SFH303F-3中文资料

SFH 303SFH 303 FANPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Wesentliche Merkmaleq Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm(SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA)q Hohe Linearitätq 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse q Auch gegurtet und gruppiert lieferbar Anwendungenq Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronikq “Messen/Steuern/Regeln”Featuresq Especially suitable for applications from 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA)q High linearityq 5 mm LED plastic packageq Also available on tape and in groups Applicationsq Photointerrupters q Industrial electronicsq For control and drive circuitsMaße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specifiedf e o f 6351f e o 063511)Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.1)Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher)Type (*formerly)Bestellnummer Type (*formerly)SFH 303Q62702-P957SFH 303 FA (*SFH 303 F)Q62702-P958SFH 303-2Q62702-P228SFH 303 FA-2)(*SFH 303 F)Q62702-P222SFH 303-3Q62702-P229SFH 303 FA-3(*SFH 303 F-3)Q62702-P223SFH 303-41)Q62702-P230SFH 303 FA-4(*SFH 303 F-41))Q62702-P224GrenzwerteMaximum Ratings Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert Value Einheit Unit Betriebs- und LagertemperaturOperating and storage temperature range T op ;T stg – 55...+ 100°C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 5 sDip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S260°CLöttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,Lötzeit t ≤ 3 sIron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s T S300°CKollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 50V Kollektorstrom Collector currentI C 50mA Kollektorspitzenstrom,τ <10 µs Collector surge current I CS 100mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltageV EB7VVerlustleistung,T A = 25°C Total power dissipation P tot 200mW Wärmewiderstand Thermal resistanceR thJA375K/WKennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert ValueEinheit UnitSFH 303SFH 303 FA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivityλS max 850870nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S maxSpectral range of sensitivity S = 10 % of S maxλ450...1000720...1100nmBestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.20.2mm 2Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip areaL ×B L ×W 0.65×0.650.65×0.65mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-flächeDistance chip front to case surface H4.0...4.64.0...4.6mmHalbwinkel Half angleϕ±20±20Grad deg.Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mW/cm 2,V CB = 5 VE v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CB = 5 VI PCB I PCB–15.8 4.5–µA µAGrenzwerteMaximum Ratings (cont’d)Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert Value Einheit UnitDie Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)I PCEmin is the min. photocurrent of the specified groupKapazität CapacitanceV CE = 0 V,f = 1 MHz,E = 0V CB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0V EB = 0 V,f = 1 MHz,E = 0C CE C CB C EB 101521101521pF pF pF Dunkelstrom Dark currentV CE = 10 V,E = 0I CEO2 (≤50)2 (≤50)nABezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert ValueEinheit Unit-2-3-4Fotostrom,λ =950 nm PhotocurrentE e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 V SFH 303:E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CE = 5 VI PCE I PCE 1.0...2.05.2 1.6...3.28.4≥2.513.1mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall timeI C = 1 mA,V CC = 5 V,R L = 1 k Ωt r , t f111315µsKollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emitter saturation voltage I C =I PCEmin 1)× 0.3E e = 0.5 mW/cm 2V CEsat150150150mVStromverstärkung Current gainE e = 0.5 mW/cm 2,V CE = 5 VI PCE I PCB330530830Kennwerte (T A = 25°C,λ = 950 nm)Characteristics (cont’d)Bezeichnung DescriptionSymbol SymbolWert ValueEinheit UnitSFH 303SFH 303 FARelative spectral sensitivity ,SFH 303S rel =f (λ)Output characteristics I C =f (V CE ),I B= Parameter Relative spectral sensitivity ,SFH 303 FA S rel =f (λ)Dark currentI CEO =f (V CE ), E= 0Photocurrent I PCE =f (E e ),V CE = 5 VCapacitanceC =f (VR ),f = 1 MHz,E = 0Directional characteristics S rel =f (ϕ)。