6- 模拟集成电路
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康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】
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在电路中,当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时, IREF 以及 VBE 也将发生变化,由于
Re的值一般为数千欧,使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化,因此,电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时,T0对T1有温度补偿作用,所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小,在电路外接电阻确定之后,主要取决于运放差分输入级BJT的
性能,当它的β值太小时,将引起偏置电流增加。
3.输入失调电流
当输入电压为零时,流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO:
4.温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移,通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小,交流电阻大,具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外,还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
(3)JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
3 / 51
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台
如图 6-5(a)所示,如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连,则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力,但它的差模输入阻抗很低。 (2)带有源负载的射极耦合差分式放大电路
《模拟集成电路》课件
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,以便对设计的电路进行全面的测试和评估。
PART 05
模拟集成电路的制造工艺
REPORTING
半导体材料
硅材料
硅是最常用的半导体材料,具有 稳定的物理和化学性质,成熟的 制造工艺以及低成本等优点。
化合物半导体
如砷化镓、磷化铟等化合物半导 体材料,具有高电子迁移率、宽 禁带等特点,常用于高速、高频 和高温电子器件。
《模拟集成电路》课 件
REPORTING
• 模拟集成电路概述 • 模拟集成电路的基本元件 • 模拟集成电路的分析方法 • 模拟集成电路的设计流程 • 模拟集成电路的制造工艺 • 模拟集成电路的优化与改进
目录
PART 01
模拟集成电路概述
REPORTING
定义与特点
定义
模拟集成电路是指由电阻、电容、电 感、晶体管等电子元件按一定电路拓 扑连接在一起,实现模拟信号处理功 能的集成电路。
围和失真。
信号分析方法
01
02
03
04
频域分析
将时域信号转换为频域信号, 分析信号的频率成分和频谱特
性。
时域分析
研究信号的幅度、相位、频率 和时间变化特性,分析信号的
波形和特征参数。
调制解调分析
研究信号的调制与解调过程, 分析信号的调制特性、解调失
真等。
非线性分析
研究电路的非线性效应,分析 信号的非线性失真和互调失真
音频领域
模拟集成电路在音频领域中主要用于 音频信号的放大、滤波、音效处理等 功能,如音响设备、耳机等产品中的 模拟集成电路。
模拟集成电路的发展趋势
集成度不断提高
随着半导体工艺的不断发展,模 拟集成电路的集成度不断提高, 能够实现更加复杂的模拟信号处
模拟电路 第六章模拟集成电路
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? IC
UCE
t
t
iC2
vC2
ui2
uBE2
iB2
t
UBE
IB
? IC
UCE
t
t
t
t
两管集电极电位一减一增,呈等量异向变化,
uo= (VC1-VC1 )-(VC2 + VC1 ) =-2 VC1
即对差模信号有放大能力。
2) 共模输入 vi1 = vi2 大小相等、极性相同
vC = UCC- iC RC
iC1
vC1
ui1
uBE1
iB1
t
UBE
IB
? IC
UCE
t
t
t
t
iC2
vC2
ui2
uBE2
iB2
t
UBE
IB
? IC
UCE
两管集电极电位t 呈等量同t向变化,所t 以输出 t
电压为零,即对共模信号没有放大能力。
3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。
例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV 可分解成: ui1 = 8 mV + 2 mV
差分式放大电路对共 模信号有很强抑制作用。
4. 差分式放大电路中的一般概念
vid = vi1 vi2
差模信号 两个输入信号的差值
1 vic = 2 (vi1 vi2 )
共模信号
两个输入信号的算术平均值
根据以上两式可以得到
vi1 = vic
vi2 = vic
AVD AVC
= =
v od vviodc v ic
6.1.2微电流源(P259)
一、电路特点 (Re2 K级)
6、模拟集成电路
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vic =2(vi1vi2)
+
- 差分 放大
+ vo
-
例:vi15V 19mC V
总输出电压 v o= v o v o A V v iD d A V v iC cvi25V 19mC V
差模电压增益
AVD=vviod
vo vi d
vi
c0
分析思路:叠加定理
vi1
IC2IC1=1IR2EFIRE 问F 题VR C 2 C 若 较小,则分流造成
的误差不能忽略!
同IC 样对1TI1R 的CE点F列IB KC3 L方IR 程:EF2IB1
IC 2IC 1=1IR2EF2 IREF
IR
EFVC
C 2VB R
E1VCC R
为了避免T3的电流过小而使 3下降,
同相输入端 反相输入端
应用背景:电桥测量
R+R
R-R
+
vi1 -
+ -vi2
+
- 差分 放大
+
Vo = AVvi
–
+ vo -
V
R R VV
10V
vi1 2 RV 22 R R 5 V 19 m C V
R-R
R + R vi2 R 2 R R V V 22 V R R 5 V 19 m C V
学习要求
能辨认电路(电流源结 构的变化规律)
会计算电流源的输出 电流(求Q)
多路电流源
电流源用作有源负载
3
iC VCC Rc
ICQ iC
6.1 集成电路运算放大器中的电流源
1. 概述
恒流源:Rs = , iO = Is ,与RL无关 三极管工作在放大区,其输出特性 具 有恒流特性。
6-模拟集成电路原理及其应用
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RC
负载中点必为
Rb
零电位。 ++
Rb
uo1
ui2
-
-ui1
T1
1 2
uo RL
1 2
RL
RC
uo2 Rb
T2
+ ui2
-
Ree
Ree
–EE
原电路 ib
–EE
uo 差模交流通路 ib
Rb
ui2 rbe ib
RC
1 2
RL
uo1 uo2
1 2
RL
ib
RC
Rb
rbe ui2
差模微变等效电路
ib
Rb
ui2=-
21uid
由有用信号决定的输入信号。
其中:1 uic 2 (ui1 ui2 )
uid ui1 ui 2
2 、共模输入信号 :
例如:ui1=10mV,ui2=6mV
ui1=ui2=uic
由温度、干扰等引起的等效 输入信号。
3 、任意输入信号:
可分解为差模输入和 共模输入的线性组合
uo
ic2
T1 ui1
uo1
uo2 T2
ue
ui2
RC
RC
ic1
uo
ic2
T ui1 1
uo1
uo2 T2
ve
ui2
RC
RC
ic1
uo
ic2
T ui1 1
uo1 uo2 T2
vE
ui2
置零 Io
Ree
置零
–EE
Ree
导线 对差模信号 代替 差模交流通路
ue 0
差模交流通道
第6章 模拟集成电路81019 99页
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6.2.1 差分式放大电路的一般结构
1. 用三端器件组成的差分式放大电路
v i1 , v i2
基本差分式放大电路是由两个完全对称的单管放大器组成。图中两个管子及
左右相对应的电阻其参数基本一致。v i1 , v i2 分别加到两管的基极,经过放大后获
得输出电压,两管集电极输出电压之差 vod=vo1vo2
rbe
放大管
比用电阻Rc就作负载时提高了。
end
以电流源为有源负载的放大电路
在集成运放中,常用电流源电路取代RC或 Rd ,这样在电源电压不变的情况下,既可获 得合适的静态电流,对于交流信号,又可获得 很大的等效RC或Rd的。
晶体管和场效应管是有源元件,又可作 为负载,故称为有源负载。
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
IOID 2IRE F V D DV R SS V G S
当器件具有不同的宽长比时
IO
W2 W1
/ /
L2 L1
IRE
F
(=0)
ro= rds2
MOSFET基本镜像电路流
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
用T3代替R,T1~T3特性相同,
动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高
6.1.1 BJT电流源电路
* 4. 组合电流源
通过一个基准电流稳定多个三 极管的工作点电流,即可构成多 路电流源。图中一个基准电流IREF 可获得多个恒定电流 IC2、IC3。 T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF
T1和T2、T4和T5构成镜像电流源
1. 镜像电流源 动态电阻
ro
( iC2 )1 vC E2
第六章模拟集成电路设计1PPT课件
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推得 T3~T6的电流分别 1、 2、 为 4、 8毫 :安
T1电流放大,以减少从参考电流中分出的基极电流。 使一个参考电流较准确地控制多个电流源
2020/8/2
专用集成电路设计实验室
20
四川大学物理科学与技术学院
3、微电流恒流源(Widlar源)
V B1 E V B2 EIE2R e2
Re2
VBE1VBE2 IE2
16
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基本型恒流源 r
1. 镜像电流源
基准电流:
IREF=Ir
VCCVBE R
V CC R
因为:VB E2=VB E1 IE2 = IE1
所以:IC2 =IC1 IREF
最后得到公式6-29
R上 r 电流I的 r T 变 管 2化 基极 I变 2 r 化
增加了双极型晶体管工作点的稳定性
四川大学物理科学与技术学院
模拟集成电路
2020/8/2
专用集成电路设计实验室
1
四川大学物理科学与技术学院
第一部分
整体概述
THE FIRST PART OF THE OVERALL OVERVIEW, PLEASE SUMMARIZE THE CONTENT
专用集成电路设计实验室
2
四川大学物理科学与技术学院
集成电路概述
• 模拟IC就是能对模拟量进行运算和处理的一种IC, 直接对连续可变的模拟量进行计算与处理
• 模拟集成电路的种类
– 根据输入、输出电压的变化关系分类
• 线性IC:输出信号随输入信号的变化成线性关系 • 非线性IC:具有非线性的传输特点 • 接口电路:AD/DA转换器
– 按工作频率分类
• 低频、高频、射频、微波、毫米波
T1电流放大,以减少从参考电流中分出的基极电流。 使一个参考电流较准确地控制多个电流源
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3、微电流恒流源(Widlar源)
V B1 E V B2 EIE2R e2
Re2
VBE1VBE2 IE2
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基本型恒流源 r
1. 镜像电流源
基准电流:
IREF=Ir
VCCVBE R
V CC R
因为:VB E2=VB E1 IE2 = IE1
所以:IC2 =IC1 IREF
最后得到公式6-29
R上 r 电流I的 r T 变 管 2化 基极 I变 2 r 化
增加了双极型晶体管工作点的稳定性
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第一部分
整体概述
THE FIRST PART OF THE OVERALL OVERVIEW, PLEASE SUMMARIZE THE CONTENT
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集成电路概述
• 模拟IC就是能对模拟量进行运算和处理的一种IC, 直接对连续可变的模拟量进行计算与处理
• 模拟集成电路的种类
– 根据输入、输出电压的变化关系分类
• 线性IC:输出信号随输入信号的变化成线性关系 • 非线性IC:具有非线性的传输特点 • 接口电路:AD/DA转换器
– 按工作频率分类
• 低频、高频、射频、微波、毫米波
《模拟集成电路系统》课件
![《模拟集成电路系统》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/7c7b54163a3567ec102de2bd960590c69ec3d82d.png)
滤波器电路
总结词
详细描述
滤波器电路用于提取特定频率范围的信号 ,实现信号的选择性传输。
滤波器电路由电阻、电容、电感等元件组 成,通过调整元件参数,实现对特定频率 信号的选择性传输或抑制。
滤波器电路的分类
滤波器电路的应用
根据工作原理和应用场景,滤波器电路可 分为低通、高通、带通、带阻等类型,每 种类型具有不同的性能特点。
正确性和可制造性。
制程加工
将版图转化为实际电路 ,进行制程加工和封装
测试。
制程优化
根据制程结果,对制程 进行优化,提高电路性
能和成品率。
模拟集成电路系统
05
应用
通信系统应用
01
02
03
信号放大和处理
模拟集成电路系统在通信 系统中主要用于信号的放 大和处理,以确保信号的 稳定传输。
调制与解调
在通信系统中,模拟集成 电路系统还用于信号的调 制和解调,实现信号的转 换和还原。
详细描述
稳压电源电路由电源变压器、整 流器、滤波器和稳压器组成,通 过调整元件参数,实现输出电压 或电流的稳定。
稳压电源电路的分类
根据工作原理和应用场景,稳压 电源电路可分为线性稳压电源和 开关稳压电源等类型,每种类型 具有不同的性能特点。
模拟集成电路系统
04
设计
设计流程与方法
确定设计目标
明确电路的功能、性能指标和 限制条件,为后续设计提供指
滤波器设计
模拟集成电路系统能够实 现各种滤波器设计,用于 信号的选择和处理,提高 通信质量。
音频系统应用
音频信号处理
模拟集成电路系统在音频 系统中主要用于音频信号 的处理,如音频放大、音 效处理等。
模拟集成电路-课件
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2021/6/20
31
NMOS沟道电势示意图(0<VDS< VGS-VT )
dq(x) = -CoxWdx[vGS - v(x) - VTH ] 边界条件:V(x)|x=0=0, V(x)|x=L=VDS
2021/6/20
32
I/V特性的推导(1)
沟道单位长度电荷(C/m)
电荷移 动速度
I = Qd .v (m/s)
组合二进制数据 DAC 多电平信号 ADC 确定所传送电平
传送端
接收端
磁盘驱动电子学
存储数据 恢复数据
硬盘存储和读出后的数据
无线接收机
无线接收天线接收到的信号(幅度只有几微伏)和噪声频谱
接收机放大低电平信号时必须具有极小噪 声、工作在高频并能抑制大的有害成分。
光接收机
转换为一个小电流 高速电流处理器
假定 “1”电平为3V, “0”电平为0V,VTP =-0.5V,试确定C1、C2的终值电压。
2021/6/20
45
MOS管的开启电压VT及体效应
VTH = ΦMS + 2ΦF + Qdep , where Cox
ΦMS = Φgate - Φsilicon
ΦF = kT q ln
Nsub ni
模拟集成电路的特点是什么?
从模拟集成电路的工作机理和功能要求来考虑,与数 字集成电路相比,概括起来,有以下5个特点:
1) 电路所要处理的是连续变化的模拟信号(模拟 量);
2) 除了需要功率输出的输出级外,电路中信号的电 平值是比较小的,即模拟集成电路一般多工作于小信 号状态,不象逻辑集成电路那样只工作于大信号开关 状态;
ID
= 2ID VGS - VTH
模电
![模电](https://img.taocdn.com/s3/m/af2c9dded15abe23482f4db7.png)
常用的镜像电流源
6.1.2 FET电流源电路 电流源电路
2. MOSFET多路电流源 多路电流源
I REF = I D0 = K n0 (VGS0 − VT0 ) 2
CH6 模拟集成电路
I D2
I D3 I D4
W2 / L2 I REF = W1 / L1
W3 / L3 I REF = W1 / L1 W4 / L4 I REF = W1 / L1
VCC − VBE − ( −VEE ) VCC + VEE ≈ Io=IC2≈IREF= R R
确定后, 就确定了, 当R确定后, IREF就确定了, IC2也就 确定后 就确定了 也就 确定了,可将IC2看作 看作IREF的镜像 ,称此图 确定了,可将 看作 的镜像 镜像电流源。 为镜像电流源。
6.1.1 BJT电流源电路 电流源电路
2. 微电流源
I O = I C2 ≈ I E2 =
CH6 模拟集成电路
VBE1 − VBE2 Re2
∆VBE = Re2
由于 ∆VBE 很小, 很小, 所以I 也很小。 所以 C2也很小。 ro≈rce2(1+ +
βRe2
rbe2 + R e2
)
′ (参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 Ro) 当电源电压发生变化时, 的变化远小于IREF的变化,电 的变化, 当电源电压发生变化时,IC2的变化远小于 的变化远小于 的变化 源电压波动对IC2影响不大 故:此电流源有很高的恒定性。 影响不大,故 此电流源有很高的恒定性。 源电压波动对 影响不大
镜像电流源电路适用于较大工作电流( 镜像电流源电路适用于较大工作电流(毫安数 的场合。 的值(例如微安级)。 量级)的场合。若需减少Ic2的值(例如微安级)。 必须要求R的值很大 这在集成电路中很难实现。 的值很大, 必须要求 的值很大,这在集成电路中很难实现。 因此,需要研究改进型的电流源。 因此,需要研究改进型的电流源。
6.1.2 FET电流源电路 电流源电路
2. MOSFET多路电流源 多路电流源
I REF = I D0 = K n0 (VGS0 − VT0 ) 2
CH6 模拟集成电路
I D2
I D3 I D4
W2 / L2 I REF = W1 / L1
W3 / L3 I REF = W1 / L1 W4 / L4 I REF = W1 / L1
VCC − VBE − ( −VEE ) VCC + VEE ≈ Io=IC2≈IREF= R R
确定后, 就确定了, 当R确定后, IREF就确定了, IC2也就 确定后 就确定了 也就 确定了,可将IC2看作 看作IREF的镜像 ,称此图 确定了,可将 看作 的镜像 镜像电流源。 为镜像电流源。
6.1.1 BJT电流源电路 电流源电路
2. 微电流源
I O = I C2 ≈ I E2 =
CH6 模拟集成电路
VBE1 − VBE2 Re2
∆VBE = Re2
由于 ∆VBE 很小, 很小, 所以I 也很小。 所以 C2也很小。 ro≈rce2(1+ +
βRe2
rbe2 + R e2
)
′ (参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 Ro) 当电源电压发生变化时, 的变化远小于IREF的变化,电 的变化, 当电源电压发生变化时,IC2的变化远小于 的变化远小于 的变化 源电压波动对IC2影响不大 故:此电流源有很高的恒定性。 影响不大,故 此电流源有很高的恒定性。 源电压波动对 影响不大
镜像电流源电路适用于较大工作电流( 镜像电流源电路适用于较大工作电流(毫安数 的场合。 的值(例如微安级)。 量级)的场合。若需减少Ic2的值(例如微安级)。 必须要求R的值很大 这在集成电路中很难实现。 的值很大, 必须要求 的值很大,这在集成电路中很难实现。 因此,需要研究改进型的电流源。 因此,需要研究改进型的电流源。
6-模拟集成电路
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ic2
特性及参数相同的 单级放大电路组成。
同相输入端 +
- vi1
T1
T2
vE
反相输入端 有两个输入端:
+
vi2
-
同相输入端、反相输入端
Io
ro
–VEE 基本型
电路由正电源+VCC和 负电源-VEE供电。
恒流源提供直流偏置。
(二)、分类
+VCC
双端输入——双端输出
双端输入——单端输 出 单输输入——双端输出
(二)、动态分析
1、差模信号双端输入情况的动态分析 (vi1 vi2
(1)、步骤:原电路
差模信号交流通道
1 2vid )
+VCC
置零
RC
ic1
vo
T1 vo1
vi1
vE
RC ic2 vo2 T2 vi2
RC
RC
ic1
vo
ic2
T vi1 1
ห้องสมุดไป่ตู้
vo1
vo2 T2
vE
vi2
RC
RC
ic1
vo
ic2
voc 2 T2
vE
2ie ro
RC ic2
vic
RC
RC
ic1
voc
ic2
voc1 voc2
T1
T2
vic
vE
ro
vE vic
r o
ie 2ro 2ro ie
不能共模信号交流通路
对共模信号
导线 代替
e
eo eo
v 0 r 2r e oo
共模信号交流通道
共模微变等效电路
模拟集成电路(精)
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差分式放大电路有两个输入端,分别接有信号电压vi1与vi2,输出 端的信号电压为vo 。在电路完全对称的理想情况下,输出信号电 压可表示为
v o = AVD (v i 1 − v i 2 )
式中AVD是差分式放大电路的差模电压增益。 放大电路两个输入端所共有的任何信号对输出电压都不会有影响。
6
微电流源
在T2的射极电路接入电阻Re2,当基准电 流IREF一定时, IC2为:
V BE 1 − V BE 2 = Δ V BE = I E 2 R e 2 Δ V BE IC 2 ≈ I E 2 = Re 2 利用两管基-射极电压差ΔVBE可以控制输出 电流IC2 。由于ΔVBE的数值小,故用阻值不大 的Re2即可获得微小的工作电流,称为微电 流源。
VB 2 = IE2 Rb 22VCC Rb 21 + Rb 22 V − V EB 2 V B 2 Rb 22VCC = B2 ≈ = Re 2 Re 2 Re 2 (Rb 21 + Rb 22 )
(2) T1 、 Rb11和Rb12为射极输出电路。
10
§6-2差分式放大电路
差分式放大电路是放大两个输入信号之 差。由于在电路和性能方面有许多优点, 因而成为集成运放的主要组成单元。
当电源电压VCC发生变化时, IREF以及ΔVBE也将发生变化。由于 Re2为数千欧,使VBE2 <<VBE1,以致T2的VBE2值很小而工作在输入 特性的弯曲部分,则IC2的变化远小于IREF的变化。
7
电流源用作有源负载
由于电流源具有直流电阻小,而交流 电阻很大的特点,在模拟集成电路中, 常把它作为负载使用,称为有源负载。 T1是放大管,T2、T3组成镜像电流原 作为T1的集电极有源负载。电流IC2(= IC1)等于基准电流IC3 (IREF)。 电流源的交流电阻很大,在共射电路 中,可使每级的电压增益达103甚至 更高。 电流源亦常用作射极负载。
集成电路版图设计项目教程 项目6 模拟集成电路版图设计
![集成电路版图设计项目教程 项目6 模拟集成电路版图设计](https://img.taocdn.com/s3/m/4c22ab1da31614791711cc7931b765ce05087a7a.png)
GND
S
G
D
P+
N+ N+
RSub
NPN
P-Sub
G S
D
P+
P+
PNP
VDD
N+
RWell
N-well
2022/3/19
项目6 模拟集成电路版图设计
任务6.1 模拟版图设计技术
(5)闩锁效应 闩锁效应通常会导致电路功能失效,严重时可烧毁芯片,避免闩锁效应的方法主要由以下几种: ➢ 在CMOS的有源区周围增加尽可能多的接触孔,降低寄生电阻电容值。 ➢ 衬底接触孔和阱接触孔应尽量靠近源区,以降低阱电阻和衬底电阻的阻值。 ➢ 将PMOS尽量远离NMOS以增大PNPN结的导通电压,或使NMOS尽量靠近GND,PMOS尽量靠近VDD, 降低闩锁发生几率。 ➢ 电源线和地线防止闩锁的设计:加粗电源线和地线;采用接相关衬底的环形VDD电源线;增加VDD和 GND接触孔,并加大接触面积。 ➢ 使用保护环。
2022/3/19
项目6 模拟集成电路版图设计
任务6.1 模拟版图设计技术
(3)寄生效应
在芯片中,所有器件包括金属连线在内都会由于接触或层叠等原因在器件周围产生寄生电阻和电容,并影 响电路的实际性能。这些寄生的电阻和电容通常由器件的几何尺寸决定,因此降低线宽可以明显降低寄生影 响。比如MOS管器件,降低沟道长度可以减小寄生电阻和电容,但同时也会带来短沟道效应。 ➢ 寄生电容
金属布线之间(同布线层或不同布线层)、金属布线与衬底之间都存在平面电容;上层布线到下层布线、 下层布线到衬底之间存在边缘电容。 减少寄生电容的方法:布线尽可能短。选择金属层。布线避开电路单元。 ➢ 寄生电阻
每一条布线都存在寄生电阻。为了降低寄生电阻,需要使用最厚的金属布线层。一般情况下,越厚的金属 布线具有越小的方块电阻。如果遇到相同的金属布线层厚度,可以用几层相邻金属布线重叠形成并联结构, 可以减小寄生电阻。 ➢ MOS器件寄生参数 MOS管器件本身存在两种寄生分布电容:掺杂电容和栅电容。
6 模拟集成电路3解析
![6 模拟集成电路3解析](https://img.taocdn.com/s3/m/7d9837a2d4d8d15abe234eb8.png)
O
t
产生的原因:晶体管参数随温度变化、 电源电压波动、电路元件参数的变化。 危害: 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时,可能淹没有效信号电压,无法分辨是有效 信号电压还是漂移电压。
解决办法
输入级采用差动放大电路
12
例如 假设
漂移
10 mV+100 uV
漂移 1 V+ 10 mV
AV1 = 100, AV2 = 100, AV3 = 1 。
双 端 输 入 双 端 输 出
RC + ui1 ui2 +
uO1 uO uO2
T1 T2
RC
+VCC
+ uid -
I
O
–VEE
+VCC
uO1
T1
uO2 uO
T2
+ uid -
IO –VEE
双 RC uO1 RC uO2 端 输 uO T T2 1 入 + + ui1 单 端 IO uid 输 ui2 –VEE 出 +
(3) 任意输入
定义一:
1 uid = ( ui1 ui2 ) 差模信号 2 1 uic = ( ui1 ui2 ) 共模信号 2
RC
uO1 uO T1
uO2 T2
RC
+VCC
ui1
+
+
ui2
IO
ui1 =uic uid
ui2 =uic uid
定义二:
-
–VEE
uid =ui1 ui2
uid 4mV uic 18mV
ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV - 2 mV
t
产生的原因:晶体管参数随温度变化、 电源电压波动、电路元件参数的变化。 危害: 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时,可能淹没有效信号电压,无法分辨是有效 信号电压还是漂移电压。
解决办法
输入级采用差动放大电路
12
例如 假设
漂移
10 mV+100 uV
漂移 1 V+ 10 mV
AV1 = 100, AV2 = 100, AV3 = 1 。
双 端 输 入 双 端 输 出
RC + ui1 ui2 +
uO1 uO uO2
T1 T2
RC
+VCC
+ uid -
I
O
–VEE
+VCC
uO1
T1
uO2 uO
T2
+ uid -
IO –VEE
双 RC uO1 RC uO2 端 输 uO T T2 1 入 + + ui1 单 端 IO uid 输 ui2 –VEE 出 +
(3) 任意输入
定义一:
1 uid = ( ui1 ui2 ) 差模信号 2 1 uic = ( ui1 ui2 ) 共模信号 2
RC
uO1 uO T1
uO2 T2
RC
+VCC
ui1
+
+
ui2
IO
ui1 =uic uid
ui2 =uic uid
定义二:
-
–VEE
uid =ui1 ui2
uid 4mV uic 18mV
ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV - 2 mV
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1 vic = (vi1 + vi 2 ) 2
vid = vi1 vi 2
例如: =6mV,其中 其中v 例如:vi1=10mV,vi2=6mV,其中vic=(vi1+vi2)/2=8mV, vi1=8mV+2mV mV+2 =4mV,则原信号可分解为 则原信号可分解为: vid=vi1-vi2=4mV,则原信号可分解为: mVvi2=8mV-2mV
IC1 ≈ I E1 I R = REF e Re 1 IC 2 ≈ I E 2 I REF Re = Re 2 IC 3 ≈ I E 3 I REF Re = Re 3
电流 IC1、IC2 ... 可获得不同比例的输出
——用于输入级 §6.2 差分式放大电路 ——用于输入级
vi1 vi2
差分式 放大电路
IRE
F
R
∴VBE1 = VBE 2 = VBE,B1 = I B 2 = I B I I C1 = I C 2 = I C
RL T2
IREF
1
2
2IB IB1
I REF
Ic1
VCC + VEE VBE VCC + VEE = ≈ R R
ro
T1
VBE1
I C1 = I REF 2 I B
RL
= I REF
零点漂移的抑制须在多级放 零点漂移的抑制须在多级放 大电路的最前级(输入级) 大电路的最前级(输入级) 开始, 开始,作为输入级的放大电 采用差分式放大电路。 路应采用差分式放大电路 路应采用差分式放大电路。
二、BJT射极耦合差分式放大电路的结构、分类 BJT射极耦合差分式放大电路的结构、 射极耦合差分式放大电路的结构
6
模拟集成电路
6.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 模拟集成电路中的直流偏置技术 6.2 差分式放大电路 *6.3 差分式放大电路的传输特性 6.4 集成电路运算放大器 2.2 理想运算放大器 2.3 基本线性运放电路 2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用 *6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用 实际集成运算放大器 集成运算放大器的主要参数和对应用 电路的影响 6.6 变跨导式模拟乘法器 *6.7 放大电路中的噪声与干扰
差模和共模信号同时存在时, 差模和共模信号同时存在时 可由叠加原理求总输出
vo = A vid + A vic vd vc
(三)、零点漂移及抑制 )、零点漂移及抑制 +VCC RB RC T vi vic
=0时 当有用信号vi=0时,
由于温度变化及干扰等共模信号的存 并不为零, 在,可以测出输出电压v0并不为零,而 为缓慢地、无规则地变化着,出现不 为缓慢地、无规则地变化着, 应有的输出信号。 应有的输出信号。
四、电流源在放大电路中作为直流偏置的 电流源在放大电路中作为直流偏置的 应用及作用 +VCC
+VCC Is RB C1 ro RC C2 Is RB C1 RCro C2 RB C1 Is
+VCC RC C2
vi
vO
vi
vO
vi
vO
ro
作用: 作用:1.提供稳定偏 置电流I 2.提高输 置电流IB;2.提高输 入电阻, 入电阻,Ri=rbe//ro、
2 I C1
β
-VEE 显然I 无关, 显然IC2与RL无关,相当于 提供恒定的电流。 向RL提供恒定的电流。
IC2 = IC1 = I REF
较大时) (当 β 较大时)
1 1+ 2
≈ IREF
β
(2).负载电流I 的确定: (2).负载电流IC2的确定: 负载电流 +VCC
IRE
F
(3)、 (3)、电流源在放大电路的应用 +VCC
1
ic1
RC vo
RC ic2 Biblioteka c1 T vi11RC vo vo1 vo2 T2 vE
RC ic2
vo1 vo2 T2 vi2 vE ro
vi2
置零
置零
导线 对差模信号 代替
ve = 0
差模信号 交流通路
差模信号交流通道
差模微变等效电路 RC ic2
差模动态分析步骤
ic1 T vi1
1
RC vo
RC ic1 T1 vi1 vE
+VCC RC vo1 vo2 T2 ic2
+
-
vi2
+
-
Io
ro –VEE
三、射极耦合差分式放大电路的分析
(一)、静态分析 )、静态分析
+VCC RC
令:vi1 = vi2 = 0
RC vo1 vo2
VCE1Q Q VCE2Q Q
∵电路完全对称,∴ RC1=RC2=RC I 电路完全对称, 对称 ic1 C1Q Q ∴ 算一个管子即可 T
(2)、工作原理、 )、工作原理、 工作原理 参数计算 IREF
I C = I REF
+VCC R
∑ IB
β
Ic
∑IB β
T0
∑ IB
Ic1
Ic2
Ic3
T1 Re1 Re2
T2 Re3
T3
当 β 较大时
I C ≈ I REF
∵ β 、 BE 相同 V
Re
T
∴ I E Re ≈ I REF Re = I E 1 Re1 = I E 2 Re 2 = I E 3 Re 3 ∴
R 2I B T1
IB1 VBE1
Ic2 IB2 VBE2
RL
Ic1
T2
T2
T3
RL T1
v0
IREF
I C 2 = I C1 ≈ I REF
I REF VCC + V EE ≈ R
-VEE
vi
∴ R确定 I REF 确定 I C 2确定 ( ∴ 把I C 2看作I REF的镜像 )
若需 电流的电流源,则要求R 若需A级电流的电流源,则要求R 很大, IC中难以实现 中难以实现, 很大,在IC中难以实现,可采用微 电流源电路。 电流源电路。
1
+
-
vi1
vE ro –VEE
-
Io
1 1、差模信号双端输入情况的动态分析 (vi1 = vi 2 = vid ) 、 2 差模信号交流通道 (1)、步骤:原电路 、步骤:
+VCC RC vo T1 vi1 Io vo1 vE ro –VEE vo2 T2
(二)、动态分析 )、动态分析
置零
RC ic2 ic1 T vi2 vi1
v0
v0 voc t
把温度变化及干扰等共模信 号在放大电路的输出端造成 缓慢地、 的缓慢地、无规则地变化的 输出信号称为零点漂移。 输出信号称为零点漂移。 零点漂移 对应 的输出称为零点漂移电压 零点漂移电压v 的输出称为零点漂移电压v0c; 把它折算到输入端的电压称为 等效输入漂移电压v 等效输入漂移电压vic
二、模拟集成电路的特点
1. 各元件在同一个芯片上,对称性好。 各元件在同一个芯片上,对称性好。 2.用有源元件代替无源器件 用有源元件代替无源器件
高阻值电阻用三极管代替或外接。 高阻值电阻用三极管代替或外接。
3. 采用复合结构的电路 4. 级间采用直接耦合方式
以下的小电容用PN结的结电容构成 结的结电容构成; 几十 pF 以下的小电容用 结的结电容构成;大电容要 外接。 外接。
5. 二极管一般用三极管的发射结构成。 二极管一般用三极管的发射结构成。
三、BJT在模拟集成电路的特殊应用 BJT在模拟集成电路的特殊应用
1、用BJT构成二极管 BJT构成二极管 2、用BJT构成电流源 BJT构成电流源 和高值电阻 BJT
Is ro
c b e
b A
e K
若电流源的电流越恒定,r 若电流源的电流越恒定,ro 就越大,可得到高值电阻。 就越大,可得到高值电阻。
2 、共模输入信号 : vi1=vi2=vic
主要由有温度、干扰等引起的 主要由有温度、 等效输入信号。 等效输入信号。
2、共模电压增益 Avc: c
vo A = vc vic
3 、任意输入信号: 任意输入信号:
对放大电路而言, 对放大电路而言,其值越 小越好。 小越好。
一对任何输入信号 可分解为差模输入和共模输入的线性组合 其中: 其中:
ic2 Q IC2Q T2 vi2 +
∵ CC = IC1Q RC +VCE1Q VBE1 V ∴ CE1Q =VCC IC1Q RC +VBE1 V 即VCE1Q =VCE2Q =VCC ICQ RC + 0.7
VBE1 =VBE2 =VBE =0.7V 1 IC1Q = IC2Q = ICQ = I0 2
2、微电流源
+VCC
IRE
F
T2管射极串有电阻Re2
IC 2 ≈ I E 2 VBE 1 VBE 2 VBE = = Re 2 Re 2
R
Ic 2
RL T2
Ic 1
∵ VBE 值较小, 值较小,
∴ 用不大的 Re 2 就 可 到 得 微 小 的 I c 2
特点: 无关, 特点:(1)IC2与RL无关,相当于 向RL提供恒定的电流。 管对T (2)T1管对T2管具有温度 补偿作用,热稳定性好。 补偿作用,热稳定性好。
作用: 作用:1.提供稳定偏 作用: 作用:1.提供稳定偏 置电流IE和IC ,稳定 置电流I 置电流I 置电流IE和IC ,稳定 静态工作点;2.提高 静态工作点;2.提高 静态工作点;2.提高 输入电阻, 静态工作点;2.提高 输入电阻, 电压放大倍数。 电压放大倍数。 R = R // r + (1+ β)r