应用电子技术介绍65页PPT
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数字电子技术基础教程
第6页/共55页
2.2 逻辑代数的基本定律和规则
反演律 吸收律
A B AB
A AB A
A B A B A (A B) A
A B A B A
(A B)(A B) A
A AB A B
A(A B) AB
冗余律
AB AC BC AB AC
(A＋B)(A＋C)(B C) (A＋B)(A＋C)
F AB
2.或非逻辑
F AB
A
F
&
B
与非门
A
F
B
或非门
3. 与或非逻辑
&
F AB CD
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异或逻辑与同或逻辑
4.异或逻辑
F A B AB AB
A
=1
F
B
5.同或逻辑 F=A ⊙ B= AB AB
A
=
F
B
AB F
00 0 01 1 10 1 11 0
AB F
00 1 01 0 10 0 11 1
② 任意两个i0最小项之积恒i为0A0B，C任·意AB两C个＝最0大项之
和恒等于1 。
mi m j 0(i j)
Mi M j 1(i j)
③ n 变量的每一个最小（大）项有n 个相邻项
（相邻项是指两个最小项只有一个因子互为反变
量，其余因子均相同，又称为逻辑相邻项）。
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2.6 逻辑代数的K诺图
ABC ABC ABC
最大项表达式：
F ( A B C)( A B C)( A B C)
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最大项的Mi表示
n个变量可以构成2n个最大项。最大项用符号Mi表示。与 最小项恰好相反，对于任何一个最大项，只有一组变量 取值使它为0，而变量的其余取值均使它为1。
电子技术发展简史
电子技术发展简史现在，人们已经掌握了大量的电子技术方面的知识，而且电子技术还在不断的发展着。
这些知识是人们长期劳动的结晶。
我国很早就已经发现电和磁的现象，在古籍中曾有“磁石召铁”和“琥珀拾芥”的记载。
磁石首先应用于指示方向和校正时间，在《韩非子》和东汉王充著《论衡》两书中提到的“司南”就是指此。
以后由于航海事业发展的需要，我国在十一世纪就发明了指南针。
在宋代沈括所著的《梦溪笔谈》中有“方家以磁石磨针锋，则能指南，然常微偏东，不全南也”的记载。
这不仅说明了指南针的制造，而且已经发现了磁偏角。
直到十二世纪，指南针才由阿拉伯人传入欧洲。
在十八世纪末和十九世纪初的这个时期，由于生产发展的需要，在电磁现象方面的研究工作发展的很快。
库仑在 1785 年首先从实验室确定了电荷间的相互作用力，电荷的概念开始有了定量的意义。
1820 年，奥斯特从实验时发现了电流对磁针有力的作用，揭开了电学理论的新的一页。
同年，安培确定了通有电流的线圈的作用与磁铁相似，这就指出了此现象的本质问题。
有名的欧姆定律是欧姆在 1826 年通过实验而得出的。
法拉第对电磁现象的研究有特殊贡献，他在 1831 年发现的电磁感应现象是以后电子技术的重要理论基础。
在电磁现象的理论与使用问题的研究上，楞次发挥了巨大的作用，他在 1833 年建立确定感应电流方向的定则（楞次定则）。
其后，他致力于电机理论的研究，并阐明了电机可逆性的原理。
楞次在 1844 年还与英国物理学家焦耳分别独立的确定了电流热效应定律（焦耳 - 楞次定律）。
与楞次一道从事电磁现象研究工作的雅可比在 1834 年制造出世界上第一台电动机，从而证明了实际应用电能的可能性。
电机工程得以飞跃的发展是与多里沃 - 多勃罗沃尔斯基的工作分不开的。
这位杰出的俄罗斯工程师是三相系统的创始者，他发明和制造出三相异步电机和三相变压器，并首先采用了三相输电线。
在法拉第的研究工作基础上，麦克斯韦在1864 年至 1873 年提出了电磁波理论。
高压直流输电的基本控制原理(ppt 65页)
图6-7 阀的电气连接示意图 (a)晶闸管级；(b)阀组件；(c)单阀(桥臂)；(d)换流桥
6.2.2 12脉动换流器
在大功率、远距离直流输电工程中，为了减小谐 波影响，常把两个或两个以上换流桥的直流端串 联起来，组成多桥换流器。
多桥换流器结构 由偶数桥组成，其中每两个桥布置成为一个双
桥。每一个双桥中的两个桥由相位差为30º°的 两组三相交流电源供电，可以通过接线方式分 别为Y—Y和Y—D的两台换流变压器得到。
背靠背直流输电系统是输电线路长度为零(即无直流 联络线)的两端直流输电系统，主要用于两个非同步运行 的交流系统的联网，其整流站和逆变站的设备通常装设 在一个站内。由于背靠背直流输电系统无直流输电线路， 直流侧损耗较小，所以直流侧电压等级不必很高。
图6-5 背靠背直流输电系统结构
6.1.4 高压直流输电系统的结构和元件
6.3.1 高压直流输电系统的谐波特点
直流输电系统的平波电抗器电抗值通常比换相电 抗值要大的多，所以对于与换流器连接的交流系 统来说，换流器及其直流端所连接的直流系统可 以看作一个高内阻抗的谐波电流源。
为了正确估计谐波所引起的不良影响、正确设计 和选择滤波装置，必须对直流输电系统中的谐波 进行分析。在分析谐波时，通常先采用一些理想 化的假设条件，这样不但可以使分析得到简化， 而且对谐波中的主要成分可以得出具有一定精度 的结果，根据这些假设条件，得出有关特征谐波 的结论。然后，对某些假定条件加以修正，使分 析计算接近于直流输电系统实际的运行和控制情 况。
图6-6 双级HVDC系统
以双级HVDC系统为例，HVDC系统的主要元件 ：
(1)换流器 (2)滤波器 (3)平波电抗器；电感值很大，在直流输电中有着非常重要的
电子技术基础笔记
第一章直流电路（注：此文公式都用大写，直流电公式大写，交流电用此公式小写加d）1.1 电路及电路模型（1）电路：电流流经的闭合路径（2）电路作用：电能的传输与转换信号的传递和处理（3）电路组成：电源（信号源）、负载（用电设备）、中间环节1.2 电路变量1. 电流和电流的参考方向（1）电流：由电荷有规则地定向移动而形成(2)电流强度(I或i)：单位时间内通过导体横截面的电量 I=Qtⅈ(t)=ⅆqⅆt单位：安（A）1kA=103A 1mA=10−3A 1μA=10−6A（3）电流方向：正电荷的方向实际方向和电流方向一致I >0 ⅈab(方向由a到b)（4）直流电（DC）：电流大小和方向都不随时间变化用I表示（5）交流电（AC）：电流大小和方向随时间做周期变化用ⅈ表示2. 电压和电压的参考方向(1)电压：电场力把单位正电荷从a移到b点所做的功U=wq(总功除以总电荷)U AB=V A−V B（两点电位相减）单位：伏（V）1kV=103V 1m V=10−3V（2）电压反映了单位正电荷由a运动到b点所获取或失去的能量若正电荷由a运动到b是失去能量，即a能量高b能量低，则a为正级b为负极（3）电压方向：由高电位指向低电位，即电位降位的方向为电压实际方向（4）关联参考方向：电流从（元件中）电压的正端流入，即为关联参考方向，反之3. 功率和能量(1)电功率：单位时间内吸收(或产生)的电能 P=w t直流中P=UI 电流和电压为非关联方向时加负号单位：瓦特（W）1mW=10−3W 1kw=103w 1MW=106W （2）电功率方向：能量传输的方向（3）若电功率为正值则元件吸收电功率，为负载；为负值则提供功率，为电源1.3 电阻元件（1）电阻R 欧姆定律：U=IR P=RI2单位：Ω 1kΩ=103Ω 1MΩ=106Ω（2）线性电阻（R为常数）：电阻元件开路，无论电压为几，电流为0；电阻元件短路，无论电流为几，电压为0（3）非线性电阻：电阻随电压或电流的大小或方向而改变；例如：二极管1.4 电压源与电流源1. 理想电压源（恒压不恒流）直流电压源符号：2. 理想电流源（恒流不恒压）直流电流符号：3. 实际电源和两个电路模型（1）实际电压源：U=U s−R s IR s为内电阻，U s为总电压，R L为电路电阻，U为电路实际电压①有载状态：此时U=IR , I=U s R s+R L②开路状态：R L=∞，I=0；开路时电压用U oc表示，U oc=U s，开路电压最大③短路状态：R L=0，短路时电流用I sc表示，I sc=U sR s，短路时电流最大(2)实际电流源：I=I s−UR sI为电路实际电流，I s为总电流，R s为电流源内阻1.5 基尔霍夫定律（在集总参数电路中）①支路：每一个二端元件都为一个支路②节点：两条或两条以上的支路连接点③回路：电路中任意闭合路径④ 网孔：载回路内部不另含支路的回路为网孔1. 基尔霍夫电流定律（LCL ）对于任一个节点，流入流出的电流代数和为02. 基尔霍夫电压定律（KVL ）对于任一回路，沿着指定的回路绕行方向，各元件两端的电压代数和为01.6 单口网络及等效① 单口网络（二端网络）：只有一个端口与外部电路连接的电路端口：是一对端钮，流入一个端钮的电流总等于流出另一个端钮的电流② 单口网络的伏安特性：单口网络在端口上的电压和电流的关系③ 等效（外电路等效）电路：相同电压和电流下，若N 1和N 2伏安特性相同，则等效1. 电阻的串并联及等效①串联电路（串联分压，电流相同）：分压公式{ U 1=R 1R 1+R 2UU 2=R 2R 1+R 2U②并联电路（并联分流，电压相同）：I 1=UR1两电阻并联：R =R 1⋅R 2R 1+R 2 1R =1R 1+⋯+1R n2. 理想电源的等效变换（1）电压源的串联及等效（恒压）：U s =U s1+U s2+U s3等效于（2）电流源的并联及等效（恒流）：I s =I s1+I s2+I s3等效于（3）电压源与元件的并联等效于（4）电流源与元件的串联等效于3. 实际电压源和实际电流源的等效等效于U s=R⋅I s电路最简形式：一个电压源串联一个电阻或一个电流源并联一个电阻的电路1.7 点位的概念与计算①电路中某点电位是指该点与参考点之间的电压，用V表示②a、b间电压为a点电压减去b点电压：U ab=V a−V b③电压方向：高电位到低电位1.8 支路电流分析法（P17）步骤：n个节点、b条支路①标出每个支路电流以及参考方向②根据KCL列出n-1个独立的节点电流方程③选定所有独立回路指定每个回路绕行方向，再根据KVL列出b-(n-1)个回路电压方程④求解2、3所列的方程组，得各支路电流⑥根据需要，利用原件VAR科求得各元件电压及功率1.9 节点分析法（P19）在电路中任选一节点为参考节点(此节点电位为0),其他节点到参考节点的电压降为电压1.10 叠加定理①叠加定理：线性电路中，多个独立电源共同作用在某一支路中产生的电压（或电流）等于电路中每一个独立电源单独作用时在该支路产生的电压（或电流）的代数和某一独立源单独作用时：独立电压源短路（将电压源化为线路）独立电流源开路（断开线路）1.11 等效电源定理（任意一个线性有源单口网络）1. 戴维南定理①戴维南定理：总能用一个理想电压源和一个电阻串联来等效②戴维南等效电路：电压源与电阻的串联2. 诺顿定理①诺顿定理：总能用一个理想电流源和一个电阻并联来等效②诺顿等效电路：电流源与电阻的并联1.12 含受控源的电阻电路1. 受控电源2. 含受控电阻电路的分析（P27）1.13公式总结：电流：I （A ） 电压：U （V ） 电阻：R （Ω） 电荷：q （C ） 时间：t （s ） 能量：W （J ） 电功率：P （W ）第二章 一阶动态电路的暂态分析2.1 电容元件与电感元件1. 电容元件及其性质（1）电容元件：储存电荷（或者储存电场能量）的元件 C =qu符号：q(t)C +-u(t)i(t)单位：法（F ） 1μF =10−6F 1nF =10−9F 1pF =10−12F①工作电压：电容器在使用时容许加在两端的最大电压为工作电压，也称耐压注：一旦工作电压过高超过额定电压值，可能造成介质击穿，介质由原来的不导电变为导电，丧失电容的作用②ⅈ=q t =C Ut某一时刻电容元件的电流取决于该时刻电压电容的变化率 两端积分：u (t )=1C ∫ⅈ(λ)ⅆλt −∞ 或 u (t )=u (t 0)+1C ∫ⅈ(λ)ⅆλtt 0③p (t )=u (t )ⅈ(t )=C ⋅u ⋅ⅆu ⅆt ⇒ t 时刻的储能：w C (t )=12Cu 2(t )电容将电能转换为电场能储存在电容中电容中电压不能突变{ 电压增大，电场能增大，电容元件从电源取用电能电压减小，电场能减小，电容元件向电源放还能量（2）电容两端电压保持不变, 则通过的电流为零；即对直流电压而言, 电容相当于开路（3）电容性质：直流开路、动态元件、记忆元件、不能跃变2. 电感元件及其性质（1）电感元件：一根导线有电流时，周围会产生磁场，将导线绕成线圈，可增加线圈内部磁场，由此形成的元件为电感元件一线圈为一匝N,每匝都会感应出磁通ϕ,匝与匝之间相互交链磁链为ψ⇒ ψ=Nϕ（2）线性电感L ：L =ψⅈ电感元件符号：单位：亨（H ） 1mH =10−3H 1μH =10−6H ①u (t )=ⅆψⅆt ⇒ u =L ⅆⅈⅆt某时刻电感电压只取决于该时刻电流变化率 两端积分：ⅈ(t )=1L ∫u (λ)ⅆλt −∞ 或 ⅈ(t )=ⅈ(t 0)+1L ∫u (λ)ⅆλtt 0②p (t )=u (t )ⅈ(t )⇒t 时刻的储能：w C (t )=12Lⅈ2(t )电感将电能转换为磁场能储存在线圈中电感中电流不能突变{ 电流增大，磁场能增大，电感元件从电源取用电能电流减小，磁场能减小，电感元件向电源放还能量（3）电感电流不变，即为直流时，电压为0；故电感对直流相当于短路（4）电感性质：直流短路、动态元件、记忆元件、不能跃变2.2 换路定则及其初始条件1. 换路定则（1）动态电路：电路中含有动态元件（电容或电感）（2）分析电路从一种稳态转变成另一种稳态的过程为瞬态分析或暂态分析（3）{ t =0 ⇒ 换路瞬间t =0+ ⇒ 换路前的起始时刻 t =0− ⇒ 换路后的初始时刻（4）电感电路：ⅈL (0+)=ⅈL (0−) 电容电路：u c (0+)=u c (0−)2. 初始条件确定（1）换路前{ 储能元件储能：u c (0−)≠0电容为开路，ⅈL (0−)≠0电感为短路储能元件不储能：u c (0−)=0电容为短路，ⅈL (0−)=0电感为开路（2）由换路定则可得出电容电压的初始值u c (0+)和电感电流的初始值ⅈL (0+)储能时求其他支路电压电流{ 用电压为u c (0+)的电压源代替电容用电流为ⅈL (0+)的电流源代替电感2.3 一阶电路零输入响应零输入响应：指动态电路在没有外施激励时，仅由动态元件的初始储能所引起的响应 （1）RC 电路的零输入响应：实质是RC 电路电容的放电过程时间常数：τ=RC 单位：s R 是电阻，C 是电容（2）RL 电路的零输入响应：电感中的初始储能逐渐释放出来消耗在电阻中的过程时间常数：τ=L R2.4 一阶电路零状态响应零状态响应是指动态元件初始储能为0，仅由外施激励所引起的响应 （1）RC 电路零状态响应：电容初始为0；是一个电容充电的过程 （2）RL 电路零状态响应：电感初始为02.5 一阶电路完全响应完全响应是指非零初始状态和外施激励共同作用产生的响应2.6 三要素法求一阶电路响应（1）求初始值f (0+) ①求换路前u c (0−)或者ⅈL (0−) ②由换路定则求出u c (0+)或者ⅈL (0+) ③用电压源u c (0+)代替电容或者ⅈL (0+)代替电感④画出等效电路，求任意支路的电压、电流的初始值（2）求稳态值f (∞) ①换路后，电容相当于开路，电感相当于短路②由此电路求任意支路电压、电流的稳态值（3）求时间常数τ①先求电容和电感以外的戴维南等效电阻，再计算时间常数（4）求一阶电路响应f(t)=f(∞)+[f(0+)−f(∞)]e− tτ ,t>0f(t)=f(∞)+[f(t0)−f(∞)]e− t−t0τ ,t>t0第五章半导体二极管及直流稳压电源5.1 半导体二极管的外部特征1. 二极管的基本结构（1）在电子元件中用的最多的是硅和锗，导电能力介于导体和绝缘体之间（2）N型半导体：主要导电粒子为负电P型半导体：主要导电粒子为正电2. 二极管的伏安特性正偏：P区接电源的正极，N区接电源的负极，为PN结正向偏置反偏：P区接电源的负极，N区接电源的正极，为PN结反向偏置（1）正向特性（图中的①）死区电压：使二极管开始导通的临界电压，用U tℎ表示硅二极管的死区电压为U tℎ=0.5V左右锗二极管的死区电压为U tℎ=0.1V左右压降：电流迅速增加正向压降变化却很小，用U D(on)表示硅管U D(on)约为0.7V，锗管U D(on)约为0.2V（2）反向特性（图中的②，为反向截止区）反向饱和电流I s：随反向电压增大反向电流基本不变PN结具有单向导电性：正偏时导通，反偏时截止（3）反向击穿特性反向击穿电压为U BR电击穿可逆，热击穿不可逆（4）PN结（二极管）伏安特性的数学表达式PN结的伏安特性方程近似为ⅈ=I s(e uU T−1)u为PN结外加电压，i为流过PN结的电流，I s是反向饱和电流，常温下U T=26mV正向电压u≫U T时 ⅈ=I s e uU T , 反向电压|u|≫U T时 ⅈ=−I s3. 二极管的主要参数（1）最大整流电流I F：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流（2）最高反向工作电压U R：是二极管工作时允许外加的最大反向电压（3）反向电流I R：二极管未被击穿时的反向电流（4）最高工作频率f M：二极管工作的上限频率5.2 晶体二极管电路的分析方法1. 晶体二极管的模型（1）晶体二极管的数学模型：ⅈ=I s(e uU T−1)（2）伏安特性曲线（3）简化电路模型①理想二极管模型（电源电压远比二极管的压降大时用此模型）正向时导通，u D =0 反向时截止，I s =0②恒压降模型（二极管正向导通，压降不随时间变化，且二极管的反向电流为0）压降：硅0.7V ，锗0.2V 导通时u =U D 截止时I s =0③折线模型其中r D =Δu ∕ΔI（4）交流小信号等效模型二极管两端电压在某一固定直流附近有微小变化引起二极管中电流相应变化 此固定电压为静态工作点，用Q 表示可将二极管等效为一个动态电阻，此动态电阻用r d 表示r d =Δu D ΔⅈD ⁄ ⇒ r d ≈U T I D =26(mV )I D (mA )2. 晶体二极管电路的分析方法（1）数值解法 （2）图解分析法（3）简化模型分析法：①理想二极管模型：用短路代替导通的二极管I D=V DD/RU D=0 V②横压降模型I D=V DD−U D(on)RU D=0.7V第六章晶体三极管及其放大电路6.1 晶体三极管的外部特征1. 晶体管的类型及符号（1）晶体管按结构分有NPN型和PNP型（2）按材料有：硅管、锗管按工作频率有：低频管和高频管2. 晶体管的电流分配与放大作用（1）满足放大条件的三种电路：（2）放大条件：{u BE>U on（发射结正偏）u CB≥0,即u CE≥u BE（集电结反偏）（3）直流电放大倍数：β≈I CI B⇒I C=βI B ,I E=(1+β)I B电流分配I E=I B+I C，电流关系I E>I C>I B（4）电位区别：NPN型：V C>V B>V E PNP型：电位V E>V B>V C，3. 晶体管的共射特性曲线（1）输入特性：当压降u CE为某个数值时，输入电流ⅈB和输入电压u BE关系ⅈB=f(u BE)|UCE=常数{u CE=0V时相当于集电极和发射极短路，即发射结和集电结并联相同输入电压u BE下，u CE增大，ⅈB减小只有发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才会出现ⅈB 硅管死区电压为0.5V，锗管死区电压为0.1VNPN 型：硅管发射结电压u BE 为0.6~0.7V ，锗管发射结电压u BE 为0.2~0.3V PNP 型：硅管发射结电压u BE 为−0.6 ~−0.7V ，锗管发射结电压u BE 为−0.2 ~−0.3V （2）输出特性：输入电流ⅈB 为某个数值时，集电极电流ⅈC 和压降u CE 的关系ⅈC =f (u CE )|I B =常数①截止区：发射结和集电结均反偏电流关系 ⅈB =0 ,ⅈE =ⅈC =I CEO 无电流放大能力各级电流为0，相当于开关断开状态②放大区：发射结正偏，集电结反偏电流关系：ⅈC =βⅈB ,ⅈE =ⅈB +ⅈCⅈE =(1+β)ⅈB ≈βⅈB有电流放大能力NPN:V C >V B >V E PNP: V E >V B >V C相当于b 、e 接恒压源，c 、e 接受控电流源③饱和区：发射结和集电结均正偏饱和时u CE 为饱和压降，记为U CES ：NPN 型硅管0.3V ，PNP 型锗管−0.1V有电流放大能力集电极与发射极之间相当于短路，开关闭合相当于b 、e 接恒压源U BE(on)，c 、e 接恒压源U CES④运算：将3个电极电位从高到低排序（中间电位为基极）电位差确定材料，基极和发射极：|V B −V E |≈{0.7V （硅管）0.3V （锗管）电位高低确定管型：{V C >V B >V E （NPN ）V E >V B >V C （PNP ）4.晶体管的主要参数（1）电流放大系数①直流电流：晶体管接成共射极电路时，静态（无输入信号）时，放大系数为β=I C I B②交流电流：晶体管在动态（有输入信号）时，放大系数为β=ΔⅈC ΔⅈB（2）极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO，集电极-发射机反向饱和电流I CEO{I CBO受温度影响很大，故I CBO越小越好（硅管再温度稳定性方面优于锗管）I CEO受温度影响比I CBO更大（3）极限参数：①I CM：最大集电极电流②P CM：最大集电极耗散功率③U(BR)CEO：c-e间击穿电压6.2 放大电路的组成和工作原理1. 基本共射极放大电路的组成（1）放大电路组成必须符合：放大电路器件工作在放大状态（发射结正偏，集电结反偏）；输入信号能送到放大电路的输入端，放大后输出信号能作用于负载电阻之上（2）不同性质电量符号表示①直流分量时（无输入信号u i=0）：符号大写，例如：I B ,I C ,U CE此时各级电流I B ,I C和管压降U CE为放大电路的静态工作点Q，记作I BQ ,I CQ ,U CEQ②交流分量（u i≠0）：符号小写，例如：ⅈb ,ⅈc ,u ce③电路中总的电量瞬间值表示：ⅈB ,ⅈC ,u CE{ⅈB=I B+ⅈbⅈC=I C+ⅈcu CE=U CE=+u ce2. 基本共射极放大电路的工作原理6.3 放大电路的分析静态：放大电路无输入信号时的工作状态（直流）动态：放大电路有输入信号时的工作状态（交流）1. 直流通路与交流通路（1）直流通路：输入信号源置0，即u s=0；电容开路；电感短路交流通路：电容短路；直流电压源短路2. 静态分析（上图直流通路为例）（1）放大电路直流通路计算静态值（U BEQ硅管0.6V~0.7V锗管0.2V~0.3V）I BQ=V CC−U BEQR b,I CQ=βI BQ ,U CEQ=V cc−I CQ R c⇐ KVL: V CC=I CQ⋅R C+U CEQ（2）图解法确定静态值u BE=V CC−ⅈB R b u CE=V CC−ⅈC R C3. 动态分析（1）微变等效电路法：将非线性元件晶体管组成的放大电路等效为一个线性电路①晶体管的微变等效电路模型r be=300+(1+β)26(mV)I EQ(mA)r ce=u ceⅈc②放大电路的微变等效电路电压放大倍数：A u=U oU i=−βR L′r beR L′=R c∕∕R L输入电阻：R i=U iI i=R b∕∕r be≈r be输出电阻：R O≈R C U0=R LR o+R LU oc I0=U ocR0+R L源电压放大倍数：A us=R iR i+R s⋅A u注：R1∕∕R2为电阻并联 R1∕∕R2=R1R2 R1+R2（2）图解法（PPT65页）4. 图解法分析放大电路的非线性失真和动态范围（1）非线性失真：截止失真，饱和失真（2）用图解法估算动态范围6.4 晶体管放大电路的三种接法1. 静态工作点稳定的共射极放大电路（1）。
LED照明培训资料SFT
梦幻五环
梦幻长卷
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LED照明产业商机
2009年LED照明产业的商机 1、国务院出台4万亿元规模的经济刺激计划中，有1.8万亿元用于铁路、公路、机场和城乡电网建设、 1万亿元用于地震重灾区的恢复重建，这无疑给中国LED照明产业带来巨大的商机。 2、即将到来上海世博会将给中国LED照明产业的发展带来了巨大的历史机遇。
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垂直芯片剖析
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垂直芯片的制成
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垂直LED制造的方法
制造垂直结构LED芯片有两种基本方法： 一、剥离生长衬底； 二、不剥离生长衬底 。 其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直结构GaP基LED芯片有两种结构： 一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层 迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反 射层上 二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上， 键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括， 砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。
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实例“水立方”
LED照明除了比用常规照明至少节能60%以外，还拥有长寿命、易集成、快响应、利环保、光分布易于控制、色彩丰富等优势。以“水立方”为例，仅使用LED灯的“水立方”景观照明工程，预计全年可比传统的荧光灯节电74.5万千瓦时，节能达70%以上。
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实例“梦幻长卷”和“梦幻五环”
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电表箱基础知识共65页PPT课件
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5.3 进线总开关室采用两层门结构形式，第一层门由钥匙控 制；第二层门进线总开关只有操作手柄外露，通过计量室把 第二层门紧固封闭。操作总开关动作，需打开第一层门进行 操作。
5.4 表箱箱门部分的不同功能区，在不打开箱门的前提下， 可以通过打开设置的单独小门进行操作并加锁：其中进线上 盖门可以操作总开关；电表区上盖独立一体，分别开启锁闭 （设置专用IC卡门，方便电表插卡，卡门应具有防破坏功能。 封闭IC卡门应采用专用橡胶盖垫或一次成型的开闭自如的小 门，方便开启）；用户区可以控制分户开关操作。
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2.3 箱底采用非金属阻燃、抗紫外线、抗老化、耐腐蚀、耐受 外力强的V0级增强型“ABS” （丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚 物）工程塑料注塑成型； 2.4 箱体材料通过GB 7251．3-2019标准中关于材料试验的要 求：验证冲击强度、验证绝缘材料的耐热能力、验证绝缘材 料对内部电作用引起的非正常发热和着火危险的耐受能力， 材料性能满足相应的环境要求。 2.5 箱门成型材料厚度：≥3.5mm。 2.6 箱底成型材料厚度：≥4.0mm。 2.7 各部位标称尺寸偏差不大于±0.1mm。 2.8 表箱的外观平整，透明性好，表面无熔接痕、无明显气泡。
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5.2整体组合电能计量箱外形尺寸，具有满足安装各种类型单相 电能表的安装孔（位），要求尺寸不小于以下标准：
4表位尺寸：高560±50mm，宽500±50mm，厚138±10mm。
6表位尺寸：高860±50mm，宽660±50mm，厚138±10mm。
8表位尺寸：高950±50mm，宽570±50mm，厚138±10mm。
24. GB156-93 《标准电压》
25. GB1048-89 《固体绝缘材料工频电气强度的试验方法》
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26、要使整个人生都过得舒适、愉快，这是不可能的，因为人类必须具备一种能应付逆境的态度。——卢梭
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27、只有把抱怨环境的心情，化为上进的力量，才是成功的保证。——罗曼·罗兰
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28、知之者不如好之者，好之者不如乐之者。——孔子
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29、勇、大胆和坚定的决心能够抵得上武器的精良。——达·芬奇
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30、意志是一个强壮的盲人，倚靠在明眼的跛子肩上。——叔本华
应用电子技术介绍
46、法律有权打破平静。——马·格林 47、在一千磅法律里，没有一盎司仁 爱。— —英国
48、法律一多，公正就少。——托·富 勒 49、犯罪总是以惩罚相补偿；只有处 罚才能 使犯罪 得到偿 还。— —达雷 尔
50、弱者比强者更能得到法律的保护 。—— 威·厄尔
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谢谢！
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