概念与原理2.低 ir 肖特基二极管的特点与应用3.低 ir 肖特基二极管的发展前景正文一、低 ir 肖特基二极管的概念与原理低 ir 肖特基二极管（Low Insertion Loss Schottky Diode，简称LILSD）是一种具有低插入损耗特性的肖特基二极管。
肖特基二极管是一种金属与半导体接触的整流器件，其工作原理是在正向电压下导通，反向电压下截止。
低 ir 肖特基二极管在高频应用中具有较高的性能，主要表现在低插入损耗、快速开关速度和较低的反向漏电流等优点。
二、低 ir 肖特基二极管的特点与应用1.低插入损耗：低 ir 肖特基二极管在高频应用中具有较低的插入损耗，这意味着信号在通过该器件时不会产生明显的衰减。
因此，低 ir 肖特基二极管在高频通信、射频器件等领域具有广泛的应用。
2.快速开关速度：低 ir 肖特基二极管具有较快的开关速度，这意味着它能够在高频信号中实现快速的开关操作。
这使得低 ir 肖特基二极管在需要高速切换的场合，如开关模式电源、高频振荡器等应用中具有优势。
3.较低的反向漏电流：低 ir 肖特基二极管在反向电压下具有较低的漏电流，这使得该器件在反向电压下具有较好的绝缘性能。
因此，低 ir 肖特基二极管在需要隔离信号的场合，如信号处理、电源管理等领域具有较高的应用价值。
三、低 ir 肖特基二极管的发展前景随着科技的进步和电子行业的发展，对于高频性能优越的低 ir 肖特基二极管的需求越来越大。
未来，低 ir 肖特基二极管将在 5G 通信、物联网、新能源汽车等领域发挥重要作用。
此外，随着材料科学和制造工艺的不断发展，低 ir 肖特基二极管的性能将进一步提升，应用范围也将不断拓展。
肖特基产品芯片制造基础知识
肖特基产品芯⽚制造基础知识肖特基⼆极管芯⽚制造主要内容肖特基产品简介肖特基芯⽚⽣产流程简介肖特基⼆极管简介⼆极管介绍肖特基⼆极管类型肖特基⼆极管特点肖特基⼆极管应⽤肖特基⼆极管主要参数⼆极管⼆极管，是⼀种具有两个电极，只允许电流由单⼀⽅向流过的电⼦元器件。
⼆极管所具备的单向导电的功能，通常称之为“整流”功能。
在⼆极管两端加上正向电压时，电流可以通过⼆极管（导通）。
反之，在⼆极管两端加上反向电压时，电流⽆法通过⼆极管（阻断）。
因此，⼆极管可以想成电⼦版的逆⽌阀。
⼆极管类型按照所⽤的半导体材料分类：锗⼆极管和硅⼆极管，近些年⼜有新的砷化镓、氮化镓和碳化硅⼆极管。
按照⽤途分类：检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管、隔离⼆极管、肖特基⼆极管、发光⼆极管、硅功率开关⼆极管、旋转⼆极管等。
按照管芯结构分类：点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管、平⾯型⼆极管、沟槽型⼆极管。
肖特基⼆极管肖特基⼆极管是利⽤⾦属与半导体接触形成的⾦属－半导体结原理制作的⼆极管，以其发明⼈肖特基博⼠（Schottky）命名的。
SBD是肖特基势垒⼆极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
肖特基⼆极管类型肖特基芯⽚，根据不同的应⽤领域，通过封装加⼯成不同形式的成品器件，以满⾜各种终端客户的应⽤需要。
主要的封装形式有贴⽚式和引线式。
肖特基⼆极管类型肖特基与普通整流⼆极管区别肖特基⼆极管特点正向压降低：由于肖特基势垒⾼度低于PN结势垒⾼度，故其正向导通和正向压降都⽐PN结⼆极管低⾼频特性好：SBD是⼀种多数载流⼦导电器件，不存在少数载流⼦寿命和反向恢复问题。
由于SBD的反向恢复电荷⾮常少，故开关速度⾮常快，开关损耗也特别⼩，尤其适合于⾼频应⽤。
反向电压低：由于受材料限制，⼀般电压200V以下，普通整流⼆极管可做到1000V，但⽬前新型的碳化硅肖特基已做到1200V。
反向漏电流⼤：肖特基⼆极管漏电⼀般是uA级别，⽐普通整流⼆极管⼤⼏⼗甚⾄⼏百倍以上。
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芯片（2） 元件号码
N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A SC090H045A SC090H150A SC090S045A SC125R015S SC125H045A SC125H045S SC125H100A SC125H100S SC125H150A SC125S030A SC125S045A SC125S045S SC125S060A SC150H045A SC150R015A SC150S045A SC175H045S SC175H100A SC175H100S SC175S045A SC175S045S
熔炉区域的设置将取决于混合物的质量、材料、卡具和带速。肖特基芯片的温度一 定不要超过 400℃，也不能在 350 到 400℃范围内超过 1 分钟。推荐用氢气清理熔炉，尽 管氮气或氮氢混合气体（氮-氢，85%-15%）是可接受的。
采用导电胶安装芯片也是可能的，尽管这不是 IR 公司目前生产中所采用的。 钼片
在焊接中，由于有施加在较大芯片尺寸（200mil/边或更大）的热膨胀应力，IR 公司 建议在阳极和阴极上使用钼或其它热匹配的薄片，必须这样来选择薄片的材料和（或） 镀层，以使它能焊接到顶部和底部金属是银的金属化层上。
IR 公司提供了可焊接到阳极、阴极或两者上的钼片的标准选择，既有圆形的又有方 形形状的，以及各种适合于个别芯片大小的尺寸，这些选项被列在表 2 中。订购带有钼 片的芯片，要把需要选项的后缀号码加到芯片元件号的末尾。 阳极的连接
肖特基整流器芯片用于混合组装，可能导致整个封装尺寸的显著降低，以及性能和 效率的明显改善。此外，几个肖特基芯片可以很容易地安装在同样的散热器上，组成电
路组态或并联器件。因此，IR 肖特基整流器的这种工作优点，能够在非常紧凑的传统封 装组态中实现。
表1
大圆片（1） 元件号码
SC043H100SWB SC043S040SWB SC043S060SWB SC066H100AWB SC066H100SWB SC066S040AWB SC066S040SWB SC066S060AWB SC066S060SWB SC090H045AWB SC090H150AWB SC090S045AWB SC125R015SWB SC125H045AWB SC125H045SWB SC125H100AWB SC125H100SWB SC125H150AWB SC125S030AWB SC125S045AWB SC125S045SWB SC125S060AWB SC150H045AWB SC150R015AWB SC150S045AWB SC175H045SWB SC175H100AWB SC175H100SWB SC175S045AWB SC175S045SWB
后缀号 适用的芯片尺寸 顶端钼（阳极）
形状
底端钼（阴极）
J01
0.200（5.08） 0.150（3.81）直径 圆形
N/A
J02
0.200（5.08） 0.150（3.81）直径 圆形 0.283（7.19）直径
J03
0.200（5.08） 0.150（3.81）直径 圆形 0.215（5.46）直径
同样，丝焊设备的调整应当优化，并且要进行金属丝的拉伸试验（例如，见 Mil-Std-750 的方法 2037），以检测金属丝焊接强度的一致性。推荐做抽样的破坏性试验，以及 100% 的非破坏性试验。 密封
在密封之前，芯片或组件都应当保存在没有湿气的环境中，对于非气密性封装，可 以应用半导体级硅树脂合成橡胶。芯片或组件的净化建议在涂敷之前，特别是对于气密 性封装，在密封之前应马上进行 150℃，两小时的烘焙，以除去任何表面湿气。气密性封 装应当在干燥的氮气环境中进行封盖。 结束语
SC175S060AWB SC175S060A 0.175（4.45） 0.155（3.94）
铝
SC200E045SWB SC200E045S 0.200（5.08） 0.180（4.57）
银
SC200H045SWB SC200H045S 0.200（5.08） 0.180（4.57）
银
SC200H100AWB SC200H100A 0.200（5.08） 0.180（4.57）
J04
0.200（5.08）
N/A
—
0.283（7.19）直径
J05
0.200（5.08）
N/A
—
0.215（5.46）直径
J06
0.200（5.08） 0.150（3.81）直径 方形
N/A
J07
0.200（5.08） 0.150（3.81）直径 方形 0.283（7.19）直径
在组件中使用肖特基整流器芯片
正和兴电子有限公司 本文描述的是 IR 公司现有的芯片和大圆片形式的肖特基整流器，为了最大限度地提 高可靠性，这些外延二极管芯片采用了具有保护环结构的高可靠平面工艺技术。与标准 的封装相比，这类芯片的混合封装会导致重量和体积的显著节省，以及在电性能方面， 特别是引线电感的重大改善。在最终的封装中可能存在许多同样的元件，因而，针对芯 片的应用，开发工作和评估很容易在转变成设计之前完成。已封装的产品对芯片元件号 码的交叉参照附后。 特性 IR公司现有的肖特基芯片尺寸概括在表 1 中，这些尺寸的范围是从 43.3（1.100）到 275（6.985）mil/边（mm/边）。43.3 和 66.1 这两种尺寸是只有大圆片的形式才有的，而 所有其它规格的尺寸，既有大圆片的形式，又有芯片的形式。IR公司肖特基二极管的演 变结果，形成了四种独特的工艺和六个电压等级。OR＇ing、低VF高效的、标准的和“830” 工艺。每种工艺都是根据各种应用和工作模式对电和热的要求做了优选，使功耗最小化。 现有的六个电压等级是：15V、30V、45V、60V、100V和 150V。 探测 当以芯片的形式进行探测时，由于局限性，等效的封装器件的某些规范，在芯片形 式中不能测试或保证。一般说来，这些规范是大电流的正向特性、高温特性、冲击能力 （IFSM）、热阻（RthJC）、串联电感（LS）以及雪崩特性（EAS和IAR）。然而，每种大圆片都 要在室温下对最大反向电压（VR）、最大反向漏电流（IR）以及小电流的正向电压降（VF） 做 100%的探测。 在电探测期间，为了识别，被拒收的芯片被打上墨点。然后对大圆片划片并使芯片 机械分离。拒收的芯片被抛弃，而留下来的芯片要进行 100%的目检，装入栅格式的包装 盘内，包装运输。 管理和装运 IR 公司的肖特基芯片被归入到非静电敏感器件这一类，但为了方便，把它们封装在 导电的料盘内。然后把这些盘密封在有静电屏蔽的包装内，以便于发货，用非导电的聚 乙烯晶片载体运送大圆片。 芯片在组装之前一旦打开，就必须存放在干燥的惰性气体中，比如像氮气。应当用 杜邦的特氟隆尖端真空笔来操纵芯片，以防止机械损伤。 芯片的目检 IR 公司的肖特基整流器芯片应满足 Mil-Std-750 方法 2072 的目检判据，并且目检筛 选到 0.04%AQL 等级。 芯片背面（阴极）的安装 肖特基芯片具有钛/镍/银的阴极金属化，它既适合于焊料粘接，又适合于用像 92.5%/5%/2.5%的 Pb/In/Ag 焊料作焊剂预成型安装。由于在焊料里没有银的情况下，背面
对于所有顶端金属化为银的器件，阳极的电连接都应当是焊接连接。对于所有顶端 金属化为铝的元件，对阳极的电连接是通过用铝丝进行超声焊完成的。选择铝丝的直径 和线号，应适合电流的要求。为了增加可靠性，所有与阳极金属化接触的铜部件都必须 是覆盖镍或镀镍的，以消除铜与肖特基势垒的接触。
必须注意，在铝丝焊接期间，要确保焊接的外形维持在焊盘区域之内，否则，可能 导致器件失效。在金属化为银的情况下，焊盘区域集中在芯片上，在芯片边缘的外部， 既无焊接，又无导线。而在金属化为铝的情况下，可以与周边接触。每种芯片尺寸的焊 盘面积都是不同的，每种尺寸都列在表 1 中。
0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.105（2.67） 0.130（3.30） 0.130（3.30） 0.130（3.30） 0.155（3.94） 0.155（3.94） 0.155（3.94） 0.155（3.94） 0.155（3.94）
的金属银会溶解，所以建议采用含有银的焊剂。 一些常用的管座或衬底材料，比如像铜或镀铜的氧化铍或氧化铝都是可接受的。在
安装之前衬底必须是无氧化物的，可以用化学方法清理，或者采用氢气预烧工艺。肖特 基管芯的安装通常都是在仿形带式熔炉内，或者利用电炉回流技术完成的。红外或汽相 回流也是用于芯片安装可接受的方法。如果采用焊剂预成型或焊料粘接，随后必须进行 清理。
阳极金属化 （顶端）
银 银 银 铝 银 铝 银 铝 银 铝 铝 铝 银 铝 银 铝 银 铝 铝 铝 银 铝 铝 铝 铝 银 铝 银 铝 银
工艺
830 Standard Standard
830 830 Standard Standard Standard Standard 830 830 Standard OR’ing 830 830 830 830 830 Standard Standard Standard Standard 830 OR’ing Standard 830 830 830 Standard Standard
铝
SC200H100SWB SC200H100S 0.200（5.08） 0.180（4.57）
银
SC200R015SWB SC200R015S 0.200（5.08） 0.180（4.57）
银
SC200S030SWB SC200S030S 0.200（5.08） 0.180（4.57）
银
SC200S045SWB SC200S045S 0.200（5.08） 0.180（4.57）