芯片 加强绝缘 标准

芯片的加强绝缘标准通常涉及到过压等级的概念。

以系统电压为600V的情况为例，如果要满足过压等级Ⅲ的基本绝缘，瞬态隔离电压需要达到6000V；若要加强绝缘，瞬态隔离电压则需达到8000V。

另外，当碳化硅MOS使用在800V的母线电压时，如果要满足等级Ⅱ的基本绝缘，那么VIOTM （一种电压参数）达到6000V即可，若要加强绝缘，则VIOTM得达到8000V；而如果需要满足等级Ⅲ的基本绝缘，VIOTM要达到8000V，这时加强绝缘的话，VIOTM就需要达到12000V。

请注意，以上标准不允许插值，可以就高。

同时，这些标准可能会因具体芯片和应用场景的不同而有所变化，因此在实际操作中，应参照具体芯片的技术手册和相关行业标准来确定加强绝缘的标准。