multisim电子电路仿真教程第8章

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第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
将V2设置为1 V,此时的调幅指数ma = 1/1 = 1,观察到
的输出波形如图8-18所示。这时电路处于临界调制状态。 将V2设置为0.5 V,此时的调幅指数ma = 1/0.5 = 2,观察 到的输出波形如图8-19所示。观察图8-19所示波形,这时的 输出信号振幅包络的变化已不能反映调制信号的变化,这种 状态称为过调制。在实际调制电路中,过调制是不允许的。
2.实验原理
(1) 在高频电子线路中,小信号放大器和功率放大器均 以并联谐振电路作为晶体管的负载,放大后的输出电压从回 路两端取出。因此研究并联回路的频率特性具有重要的实际 意义。 (2) 并联谐振电路具有选频作用。 (3) 谐振电路的谐振频率。 (4) 电路的品质因数,Q反映了LC回路的选择性:Q值 越大,幅频特性曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
8.1
单调谐和双调谐回路仿真实验
1.实验要求与目的 (1) 测量LC并联电路的幅频特性和相频特性。 (2) 研究电路谐振频率与电路频率特性及Q值的关系。
(3) 研究双调谐回路的频率特性,改变耦合系数,观察
频率特性的变化。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-14 交流分析对话框设置
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-15 单调谐电路的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
观察图8-15所示曲线,上面的曲线是电路的幅频曲线,
下面的曲线是电路的相频曲线。从幅频曲线可以看到,在频 率为1 MHz时,电路的输出是最大的,输出约为输入的50倍; 同时从相频曲线可以看到,此时输出与输入的相位差基本上 为180°,即输出与输入反相。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-5 单调谐回路L取不同值的频率特性曲线
第8章Hale Waihona Puke Baidu高频电子技术Multisim仿真实验
图8-6 单调谐回路C取不同值的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
(4) 观察负载电阻变化对频率特性的影响。
电阻值分别取0.5 kHz、1 kHz、1.5 kHz,进行参数扫描 分析,得到如图8-7所示的频率特性曲线。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
3.实验电路
图8-1所示电路为单调谐LC谐振电路,图8-2所示电路为 通过电容耦合的双调谐LC谐振电路。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-1 单调谐LC谐振电路
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-2 双调谐LC谐振电路
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
1.实验要求与目的
(1) 用相乘器实现正常调幅波电路,观察输出波形,研 究其频谱分布。
(2) 用相乘器实现平衡调幅电路,观察输出波形,研究其 频谱分布。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
2.实验原理
调制就是将所传递的信号“附加”到高频载波上。根据 调制时被控制的高频参数的不同,可以分为调幅、调频和调 相电路。调幅就是控制高频载波信号的振幅随着低频调制信 号的变化而变化;调频或调相就是控制高频载波信号的频率 或相位随着低频调制信号的变化而变化。 正常调幅波的表达式为
近于理想矩形的幅频特性。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-10 C3 = 20 pF时的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
5.思考题
(1) 由仿真结果(见图8-5)可以看到,LC回路的通频带 基本不受电感影响,为什么? (2) 双调谐LC谐振电路与单调谐LC谐振电路相比有何优 点?
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-8 双调谐回路的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
(2) 观察耦合电容取值变化对频率特性的影响。
采用参数扫描方法同时观察耦合电容C3分别为150 pF、 250 pF、350 pF时的频率特性。 启动分析菜单中的Parameter Sweep...命令,在弹出的参 数设置对话框中进行相应的设置。进行仿真后得到如图8-9 所示的C3取不同值时的频率特性曲线。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-17 ma = 0.5时的正常调幅输出信号
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-18 ma = 1时的正常调幅输出信号
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-16 相乘器正常调幅实验电路
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
4.实验步骤
1) 用相乘器实现正常调幅实验步骤 (1) 按图8-16所示连接电路,设置各信号参数。电路的 调幅指数等于V2的振幅与V3的比值,此时设置的调幅指数 ma = 1/2 = 0.5。 (2) 打开示波器及仿真开关,观察输出波形,如图8-17 所示。由图8-17可以看出,高频载波信号的振幅随着调制信 号的变化而变化,高频载波信号振幅的包络变化与低频调制 信号是一致的。
其中,ma V V0 为调制指数。 平衡调幅波为抑制了载波频率成分的调幅波,它的表达式为
v(t ) maV0 cos t cos 0 t
利用三角函数变换,可得到:
1 1 v(t ) maV0 cos[( 0 )t ] maV0 cos[( 0 )t ] 2 2
图8-3 交流分析对话框设置
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-4 单调谐回路的频率特性
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
(3) 观察电感和电容取值变化对频率特性的影响。
采用参数扫描方法同时观察电感L1分别为0.5 mH、1 mH、 1.5mH时的频率特性。 采用参数扫描方法同时观察电容C1分别为150 pF、250 pF、350 pF时的频率特性。 启动分析菜单中的Parameter Sweep…命令,在弹出的参 数设置对话框中进行相应的设置。进行仿真后得到如图8-5 所示的L取不同值时的频率特性曲线和如图8-6所示的C取不 同值时的频率特性曲线。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
8.2 单调谐放大电路仿真实验
1.实验要求与目的 (1) 构建单调谐放大电路,掌握选频放大电路的结构。 (2) 研究单调谐放大电路的特性,掌握单调谐放大电路
的工作原理。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
2.实验原理
单调谐放大电路通常用来放大高频小信号,如超外差式 接收机的高放和中放电路,因此对其功能的基本要求是必须 兼有放大和选频双重作用,这分别由放大电路和选频网络两 部分实现。调谐放大器的基本组成如图8-11所示。
v(t ) [V0 V cos(t )] cos( 0 t 0 ) V0 (1 ma cos t ) cos 0 t
为简单起见,设初相为0°。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
利用三角函数变换,可得到:
1 1 v(t ) V0 cos 0 t maV0 cos[( 0 )t ] maV0 cos[( 0 )t ] 2 2
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
2) 研究电路的频率特性
采用交流分析的方法得到电路的频率特性曲线。启动分 析菜单中的的AC Analysis...命令,在弹出的参数设置对话框 中按图8-14所示进行设置,选择节点4进行分析,点击 Simulate按钮,得到如图8-15所示的频率曲线。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-7 负载取不同值时的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
由图8-7所示曲线可知,负载的改变会使频率曲线发生
改变:当阻值增大时,谐振电压增大,曲线变得尖锐,通频 带变窄,但回路谐振频率不变。
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2) 双调谐LC谐振电路分析
(1) 按图8-2所示连接双调谐电路,电路采用电容耦合, 耦合系数K = C3/C,其中C = C1 + C3 = C2 + C3。用交流分析 法对节点3进行分析,得到电路的频率特性曲线如图8-8所示。
4.实验步骤
1) 单调谐LC谐振电路分析 (1) 按图8-1所示连接电路并设置各元件参数。 (2) 测试频率特性。启动分析菜单中的AC Analysis...命 令,在弹出的交流分析对话框中按图8-3所示进行设置。选 择节点1为分析节点,运行仿真,得到图8-4所示的幅频特性 曲线和相频特性曲线。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
8.1 单调谐和双调谐回路仿真实验 8.2 单调谐放大电路仿真实验 8.3 相乘器调幅电路仿真实验 8.4 二极管双平衡调幅电路仿真实验 8.5 同步检波器仿真实验 8.6 二极管包络检波仿真实验 8.7 二极管环形混频器仿真实验 8.8 相乘倍频器仿真实验 8.9 单失谐回路斜率鉴频器仿真实验 8.10 AFC锁相环电路仿真实验
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-9 不同耦合电容时的频率特性曲线
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
分析图8-9可以知道:当耦合电容比较小时,即电路处
于弱耦合状态时,输出电压幅值较小,曲线形状较窄且呈现 单峰;当耦合电容太大时,即电路处于强耦合状态时,输出 电压幅值较大,曲线形状较宽且呈现双蜂,但曲线顶部出现 凹陷,所选频段幅度不均;只有当耦合电容处于临界耦合状 态时,输出电压幅度达最大,曲线形状较宽且呈现单峰。图 中C3 = 15 pF时,电路处于临界耦合状态。通常耦合电容的 取值略超过临界耦合状态,即使得曲线顶部出现凹陷不深的 双蜂,这样可以得到较宽的频带,并且频带内较平坦。图810所示为C3 = 20 pF时电路的频率特性曲线。和图8-4所示单 调谐频率特性曲线相比较,双调谐回路的通频带更宽,更接
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
5.结论
理论计算电路的谐振频率为
f0 1 1 1 106 Hz 1MHz 2π LC 2 3.14 250 1012 100 106
即电路的仿真结果与理论分析结果吻合。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
8.3 相乘器调幅电路仿真实验
利用相乘器可以实现幅度调制。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
3.实验电路
图8-16所示电路是用相乘器实现正常调幅的实验电路, 电路输出:
v0 KXY KV1 (V2 V3 )
其中,V1是一个频率为20 kHz,幅度为1 V,初相为0°
的高频载波信号;V2是一个频率为1 kHz,幅度为1 V,初相 为0°的低频调制信号;V3为2 V的直流电源。改变V3的大小, 可以改变调制指数。
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图8-11 调谐放大器的基本组成
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3.实验电路
单调谐放大电路如图8-12所示。
图8-12 单调谐放大电路
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
4.实验步骤
1) 研究电路的放大特性 设置输入信号的频率为1 MHz,双击示波器图标,打开 仿真开关,可以观察到电路的输入、输出信号波形,如图813所示。观察图8-13可以看到,输出信号与输入信号基本上 是反相的,同时电路的放大倍数约为50,这说明电路工作在 谐振放大状态。
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
图8-13 频率为1 MHz时输入、输出信号波形
第8章 高频电子技术Multisim仿真实验
设置输入信号的频率为1 kHz,再观察输入、输出信号
波形,可以看到此时的输出信号很小,电路工作于失谐状态。 设置输入信号的频率为10 MHz,再次观察输入、输出信 号波形,可以看到此时的输出信号也很小,电路同样工作于 失谐状态。 由此可见,只有当电路工作于谐振状态时,电路对信号 才有放大作用,即电路具有选频放大的能力。
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