When the semiconductor equipment which possesses
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专利名称：When the semiconductor equipment which possesses
发明人：藤原 等,洞澤 孝康,風間 健一
申请号：JP2009191502
申请日：20090820
公开号：JP5452130B2
公开日：
20140326
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：A semiconductor apparatus includes an aluminum electrode film formed on a semiconductor chip; and a nickel plated layer formed on the aluminum electrode film, wherein a concentration of sodium and potassium present in the nickel plated layer and at an interface between the nickel plated layer and the aluminum electrode film is
3.20×1014 atoms/cm2 or less.
申请人：株式会社デンソー,上村工業株式会社,富士電機株式会社
地址：愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地,大阪府大阪市中央区道修町３丁目２番６号,神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号
国籍：JP,JP,JP
代理人：酒井 昭徳
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