光电二极管特性参数的测量及原理应用

合集下载

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告光电二极管实验名称:光电检测实验实验目的:1.了解光电二极管的基本原理和工作原理;2.掌握光电二极管的基本特性和性能参数;3.学习使用光电二极管进行光电检测实验。

实验设备:1.光电二极管;2.光源;3.数字万用表。

实验原理:光电二极管是一种将光信号转换成电信号的光电器件。

它是由P型半导体和N型半导体构成的二极管,光照射在PN结处时,光子能量被吸收,激发了电子-空穴对的产生,从而形成漂移电流,这个电流被称为光电流。

实验步骤:1.将光电二极管连接到数字万用表的电流测量档位上,确保电路接线正确;2.打开光源,调整光源距离光电二极管的位置,使其照射光强适中;3.使用数字万用表测量并记录光电二极管的光电流;4.调整光源的亮度,观察光电流的变化;5.分别在不同光照强度条件下,测量光电二极管的电流值;6.将实验数据整理并分析。

实验结果:在实验过程中,我们测量并记录了不同光照强度下光电二极管的电流值。

实验结果显示,光电二极管的光电流与光照强度呈线性关系。

随着光照强度的增加,光电流也随之增加。

在光照强度较弱的条件下,光电流较小;而在光照强度较强的条件下,光电流较大。

实验分析:通过实验结果可以看出,光电二极管的工作原理是光照射到PN结处,激发了电子-空穴对的生成。

光照强度越大,激发的电子-空穴对数量越多,产生的光电流也越大。

因此,光电二极管可以用来检测光的亮度和强度。

实验中我们还发现,在光照强度较弱的条件下,光电流的变化不太敏感。

而在光照强度较强的条件下,光电流的变化更为明显。

这是由于光电二极管的饱和现象导致的。

当光照强度较强时,光电二极管已经饱和,其光电流不再呈线性增加。

实验总结:通过本次光电检测实验,我们对光电二极管的原理和工作原理有了更深入的理解。

光电二极管可用于测量光的强度和亮度,并且其光电流与光照强度呈线性关系。

然而在光照强度较强的条件下,光电流的变化不再呈线性增加,而是受到饱和现象的影响。

简述光电二极管的工作原理及应用

简述光电二极管的工作原理及应用

简述光电二极管的工作原理及应用1. 光电二极管的工作原理光电二极管,也称为光敏二极管、光电导二极管,是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。

它是一种特殊的PN结构,由P型半导体和N型半导体组成。

光电二极管的工作原理是基于光电效应。

当光线照射到光电二极管的PN结时,光子的能量会被转移到半导体材料中的载流子上。

如果光子的能量大于带隙能量,它将激发出电子-空穴对。

由于PN结的正向偏置,电子会被加速向N型区域,空穴会被加速向P型区域。

由此产生的少数载流子会导致PN结产生电流。

2. 光电二极管的应用光电二极管具有很多应用领域,下面列举了几个常见的应用:2.1 光电传感器光电二极管常用于光电传感器中。

光电传感器能够通过对光信号的检测和转换来实现对某些物理量的测量。

例如,光电二极管可以用于测量光照强度、颜色、接近物体的距离等。

在自动化控制、工业生产和环境监测等领域,光电传感器发挥着重要的作用。

2.2 通信光电二极管还可用于光通信。

在光通信系统中,光电二极管用于接收光信号和转换为电信号。

当光信号经过光纤传输到达目的地时,光电二极管可以将光信号转换为电信号,并进一步进行解码和处理。

它在光纤通信中的应用使得信息传输更加稳定和快速。

2.3 光电探测器光电二极管还常被用作光电探测器。

光电探测器是一种能够检测光信号并转换为电信号的器件。

它广泛应用于光电测量、光学成像、光谱分析等领域。

光电二极管作为一种光电探测器,具有快速响应、高灵敏度和稳定性等优点。

2.4 光电测量仪器光电二极管还可以用于光电测量仪器中。

例如,光电二极管可以用于测量光密度、光强度、光功率等光学参数。

它在激光器功率测量、光学实验中的应用非常广泛。

3. 总结光电二极管是一种将光信号转换为电信号的半导体器件。

它基于光电效应的原理工作,通过光子的能量转移到半导体材料中的载流子,使得PN结产生电流。

光电二极管在光电传感器、光通信、光电探测器和光电测量仪器等领域中有广泛的应用。

APD光电二极管的特性测试及应用研究1

APD光电二极管的特性测试及应用研究1
由于硅半导体工艺技术业已完善成熟,特别容易与其他微电子器件结合,而且在制作硅基半导体器件时的Si薄膜材料有晶体型,无定型和多孔型等多种形式,应用灵活方便。因此硅基光电探测器对于探测波长为200nm-900nm的波段应用越来越普遍,而且在这个波段Si基光电子探测器的响应度比较高,但是随着波长的增加到1000nm左右的时候器件敏感响应度会很低。
[5]王庆有.光电传感器应用技术[M].北京:机械工业出版社,2007.10.
[6]其他:可网上搜索查找相关中文和外文文献。
3.进度安排
设计(论文)各阶段名称
起止日期
1
查阅文献资料,确定方案,写文献综述
2014.1.18-3.20
2
学习APD光电二极管的工作原理
2014.3.21-3.30
3
理解APD光电二极管的各项参数指标并测试
因此,拓宽硅基光电探测器件的探测波长范围及探测效率,不仅成为一个较为热点的研究领域,引起了各国科研工作者的兴趣,同时也成为光通信领域迫切需要克服的难题,是市场应用所需迫切解决的问题。最近几年人们尝试了各种方法来提高Si基APD的近红外探测效率,其中有增加Si基APD吸收层的厚度从而提高光子在Si中的吸收,然而随着APD体积的增加,不但提高了近红外处的量子效率,同样增加APD器件的暗电流和噪声,也提高了APD的响应时间,所以用这种方法提高APD近红外的敏感率并不是最好的方法。还有一种方法就是在APD器件表面设计一层防反射层,这层防反射层可以使入射光在APD器件的表面发生多次反射,从而增加了透入到器件内部的光子,也不会增加APD器件的体积,但是这种方法对工艺制作流程要求严格,成本较高,虽然能提高器件的整体效果但依然不能将1064nm处的光探测效率提高到理想的程度。
制约硅基APD在近红外方向特别是1064nm波段发展的原因有两个,第一,硅的禁带宽度是1.12eV,从而导致硅对1100nm处光的吸收截止。Si是间接带隙材料,在300K时硅的禁带宽度是1.12eV。因此硅的吸收截止波长是1100nm。从而导致由间接半导体材料制做的APD器件在截止波长附近吸收效率非常低。为了使硅基APD在1064nm处获得较高的量子效率,人们研发出使用其它半导体材料(锗、铟或者砷化镓)制作光电子器件,但是这些材料的光电子器件暗电流和噪声比较高,价格昂贵,而且与硅的晶格不匹配。或者改变硅基APD的结构设计,还可以使用飞秒激光微构造技术,来改变硅在近红外处的光吸收特性。第二,APD制造工艺过程中必须引入尽可能少的缺陷以减少暗电流,从而保证器件具有较高的信噪比。

物理实验技术中的光电二极管特性测量与分析

物理实验技术中的光电二极管特性测量与分析

物理实验技术中的光电二极管特性测量与分析光电二极管是一种能够将光能转化为电能的器件,广泛应用在光电传感器、光通信、光电测量和光谱分析等领域。

在物理实验技术中,测量和分析光电二极管的特性对于研究光电效应、了解器件性能以及优化实验设计都具有重要意义。

一、光电二极管原理和基本特性光电二极管的原理是基于光电效应,利用光照射在PN结上产生电子-空穴对,使得PN结两端产生电压。

其关键特性包括响应频率、光电流、暗电流、光电流增益等。

测量这些特性需要合适的实验装置和方法来获取准确的结果。

二、光电二极管特性的测量方法1. 频响特性测量频响特性测量是评估光电二极管对光信号变化的响应速度的重要方法。

常用的实验装置包括函数发生器、光源和示波器。

通过改变函数发生器输入的正弦光信号频率,测量光电二极管输出的电流或电压的变化,从而得到频响特性曲线。

这些曲线反映了光电二极管的截止频率、带宽和相移等信息。

2. 光电流和暗电流测量光电流和暗电流是衡量光电二极管敏感度的重要指标。

光电流指的是光照射下二极管产生的输出电流,可以通过连接电流表或电流放大器进行测量。

而暗电流是指在没有光照射的情况下,二极管自身产生的微弱电流。

暗电流直接影响光电二极管的信噪比和稳定性,需要特殊的实验装置和方法进行测量。

三、光电二极管特性分析测量得到的光电二极管特性数据可以通过分析得到有关器件性能的重要信息。

以下是几个典型的分析方法:1. 截止频率和带宽分析利用频响特性曲线可以确定光电二极管的截止频率和带宽。

截止频率是指光电二极管对信号频率的响应达到3dB衰减的频率,可以通过对频响特性进行插值计算得到。

带宽是指光电二极管在特定条件下能够传输信号的频率范围,可以根据频响特性曲线的满足条件进行判断。

2. 光电流增益分析光电流增益是指光电二极管单位光功率入射时输出电流的增益。

可以通过将测得的光电流与已知的入射光功率相除得到。

光电流增益反映了光电二极管对光信号的放大效果,是评估器件性能的重要指标。

光电二极管特性参数的测量及原理应用

光电二极管特性参数的测量及原理应用

光电二极管特性参数的测量及原理应用1.光电二极管特性参数的测量方法(1)光电流和光敏面积的测量:光电二极管的光敏面积决定了其对光信号的接收能力,而光电流是光电二极管对光源产生的电流响应。

测量光电流可通过将光电二极管接入电路中,通过测量电流表的读数来获得。

光敏面积可通过显微镜测量方法来获得。

(2)响应时间的测量:光电二极管的响应时间是指其由光敏变化到电流输出的时间。

可以使用短脉冲光源和示波器来测量光电二极管的响应时间,记录光电流的变化曲线,从而得到响应时间。

(3)量子效率的测量:量子效率是指光束的能量能被光电二极管转换成电流的比例。

测量量子效率常采用比较法,即将待测光电二极管与一个标准光电二极管一起放入相同的光源中进行测量,通过比较两者输出的电流,计算出待测光电二极管的量子效率。

2.光电二极管特性参数的原理应用(1)光电二极管的灵敏度控制:测量光电流和光电二极管参数可以了解光电二极管的灵敏度,从而控制其在光电转换中的应用。

例如,在光电二极管应用于光通信中,可以通过测量光电流来确定光信号的强弱,进而控制光电二极管的灵敏度。

(2)光电二极管的功率测量:通过测量光电二极管的输出电流和光敏面积,可以计算出入射光的功率。

这在激光器功率测量和光学器件测试中非常常见。

(3)光电二极管的频率响应特性:通过测量光电二极管的响应时间,可以评估其对高频光信号的响应能力。

这在通信和雷达系统中具有重要应用,可以保证信号的准确传输和检测。

(4)光电二极管的光谱响应特性:测量光电二极管的光谱响应可以评估其对不同波长光的接收能力。

这在光学测量和光谱分析等领域都有广泛应用。

综上所述,光电二极管特性参数的测量及原理应用对于光电二极管的优化设计和应用具有重要意义。

通过测量光电流、光敏面积、响应时间、量子效率等参数,可以更好地了解光电二极管的特性,从而为光电转换和光信号检测提供基础支持。

同时,根据测量得到的参数,可以进一步控制光电二极管的灵敏度、测量光功率、评估频率响应和光谱响应等应用。

光电二极管的工作原理、参数解析与检测方法

光电二极管的工作原理、参数解析与检测方法

光电二极管的工作原理、参数解析与检测方法光电二极管的工作原理光电二极管是一种特殊的二极管,它将光信号转化为电流或电压信号,其结构与传统二极管基本相同,都有一个PN结,但是光电二极管在设计和制造时,尽量使PN结的面积较大,以便于接收入射光。

它的基本原理是:当光线照射到光电二极管时,吸收的光能转化为电能。

光电二极管工作在反向电压下,只经过很弱的电流(一般小于0.1微安),称为暗电流,有光照时,带能量的光子进入PN结后,将能量传递给共价键上的电子,使某些电子脱离共价键,产生电子-空穴对,称为光生载流子,因为光生载流子的数量有限,而光照前多子的数量远大于光生载流子的数量,所以光生载流子对多子的影响很小,但少子的数量较少,有较大的影响,这就是为什么光电二极管工作在反向电压下,而非正向电压下。

在光生电子在反向电压下,在光生载流子的作用下,为促使少子参与漂流运动,在P区内,光生电子在PN区内扩散,若P区厚度小于电子扩散长度,则光生电子将能穿过P区到达PN结。

光电二极管的工作是一种吸收过程,它将光的变化转化为反向电流的变化,光电流和暗电流的合成是光电流,所以光电二极管的暗电流使器件对光的灵敏度降到最低,光的强度与光电流成正比,从而能将光信号转化为电信号。

图片来源于网络光电二极管选型中的参数解析实际上,光电二极管的“响应速度”和“探测下限”是研究中经常提到的两个参数,该参数会对光电二极管选型产生何种影响呢?今天我们主要来了解一下这两个参数。

一、响应速度通常用上升时间和截止频率来描述响应速度。

响应速度主要受以下三个主要因素影响:1、由终端电容(Ct)和负载电阻(RL)决定的电路特性;2、耗尽层外载流子的扩散时间;3、载流子在耗尽的层渡越时间。

与短波长光相比,长波长光往往激发出耗尽层外的载流子,因而扩散时间延长,响应速度变慢。

除此之外,以下三种提高光电二极管响应速度的方法更为普遍:1、选用较低端电容(Ct)的光电二极管;2、降低电路中负载电阻(RL);3、通过增加反向电压(VR),还可以降低终端电容值(Ct),最终获得更快的响应速度。

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告光电二极管

光电检测实验报告光电二极管
与实验报告有关
一、实验目的
本实验旨在探究光电二极管的基本特性,了解不同参数对光电二极管
的作用原理。

二、实验原理
光电二极管是一种特殊的半导体器件,由一个P半导体和一个N半导
体组成。

其结构类似于普通的二极管,它是由一块金属片和一块硅片组成的。

金属片在表面覆盖着一层半导体材料层,而硅片则覆盖着一层P沟槽,形成一个PN结构,这就是光电二极管的基本结构。

当光电二极管接受到
外部光照时,在P层和N层之间就会产生电子-空穴对,并促使电子向N
层移动,从而在P层和N层之间构成一个电流,也就是由光引起的电流。

三、实验设备
1、光源:LED灯泡;
2、示波器:用于测量光电二极管的输出电流与电压;
3、电源:用于给光电二极管提供电势;
4、电阻:用于限制光电二极管的输出电流;
5、光电二极管:本次实验使用的是JH-PJN22;
6、多用表:用于测量电流、电压。

四、实验步骤
1、用多用表测量光电二极管JH-PJN22的参数,测量其正向电压和正向电流与LED照射强度的关系;
2、设置由电源、电阻和光电二极管组成的电路,并使用示波器测量输出电流和电压;。

光电二极管检测电路的工作原理及设计方案

光电二极管检测电路的工作原理及设计方案

光电二极管检测电路的工作原理及设计方案目录一、内容描述 (2)二、光电二极管基本知识 (3)1. 光电二极管的工作原理 (4)2. 光电二极管的特性与参数 (4)三、光电二极管检测电路的工作原理 (6)1. 光电检测电路的基本概念 (7)2. 光电检测电路的工作原理详解 (7)四、设计方案 (9)1. 设计目标及要求 (10)2. 电路设计 (11)(1)电路拓扑结构 (12)(2)元器件选择与参数设计 (13)3. 信号处理与放大电路 (15)(1)信号输入与处理电路 (16)(2)信号放大电路 (17)4. 电源及辅助电路设计 (18)(1)电源电路设计 (20)(2)保护及指示电路设计 (21)五、实验验证与优化 (22)1. 实验设备与工具准备 (23)2. 实验操作流程及步骤说明 (24)3. 数据记录与分析处理 (25)4. 电路性能评估与优化建议 (26)六、实际应用场景及推广价值 (27)1. 实际应用场景分析 (28)2. 推广价值及市场前景展望 (29)七、总结与展望 (30)一、内容描述光电二极管检测电路是一种基于光电效应工作的电子检测电路,主要用于检测光信号的强度或光照度。

该电路通过光电二极管将光信号转换为电信号,进而实现对光信号的测量、监控和控制。

本文将详细介绍光电二极管检测电路的工作原理及设计方案。

在光电二极管检测电路中,光电二极管作为核心元件,其工作原理主要基于光电效应。

当光线照射到光电二极管时,光子能量被材料中的电子吸收,从而使电子从价带跃迁到导带,形成电子空穴对,产生光生电流。

通过测量光生电流的大小,可以反映光照度的强弱。

根据不同的应用场景和需求,光电二极管检测电路的设计方案也有所不同。

常见的设计方案包括:直接测量法:通过测量光电二极管产生的光生电流来直接反映光照度。

这种方法简单直观,但受限于光电二极管的响应速度和灵敏度,适用于低光照度测量。

信号放大法:通过对光电二极管产生的光生电流进行放大处理,可以提高测量灵敏度和精度。

简述光电二极管的工作原理

简述光电二极管的工作原理

光电二极管的工作原理一、光电二极管的基本概念1.1 光电二极管的定义光电二极管(Photodiode)是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。

它是一种光电转换器件,能够将光子的能量转变为电子的能量,并产生电流输出。

1.2 光电二极管的分类根据不同的工作原理和结构,光电二极管可以分为以下几类: 1. PN结光电二极管 2. 管式光电二极管 3. 稳压光电二极管 4. 反射式光电二极管 5. PIN结光电二极管二、PN结光电二极管的工作原理2.1 PN结光电二极管的结构PN结光电二极管是一种最常见且应用最广泛的光电二极管。

它由P型和N型半导体材料组成,中间形成PN结。

在PN结的两端设置正负电源,形成一个正向偏置的二极管。

2.2 PN结光电二极管的工作原理当光线照射到PN结上时,会产生光生电子及空穴对。

其中,光生电子会被PN结的电场分离,向N区移动;而空穴会被电场分离,向P区移动。

这样,就在PN结两侧建立了阳极和阴极之间的电压,从而产生电流。

但需要注意的是,PN结的工作原理并不是简单的光生电子和空穴对的分离。

在实际应用中,还需要考虑PN结的正向偏压、载流子的扩散和漂移过程、缺陷等因素。

三、光电二极管的特性参数3.1 光电流和光电压光电流(Photocurrent)是光照射到光电二极管时产生的电流。

当光强度增大时,光电流也会相应增大。

光电压(Photovoltage)是光电二极管在光照射下产生的电压。

其大小与光电二极管的尺寸和材料参数有关。

3.2 光电二极管的响应速度光电二极管的响应速度是指光电二极管对光信号变化的快慢程度。

它取决于光电载流子的寿命、扩散长度和漂移速度等因素。

3.3 光电二极管的谱响应范围光电二极管的谱响应范围是指在光照射下,光电二极管能够产生电流的波长范围。

不同材料的光电二极管具有不同的谱响应范围。

四、光电二极管的应用4.1 光电二极管在光通信中的应用光电二极管在光通信中广泛应用于光信号检测、光电转换和光检测等领域。

光电二极管特性参数的测量及原理应用

光电二极管特性参数的测量及原理应用

光电二极管特性参数的测量及原理应用1.响应时间的测量及原理应用:响应时间是光电二极管从接收到光信号到输出电流达到稳定状态所需的时间。

测量方法主要有脉冲法、步跳法和正弦法等。

脉冲法是通过给光电二极管加一个短脉冲光源,测量输出电流的上升时间和下降时间来确定响应时间。

步跳法是在连续光源作用下,逐步提高或降低光照强度,测量输出电流变化的时间来确定响应时间。

正弦法是通过给光电二极管加一个正弦光源,测量输出电流波形来确定响应时间。

响应时间的测量和研究可以用于优化光电二极管的响应速度,对于高速光通信和光测量等领域有重要应用。

2.光电流的测量及原理应用:光电流是光电二极管接收到光信号后产生的电流,可以通过电流表或电压表来测量。

测量时需要将光电二极管连接到电流表或电压表上,并将光源照射到光电二极管上。

光电流的大小和光源强度呈正比关系。

光电流的测量和研究可以用于光敏元件的特性评估和应用,比如光电转换器、光电探测器、光电放大器等。

3.光谱响应的测量及原理应用:光谱响应是指光电二极管在不同波长的光照下的响应情况。

测量光谱响应可以使用光谱仪或滤光片。

通过调节光源的波长和光强,测量光电二极管输出电流的变化,可以得到光谱响应曲线。

光谱响应的测量和研究可以用于分析光电二极管的光谱特性,优化光电二极管在不同波长范围内的应用,比如光通信、光谱分析等。

4.光敏度的测量及原理应用:光敏度是指光电二极管在单位光功率照射下产生的电流或电压。

光敏度的测量可以通过测量光电流和光功率来计算得到。

测量时,将光电二极管连接到电流表或电压表上,然后将光源照射到光电二极管上,测量输出电流和光功率,通过计算可以得到光敏度。

光敏度的测量和研究可以用于评估光电二极管的敏感程度和应用范围,比如光电转换器、光电探测器等。

综上所述,光电二极管特性参数的测量及原理应用是了解和评价光电二极管性能的重要手段,对于光电器件的研究和应用具有重要意义。

通过测量和研究光电二极管的响应时间、光电流、光谱响应和光敏度等参数,可以优化光电二极管的性能和应用范围,推动光电技术的发展。

光电二极管特性测试及其变换电路

光电二极管特性测试及其变换电路
或 (1)
式中, 为波长为 时的入射光功率; 为光电探测器在入射光功率 作用下的输出信号电压; 则为输出用电流表示的输出信号电流。
通常,测量光电探测器的光谱响应多用单色仪对辐射源的辐射功率进行分光来得到不同波长的单色辐射,然后测量在各种波长辐射照射下光电探测器输出的电信号V(λ)。然而由于实际光源的辐射功率是波长的函数,因此在相对测量中要确定单色辐射功率P(λ)需要利用参考探测器(基准探测器)。即使用一个光谱响应度为 的探测器为基准,用同一波长的单色辐射分别照射待测探测器和基准探测器。由参考探测器的电信号输出(例如为电压信号) 可得单色辐射功率 ,再通过(1)式计算即可得到待测探测器的光谱响应度。
图5光电二极管伏安特性电路图
(1)组装好光通路组件,将照度计与照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源驱动模块上J2与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。将三掷开关S2拨到“静态”。
(3)按图2-3所示的电路连接电路图,E选择0-15V直流电压,负载RL选择RL=2K欧。
(4)打开电源,顺时针调节照度调节旋钮,使照度值为400Lx,保持光照度不变,调节可调直流电压电位器,记录反向偏压为0V、2V、4V、6V、8V、10V、12V时的电流表读数,填入下表,关闭电源。
(6)光电二极管光谱特性测试实验
3
(1)光电器件实验仪1台
(2)示波器1台
(3)万用表1个
(4)计算机1套
4
光电二极管又称光敏二极管。制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。由于硅器件较锗器件暗电流、温度系数都小得多,加之制作硅器件采用的平面工艺使其管芯结构很容易精确控制,因此,硅光电二极管得到了广泛应用。
(3)按图2-3连接电路图,E选择0-15V直流电压,RL取RL=1K欧。

光电二极管测量技术的使用教程

光电二极管测量技术的使用教程

光电二极管测量技术的使用教程光电二极管是一种将光能转化为电能的器件,广泛应用于光电转换、光测量、光通信和光电检测等领域。

在这篇文章中,我们将介绍光电二极管的基本原理、使用注意事项以及一些常见的测量技术。

1. 光电二极管的基本原理光电二极管是一种半导体器件,它由一对p型和n型半导体材料组成,中间夹杂有浓度较高的掺杂材料形成p-n结。

当光线照射到p-n结上时,光子的能量会将电子从价带激发到导带中,从而形成电流。

因此,光电二极管的输出信号与光的强度成正比。

2. 光电二极管的使用注意事项在使用光电二极管进行测量时,需要注意以下几点:2.1 光线的入射角度光线的入射角度会影响光电二极管的测量结果。

通常情况下,光线应垂直入射到光电二极管表面,以获得准确的测量结果。

如果光线入射角度偏离垂直方向,需要进行修正计算来消除误差。

2.2 光电二极管的响应频率光电二极管的响应频率是指它对光信号的能力。

不同类型的光电二极管有不同的响应频率范围,需要根据具体的应用需求选择合适的器件。

对于高速测量应用,需要选择具有较高响应频率的光电二极管。

2.3 光电二极管的线性范围光电二极管的输出信号与光的强度成正比,但在一定范围内存在线性关系。

超过光电二极管的线性范围,输出信号将不再准确。

因此,在进行测量时,需要确保光的强度不超过光电二极管的线性范围。

3. 光电二极管的测量技术3.1 光电二极管的电流测量光电二极管的输出信号是电流,常用的测量方法是使用电流计来测量光电二极管的输出电流。

在进行测量时,需要将电流计与光电二极管连接好,并注意设置合适的量程以获取准确的测量结果。

3.2 光电二极管的光强度测量光电二极管的输出信号与光的强度成正比,因此可以使用光强度测量器进行测量。

光强度测量器通常由一个光传感器和一个显示屏组成,可以直接显示光的强度值。

在进行测量时,需要将光电二极管与光强度测量器连接,并确保光线垂直入射到光电二极管表面。

3.3 光电二极管的光谱测量光电二极管还可以用于光谱测量,即测量光的波长分布。

光电二极管的工作原理与应用

光电二极管的工作原理与应用

光电二极管的工作原理与应用引言在我们日常生活中,光电二极管已经成为了一种非常普遍的光电元件。

该元件能够将光能转化为电能,从而广泛应用于各个领域。

在本文中,将介绍光电二极管的工作原理、性能特点及应用领域。

一、光电二极管的工作原理光电二极管是一种利用半导体材料的PN结所具有的光敏特性制成的光电转换元件。

在光照下,光电二极管的PN结中由于光子激发,使材料中的电子-空穴对增多,形成电子云和空穴云。

当将电极接上后,由于光电效应,这些电子和空穴会受到电极电场的作用向电极方向运动,进而产生电流。

从性质上看,光电二极管包括两类:一类是项铜或碱金属光电阴极管,另一类是PN结光电二极管。

虽然两类元件的性质不同,但它们都是利用电子受到光作用后的光电效应来输出电子,从而将光信号转换为电信号。

二、光电二极管的性能特点1、灵敏度高光电二极管的灵敏度很高,对于可见光、红外线等各种波长的光都能够敏感地响应,并将光信号转换为电信号。

故而在许多机器视觉、图像处理等领域中得到广泛应用。

2、响应速度快光电二极管的响应速度比普通的二极管快得多,可以用来接收高速传输的光信号。

这也使得光电二极管成为极佳的激光测距器件。

3、工作稳定性高光电二极管制备时使用的半导体材料具有很高的稳定性,能够长时间稳定地工作。

同时,该元件所需的电路简单可靠,故而在无线通讯、航空、导航等应用领域中发挥着不可或缺的作用。

三、光电二极管的应用领域1、光通讯在光通讯系统中,光电二极管是一个重要的组成部分。

它能够将光信号转换为电信号并输出,实现光信号的接收。

通过光电转换技术,光通讯系统能够实现高速、大容量的信息传输。

2、激光测距在激光测距系统中,光电二极管可以将激光信号转换为电信号,并进行信号放大。

该技术可以用于测量物体的距离、速度等参数,广泛应用于工业自动化、交通运输、军事等领域。

3、机器视觉在机器视觉系统中,光电二极管能够对光信号进行有效的转换和增强,从而提高机器视觉的准确性和可靠性。

光电二极管检测方法

光电二极管检测方法

光电二极管检测方法光电二极管是一种常用的光电器件,广泛应用于光电传感、光通信、光控制等领域。

在各种应用中,光电二极管的可靠性和性能检测至关重要。

本文将介绍光电二极管检测的方法,包括常用的电学参数测试、光学性能检测以及封装外观检查等方法。

一、电学参数测试1. 正向电压和正向电流测试在光电二极管的测试过程中,正向电压和正向电流是最基本的电学参数之一。

通过对光电二极管进行正向电压和正向电流测试,可以判断器件的导通性和电流特性,从而评估其正常工作状态。

测试时需要使用万用表或专业的半导体参数测试仪器,确保测试的准确性和可靠性。

2. 反向漏电流测试反向漏电流是光电二极管的重要参数之一,用于评估其在反向偏置时的性能。

通常情况下,反向漏电流应该较小,在一定的反向偏置下,对其进行测试,可以得到其漏电流的大小,判断器件是否存在漏电流异常现象。

3. 切换时间测试切换时间是指光电二极管从导通到截止或者从截止到导通的时间,也是其响应速度的一个重要指标。

切换时间测试通常需要应用脉冲信号,通过测量其上升时间和下降时间,可以评估光电二极管的响应速度和动态特性。

二、光学性能检测1. 光强测试光强是评估光电二极管输出光功率的重要参数,通常通过光功率仪器或者光功率计进行测试。

测试时需要选择合适的波长和工作条件,以获得准确的光强值。

2. 光谱响应测试光电二极管的光谱响应特性对于不同波长的光信号的响应程度提供了重要的参考。

通过光谱响应测试,可以了解器件在不同波长下的响应情况,进一步评估其光学性能。

3. 噪声测试光电二极管的噪声水平直接影响其在低光强环境下的性能表现。

通过噪声测试,可以评估器件在不同工作条件下的噪声水平,为其应用提供重要参考。

三、封装外观检查1. 外观检查外观检查是通过目测光电二极管的外观状态,包括器件是否存在损坏、污染、变形等情况,以评估其封装质量和完整性。

2. 引线焊接检查光电二极管的引线焊接质量直接影响其电气连接可靠性,通过对引线焊接进行检查,可以确保器件在使用过程中不会因引线连接故障而影响性能。

光电二极管工作原理及其在光通信领域中的应用

光电二极管工作原理及其在光通信领域中的应用

光电二极管工作原理及其在光通信领域中的应用光电二极管是一种常用的光电转换器件,可以将光信号转换为电信号,具有高速响应、高灵敏度和广泛的频段响应特性。

在光通信领域中,光电二极管被广泛应用于光接收模块中,起到将光信号转换为电信号的关键作用。

一、光电二极管的工作原理光电二极管是基于光电效应的原理工作的。

光电效应是指当光照射到某些物质表面时,可产生电子和空穴,并导致电流的产生。

光电二极管内部有一种半导体材料,通常为硅或锗,其外部连接有p型和n 型两个区域。

当光照射到p-n结的区域时,光能被吸收并释放出电子和空穴。

由于p区域和n区域具有不同的掺杂浓度,形成了电场。

当光能释放的电子和空穴进入电场区域时,它们会受到电场力的作用。

电子受到引力作用,朝n区域运动,而空穴受到斥力作用,朝p区域运动。

因此,在p-n结中产生了一个电子流和空穴流,形成了电流。

这个电流即为光电二极管的输出信号。

在无外部电压的情况下,光电二极管的输出电流与光照强度成正比。

二、光电二极管在光通信领域中的应用在光通信领域中,光电二极管被广泛应用于光接收模块中。

光接收模块是将传输过来的光信号转换为电信号的关键部件之一,而光电二极管作为一种光电转换器件,具有高速响应、高灵敏度的特点,非常适合在光接收模块中使用。

光电二极管的应用包括光纤通信、光无线通信和光传感等领域。

在光纤通信中,光电二极管接收光信号并将其转换为电信号,然后经过放大和调制等处理,最终恢复成原始的数据信号。

光电二极管在光无线通信中的应用也十分重要。

光无线通信是一种利用可见光或红外光进行无线通信的技术,可以解决无线频谱资源受限的问题。

光电二极管作为接收器件,可以接收光信号并将其转换为电信号,实现无线通信的功能。

此外,光电二极管还被广泛应用于光传感领域。

光传感是一种利用光信号进行测量和检测的技术,可以实现对物体、环境等各种参数的检测。

光电二极管可以通过测量光信号的强度、频率等参数,实现对光信号中所包含信息的提取和分析。

光电二极管有光输出低电平无光输出高电平

光电二极管有光输出低电平无光输出高电平

光电二极管是一种用于将光信号转换为电信号的器件,其在现代电子技术领域有着广泛的应用。

光电二极管基本工作原理是在光照射下产生电流,从而改变电阻,使得电压输出发生变化。

具体来说,光电二极管有光输出低电平无光输出高电平的特性,这一特性使得它在光敏电路中被广泛应用。

以下就光电二极管的工作原理、特性以及应用进行详细介绍:一、光电二极管的工作原理1. 光电二极管利用半导体材料的光电效应来产生电流。

当光照射到光电二极管上时,光子能量会被半导体材料吸收,激发其中的电子,使得电子从价带跃迁到导带,从而在外加电压的作用下产生电流。

2. 光电二极管通常由P-N结构构成,当光照射到P-N结的P区时,产生电子-空穴对,从而引起电流的变化。

二、光电二极管的特性1. 光电二极管具有快速的响应速度。

由于光电二极管利用光信号直接产生电流,因此其响应速度非常快,能够满足各种高速信号的需求。

2. 光电二极管的灵敏度较高。

光电二极管对光的响应灵敏度较高,能够捕捉到微弱的光信号,并将其转换为电信号输出。

3. 光电二极管的输出特性。

根据光照强度的不同,光电二极管的输出电压也有所不同。

在有光照射的情况下,光电二极管的输出电压较低,而无光照射时,其输出电压较高。

三、光电二极管的应用1. 光电传感器。

光电二极管常被用于光电传感器中,通过光电二极管对光信号的敏感特性,可以实现对于光信号的捕捉和测量,广泛应用于光电开关、光电计数器等领域。

2. 光通信。

光电二极管也被广泛应用于光通信领域,通过将光信号转换为电信号,实现了光通信系统中的信号检测和接收。

3. 光电显示。

光电二极管还可以用于光电显示器件中,通过其对光信号的转换作用,实现了光电显示应用。

总结:光电二极管具有光输出低电平无光输出高电平的特性,这一特性使得其在光敏电路中有着广泛的应用,包括光电传感器、光通信、光电显示等领域。

随着现代电子技术的不断发展,光电二极管的应用前景将更加广阔。

光电二极管(Photodiode)是一种用于将光信号转换为电信号的器件,其在现代电子技术领域具有极其广泛的应用。

光电技术综合实验指导 - (下)

光电技术综合实验指导 - (下)

实验2.5 光电二极管的特性参数及其测量1. 实验目的:硅光电二极管是最基本的光生伏特器件,掌握了光电二极管的基本特性参数及其测量方法对学习其他光伏器件十分有利。

通过该实验,要熟悉光电二极管的光电灵敏度、时间响应、光谱响应等特性。

2. 实验仪器:① GDS-Ⅲ型光电综合实验平台1台; ② LED 光源1个; ③ 光电二极管1只;④ 通用光电器件实验装置2只; ⑤ 通用磁性表座2只; ⑥ 光电器件支杆2只; ⑦ 连接线20条;⑧ 40MHz 示波器探头2条;3. 基本原理:光电二极管是典型的光生伏特器件,它只有一个PN 结。

参考“光电技术”第3章3.1节的内容,光电二极管的全电流方程为I =⎪⎭⎫ ⎝⎛-1kT qUD e I λαλη,e )1(Φe hcq d --- (2.5-1) 式中前一项称为扩散电流,也称为暗电流,用I d 表示;后一项为光生电流,常用I P 表示。

显然,扩散电流I d 与加在光电二极管上的偏置电压U 有关,当U =0时,扩散电流为0。

扩散电流I d 与偏置电压U 的关系为⎪⎭⎫ ⎝⎛-=1kT qUD d e I I (2.5-2) 式中,I D 为PN 结的反向漏电流,与材料中的杂质浓度有关;q 为电子电荷量,k 为波尔兹曼常数,T 为环境的绝对温度。

显然,式(2.5-2)描述了光电二极管的扩散电流与普通二极管没有什么区别。

而与入射辐射有关的电流I p 为 λe,p )1(Φe hcq I d αλη---= (2.5-3)式中, h 为普朗克常数,α为硅材料的吸收系数,d 为光电二极管在光行进方向上的厚度,λ为入射光的波长。

显然,对单色辐射来讲,当光电二极管确定后,上述参数均为常数。

因此,结论为光电二极管的光电流随入射辐射通量Φe ,λ线性变化,式中的负号表明光生电流的方向与扩散电流的方向相反。

图2.5-1 光电二极管偏置电路4. 实验内容:1、 光电二极管光照灵敏度的测量2、 光电二极管伏安特性的测量3、 光电二极管时间响应特性的测量5. 实验步骤:(1)搭建实验电路① 认识光电二极管从外形看,光电二极管、光电三极管和φ5“子弹头”式LED 发光二极管的外形非常相似,它们均有两个电极(管脚),且,一长一短,较长电极定义为正极,较短电极为负极。

光电二极管的特性研究

光电二极管的特性研究

光电二极管的特性研究光电二极管是一种能够将光能转换为电能的器件,广泛应用于光电传感器、摄像头、光通信等领域。

在光电二极管的特性研究中,常常涉及到光敏元件的结构、光电特性以及性能优化等方面。

本文将对光电二极管的特性研究进行详细探讨。

首先,光电二极管的结构是特性研究的基础。

典型的光电二极管结构包括P-N结、光吸收层和电极。

P-N结是光电二极管的核心部分,由P型半导体和N型半导体通过特定工艺制备而成。

光吸收层则用于吸收光能,并将其转化为电能。

而电极则用于接收并传导电流。

不同的光电二极管结构会直接影响其光电特性和性能优劣。

其次,光电二极管的光电特性是特性研究的重要内容之一、其中,光电流和光电压是光电二极管最常见的光电特性。

光电流是指当光源照射到光电二极管时,光电二极管产生的电流。

光电压则是指当光电二极管处于开路状态时,测量到的电压。

光电流和光电压可以通过不同光源的照射强度、波长以及电压等参数进行研究。

实验结果显示,光电流和光电压与照射光强、波长以及电压之间存在着一定的关系,可以通过这些关系来了解光电二极管的光电特性。

此外,光电二极管的性能优化也是特性研究中的重要方面。

性能优化意味着通过改进光电二极管的结构和工艺,使其具备更好的光电特性和应用性能。

例如,可以通过优化光吸收层的材料和厚度,提高光电转换效率。

同时,通过改进电极材料和接触方式,降低串联电阻,提高光电二极管的响应速度和灵敏度。

性能优化需要综合考虑结构设计、材料选择、工艺优化以及器件制备等多个方面,以实现更高效、稳定和可靠的光电二极管。

总结起来,光电二极管的特性研究涉及到结构、光电特性和性能优化等多个方面。

通过研究光电二极管的特性,可以深入了解其原理和工作机制,并且有助于优化器件性能,提高其应用性能。

未来随着科学技术的进步,光电二极管的特性研究将会更加深入,在光通信、光电传感器等领域将发挥更重要的作用。

光电二极管等效电路

光电二极管等效电路

光电二极管等效电路1. 介绍光电二极管(Photodiode)是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。

它广泛应用于光电探测、通信以及光测量等领域。

光电二极管的等效电路模型是对其工作原理的简化和抽象,可以用于分析和设计光电二极管电路。

本文将全面介绍光电二极管的等效电路以及其相关内容,包括光电二极管的基本原理、等效电路模型及其参数、光电二极管的特性和应用等方面。

2. 光电二极管基本原理光电二极管是一种由PN结构构成的器件,其工作原理基于内部的光伏效应。

当光照射到光电二极管的PN结上时,光子的能量被转化为电子的能量,进而产生电流。

光电二极管的基本原理可以用以下几个步骤来描述:•光子的能量被吸收,产生电子-空穴对;•电子和空穴被电场分离并被导电路径收集;•电流流过串联电阻,形成电压输出。

3. 光电二极管等效电路模型及参数为了方便分析和设计光电二极管电路,人们引入了等效电路模型来代替光电二极管的复杂结构。

光电二极管的等效电路模型包括电流源、电阻和光照控制开关。

3.1 等效电路模型光电二极管的等效电路模型如下图所示:┌── Co ── Rs ──┐──►│ ◄──└── Il ───────┘其中,•Co代表光电二极管的电容,主要反映了光电二极管的响应速度;•Rs代表串联电阻,用于限制电流,同时也是光电二极管的输出电压与输入光照强度之间的关系;•Il代表光电流源,源的电流大小与光照强度成正比。

3.2 参数说明•响应时间(Response Time):光电二极管从开始接收光信号到输出电流稳定的时间;•光电流(Photocurrent):由光照射到光电二极管上产生的电流;•光电二极管的电容(Photodiode Capacitance):由光电二极管本身结构引起的电容;•波长响应特性(Wavelength Response Characteristic):光电二极管对不同波长光的响应情况。

4. 光电二极管特性光电二极管具有许多独特的特性,对于光电二极管的选型和应用有着重要的影响。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
工作总结实验报告
光电池/光敏电阻/光电二极管特性参数的测量
指 导 人:朱小姐 实验类型:工作检验及年终总结 实验地点:搏盛科技光电子半导体实验室 实验目的:销售技能的考察,产品及相关知识的了解情况,年终总结 实验日期:2011 年 12 月 26 日 姓 名:陈帅 职位:销售工程师 手机号:15926350413 Email: chenshuaisz1688@
射光照度变化的。可以测出在不同光照下加在光敏电阻两端的电压与流过它的电流的关系曲
签名:
第 3页
线,即光敏电阻的伏安特性曲线,伏安特性曲线过零点,其斜率为某光照度下的电阻值。
图 1 不同光照下光敏电阻的伏安特性曲线
弱光照射下半导体材料的光电导 g 为: g
bd = ∆σ l
=
ητqµbd l
N
=
ητqµ hνl 2
二. 实验原理 某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,从而改变了物质电导率的现象称为
物质的光电导效应。光电导效应只发生在某些半导体材料中,金属没有光电导效应。光敏电阻 是基于光电导效应工作的元件。光敏电阻具有体积小,坚固耐用,价格低廉,光谱响应范围宽 等优点。广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。由于光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件, 只要把它当作电阻值随光照度而变化的可变电阻器对待即可,使用时既可加直流电压,也可以 加交流电压。因此光敏电阻在电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析以及光电制导、激光 外差探测等领域中获得了十分广泛的应用。
(20)
1
半导体材料在强光照射下的光电导灵敏: Sg
=
dg dP
=
1 2
qµ⎜⎜⎝⎛
ηbd hνK fl3
⎞2 ⎟⎟ ⎠
P

1 2
(21)
在强光照射下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关而且与光照度有关,是非
线性的。从图 2 可以看出,光照度越高,光电导灵敏度越低。
三. 实验装置 仪器设备主要有:导轨、光具座、LED 光源、CdS 光敏电阻、电源箱、数字检流计、硬纸
如图,光 , : 功率为 P 的光照射到光敏电 阻上,假设光全部被吸收
则光敏层单位时间所吸收 的光量子数密度 N 应为
N
=
P hνbdl
(1)
光敏层每秒产生的电子数密度 Ge 为:Ge = ηN
(2)
η为有效量子效率,表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为:
单位时间内光电转换产生的有效电子空穴对数
α
cos2α
I (μA)
U=0V U =2V U=4V
U =6V
U=8V
U=10V
90°
0
75°
0.07
60°
0.25
45°
0.5
30°
0.75
15°
0.93

1
根据表 1 中的数据,使用 Excel 或绘图软件 Origin 绘制出如图 1 所示的光敏电阻伏安特性
曲线。1μA=1×10-6A
对表 1 中的数据进行线性拟合,电脑算出直线的斜率,将斜率填入表 2 中。斜率的倒数即
概述 光电效应是指入射光子与探测器材料中的束缚电子发生相互作用,使束缚电子变成为自由
电子的效应。光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。入射光子引起探测器材料表面发射 电子的效应称为外光电效应。入射光子激发的载流子(电子或空穴)仍保留在材料内部的效应 称为内光电效应。
内光电效应器件有光电导探测器(例如光敏电阻)、光生伏特器件(光电池、光电二极管、 光电三极管)。
价带中的空穴的总复合率 R 应为: R = K f(∆n + ni )(∆p + pi )
(5)
式中,Kf 为载流子的复合几率,Δn 为导带中的光生电子浓度,Δp 为导带中的光生空穴 浓度,ni 与 pi 分别为热激发电子与空穴的浓度。
同样,热电子复合率与导带内热电子浓度 ni 及价带内空穴浓度 pi 的乘积成正比。即
(2)光路同轴等高调节:将所有的器件调到同一高度,光束穿过各器件的中心。
(3)在光敏电阻前立一张硬纸片。一边滑动透镜 L2,一边观察纸上的光斑,使光斑聚成尽可 能小的光点。如果聚光效果仍不够好,可以在滑动透镜 L2 的同时,稍微滑动透镜 L1,以达到 良好的聚光效果。
(4)撤掉硬纸片,将光敏电阻的黑色扇形挡板转开,露出光敏电阻黄色转盘上的小孔,观察
四. 实验步骤、测量内容
三种光敏电阻的光谱响应特性
(1)将发光二极管的底座锁定螺丝顺时针拧紧,固定在滑轨上。打开发光二极管的电源盒背
面的开关,将电源盒面板上的旋钮顺时针旋到底(即光照度开到最大)。将透镜 L1 滑动到距离 发光二极管 9 厘米处(L1 透镜的焦距),将底座的锁定螺丝顺时针拧紧在滑轨上。
为强光照作用下载流子的平均寿命。
ηK f N e,λ
(18)
在强光照情况下,半导体材料的光电导与光功率为抛物线关系:
数字检流计 1
g
=

⎛ ⎜⎜ ⎝
ηbd hνK fl
3
⎞ ⎟⎟
2
P

1 2
(19)
1
LM07电器箱
两边微分得:
dg
=
1 2

⎛ ⎜⎜

ηbd hνK fl3
⎞2 ⎟⎟ ⎠
P

1
2dP
− K f ∆n(ni
+ pi )
(9)
利用初始条件 t = 0 时,Δn = 0,解微分方程得: ∆n = ητN(1 − e −tτ )
(10)
式中τ=1/Kf(ni+pi),称为载流子的平均寿命。 由式(10)可见,光激发载流子浓度随时间按指数规律上升,当 t >>τ时,载流子浓度Δ
n 达到稳态值Δn0,即达到动态平衡状态: ∆n0 = ητN
I = I0 cos2 α
(22)
I0 为当两偏振片平行时的出射光强。当两偏振片之间有夹角α时,光强就按式(22)减小, 也就是起到减光效果。I 为通过偏振片后的光强。
签名:
第 5页
实验所用光敏电阻为最常见的 CdS(硫化镉)光敏电阻。它的光谱响应特性最接近人眼 光谱光视效率,峰值响应波长为 0.52μm,在可见光波段范围内的灵敏度最高,因此,被广泛 地应用于灯光的自动控制,照相机中电子快门的自动测光等。
在一定外加电压下,光敏电阻的光电流与光通量之间的关系称为光照特性。光敏电阻阻值 随光照的增加而减小。当照度很低时,光敏电阻的光照特性近似为线性关系,斜率大致相同。 随光照度的增高,光照特性从线性渐变到非线性。当照度变得很高时,曲线近似为抛物线性。
图 2 光敏电阻的光照特性曲线
签名:
第 4页
②在强光照射下
上面板上的光电阻开关拨到“开”的位置。
(5)打开“LM07 光电池光敏电阻综合实验仪”的电源开关。面板右上角的“电压调节”旋
钮可调节“供给电压”(对光敏电阻施加的外部电压)。
(6)将两只偏振片 P1、P2 转盘上的 0°刻度线与标线对齐。打开“MT 数字检流计”的电源 开关。面板上显示的是光电流数值。如果光电流显示为 1,表示数值溢出了,请将增益旋钮逆
材料的电导率也就增加。
当光敏电阻两端加上电压 U 后,光电流为:
A I ph = d ∆σU
(13)
A 为与电流垂直的截面积,d 为电极间的距离。
由式(12)与式(13)可知:在一定照度下,光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系,
伏安特性曲线符合欧姆定律。光敏电阻具有与普通电阻相似的伏安特性,但它的电阻值是随入
实验内容 测量三种内光电效应器件(光敏电阻、光电池、光电二极管)的特性参数。
注意事项 a) 做实验请关灯,以达到良好的测量效果。 b) 拆卸数据线时不要用力硬拽,拆不下来请转个角度拆。 c) 请在自己的实验桌上做实验,不要到别的实验桌旁干扰同事做实验,更不要动他人的 仪器。 d) 请勿触摸光学镜片的表面。 e) 测量时不要碰导线,否则数据不稳定。更不能用力拉扯导线,导致接头脱落。 f) 实验完毕关闭所有电源开关。
(11)
光激发载流子引起半导体电导率的变化为: ∆σ = ∆n0qµ = ητqµN
(12)
式中,μ为电子迁移率μn 与空穴迁移率μp 之和。
光敏电阻受光照后阻值会变小也可以这么定性理解:当内光电效应发生时,固体材料吸收
的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样材料中的载流子数目增加,
注意:由于经常旋转偏振器的转盘,螺丝可能脱扣。即使两只转盘上的 0°刻度线与标线对齐,
并不代表真实情况是这样。可以转动其中一只偏振器的刻度盘,当光电流最大时,视作两偏振
片的光轴夹角为 0°,然后再依次转 15°。
签名:
第 6页
签名:
第 7页
五. 数据记录与绘图
表 1 不同光照下加在光敏电阻两端的电压与流过它的电流的关系
实验报告 报告开头请填入姓名、职位、手机号、实验日期。 实验完成后,请将报告打印出来,在有实验数据、图表的页脚签名,然后交到朱 小姐办公 桌上。 Word 文件请以“实验报告+姓名”命名,发到朱小姐邮箱。 请在元旦节前完成。
签名:
第 1页
光敏电阻的特性曲线测量 一. 目的要求
测量 CdS(硫化镉)光敏电阻的伏安特性和光照特性。实验要求达到: 1、使用 Excel 或绘图软件 Origin 绘制出伏安特性特性曲线 2、绘制出光照特性曲线 3、理解光敏电阻的光电特性
片。
光源为发光二极管,它具有效率高、体积小、耗电少、寿命长等优点,且改变电源电压可
以改变 LED 灯亮度。为了充分利用光源,在光源后放置了透镜 L1,这样点光源经透镜 L1 为出 射平行光,再经棱镜 L2 聚焦到光敏电阻上。为了减少环境光的影响,将光敏电阻置于遮光筒
相关文档
最新文档