电磁屏蔽技术

《电磁屏蔽技术》

1. 电磁屏蔽的目的

电磁波是电磁能量传播的主要方式，高频电路工作时，会向外辐射电磁波，对邻近的其它设备产生干扰另一方面，空间的各种电磁波也会感应到电路中，对电路造成干扰电磁屏蔽的作用是切断电磁波的传播途径，从而消除干扰在解决电磁干扰问题的诸多手段中，电磁屏蔽是最基本和有效的用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作，因此不需要对电路做任何修改

2. 区分不同的电磁波

同一个屏蔽体对于不同性质的电磁波，其屏蔽性能不同因此，在考虑电磁屏蔽性能时，要对电磁波的种类有基本认识电磁波有很多分类的方法，但是在设计屏蔽时，将电磁波按照其波阻抗分为电场波、磁场波、和平面波

电磁波的波阻抗Z定义为：电磁波中的电场分量E与磁场分量H的比值: Z W W

= E / H

电磁波的波阻抗电磁波的辐射源性质、观测点到辐射源的距离以及电磁波所处的传播介质有关

距离辐射源较近时，波阻抗取决于辐射源特性若辐射源为大电流、低电压（辐射源的阻抗较低），则产生的电磁波的波阻抗小于377，称为磁场波若辐射源为高电压、小电流（辐射源的阻抗较高），则产生的电磁波的波阻抗大于377，称为电场波

距离辐射源较远时，波阻抗仅与电场波传播介质有关，其数值等于介质的特性阻抗，空气为377Ω

电场波的波阻抗随着传播距离的增加降低，磁场波的波阻抗随着传播距离的增加升高

注意: 近场区和远场区的分界面随频率不同而不同，不是一个定数，这在分析问题时要注意例如，在考虑机箱屏蔽时，机箱相对于线路板上的高速时钟信号而言，可能处于远场区，而对于开关电源较低的工作频率而言，可能处于近场区在近场区设计屏蔽时，要分别电场屏蔽和磁场屏蔽

3. 度量屏蔽性能的物理量——屏蔽效能

屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量屏蔽效能的定义如下：

SE=20lg(E/E) (dB) 21式中：E=没有屏蔽时的场强 E 有屏蔽时的场强=2 1．

如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能屏蔽效能的单位是分贝(dB)，下表是衰减量与分贝的对应关系：

屏蔽前屏蔽后衰减量屏蔽效能

20dB 90% 1 0.1

40dB 99% 1 0.01

60dB 1 99.9% 0.001

80dB 1 99.99% 0.0001

100dB

0.00001 99.999% 1

以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到40dB一般民用产品机箱的屏蔽效能在屏蔽

室或屏蔽舱等往往设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上TEMPEST60dB，以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高要达到100dB100dB 4. 屏蔽材料的屏蔽效能

估算这种损耗可以分成两个部分：电磁波在穿过屏蔽体是发生衰减是因为能量有了损耗，反射损耗和吸收损耗当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过

界面的电反射损耗：当磁能量减弱由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗，用字母R表示因此，电磁波穿过屏电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，要

发生两次反射蔽体时的反射损耗等于两个界面上的反射损耗总和反射损耗的计算

公式如下：屏蔽材料的特性: (dB) /ZR=20lg(Z) 式中 Z= Z=入射电磁波的波阻抗，

SWWS阻抗

1/2-7=f: = σr相对磁导率，r入射电磁波的频率，μ=式中rrf|=3.68×10|Z（μσ）S相对电导率电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁吸收损耗：表示，计算公式能量损失，损失的这部分能量成为屏蔽材料的吸收损耗，用字母A如下：1/2 (dB) rrf（A=3.34tμσ）电磁波在屏蔽体的第二个界面（穿出屏蔽体的界面）发生反射:多次反射修正因子后，会再次传输到第一个界面，在第一个界面发射再次反射，而再次到达第二个界应该这部分是额外泄漏的在这个界面会有一部分能量穿透界面，面，泄漏到空间BB考虑进屏蔽效能的计算这就是多次反射修正因子，用字母表示，大部分场合，都可以忽略

SE = R + A + B

从上面给出的屏蔽效能计算公式可以得出一些对工程有实际指导意义的结论，根据这些结论，我们可以决定使用什么屏蔽材料，注意什么问题下面给出的结论，出步一看，会感到杂乱无章，无从应用，但是结合上面第3和第4条仔细分析后，会发现这些结论都有着内在联系深入理解下面的结论对于结构设计是十分重要的

1）材料的导电性和导磁性越好，屏蔽效能越高，但实际的金属材料不可能兼顾这两个

方面，例如铜的导电性很好，但是导磁性很差；铁的导磁性很好，但是导电性较差应该使用什么材料，根据具体屏蔽主要依赖反射损耗、还是吸收损耗来决定是侧重导电

性还是导磁性；

2）频率较低的时候，吸收损耗很小，反射损耗是屏蔽效能的主要机理，要尽量提高反

射损耗；

3）反射损耗与辐射源的特性有关，对于电场辐射源，反射损耗很大；对于磁场辐射源，反射损耗很小因此，对于磁场辐射源的屏蔽主要依靠材料的吸收损耗，应该选用磁

导率较高的材料做屏蔽材料

4）反射损耗与屏蔽体到辐射源的距离有关，对于电场辐射源，距离越近，则反射损耗

越大；对于磁场辐射源，距离越近，则反射损耗越小；正确判断辐射源的性质，决定它应该靠近屏蔽体，还是原理屏蔽体，是结构设计的一个重要内容

5）频率较高时，吸收损耗是主要的屏蔽机理，这时与辐射源是电场辐射源还是磁场辐

射源关系不大

6）电场波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁场波是最难屏蔽的尤其是（1KHz以下）低频磁场，很难屏蔽对于低频磁场，要采用高导磁性材料，甚至采用高导电性材料和

高导磁性材料复合起来的材料

6. 实用屏蔽体设计的关键

以上的屏蔽效能100dB一般除了低频磁场外，大部分金属材料可以提供但在实际以

上的屏蔽效能也是十分困难的这是因为，屏蔽体的屏蔽效工作中，要达到80dB能不仅

取决于屏蔽体的结构屏蔽体要满足电磁屏蔽的基本原则电磁屏蔽的基本原则有两个：