模拟电子技术基础华成英第五版复习与考试

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电子技术基础_模拟部分(第五版)习题答案8word格式

电子技术基础模拟部分第五版第八章作业题解答湖呵呵8功率放大电路8.1 功率放大电路的一般问题在甲类r乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解：在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流％不出现截止状态（即导通角。

=2打）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通3 = 77）的称为乙类；导通吋间大于半周而小于全周（打<E <2"）的称为甲乙类。

其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达78. 5% D8,3 乙类双电源互补对称功率放大电路&3.1在图题1所示电路中*设丁的0 = 100, V吐二0.7 V, V CES =0.5 V T Z CE0 =0,电容C对交流可视为短路. 输入信号叫为正弦波。

（门计算电路可能达到的最大不失真输岀功率尸叭；（2）此时心应调节到什么数值？（3）此时电路的效率叶二？试与工作在乙类的互补对称电路比较。

解:（1）求尸晌[(%-V CE J/(2Q)『瓦（2）求他考虑到仏二几12 V』5 V"72 A[(12 - O.3)/(2Q)F8W^2+07 W图题8, 3, J下载可编辑1 570 Q (12 - 0, 7) V x 100 0.72 A下载可编辑显然，比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多。

乩* 2 一双电源互补对称电路如图题艮3.2所示，设已知V cc = 12 V t /?L = 16 0^.为正弦波。

求；(1)在BJT 的饱和压降比岛可以忽略环计的条件F,负载上可能得到的最大输出功率 2 (2)每个管子允许的管耗耳開至少应为多少？(。

每个管子的耐压I K (Btt)CE0 |应大于多少？解：⑴输出功率(2)每管允许的管耗P (.M ^0, 2 卩小=0. 2 x4.5 W 二® 9 W(3) 每管的耐压湖呵呵2.07 W12 V xO, 72~A= 24%(RR)CEO孑 2 V cc = 2 x 12 V =24 V8,3+3在图题8.3.2所示电路中，设哲为正弦波”心=8要求最大输出功率巴皿=9 W o 试求在BJT 的惋和压降〈E J 可以忽略不计的条件下，求：(1)正、负电源％匚的最小值；(2)根据所求卩优最小值•计算相应的厶“ | V tBRKE J 的最小值；(父)输出功率最大(匕m = 9W)时，电源供给的功率(4)每个管子允许的管耗戶跡的最小值；(门当输岀功率最大(P 晌二 9 W)时的输入电压有效值中解：(1) V 蔭的最小值由卩丽金可求得/2X 8 ftx9 W = 12 V(2)心和丨陷讣(的最小值k T1图题8.3.2CM12 V 811|V (BR)C£O >2V CC =2X12 V=24 V设为电流平均值.则匕=2%S =篇2 X (12 V)/ 7T X 8 fl1L46 W(4)P阳的最小值湖呵呵P CM MO. 2P_ =0.2 x9 W =1.8 W(5)输人电压有效值—卩严％/后& 49 V8. 3.4设电路如图题&久2所示，管子在输入信号耳作用下，在一周期内J和轮流导电约180°,电源电压％=20 V,负载肌=8 0,试计算：(D在输人信号=10 V(有效值)时，电路的输岀功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；(2)当输人信号叫的幅值为xV cc =20 V时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率°解：(1) ^ = 10 V 时V im =M 二QxlO V = 14 V,人"^AV.=14 Vi V2 1 V21 141・输出功率P. =y '--~=y x~W= 12. 25 Wcc每管的管耗V4( 20 xl43, 14一牛)W" 02 W两管的管耗电源供给的功率P T=2P TI = 10. 04 W=巴 5 = 12. 25 + 10. 04 =22. 29 W效率可= )x100% x 100% ^54.96% 厂1J E迅日乙，⑵=20 V时％二血卩貯咯=20 V1V2X on2输出功率巴=斗・占二斗X辛琢=25 W2n L 2 o两管的管耗P T =2P T1二寻(冬-字卜6恋W/电源供给的功率P v = P o + P T = 25 + 6. 85 =31+ 85 WP95效率7?二才x 100% =——- X 100% 弋7& 5%Jr v 3 1 * &58.4甲乙类互补对称功率放大电路& 4.1 一单电源互补对称功放电路如图题8.4. 1所示*设比为正弦波,湖呵呵由H则有图题8解?cc 立6D %为 TH-1 000pFq °~IR100 pF图题8.4.3% D. T2 =甲£ 兔 E ~P & 4. 称电路中量很大，氏碍情况下k T(2)动态时，若输应调整哪个电=R 、= 1, 1 kfi, =0 7 V ‘ P CM = 町中任意一个yK cc =6 V,调整乩或町可满足这一要求。

模拟电子技术基础-清华大学_华成英-全套完整版

参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。
华成英 hchya@
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通：耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。
必要吗？ PN 结加反向电压截止：耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡快乐学习！
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七、考查方法
1. 会看：读图，定性分析 2. 会算：定量计算
考查分析问题的能力
3. 会选：电路形式、器件、参数考查解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA 考查解决问题的能力－－实践能力
指数曲线
若正向电压 u UT，则i ISe
u UT
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
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电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路
1904年电子管问世
1947年晶体管诞生
1958年集成电路研制成功
电子管、晶体管、集成电路比较
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半导体元器件的发展
• • • • 1947年 1958年 1969年 1975年贝尔实验室制成第一只晶体管集成电路大规模集成电路超大规模集成电路
电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无孔不入”，应用广泛！

模电第五版题库

《模拟电子技术基础》题库华成英主编高等教育出版社一、判断下列各题是否正确，对的打“√”，错的打“×”1．半导体中的空穴带正电。

（√）2．本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（√）3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）4．未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。

（√）5．稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U Z。

（×）6．若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。

（×）7．多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（×）8．射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。

（√）9. 一个完全对称的差分式放大器，其共模放大倍数为零。

（√）10. 一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（√）11.差动放大电路的A VD越大越好，而A VC则越小越好。

（√）12.零点漂移就是静态工作点的漂移。

（√）13.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（√）14．只有直接耦合放大电路才有温漂。

（×）15.不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用。

（√）16．利用两只NPN型管构成复合管只能等效为NPN型管。

（√）17．利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP管。

（×）18．差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。

（×）19．放大电路采用复合管是为了减小输入电阻和放大倍数。

（×）20.镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（√）21.在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数。

（√）同时也可以增大共模抑制比。

（√）二、选择填空1、型半导体中的多数载流子是_____B__,N型半导体的多数载流子是____A____.A.电子 B .空穴 C. 正离子 D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度__ A ___本征半导体中的载流子的浓度。

模拟电子技术基础-清华大学华成英-全套完整版精编版

华成英 hchya@
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？
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二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
磷（P）
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模拟电子技术基础
清华大学华成英
华成英 hchya@
绪论
一、电子技术的发展二、模拟信号与模拟电路三、电子信息系统的组成四、模拟电子技术基础课的特点五、如何学习这门课程六、课程的目的七、考查方法
华成英 hchya@
一、电子技术的发展
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡快乐学习！
华成英 hchya@
七、考查方法
1. 会看：读图，定性分析考查分析问题的能力
2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数
考查解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用

模拟电子技术(第五版)基础习题答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。

（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。

A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。

求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

模拟电子技术第五版基础习题与解答

模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。

它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。

《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。

首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。

半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。

例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。

再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。

”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。

在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。

“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。

”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。

还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。

”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。

三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。

“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。

”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。

判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。

又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。

模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)

模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书，希望大家都能在这个学期继续坚持下去，有时间一定要看看。

希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。

有一句话叫：“把时间浪费在不该花的地方，是一件最愚蠢的事。

”今天为大家分享的是模电总结资料之一：模拟电子基础（第五版),本书共分三册，共36章、120多页，是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。

在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述，对所学知识进行了梳理，同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍，并给出了实验原理与应用方法。

一、基本概念电路的构成过程是：(1)产生信号的电源：由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。

(2)信号的基本特性：由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。

(3)信息形式：用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。

电路所能实现的全部物理过程，以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。

例如，电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。

电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。

有：时间步长、频率）时钟钟、电压基准；时间继电器式电路板(SOSD)等。

(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理，以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。

1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。

模拟电子电路由输入输出端组成。

A.输入端的输出信号包括：频率和电压；谐波分量和电源谐波分量。

B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件，主要是对信号进行采样和运算的部件。

C.时间继电器式电路板，也称为功率继电器。

D.控制输出的一种电路，包括：时间基准和电流基准。

2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。

电流在经过电感后，在通过电感的电流场作用下转换为数字信号，其特性曲线称为数字信号。

电感在数字信号中起着很重要的作用。

模拟电子技术基础第五版课后习题答案

模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。

试画出ui和uo的波形，并标出幅值。

解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。

（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。

解：对于（a）来说，二极管是导通的。

采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。

采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。

运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。

解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。

模拟电子技术基础第五版华成英答案第3章

第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。

（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应采用。

（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用，第二级应采用。

（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用，第二级应采用。

解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是。

A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。

电子技术基础_模拟部分(第五版)课后答案

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PPT学习交15 流
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《模拟电子技术基础》(第五版)华成英 1-半导体基础知识.ppt

动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。
华成英
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。
对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
华成英
2. 输出特性
iC f (uCE ) IB
对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。
饱和区
iC
放大区
为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态
曲线几乎是横轴的平行线？
iB
iC iB
最大集电极电流
c-e间击穿电压
最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE
安全工作区
华成英
讨论一
2.7
PCM iCuCE
uCE=1V时的iC就是ICM
iC iB
U CE
U（BR）CEO
由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、β。
华成英
讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性
华成英
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。
磷（P）
华成英
2. P型半导体
3
硼（B）

电子技术基础_第五版(模拟部分)第一章

不同，产生的失真。
32
1.5 放大电路的主要性能指标
5. 非线性失真
由元器件非线性特性引起的失真。
非线性失真系数:

Vo2k
k2 100%
Vo1
VO1是输出电压信号基波分量的有
效值，Vok是高次谐波分量的有效值，k
为正整数。
end
33
Avo ——负载开路时的电压增益
Ro ——从负载端看进去的放大
电路的输出电阻
戴维宁等效
Ri ——输入电阻
20
1.4 放大电路模型
由输出回路得则电压增益为
vo

AVOvi
RL Ro RL
AV

vo vi

Avo
RL Ro RL
由此可见 RL
Av 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望…？（考虑改变放大电路的参数）
– 基本电路：单管（三种接法）、差分、互补输出级
– 基本方法：等效电路法、图解法
• 反馈
– 概念：反馈、正反馈与负反馈、直流反馈与交流反馈、电压反馈与
电流反馈、串联反馈与并联反馈
– 判断方法
– 深度负反馈放大倍数的估算方法
– 交流负反馈对放大电路性能的影响及引入反馈的方法
– 负反馈放大电路的稳定性及消除振荡的方法
–实验方法
• 常用电子仪器的使用方法 • 电子电路的测试方法 • 故障的判断与排除方法 • EDA软件的应用方法
–上好理论-EDA-实践三个台阶
5
课程在本科生素质教育中的作用
一个电路从信号输入、中间的处理到最后的
• 由于电子技术基础输出课，程各的级基之础间的性增和益广分泛配性、参，数使设之置在、逻

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。

如：V CE、I C等。

•小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。

如：v CE、i B等。

•小写字母、小写下标表示纯交流量。

如：v ce、i b等。

•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。

如：等。

二．信号（1）模型的转换（2）分类（3）频谱二.放大电路（1）模型（2）增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件

vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压：vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
（2）同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时，
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示，求输出电压vo的表达式。
解：利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析：直流通路
IBQ
VCC Rb

模拟电子技术基础-清华大学-华成英-全套完整版

无杂质稳定的结构
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚
而成为自由电子
自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴
自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。动态平衡一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。
1958年集成电路研制成功
电子管、晶体管、集成电路比较
华成英 hchya@
半导体元器件的发展
• 1947年 • 1958年 • 1969年 • 1975年
贝尔实验室制成第一只晶体管集成电路大规模集成电路超大规模集成电路
第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年的速度增长，到2015或2020年达到饱和。
➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标和描述方法，因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。