南京邮电大学通达学院模电期末复习资料

合集下载

南邮模电c期末复习第二章

南邮模电c期末复习第二章

IGFET分类: (1)根据沟道的导电类型,分为N沟道和P沟道两类。
(2)根据uGS=0时,漏源之间是否有导电沟道又可 分为增强型(无ID)和耗尽型(有ID) 两种。
增强型 N-EMOSFET
N沟道 MOSFET 耗尽型 N-DMOSFET
增强型 P-EMOSFET P沟道 耗尽型 P-DMOSFET
第二章 场效应晶体管及其放大电路
§2.1 场效应晶体管
晶体三极管是多子和少子均参与导电的双极型晶体管。 场效应管 (Field Effect Transistor 简称FET) 与双极性晶体管 不同,它是多子导电(在电场下的漂移运动) ,故又称为单极 型晶体管。 场效应管是利用电场/电压来控制半导体中电流的一种半导体 器件,故因此而得名。
符号规定
UBE: 大写字母、大写下标,表示直流分量。
ube: 小写字母、小写下标,表示交流分量。
Ube: 大写字母、小写下标,表示交流分量的有效值。 uBE: 小写字母、大写下标,表示叠加量或瞬时量。
画直流通路的原则:
① 视电容C开路,电感L短路, ② 交流输入信号源视为短路,但保留其内阻
画交流通路的原则:
项交流指标
2.5 场效应管放大电路
场效应管放大电路有共源、共漏、共栅等三种 基本组态电路。
三种组态放大电路的3个交流指标的比较 1. 电压放大倍数 2. 输入电阻(从信号源获得信号的能力) 3. 输出电阻(带负载能力)
•在共源极场效应管放大电路中,输入电压信号与输
出电压信号的相位是相反的。
无计算题
① 视电容C短路,电感L开路,
② 无内阻的循“先静态,后动态” 的原则,求解静态工作点时应利用直流通路,求解动态 参数时应利用交流通路,两种通路切不可混淆。

模拟电子技术基础复习资料

模拟电子技术基础复习资料

模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是(空隙), 而少数载流子是(自由电子)。

2. 在N型半导体中, 多数载流子是(电子), 而少数载流子是(空隙)。

3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接( N )区, 电源的负极应接( P )区。

4.当PN结正向偏置时, 电源的正极应接( P )区, 电源的负极应接( N )区。

5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结(正向)偏置, 集电结(反向)偏置。

6.根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为(反向饱和)电流, 在室温下约等于( 26mV )。

7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极(漏极)、(栅极)和(源极)与之相应。

8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用(电压取样)负反馈, 为稳定输出电流, 应采用(电流取样)负反馈。

9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用(串联-电压求和)负反馈, 为减少输出电阻, 应采用(电压取样)负反馈。

10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. )。

11. 在BJT放大电路的三种组态中, (共集电极)组态输入电阻最大, 输出电阻最小。

(共射)组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。

12.在BJT放大电路的三种组态中,.共集电. )组态的电压放大倍数小于1,.共.)组态的电流放大倍数小于1。

13. 差分放大电路的共模克制比KCMR=(), 通常希望差分放大电路的共模克制比越(大)越好。

14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区(高掺杂), 二是基区很(薄)并掺杂浓度(最低)。

15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将(不变), 而共模放大倍数将(减小), 共模克制比将(增大)。

16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有(阻容), (变压器)和(直接)耦合三种。

17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是(零点漂移)。

模拟电子技术期末考试复习要点

模拟电子技术期末考试复习要点

模拟电子技术期末考试复习要点第一章晶体二极管1、杂质半导体P型半导体:多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子;N型半导体:多数载流子是自由电子,少数载流子是孔穴;2、PN结形成的物理过程;伏安特性:正向特性:外加正向电压即正偏,空间电荷区变窄(或变薄),形成较大的正向扩散电流。

反向特性:外加反向电压即反偏,空间电荷区变宽(或变厚),形成很小的反向漂移电流;击穿特性:稳压二极管;3、晶体二极管主要特性:单向导电性。

当外加电压大于导通电压时,晶体二极管导通;当外加电压小于导通电压时,晶体二极管截止。

模型:简化电路模型(理想模型、恒压降模型);电路分析方法:简化分析法(估算法、画输出信号波形方法);应用:整流电路、限幅电路;(重点)作业:P45:1-15、1-18、1-22第二章晶体三极管1、类型:NPN和PNP;2、基本结构三个区:基区、发射区、集电区;三个极:基极、发射极、集电极;两个结:发射结、集电结;3、工作模式放大模式:发射结正偏,集电结反偏——正向受控特性;饱和模式:发射结正偏,集电结正偏——受控开关特性;截止模式:发射结反偏,集电结反偏——受控开关特性;4、放大模式下的工作原理内部载流子传输过程;直流电流传输方程;直流简化电路模型;5、伏安特性曲线输入特性曲线族;输出特性曲线族:分为四个区——放大区、饱和区、截止区、击穿区;6、小信号电路模型:简化小信号电路模型;7、电路分析方法直流分析法:工程近似分析法——估算法;(P78-80:2-3-3 分压式偏置电路)交流分析法:小信号等效电路分析法;第四章放大器基础1、偏置电路和耦合方式偏置电路要求:提供合适的静态工作点,保证器件工作在放大模式;当环境温度等因素变化时,能稳定电路的静态工作点;分压式偏置电路;(重点)耦合方式:电容耦合、直接耦合(级间直流电平配置问题、零点漂移问题);2、基本组态放大器(共发、共集)(重点)直流通路、直流等效电路、交流通路、交流等效电路、静态工作点的计算(I BQ 、I CQ 、V CEQ )、性能指标(输入电阻、输出电阻、电压增益)的计算、三种组态放大器的性能比较(P189);3、 差分放大器(重点)差模信号和共模性号:大小相等、极性相反;大小相等、极性相同;(P192:例4-3-1和4-3-2)差模性能分析(双端输出电路、单端输出电路):半电路差模交流通路、差模性能指标(差模输入电阻、差模输出电阻、差模电压增益)计算;共模性能分析(双端输出电路、单端输出电路):半电路共模交流通路、共模性能指标(共模输入电阻、共模输出电阻、共模电压增益)计算;共模抑制比;作业:P254:4-1(a )(b )、4-11、4-16、4-18、4-38第五章 放大器中的负反馈1、 正反馈和负反馈正反馈:使净输入量增大;负反馈:使净输入量减小;2、 反馈极性与类型的判别判断反馈类型:短路法;判断极性:瞬时极性法;3、 负反馈对放大器性能的影响:降低增益、减小增益灵敏度(提高增益稳定性)、改变输入、输出电阻(如何改变的?);4、 引入负反馈的原则:要稳定直流量(如静态工作点):引入直流负反馈;要稳定交流量(如电压放大倍数):引入交流负反馈;要稳定输出电压:引入电压负反馈;要稳定输出电流:引入电流负反馈;要增大输入电阻:引入串联负反馈;要减小输入电阻:引入并联负反馈;要增大输出电阻:引入电流负反馈;要减小输出电阻:引入电压负反馈; 作业:第5章课件 例3第六章 集成运算放大器及其应用电路1、 理想条件下的两条重要法则:虚短:v v +-=、虚断:0i i +-==; 2、 基本应用电路:反相放大器(虚地:0v v +-==)、同相放大器(同相跟随器); 3、 运算电路:反相加法器、同相加法器、减法器、积分器、微分器;4、 三运放仪器放大器;作业:P382:6-1、6-4。

南邮模电c期末复习第三章

南邮模电c期末复习第三章

0.02m
ICQ IBQ 100 0.02 2m
UCEQ UCC ICQ RC 12 2 3 6V
2. 静态工作点的图解分析法
直流图解分析是在晶体管特性曲线上,用作图的方法确 定出直流工作点,并求出IBQ、UBEQ和ICQ、UCEQ。
以左图为例,说明如何通过图解分 析法确定放大电路的静态工作点。
地收集载流子。
c
c
2. 外部条件
b
b
NPN
PNP
发射结(eb结)正偏 集电结(cb结)反偏
e
e
UC > UB> UE UC < UB < UE
共射输出特性曲线可分为4个区域(饱和区、放大区、截
止区、击穿区)。
iC/mA uCE=uBE
饱4
和 区3



2

1
穿 区
0
5
10 15 截止区
iB=-ICBO uCE/V
RC=RL=2kΩ, RE=1kΩ, UCC=12V, β=80, rbb′=100Ω, Rs=0.6kΩ, 试求直流工作点ICQ, UCEQ及Au, Ri, Ro和Aus 等项指标。
直流通路
解: 画出直流通路,用估算法计算静态工作点Q:
UB

RB 2 RB1 RB2
U CC

25 12 75 25
c 集电极 collector
NPN
b
c
N
集电区
base
集电结
e
b
P
基极
基区
N+
发射区
发射结
发射极箭头方向是指发 射结正偏时的电流方向
PNP

南邮模电期末考试复习重点

南邮模电期末考试复习重点
: (约25分 ) 知道晶体管三个极的特点,熟悉晶体管的工作状 态,会判断晶体管的工作状态 1、会做例5.3.1,例5.3.2,例5.4.1,例5.4.2, 会做作业5.10. 2、掌握共射电路的计算(放大倍数、输入、出 电阻的具体计算) 3、会判断作业5.2和5.3中的NPN的工作状态。
CH8:(约10分 ) 1、掌握8.1节,会判断8.1节中图8.1.3,图8.1.4, 图8.1.5,图8.1.6,图8.1.7,图8.1.8,图8.1.9属 于那种反馈类型 2、知道串联、并联负反馈电路中信号源内阻、 负载电阻对反馈效果的影响。 3、知道负反馈放大电路产生自激振荡的条件。
4、知道RLC串联谐振时电阻电压,电容电压 和电感电压的表达式。会用相量法。 思考题:已知RLC串联电路的电源电压为 sqrt(2)sin(wt+30),谐振频率为2K,电路电流 有效值为10uA,电容电压有效值为10mV,会求 R,L,C,Q
CH4: (约5分 ) 熟悉二极管的伏安特性,掌握稳压管 1、会做例4.3.2,例4.3.3,会做作业4-9 2、理解稳压管击穿的概念
通达期末考试复习 (2011)
考试内容(含A卷和B卷)
1 电路分析部分(约50分) 考点详解: CH1:约25分
CH1 :1、会计算基础电路的电压、电流、功率 2、熟悉关联和非关联参考方向,会用KVL,KCL 3、掌握1.6.2小节,理解图1.6.7,理解图1.6.8, 会做例1.6.2 4、掌握节点分析法,会列写图1.8.1所示电路的 方程,会做例题1.8.2,(含受控源) 5、掌握戴维南定理,会求简单电路的戴维南电路, 会做例1.10.1,例1.10.2,作业1.9 (含受控源)
CH9:(约10分 ) 1、掌握9.1.1理想运放的虚断、和虚短。 2、掌握 9.2节中反向比例电路、同向比例电路、 加法电路、减法电路。会计算这几个电路。 3、会设计Uo=AU1-BU2的运算电路,其中A,B为常 数,如A=5,B=7。

通信电子线路_南京邮电大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

通信电子线路_南京邮电大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

通信电子线路_南京邮电大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.调制就是在传送信号的一方,用我们所要传送的对象去控制载波的幅度(或频率或相位),使载波的幅度(或频率或相位)随要传送的对象信号而变。

参考答案:正确2.由于载波不携带信息,可以只发射含有信息的上、下两个边带,而不发射载波,这种调制方式称为抑制载波的双边带调幅,简称双边带调幅。

参考答案:正确3.晶体管输出阻抗一般远小于调谐功率放大器的负载。

参考答案:错误4.一般来说,调频系统的抗干扰能力比调幅系统差。

参考答案:错误5.调频信号的频偏量与调制信号的频率有关。

参考答案:错误6.目前在比较先进的模拟和数字通信系统中大都使用了锁相环电路。

参考答案:正确7.采用共射-共基级联电路组成的调谐放大器的方法是用失配法实现晶体管单向化的方法。

参考答案:正确8.小信号调谐放大器按谐振回路分为单调谐放大器、双调谐放大器和参差调谐放大器参考答案:正确9.6、回路处于谐振状态时,回路导纳最小,阻抗最大,回路呈现为纯电阻。

参考答案:正确10.调频信号所占据的频带宽度大于调幅信号。

参考答案:正确11.使用相位鉴频器时,不用在它的前级加限幅器。

参考答案:错误12.要求频率稳定度较高、频偏不太大的场合,用石英晶体振荡器调频比较合适。

参考答案:正确13.小信号调谐放大器的主要性能在很大程度上取决于谐振回路。

参考答案:正确14.1、获得单边带信号的常用方法有滤波法和相移法。

参考答案:正确15.(1)丙类高频功率放大器电压利用系数为集电极电压与基极电压之比。

参考答案:错误16.电源电压的波动,会使晶体管的工作点电压、电流发生变化,从而改变晶体管的参数,降低了频率稳定度。

参考答案:正确17.完成鉴频功能的电路称为鉴频器。

参考答案:正确18.交调是由晶体管的转移特性中的三次或更高次项产生。

参考答案:正确19.环形混频器中的四个二极管特性匹配良好,故输出信号的载频泄露都能被抑制到一个很低的水平。

大学期末模电复习总结

大学期末模电复习总结

模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1. 半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。

用电位的方法来判断二极管是否导通,即,极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。

(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。

(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业: 1.3 2. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。

哪个二只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。

(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握 Ic=βIb )(2)掌握 NPN 型三极管的输出特性曲线。

晶体管有三个级,必然就有 BE 间的输入, CE 间的输出,所以有两组特性曲线关于 NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。

区之间的区别3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。

4)理解 I CBO 和I CEO 的定义及其对晶体管集电极电流的影响。

作业:主要是饱和区和截止 1.9, 1.12 , Uce 是一个恒定值Ib 是一个恒定值共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈ 14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

2)掌握结型场效应管 (N 沟道 )的转移特性和输出特性的意义。

3)掌握绝缘栅 N 沟道增强型 MOS 的转移特性和输出特性的意义。

二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法 (静态工作点稳定电路) 、共集电极接法的射极输出器的工作原 理。

(1)熟悉各元件的作用、各元件参数的数量级。

南京邮电大学模电总复习PPT

南京邮电大学模电总复习PPT
典型习题: 8-2, 8-4
第9章 直流稳压电源
复习要点 (1)整流、滤波、串联反馈型线性稳压电路的 工作原理和三端稳压器的使用。 (2)单相半波整流电路、全波整流电路,桥式 整流电路相关电压电流的计算。 典型习题: 9-1,9-2
复习要点
(1)场效应管的工作原理、特性和参数。 (2)场效应管的小信号模型。 (3)MOS场效应管组成的三种基本组态放大器的
电路组成、工作原理以及主要的性能特点。 (4)图解分析法和解析法(等效电路分析法)
典型习题: 2-5,2-10,2-12
3
第三章 双极型晶体管及其放大电路
复习要点
(1)双极型晶体管的工作原习要点 (1)负反馈的概念。 (2)会判断级间反馈的反馈极性,反馈类型。 (3)会分析负反馈对放大电路性能的影响; (4)会计算深度负反馈放大器的性能指标。
典型习题: 6-1,6-9,6-15
第7章 集成运算放大器的应用
复习要点 (1)理想集成运放的概念及其“虚短”和“虚断” 的两个重要特性。 (2)信号模拟运算的结构、工作原理和分析方法。 (3)电压比较电路的结构、工作原理和分析方法。
(2)双极型晶体管的直流模型和交流小信号电路模
型。 (3)双极型晶体管组成的三种基本组态放大器的电 路组成、工作原理以及主要的性能特点。 (4)图解分析法和等效电路分析法。 (5)计算放大器的增益、输入输出阻抗。 (6)分析和计算多级放大器的性能指标。 (7)分析直流工作点与放大器非线性失真的关系
典型习题:3.18,3.23,3.34
4
第四章 频率响应
复习要点 (1)频率响应的概念 (2)放大器的低频、中频和高频等效电路 (3)晶体管频率参数、共射电路频率响应
典型习题: 4-1,4-4

南邮数字电路期末考试知识点

南邮数字电路期末考试知识点

知识点:(强调书后题目是参考,但不是考题,以搞懂为主)第一章1、2进制,8进制,10进制,16进制和8421BCD码转换2、余3码和循环码的定义第二章1、与或非的定义2、代数法化简和卡诺图化简书后题2.11,2.12第四章1、组合逻辑电路定义和时序逻辑电路区别2、中规模逻辑电路(译码器、数据选择器,全加器)功能3、对74151,74153实现逻辑函数4、竞争和冒险书后题:4.15,4.22第五章1、DFF,JK,SR,TFF触发器的次态方程以及直接的相互转换2、学会画波形图书后题:5.12,5.21第六章1、74161功能,对应电路学会画状态转移表(图)、分析自启动性以及电路功能2、n进制计数器的工作范围3、化简原始状态转移表4、学会对74161和74151的组合产生的序列码发生器5、74194产生序列码信号课后题:6.3,6.17, 6.40,6.42,第七章1、A/D转换的步骤,其中采样频率的计算2、D/A转换的T型电路,以及根据数字值学会求输出电压3、A/D转换时,如何已知模拟电压来求数字值,两种方法:舍尾法和四舍五入法课后题:8.3,8.5第九章1、ROM的组成已及应用实现逻辑函数2、RAM的组成,已知RAM的容量,学会求地址线的位数,数据线的位数已经对应的扩展3、PROM,EPROM,ROM ,RAM的区别课后题:9.3,9.7,9.8第十章1、PLA,PROM,PAL,GAL定义,区别2、PLD的分类,FPGA属于哪一类3、GAL16V8表示什么?课后题:10.1,10.2,10.8。

模拟电子技术期末复习资料

模拟电子技术期末复习资料
适当选择参数( IZM IZ ILmax ILmin ),可使 IDZ IL ,即IR 基本不变,则UO 稳定。
第十章 直流电源
模拟电子技术期末复习
R +
T+
I BL IL
+
UI
DZ
RL UOUO
_
__
由于射极跟随器为电压串联负反馈,可以稳定输出电压,反馈越深,输出电压越稳定。
第十章 直流电源
③ 饱和区:uBE>UON 、uCE<uBE,iC< b IB 且随uCE的增
大而明显增大
第二章 基本放大电路
模拟电子技术期末复习
重点:
晶体管单管放大电路三种基本接法的电路组成和工作原理
共射、共集、共基
静态工作点及其求法
直流通路、交流通路、交流微变等效电路 简化的晶体管h 参数共射等效模型
利用等效电路法分析共射放大电路的Au、Ri、Ro
模拟电子技术期末复习
重点:
功率放大电路的主要技术指标 ⑴ 最大输出功率Pom:在电路参数确定的条件下负载可能获得的最大交流功率。
交流功率:Po=IoUo 其中Io、Uo均为交流有效值 ⑵ 转换效率h :最大输出功率与输出最大功率时电源所提供的功率之比。 电源功率(直流功率):PV=ICCVCC 其中ICC为输出功率最大时电源输出电流的平均值、VCC为电源电压
PV 4
VCC
一般情况下的效率为:
h Po π • U op PV 4 VCC
第九章 功率放大电路
设计功率放大电路时,选择功放管时应保证极限参数:
最大管压降
UCEO 2VCC
最大集电极电流
ICM
VCC RL
集电极最大功耗
PCM

模拟电子技术期末考试试卷及复习资料

模拟电子技术期末考试试卷及复习资料

《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题(20 分)1、二极管最主要的特性是。

2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。

3、多级放大电路中,常见的级间的耦合方式有、、。

4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题(20分)1、P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。

A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。

A、大于B、小于C、等于3、温度升高,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压,反向电流。

A、增大B、减小C、不变A.1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。

A、感性B、阻性C、容性三、判断题(10分)(对的打“√”,错的打“×”)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度还是相等。

()2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

()3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

( )4、负反馈越深,电路的性能越稳定。

()5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

()四、简答题:(25分)1.写出下图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈,如果有反馈试判断反馈类型?¥+-+R Su oR Lu i R F(b)R 1R 2R 4R 5R 3u i +-+v cc-+V 1V 2u o C 1+-3、 电路下图所示:请将图中左右两部分正确连接起来,使之能够产生正弦波振荡五、计算题(25分)1、电路如下图所示,试求出电路A U、R i、和R0的表达式。

2、电路如下图所示,求下列情况下U0和U I的关系式。

模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。

3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1,相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1.①D截至,U O=2V ②D导通,U O=1.3V2、电压并联负反馈,电压并联负反馈3、解:N-H,J-M,K-F五、计算题1、解:V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解:U O=-55U I。

模拟电子技术期末考试复习资料

模拟电子技术期末考试复习资料

《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

答案:错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

答案:对3.同相求和电路跟同相比例电路一样,各输入信号的电流几乎等于零。

答案:错4.差动放大电路可以放大共模信号,抑制差模信号。

答案:错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。

答案:错一、单选题1.测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V,UB=3.7V,UC=3.3V,则该管工作在()。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的,当输入信号的频率为Hf时,放大器增益的幅值将()。

A.降为1B.降为中频时的1/2倍C.降为中频时的1/D.降为中频时的倍答案:C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB,Av3=15dB,则总的电压增益为()dB。

A.35C.45D.60答案:A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示,可判断其工作状态是()。

A.放大B.饱和C.截止D.已损坏答案:D5.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止后,可确定电路的输出电压Vo为()。

(设二极管的导通压降为0.7V)A.-5VB.-4.3VC.-5.7VD.-10V答案:C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示,由此可知该管为()。

A.Ge,PNP管B.Ge,NPN管C.Si,PNP管D.Si,NPN管答案:B7.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共集电极放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:A8.在单级放大电路中,若输入电压为正弦波形,用示波器观察vo和vi的波形,当放大电路为共发射放大电路时,则vo和vi的相位()。

A.同相B.反相C.相差90D.不定答案:B9.理想运放的开环差模增益AOd为()。

南京邮电大学通达学院模拟电子技术试卷

南京邮电大学通达学院模拟电子技术试卷

南京邮电大学通达学院模拟电子技术试卷一、填空和选择题(每小题2分共16分)1.半导体二极管的重要特性之一是。

(A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)滤波特性2.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生失真。

(A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线性失真3.多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比,通频带。

(A)变宽(B)变窄(C)不变(D)与单级放大电路无关4.电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻。

(A)等于零(B)比直流等效电阻小(C)等于直流等效电阻(D)远远大于直流等效电阻5.放大电路产生零点漂移的主要原因是。

(A)采用了直接耦合方式(B)采用了阻容耦合方式(C)采用了正、负双电源供电(D)增益太大6.二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为。

(A)20dB/十倍频程(B)-20dB/十倍频程(C)40dB十倍频程(D)-40dB/十倍频程7.当有用信号的频率低于100Hz时,应采用滤波电路。

(A)低通(B)高通(C)带通(D)带阻8.在图1-8所示电路中,稳压管DZ的稳定电压V Z = 6V,最小稳定电流I zmin = 5mA,输入电压V I = 12V,电阻R=100Ω,在稳定条件下I L的数值最大不应超过。

(A)40mA (B)45mA (C)55mA (D)60mA图1-8二、(14分)分压式射极置共射放大电路如图2所示,已知BJT的β=100,V BE = 0.7V。

电路处于正常放大状态。

(1)估算电路的静态工作点;(2)画出简化的H参数小信号等效电路;(3)求放大电路通带内的电压增益、输入电阻和输出电阻。

图2三、(12分)放大电路如图3 a、b、c、d所示。

(1)试分别说明4个放大电路所属的组态;(2)当信号源为电压源,且内阻不为零时,最好采用图中哪一个电路作为输入级?(3)为了使放大电路有较强的带负载能力,最好采用图中哪一个电路作为输出级?(4)当信号的频率范围比较宽,肯包含较高的频率成分时,最好采用图中哪一个电路进行放大?(5)假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k,图d的输入电阻为60k,输出电阻为50,当用图a和d构成两级放大电路,其输入信号取自内阻为200的电压源信号,输出端带4k负载时,试问:由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大,还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大?图3四、(10分)电路如图4所示。

南邮通达模电填空选择题整理

南邮通达模电填空选择题整理

通达13级期末模电填空题选择题整理一、填空题整理1.半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2.利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。

3.在本征半导体中加入 5价元素可形成N型半导体,加入3价—元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是自由电子;P型半导体中的多子是―空穴。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5.通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为 0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为 0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为0,反向电阻为(你猜),这两种状态相当于一个______ 开关。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.1.压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

8.2.极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10.晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降UCE不变,基极电流为20R A时,集电极电流等于2mA,则§=__100__。

12.场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N 沟道和P沟道两种。

13.晶体管工作在放大区时,具有发射结正偏、集电结反偏的特点。

14.晶体管工作在饱和区时,具有发射结正偏、集电结正偏的特点。

15.饱和失真和截止失真属于非线性失真,频率失真属于线性失真。

16.共集电极放大器又叫射极输出器,它的特点是:输入电阻高(高、低);输出电阻低(高、低);电压放大倍数约为 J。

17.多级放大器由输入级、中间级__________ 和输出级组成;其耦合方式有—阻容耦合和直接耦合、变压器耦合三种;集成运算放大器运用的是直接耦合耦合方式。

模拟电子技术期末考试

模拟电子技术期末考试

课程《模拟电子技术》一、填空题(1分×30=30分)1、在掺杂半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大的关系。

2、二极管的伏安特性曲线上可以分为 区、 区、 区和 区四个工作区。

3、一个直流电源必备的3 个环节是 、 和4、晶体三极管放大器中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低,将产生 失真;静态工作点设置太高,将产生 失真。

5、理想集成运放组成的基本运算电路,它的反相输入端和同相输入端之间的电压为 ,这称为 。

运放的两个输入端电流为 ,这称为 。

6、差模输入信号时两个输入信号电压的 值,共模输入电压信号是两个输入信号的 值。

u i1=20mV ,u i2=18mV 时,u id = mV ,u ic = mV 。

7、将放大电路 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号称为 信号。

使放大电路净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 反馈;使放大电路净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 反馈。

8、正弦波振荡器的振荡条件中,幅值平衡条件是指 ,相位平衡条件是指 ,后者实质上要求电路满足 反馈。

9、电路如图所示,已知VT1、VT2的饱和压降|UCES|=3V ,Ucc=15V ,RL=8欧。

则最大输出功率Pom 为 。

10、串联型稳压电路由 、 、 、 组成。

二、选择题(2分×10=20分)1、某晶体管的极限参数为:I CM =100mA ,U BR(CEO)=20V ,P CM =100mW ,则该器件正常工作状态为( )A I C =10mA U CE =15VB IC =10mA U CE =9V C I C =100mA U CE =9VD I C =100mA U CE =15V2、测得晶体管在放大状态的参数时,当I B =30uA I C =2.4m A I B =40uA I C =3m A 时。

则晶体管交流放大系数β为( )A 80B 60C 75D 903、射极输出器的输出电阻小,说明电路的( )A 带负载能力差B 带负载能力强C 减轻前级或信号源的负荷D 增加前级或信号源的负荷4、放大电路产生零点漂移的主要原因是: ( )A 电压增益过大B 环境温度变化C 采用直接耦合D 采用阻容耦合课程《模拟电子技术》5、理想集成运放的两个重要的结论是:( )A 虚短与虚断B 虚短与虚地C 虚断与虚地D 短路与断路6、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选用:( )A 电压串联负反馈B 电流串联负反馈C 电压并联负反馈D 电流并联负反馈7、为了使运放工作在线性区,通常:( )A 引入负反馈B 提高输入电阻C 减小器件的增益D 引入正反馈8、如图所示电路,要组成一个正弦波震荡器,将各引入端连接起来电路的连接: ( )A 、 ①⑦ ②⑧ ③⑤ ④⑥B 、①⑦ ②⑤ ③⑧ ④⑥C 、 ①⑦ ②⑥ ③⑧ ④⑤D 、 ①⑤ ②⑥ ③⑦ ④⑥9、实际应用中,根据需要可将两只晶体管构成一只复合晶体管,如图所示电路中能等效一只PNP 型复合晶体管的是 。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

Au
U 01 U O Au1 Au 2 U i U O1 U O1 1 R2 ( 第二级输入电阻为无穷大) Ui 2 R1 rbe
其中,Au1 Au 2 1 R8 R7
( 3 )求闭环增益(引入负反馈的增益): U R Auf 01 9 Ui R1 因为深反馈条件下有: Ui U U UO U Ui ,I O Ii I f , Ii f R1 R1 R9 R9 所以Auf U0 R 9 Ui R1
答图 1.10
2.1
试画出题图 2.15 所示电路的直流通路和交流通路。
题图 2.15 解:各电路对应的交流通路分别如下图所示
4.1 已知某放大器的幅频特性如题图 4.1 所示。
(1) 试说明该放大器的中频增益、上限频率 fH 和下限频率 fL、通频带 BW。
20lg(Au)dB 40 30 20 10 f/Hz 0 10 102 103 题图 4.1
R2 R2 1 ui uo ( u i uo ) R2 R 2 R2 R2 2
所以,
1 ( ui uo ) U R , ui 2U R uo 4 uo 2
当 uo 7 V 时, ui U TH 11V ;当 uo 7 V 时, ui U TL 3V 。 出回差电压 U = U TH U TL 11 3 14V 。传输特性如图 7.20′(a)。 (b)当 u u 时,输出处于临界状态,即将发生翻转。 根据虚断特性, u 0 , 根据线性叠加原理,
根据线性叠加原理,总输出为
U o U o12 U o34
2. 图题 7.20 所示为迟滞电压比较器电路,已知运放最大输出电压为±14V,稳压管的稳定电压
U Z 6.3V ,稳压管的导通电压 U D(on) 0.7V ,U R 2V 。试分别画出它们的传输特性并求出回差电压
U 。
u
0 .5 R 2 5 R2 // R2 5 R2 // R2 1 5 5 ui UR uo ui U R uo 5 R 2 0 .5 R 2 5 R2 // R2 R2 5 R2 // R2 R2 11 11 11
共模抑制比:
RB rb 'e 1 2 RE
RC RL
50
5.1 5.1 2 2.5 51 2 5.1
0.24
K CMR
共模输入电阻:
Avd 14.2 59.2 (Aud为单) 0.24 Avc
Ric RB rb' e 1 2 RE 524.7k
5.4对称差动放大电路如题图5.4所示。已知晶体管 T 和 T 的 1 2
50 ,并设UBE(on)=0.7V,rbb’=0,rce=。
UCC6v RC 5kΩ RB + 2kΩ ui1 + RL U 0 RC 5kΩ - RB 2kΩ + ui2 (b) RB + Uic V1 RC 2REE + Uoc RB + Uid1 + V1 RC
UR ui R1 R2 _ + R2 (a) VD1 VD2 (b) R1 uo ui UR 5R2 R2 + R2 VD1 VD2

+
R3
_

+
R3
uo
图题 7.20
解:(a)当 u u 时,输出处于临界状态,即将发生翻转。 根据虚断特性, u U R , 根据线性叠加原理, u
模电复习题
1.7 二极管限幅电路如图 1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型,且 UD(on)=0.7V。若 ui=5sinωt(V), 试画出 u0 的波形。
题图 1.7 解:(1)在图(a)中:当 ui>一 2.7V 时,V 管截止,u0=一 2V;当 ui≤一 2.7V 时,V 管导通,u0=ui。当 ui=5sinωt(V)时,对应的 u0 波形如图答图 1.7(a)所示。 (2)在图(b)中:当 ui>1.3V 时,V 管截止,u0=ui;当 ui≤1.3V 时,V 管导通,u0=2V。其相应波形如 答图 1.7 (b)所示。
说明之。 解:(1)由题图 4.1 可得:中频增益为 40dB,即 100 倍,fH=106Hz, fL=10Hz(在 fH 和 fL 处,增益比中频增益 下降 30dB) , BW (2) 当 ui


10 6 10 10 6 Hz 。
10 sin 4 106 t mV 20 sin 2 10 4 t mV 时 , 其 中 f=104Hz 的 频 率 在 中 频 段 , 而
答图 1.7
1.1
在题图 1.10 所示电路中,设稳压管的 Uz=5V,正向导通压降为 0.7V。若 ui=10 sinωt(V),试画出 u0 的波形。
题图 1.10 解:当 ui≥5V 时,Vz 击穿,u0=5V。当 ui≤一 0.7V 时,Vz 正向导通,u0=一 0.7V。 当一 0.7V<ui<5V 时,Vz 截止,u0=ui。由此画出的 u0 波形如答图 1.10 所示。
使得 Aud 减小,而 Rid 增大。
故共模输入电压U ic 应满足:-10V U ic 9V
6.1
电路如题图 6.13 所示,试指出电路的反馈类型,并计算开环增益 Au 和闭环增益 Auf(已知β、 rbe 等参数)。
题图 6.13
解: (1)该电路第一级为带恒流源的差分放大器,单端输入,单端输出;第二级为同相比例 放大器,引入了单级串联电压负反馈。两级之间通过 R9 和 R1 构成了并联电压负反馈(瞬时相位 示于图 P6-13 中) 。 (2)求开环增益(设 R9>>R1)
uo 3 1 -1
(3)U B 3
R1U EE 20 15 10V R1 R2 10 20
U C1 U CC I CQ RC 15 1 6 9V (4)R1 U R 2 I E 3 ( I C1 ) I E1Q I E 2Q rbe1 (rbe 2 ) ,
rb' e UT 26 50 2.5k I C1Q 0.52
(2)差模电压增益
1 1 RC // RL 5.1 //( 5.1) 2 2 50 19 Aud Rb rb'e 2 2.5
差模输入电阻:
Rid 2( R B r ' ) 2(2 2.5) k 9k




f 2 10 6 Hz 的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。
当 ui
10 sin2 5t mV 20 sin 2 10 4 t mV 时,f=5Hz 的频率在低频段,f=104Hz 的频率在中频


段,所以输出要产生失真,即低频失真。1k 10.2k
(3)单端输出差模电压增益:
5.1 // 5.1 1 R // RL 1 50 14.2 Aud ( 单 ) C 2 2.5 2 RB rb' e 2
共模电压增益:
Auc (单)
解:(1)因为电路对称,所以 6 iB RB U BE I EE RE
I C1Q I C 2Q
I EE U EE 0.7 6 0.7 0.52mA 2 2 2 2 RE 2 5.1 50
U C1Q U C1Q 6 0.52 5.1 3.35V
(1)若 ui1=0,ui2=10sinωt(mV),试求 uo=? (2)若 ui1=10sinωt(mV),ui2=5mV,试画出 uo 的波形图。 (3)若 ui1=ui2=Uic,试求 Uic 允许的最大变化范围。 (4)当 R1 增大时,Aud、Rud 将如何变化?
题图7.6
1 解:( )U R 2 I CB I E 3 I EQ
RC
vic (max) 0.7 6 2 5.1 2.23V
Vic (max)
,否则晶体管饱和。
如果题图7.1中的RE是用恒流源IEE,则只要
vic (max) VCC
I EE RC 2
为保证V1和V2工作在放大区,负向最大共模输入电压Uic(min)应满足下式:
vic (min) VEE VBE ( on ) 6 0.7 5.3(V )
1. 试求图题 7.1 各电路的输出电压与输入电压的关系式。
R2 R1 R3 + R4 _

+ Uo

Ui
(a) 图题 7.1 解:(a)根据虚断特性 u
(b)
R4 R1 U i , u Uo R3 R4 R1 R2
R2 R4 ) Ui R1 R3 R4
根据虚短特性 u u ,所以 U o (1 (b)当 U i3
U i4 0 时,电路转换为反相输入求和电路,输出
R3 R U i1 3 U i2 ) R1 R2
U o12 (
当 U i1 U i2 0 时,电路转换为同相输入求和电路,输出
U o34 (1
R3 R5 // R6 R4 // R6 )( U i3 U i4 ) R1 // R2 R4 R5 // R6 R5 R4 // R6
否则晶体管截止。 由上可得最大共模输入范围为 5.3V
Vic 2.23V
7.1 电路如题图7.6。已知V1、V2、V3管的 50, rbb 200 , U CC U EE 15V ,
RC 6 K, R1 20 K, R2 10 K, R3 2.1K
RL/2 Uod1
相关文档
最新文档