场效应管放大电路
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上式中的符号表示V 上式中的符号表示V0与Vi反相，共源电路 反相， 属倒相电压放大电路。 属倒相电压放大电路。
(2)输入电阻 (2)输入电阻 Ri = rgs ||[Rg3+( Rg1+Rg2 )] 通常 故 rgs » [Rg3+(Rg1|| Rg2 )] Ri ≈ Rg3+ (Rg1|| Rg2 ) R 0≈ R d
讨论： 讨论： 根据特性曲线中， =0时 不等于0 根据特性曲线中，VGS=0时，iD不等于0， 而且， 可正可负， 而且，VGS可正可负，可以判断这个管子时耗 尽型绝缘栅场效应管；又根据VGS从负到正改 尽型绝缘栅场效应管；又根据V 变时， 相应地有小到大改变， 变时，iD 相应地有小到大改变，可见它是 N 沟道。夹断电压和饱和特性可直接从特性曲 沟道。 线上看出。 线上看出。
电路中跨接在电阻R 和源极S间的电容C 解：电路中跨接在电阻RG和源极S间的电容C 称为自举电容，该电容将输出信号V 称为自举电容，该电容将输出信号Vo馈送到栅 形成正反馈， 极 G，形成正反馈，从而提升了电路的输入电 阻 R i。 (1)不接电容 不接电容C (1)不接电容C时，输入电阻 Ri 的表达式可 直接由图所示电路写出： 直接由图所示电路写出： =51.1(MΩ Ri= RG+ RG1|| RG2=51.1(MΩ) (2)接有电容 (2)接有电容C时，为求输入电阻 Ri ，先画 接有电容C 微变等效电路如图所示，可得到： 出微变等效电路如图所示，可得到：
Rd Rg1
+ +
VDD
gm gs V
Id
+ +
Cb2 +
rd rgs Rd V o R
-
Cb1 Rg3 Rg2 R
Vo
-Leabharlann Baidu
Vi
-
Rg2 Rg1
Vi
-
小信号等效电路
(1)中频电压增益 (1)中频电压增益
Vi = Vgs + gmVgs R = Vgs (1+ gmR)
V0 = −gmVgs Rd gmRd A =− Vm 1+ gmR
(1)自偏压电路 (1)自偏压电路 如图所示， 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在V FET即使在 耗尽型FET即使在VGS=0 也有漏源电流流R 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻R 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:V 之间将有负栅压:VGS = -ΙD R。电容 C对 R起旁 路作用， 路作用，称为源极旁路 电容。 电容。
例: 一个场效应管的输 出特性如图所示， 出特性如图所示，试分 析: (1)它是属于何种类型的 (1)它是属于何种类型的 场效应管； 场效应管； (2)它的开启电压 它的开启电压V (2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压V 夹断电压VP )大约是多 少？ (3)它的饱和漏极电流 它的饱和漏极电流Ι (3)它的饱和漏极电流ΙDSS 是多少? 是多少?
例: (北京航空航天大学1999年研究生入学 (北京航空航天大学1999年研究生入学 北京航空航天大学1999 试题)如图中T 试题)如图中T 的 ΙDSS = 2mA, VGS(off) = - 3V, 试求： 试求： (1)栅源电压 (1)栅源电压VGS； 栅源电压V (2)漏极电流 (2)漏极电流ΙD； 漏极电流Ι (3)漏源电压 (3)漏源电压VDS； 漏源电压V (4)低频跨导 (4)低频跨导gm； 低频跨导g
例: 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 增强型MOS管和耗尽型MOS MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 是什么 ?增强型的场效应管能否用自给偏压的 方法的静态工作点？ 方法的静态工作点？
管的导电沟道是在V 答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大 到开启电压V 才接通， 到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之 后，才有漏极电流Ιd;耗尽型 MOS管的导电沟道 才有漏极电流Ι MOS管的导电沟道 是在 VGS= 0时已经形成，极栅源电压为零时才 0时已经形成 时已经形成， 有较大漏极电流Ι 有较大漏极电流Ιd,其VGS值可正可负。 值可正可负。 增强型的场效应管不能用自给偏压的方法 获得静态工作点。 获得静态工作点。
例:(东南大学1998年研究生入学试题)某 :(东南大学1998年研究生入学试题 东南大学1998年研究生入学试题) 场效应管自举电路如图所示 已知V 场效应管自举电路如图所示，已知VDD=+20V, 如图所示， RG = 51MΩ, RG1 = 200kΩ, RG2 = 200kΩ, 51MΩ 200kΩ 200kΩ RS = 22kΩ, 场效应管的 gm = 1mA / V。 22kΩ V。 试计算： 试计算： (1)无自举电容 (1)无自举电容C时，电路的输入电阻Ri; 无自举电容C 电路的输入电阻R (2)有自举电容 (2)有自举电容C时，电路的输入电阻Ri。 有自举电容C 电路的输入电阻R
(3)输出电阻 (3)输出电阻
典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 试求其中频电压增益A 输入电阻R 试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri 和输出 电阻R 电阻R0。 下图中的中频小信号等效电路如图所示。 解：下图中的中频小信号等效电路如图所示。
VDD
Rg1
18V V DD 30K
Rd
0.01uF +
4.7uF
Cb2
10M
+
Cb1
T
2K
47uF
Vi
-
Rg
Vo
-
R
C
(2)分压器式自偏压电路 (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 是适用于增强型管电路。
+ 0.01uF
18V V DD 2M 30K
Rg1 Cb1
Rd T
4.7uF
Cb2
10M 2K Rg3 47K 47uF
+
如图所示，静态时加在 如图所示， FET上的栅源电压为 FET上的栅源电压为 :
Vo
-
Vi
-
R
C
Rg2
VGS = VG −VS =
VDDRg 2 Rg1 + Rg 2
− ΙDR
4.3.2 应用小信号模型法分析FET放大电路 应用小信号模型法分析FET FET放大电路 如图所示的共源电路。图中rd通常在几 如图所示的共源电路。图中r 百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多， 百千欧的数量级，一般负载电阻比r 小很多， 故可以认为其开路。 故可以认为其开路。
4.3
1.直流偏置电路 1.直流偏置电路
场效应管放大电路
4.3.1 FET的直流偏置电路及静态分析 FET的直流偏置电路及静态分析 FET是电压控制器件， FET是电压控制器件，因此它需要有合适 是电压控制器件 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： a.自偏压电路； a.自偏压电路； 自偏压电路 b.分压器式自偏压电路。 b.分压器式自偏压电路。 分压器式自偏压电路
VGS Ι= RG Vi Ri = = RG + (1+ gmRG )(RG1 || RG2 || RG ) Ι 将已知的各参数值代入上式， 969MΩ 将已知的各参数值代入上式，得Ri= 969MΩ
讨论： 讨论： 本题的目的是练习用微变等效电路分析场 效应管放大器，同时了解在放大器中引入自举 效应管放大器， 电路的作用。本例计算表明， 电路的作用。本例计算表明，引入自举电容 C 使电路输入电阻明显提高了，这正是自举电路 使电路输入电阻明显提高了， 的功能所在。 的功能所在。
小结： 小结： 本题的目的在于估算场效应管放大器的 静态工作点。与三极管放大器相似， 静态工作点。与三极管放大器相似，求场效 应管放大器的工作点就是解它的直流通路。 应管放大器的工作点就是解它的直流通路。 运用估算法求Q点时， 运用估算法求Q点时，必须已知 ΙDSS及VP。有 时题中没有直接给出，这时可通过输出曲线 时题中没有直接给出， 间接求得。 间接求得。
RG1 C1
VDD
无自举电容时
Ui
RG
C RG2 RS
C2
UO
g
d
I Vi
RG1
RG RG2
gm GS U
s
有自举电容时
RS
VO
微变等效电路如图所示，可得到： 微变等效电路如图所示，可得到：
Vi =VGS + (1+ gmVGS )RG1 || RG2 || RS VGS = VGS ( + gmVGS )(RG1 || RG2 || RG3 ) RG
Id(mA) 8 6 4 2 0 4 8 12 16 1v Vgs=0v -1v -2v 4
解：由场效应管输出特性可看出， 由场效应管输出特性可看出， (1)VGS在正负电压一定范围内变化时，有 ΙD 在正负电压一定范围内变化时， 输出，所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。 输出，所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。 (2) VGS=-3V时， ΙD=0, 所以VP= -3V。 3V时 所以V 3V。 (3) ΙDSS≈6mA。 ≈6mA。
VGS 2 ΙD = ΙDSS (1− ) VP
将已知条件代入，可得： 将已知条件代入，可得：
2 ΙD = mA 9
(3) VDS可通过列出输出回路方程求得： 可通过列出输出回路方程求得：
2 VDS = VDD − ΙDRD =12 −10× = 9.8V 9 VGS 1− VP 4 (4)gm = 2ΙDSS = ms VP 9
答案：(电压)，(电流)。 电流) 答案： 电压) 例: (北京交通大学1997年研究生入学试题) (北京交通大学1997年研究生入学试题 北京交通大学1997年研究生入学试题) 在放大电路中，场效应管工作在( 在放大电路中，场效应管工作在( 答案： 饱和区或恒流区) 答案：(饱和区或恒流区)。 )区 ) 区。
+
+
Cb1 Rg3 Rg2
T
+
RS
Cb2
+
Rg3 Rg2
Vgs
_ +
gm gs V R V RL o Ro
RS
+
V i
+
R
V RL o
VS Ri
Rg1
VS
(a)
(b)
(1)中频电压增益 (1)中频电压增益 由上图知: 由上图知:
V0 = gmVgs (R || RL ) Vgs =Vi −V0 V0 = gm (Vi −V0 )(R || RL )
V0 gm (R || RL ) A = = Vm Vi 1+ gm (R || RL )
可见，当 gm(R||RL)»1时，Avm≈1,共漏极 ≈1,共漏极 可见， 电路属电压跟随器。和射极输出器的A 相比， 电路属电压跟随器。和射极输出器的Av 相比， 可知FET 可知FET的gm相当于BJT的 FET的 相当于BJT BJT的
Vgs = −VT
VT ΙT = ΙR − gmVgs = − gmVgs R
1 ΙT =VT ( + gm ) R VT 1 1 = R || R0 = = 1 ΙT gm + gm R
例题： 例题： (南京航空航天大学2000年研究生入学 南京航空航天大学2000 例: (南京航空航天大学2000年研究生入学 试题)场效应管是( 试题)场效应管是( 性三极管是( 性三极管是( )控制元件， )控制元件，而双极 控制元件 )控制元件。 )控制元件。 控制元件
例: 某放大电路如图所示，已知RS= 20Ω , 某放大电路如图所示，已知R 20Ω =2kΩ 22kΩ =10kΩ 3kΩ Re=2kΩ ,Rb1= 22kΩ ,Rb2 =10kΩ ,RC= 3kΩ , 27kΩ 三极管的V RL= 27kΩ, VCC = 10V, 三极管的VBE = 0.7V ， β= 50, rbb′= 100Ω, 试计算：(1)静态工作 bb′ 100Ω 试计算：(1)静态工作 Q(Ι );(2)输入电阻 输出电阻R 输入电阻R 点Q(ΙBQ,ΙCQ,VCEQ);(2)输入电阻Ri,输出电阻Ro; (3)电压放大倍数 电压放大倍数A (3)电压放大倍数AV,AVS。
1+ β β ≈ rbe rbe
(2)输出电压 (2)输出电压 Ri≈Rg3+(Rg1||Rg2)
(3)输出电阻 (3)输出电阻 =0，保留其内阻R 开路， 令Vs=0，保留其内阻Rs，将RL开路，在输 出端加一测试电压V 出端加一测试电压VT,由此可画出求共漏极电 的电路，如下图所示。 路输出电阻 R0的电路，如下图所示。由图有
解：(1)由电路图可知： (1)由电路图可知： 由电路图可知
R2 VGS = − VCC R1 + R2
5V
300K
T
200K
10K
R1
RD
12V
Vcc
R2
VDD
= −2V
(2)场效应管为 沟道耗尽型， (2)场效应管为N沟道耗尽型，其转移特性曲 场效应管为N 线可用近似公式表示为： 线可用近似公式表示为：
(2)输入电阻 (2)输入电阻 Ri = rgs ||[Rg3+( Rg1+Rg2 )] 通常 故 rgs » [Rg3+(Rg1|| Rg2 )] Ri ≈ Rg3+ (Rg1|| Rg2 ) R 0≈ R d
讨论： 讨论： 根据特性曲线中， =0时 不等于0 根据特性曲线中，VGS=0时，iD不等于0， 而且， 可正可负， 而且，VGS可正可负，可以判断这个管子时耗 尽型绝缘栅场效应管；又根据VGS从负到正改 尽型绝缘栅场效应管；又根据V 变时， 相应地有小到大改变， 变时，iD 相应地有小到大改变，可见它是 N 沟道。夹断电压和饱和特性可直接从特性曲 沟道。 线上看出。 线上看出。
电路中跨接在电阻R 和源极S间的电容C 解：电路中跨接在电阻RG和源极S间的电容C 称为自举电容，该电容将输出信号V 称为自举电容，该电容将输出信号Vo馈送到栅 形成正反馈， 极 G，形成正反馈，从而提升了电路的输入电 阻 R i。 (1)不接电容 不接电容C (1)不接电容C时，输入电阻 Ri 的表达式可 直接由图所示电路写出： 直接由图所示电路写出： =51.1(MΩ Ri= RG+ RG1|| RG2=51.1(MΩ) (2)接有电容 (2)接有电容C时，为求输入电阻 Ri ，先画 接有电容C 微变等效电路如图所示，可得到： 出微变等效电路如图所示，可得到：
Rd Rg1
+ +
VDD
gm gs V
Id
+ +
Cb2 +
rd rgs Rd V o R
-
Cb1 Rg3 Rg2 R
Vo
-Leabharlann Baidu
Vi
-
Rg2 Rg1
Vi
-
小信号等效电路
(1)中频电压增益 (1)中频电压增益
Vi = Vgs + gmVgs R = Vgs (1+ gmR)
V0 = −gmVgs Rd gmRd A =− Vm 1+ gmR
(1)自偏压电路 (1)自偏压电路 如图所示， 如图所示，考虑到 耗尽型FET即使在V FET即使在 耗尽型FET即使在VGS=0 也有漏源电流流R 时，也有漏源电流流R， 而栅极是经电阻R 而栅极是经电阻Rg接地 的，所以在静态时栅源 之间将有负栅压:V 之间将有负栅压:VGS = -ΙD R。电容 C对 R起旁 路作用， 路作用，称为源极旁路 电容。 电容。
例: 一个场效应管的输 出特性如图所示， 出特性如图所示，试分 析: (1)它是属于何种类型的 (1)它是属于何种类型的 场效应管； 场效应管； (2)它的开启电压 它的开启电压V (2)它的开启电压VT ( 或 夹断电压V 夹断电压VP )大约是多 少？ (3)它的饱和漏极电流 它的饱和漏极电流Ι (3)它的饱和漏极电流ΙDSS 是多少? 是多少?
例: (北京航空航天大学1999年研究生入学 (北京航空航天大学1999年研究生入学 北京航空航天大学1999 试题)如图中T 试题)如图中T 的 ΙDSS = 2mA, VGS(off) = - 3V, 试求： 试求： (1)栅源电压 (1)栅源电压VGS； 栅源电压V (2)漏极电流 (2)漏极电流ΙD； 漏极电流Ι (3)漏源电压 (3)漏源电压VDS； 漏源电压V (4)低频跨导 (4)低频跨导gm； 低频跨导g
例: 增强型MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 增强型MOS管和耗尽型MOS MOS管和耗尽型MOS管的主要区别 是什么 ?增强型的场效应管能否用自给偏压的 方法的静态工作点？ 方法的静态工作点？
管的导电沟道是在V 答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大 到开启电压V 才接通， 到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之 后，才有漏极电流Ιd;耗尽型 MOS管的导电沟道 才有漏极电流Ι MOS管的导电沟道 是在 VGS= 0时已经形成，极栅源电压为零时才 0时已经形成 时已经形成， 有较大漏极电流Ι 有较大漏极电流Ιd,其VGS值可正可负。 值可正可负。 增强型的场效应管不能用自给偏压的方法 获得静态工作点。 获得静态工作点。
例:(东南大学1998年研究生入学试题)某 :(东南大学1998年研究生入学试题 东南大学1998年研究生入学试题) 场效应管自举电路如图所示 已知V 场效应管自举电路如图所示，已知VDD=+20V, 如图所示， RG = 51MΩ, RG1 = 200kΩ, RG2 = 200kΩ, 51MΩ 200kΩ 200kΩ RS = 22kΩ, 场效应管的 gm = 1mA / V。 22kΩ V。 试计算： 试计算： (1)无自举电容 (1)无自举电容C时，电路的输入电阻Ri; 无自举电容C 电路的输入电阻R (2)有自举电容 (2)有自举电容C时，电路的输入电阻Ri。 有自举电容C 电路的输入电阻R
(3)输出电阻 (3)输出电阻
典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 典型的共漏电路—源极输出器如图所示， 试求其中频电压增益A 输入电阻R 试求其中频电压增益Avm、输入电阻Ri 和输出 电阻R 电阻R0。 下图中的中频小信号等效电路如图所示。 解：下图中的中频小信号等效电路如图所示。
VDD
Rg1
18V V DD 30K
Rd
0.01uF +
4.7uF
Cb2
10M
+
Cb1
T
2K
47uF
Vi
-
Rg
Vo
-
R
C
(2)分压器式自偏压电路 (2)分压器式自偏压电路 这种偏压电路的特点 是适用于增强型管电路。 是适用于增强型管电路。
+ 0.01uF
18V V DD 2M 30K
Rg1 Cb1
Rd T
4.7uF
Cb2
10M 2K Rg3 47K 47uF
+
如图所示，静态时加在 如图所示， FET上的栅源电压为 FET上的栅源电压为 :
Vo
-
Vi
-
R
C
Rg2
VGS = VG −VS =
VDDRg 2 Rg1 + Rg 2
− ΙDR
4.3.2 应用小信号模型法分析FET放大电路 应用小信号模型法分析FET FET放大电路 如图所示的共源电路。图中rd通常在几 如图所示的共源电路。图中r 百千欧的数量级，一般负载电阻比rd小很多， 百千欧的数量级，一般负载电阻比r 小很多， 故可以认为其开路。 故可以认为其开路。
4.3
1.直流偏置电路 1.直流偏置电路
场效应管放大电路
4.3.1 FET的直流偏置电路及静态分析 FET的直流偏置电路及静态分析 FET是电压控制器件， FET是电压控制器件，因此它需要有合适 是电压控制器件 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： 的栅极电压。通常有以下两种偏置方式： a.自偏压电路； a.自偏压电路； 自偏压电路 b.分压器式自偏压电路。 b.分压器式自偏压电路。 分压器式自偏压电路
VGS Ι= RG Vi Ri = = RG + (1+ gmRG )(RG1 || RG2 || RG ) Ι 将已知的各参数值代入上式， 969MΩ 将已知的各参数值代入上式，得Ri= 969MΩ
讨论： 讨论： 本题的目的是练习用微变等效电路分析场 效应管放大器，同时了解在放大器中引入自举 效应管放大器， 电路的作用。本例计算表明， 电路的作用。本例计算表明，引入自举电容 C 使电路输入电阻明显提高了，这正是自举电路 使电路输入电阻明显提高了， 的功能所在。 的功能所在。
小结： 小结： 本题的目的在于估算场效应管放大器的 静态工作点。与三极管放大器相似， 静态工作点。与三极管放大器相似，求场效 应管放大器的工作点就是解它的直流通路。 应管放大器的工作点就是解它的直流通路。 运用估算法求Q点时， 运用估算法求Q点时，必须已知 ΙDSS及VP。有 时题中没有直接给出，这时可通过输出曲线 时题中没有直接给出， 间接求得。 间接求得。
RG1 C1
VDD
无自举电容时
Ui
RG
C RG2 RS
C2
UO
g
d
I Vi
RG1
RG RG2
gm GS U
s
有自举电容时
RS
VO
微变等效电路如图所示，可得到： 微变等效电路如图所示，可得到：
Vi =VGS + (1+ gmVGS )RG1 || RG2 || RS VGS = VGS ( + gmVGS )(RG1 || RG2 || RG3 ) RG
Id(mA) 8 6 4 2 0 4 8 12 16 1v Vgs=0v -1v -2v 4
解：由场效应管输出特性可看出， 由场效应管输出特性可看出， (1)VGS在正负电压一定范围内变化时，有 ΙD 在正负电压一定范围内变化时， 输出，所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。 输出，所以视觉源栅N沟道耗尽型场效应管。 (2) VGS=-3V时， ΙD=0, 所以VP= -3V。 3V时 所以V 3V。 (3) ΙDSS≈6mA。 ≈6mA。
VGS 2 ΙD = ΙDSS (1− ) VP
将已知条件代入，可得： 将已知条件代入，可得：
2 ΙD = mA 9
(3) VDS可通过列出输出回路方程求得： 可通过列出输出回路方程求得：
2 VDS = VDD − ΙDRD =12 −10× = 9.8V 9 VGS 1− VP 4 (4)gm = 2ΙDSS = ms VP 9
答案：(电压)，(电流)。 电流) 答案： 电压) 例: (北京交通大学1997年研究生入学试题) (北京交通大学1997年研究生入学试题 北京交通大学1997年研究生入学试题) 在放大电路中，场效应管工作在( 在放大电路中，场效应管工作在( 答案： 饱和区或恒流区) 答案：(饱和区或恒流区)。 )区 ) 区。
+
+
Cb1 Rg3 Rg2
T
+
RS
Cb2
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Rg3 Rg2
Vgs
_ +
gm gs V R V RL o Ro
RS
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V i
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R
V RL o
VS Ri
Rg1
VS
(a)
(b)
(1)中频电压增益 (1)中频电压增益 由上图知: 由上图知:
V0 = gmVgs (R || RL ) Vgs =Vi −V0 V0 = gm (Vi −V0 )(R || RL )
V0 gm (R || RL ) A = = Vm Vi 1+ gm (R || RL )
可见，当 gm(R||RL)»1时，Avm≈1,共漏极 ≈1,共漏极 可见， 电路属电压跟随器。和射极输出器的A 相比， 电路属电压跟随器。和射极输出器的Av 相比， 可知FET 可知FET的gm相当于BJT的 FET的 相当于BJT BJT的
Vgs = −VT
VT ΙT = ΙR − gmVgs = − gmVgs R
1 ΙT =VT ( + gm ) R VT 1 1 = R || R0 = = 1 ΙT gm + gm R
例题： 例题： (南京航空航天大学2000年研究生入学 南京航空航天大学2000 例: (南京航空航天大学2000年研究生入学 试题)场效应管是( 试题)场效应管是( 性三极管是( 性三极管是( )控制元件， )控制元件，而双极 控制元件 )控制元件。 )控制元件。 控制元件
例: 某放大电路如图所示，已知RS= 20Ω , 某放大电路如图所示，已知R 20Ω =2kΩ 22kΩ =10kΩ 3kΩ Re=2kΩ ,Rb1= 22kΩ ,Rb2 =10kΩ ,RC= 3kΩ , 27kΩ 三极管的V RL= 27kΩ, VCC = 10V, 三极管的VBE = 0.7V ， β= 50, rbb′= 100Ω, 试计算：(1)静态工作 bb′ 100Ω 试计算：(1)静态工作 Q(Ι );(2)输入电阻 输出电阻R 输入电阻R 点Q(ΙBQ,ΙCQ,VCEQ);(2)输入电阻Ri,输出电阻Ro; (3)电压放大倍数 电压放大倍数A (3)电压放大倍数AV,AVS。
1+ β β ≈ rbe rbe
(2)输出电压 (2)输出电压 Ri≈Rg3+(Rg1||Rg2)
(3)输出电阻 (3)输出电阻 =0，保留其内阻R 开路， 令Vs=0，保留其内阻Rs，将RL开路，在输 出端加一测试电压V 出端加一测试电压VT,由此可画出求共漏极电 的电路，如下图所示。 路输出电阻 R0的电路，如下图所示。由图有
解：(1)由电路图可知： (1)由电路图可知： 由电路图可知
R2 VGS = − VCC R1 + R2
5V
300K
T
200K
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R1
RD
12V
Vcc
R2
VDD
= −2V
(2)场效应管为 沟道耗尽型， (2)场效应管为N沟道耗尽型，其转移特性曲 场效应管为N 线可用近似公式表示为： 线可用近似公式表示为：