长波长InGaAs/InP APD光接收组件

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长波长InGaAs/InP APD光接收组件
胡春阳;王树堂
【期刊名称】《红外与毫米波学报》
【年(卷),期】1992(011)001
【摘要】在理论分析与计算的基础上研制了一种用于140Mb/s长波光纤通信的新型高灵敏度光接收组件,组件采用混合集成电路技术制成,由InGaAs/InP SAGM 雪崩光电二极管和硅双极晶体管互阻型前置放大器组成.工作波长为1.3μm时,理论计算的灵敏度为-48.6dBm,实际测量值为-47dBm,优于现有的PIN/FET光接收组件或Ge雪崩光电二极管.
【总页数】6页(P21-26)
【作者】胡春阳;王树堂
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】TN253
【相关文献】
1.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性 [J], 丁国庆
2.InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究 [J], 李锋;王树堂
3.贴合法制造长波长InGaAs/InP-GaAs/AlGaAs APD [J], 沈力
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5.基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC [J], 李献杰;赵永林;蔡道民;曾庆明;蒲运章;郭亚娜;王志功;王蓉;齐鸣;陈晓杰;徐安怀
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