常用元器件的型号命名方法

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常用电子元器件型号命名法与主要技术参数

常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。

本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。

1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。

电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。

例如，R100表示100欧姆的电阻器。

电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。

功率：功率越大，电阻器发热越多。

精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。

温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。

2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。

电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。

例如，C1μF表示1微法的电容器。

电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。

电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。

电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。

3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。

二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。

例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。

二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。

反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。

反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。

4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。

晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。

例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。

晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。

最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。

放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。

5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。

电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。

例如，L100表示100微亨的电感器。

国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器

(4)日本罗姆(ROHM)
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：

电子元器件基础知识及命名方法

电子元器件基础知识（1）--电阻电阻器（Resistor）在日常生活中一般直接称为电阻。

是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。

阻值不能改变的称为固定电阻器。

阻值可变的称为电位器或可变电阻器。

理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。

用于分压的可变电阻器。

在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。

触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。

国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）。

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第一部分：主称 ,用字母表示，表示产品的名字。

如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分：材料 ,用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。

第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻。

电阻电容型号命名规则

电阻电容型号命名规则一、引言电阻和电容是电子元器件中常见的两种 pass 和存储元件，其型号命名规则直接影响到电子工程师在设计和选择电路时的便利性和准确性。

本文将详细介绍电阻和电容的型号命名规则，帮助读者更好地理解和应用电子元器件。

二、电阻型号命名规则电阻型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：2.1 电阻阻值电阻的阻值是其最为关键的信息之一，常用的阻值表示方法有：1.数字表示法：–单位欧姆(Ω)，例如10Ω、100Ω、1000Ω等。

–千欧姆(KΩ)，例如1KΩ、10KΩ等。

–兆欧姆(MΩ)，例如1MΩ、10MΩ等。

2.数字代码表示法：–例如 100代表10Ω，101代表100Ω，102代表1KΩ等。

其中第一位表示有效数字，第二位表示数量级。

2.2 电阻精度电阻的精度是其阻值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 1%，5%等。

2.字母代码表示法：–例如 F表示±1%，J表示±5%等。

2.3 电阻功率电阻的功率是指其能够承受的最大功率，常见的功率表示方法有：1.数字表示法：–单位瓦特(W)，例如 0.125W、0.25W等。

2.字母代码表示法：–例如 R表示 0.125W，S表示 0.25W等。

2.4 温度系数电阻的温度系数是指其阻值随温度变化的程度，常见的温度系数表示方法有：1.字母代码表示法：–例如 B表示±100ppm/℃，C表示±200ppm/℃等。

三、电容型号命名规则电容型号一般由字母和数字组成，常见的命名规则包括：3.1 电容电容值电容的电容值是其最为关键的信息之一，常用的电容值表示方法有：1.数字表示法：–单位法拉(F)，例如 1pF、10pF、100nF等。

2.数字代码表示法：–例如 101代表 100pF，104代表 100nF等。

3.2 电容精度电容的精度是其电容值与标称值之间的偏差，常见的精度表示方法有：1.数字表示法：–例如 10%，20%等。

常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法表1 电阻器型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

表2 电阻器的功率等级(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

表3 标称值系列表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数。

(3) 允许误差等级表4 电阻的精度等级3．电阻器的标志容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

元器件型号命名规则

元器件型号命名规则
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1. 哎呀呀，元器件型号的命名规则就像是给它们贴上独特的标签一样！你看，就好比每个人都有自己的名字，那元器件型号就是它们的专属代号呀！比如说电阻，不同的型号代表着不同的阻值和功率，这可不得好好区分清楚嘛！
2. 嘿，你可知道元器件型号命名规则是多么重要吗？这简直就是它们的身份密码啊！就像手机有不同型号，不同元器件的型号也有着各自的特点呢！比如电容，看到型号就能大概知道它的容量啦，是不是很神奇？
3. 哇塞，元器件型号命名规则真的很有趣呢！这其实就和咱们区分各种东西一样自然。

你想想，那些小小的元器件，靠型号来辨别它们的性能和用途，多厉害呀！像二极管，型号不一样，那它的功能也会有差别哟！
4. 元器件型号命名规则呀，那可是指引我们了解它们的灯塔！这就好比我们找路需要地图一样。

比如说集成电路，不同的命名规则让我们能快速知道它的功能和适用范围，是不是超有用？
5. 嘿呀，元器件型号命名规则不就是它们的户口簿嘛！它记录着元器件的各种信息呢。

像电感，从它的型号就能知道好多关键信息呢！
6. 哇哦！元器件型号命名规则可是个大学问呢！就像我们有名字来代表自己一样，元器件也是靠型号让人认识的呢。

比如晶振，不同型号的晶振特性也不一样呀！
7. 哎呀，元器件型号命名规则真的绝了呀！这是多么巧妙的设计呀！它能让我们一下子就区分出不同的元器件。

举例说，不同型号的传感器，功能就大不同呢！
我的观点结论就是：元器件型号命名规则是非常重要且有趣的，值得我们好好去了解和掌握呀！。

常用品牌元器件命名

P 塑料或环氧树脂密封双列直插R 微型“SQ”封装S 塑料四面引线扁平封装T TO-92型封装RS 缩小的微型封装ST 薄型四面引线扁平封装U 薄型微型封装W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插Y 单列直插Z 陶瓷有引线芯片载体高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 6前缀器件编号老化选择电性等级封装形式军品工艺1、器件分类：A DC A/D转换器OP 运算放大器AMP 设备放大器BUF 缓冲器PKD 峰值监测器PM PMI 二次电源产品CMP 比较器PM PMI二次电源产品REF 电压比较器DAC D/A转换器RPT PCM线重复器JANMil-M-38510SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2、器件编号：3、老化选择：4、电性等级：5、封装形式：H 6腿TO-78 J 8腿TO-99 K 10腿TO-100P 环氧树脂B双列直插PC 塑料有引线芯片载体Q 16腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体S 微型封装T 28腿陶瓷双列直插TC 20引出端无引线芯片载体V 20腿陶瓷双列直插X 18腿陶瓷双列直插Y 14腿陶瓷双列直插Z 8腿陶瓷双列直插6、军品工艺：ALTERA产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 6前缀器件编号封装形式温度范围脚数速度 1、前缀：EP 典型器件 EPC 组成的EPROM 器件 EPX 快闪逻辑器件 EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列 EPF FLEX 10K 或FLFX 6000系列、FLFX8000系列2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装 B 球阵列P 塑料双列直插 R 功率四面引线扁平封装 L 塑料J 形引线芯片载体S 塑料微型封装 T 薄型J 形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装J 陶瓷J 形引线芯片载体 4、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、脚数： 6、速度：AM XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀系列生产工艺器件编号封装温度分类1、前缀： AM 为AMD 公司产品2、系列： 21 MOS 存储器 25 中规范(MSI) 26 计算机接口27 双极存储器或(EPROM) 28 MOS 存储器29 双极微处理器54/74 中规范(MSI) 60.61.66 模拟,双极79 电信80 MOS 微处理器 81.82 MOS 和双极处围电路90 MOS91 MOS.RAM 92 MOS 95 MOS 外围电路 98 EEPROM1004 ECL 存储器104 ECL 存储器 PAL 可编程逻辑陈列3、生产工艺： "L" 低功耗 "S" 肖特基"LS" 低功耗肖特基4、器件编号：5、封装形式： D 铜焊双列直插(多层陶瓷 L 无引线芯片P 塑料双列直插 X 管芯A 塑料球栅B 塑料芯片载体 C.D 密封双阵列列Z.Y.U.K.H 塑料四面引线扁平E 扁平封装(陶瓷扁平) J 塑料芯片载体(PLCC)V.M 薄是四面引线扁平P.R 塑料双列S 塑料小引线封装JS.J 密封双列R 陶瓷芯片载体 A 陶瓷针栅阵陈列E 薄的小引线封装G 陶瓷针栅阵列 L 陶瓷芯片载体(LCC) P 塑料双列直插W 晶片NS.N 塑料双列Q.QS 陶瓷双列直插NG 塑料四面引线扁平封装W 扁平6、温度范围： C 商用温度(0～70)℃或(0～75)℃ M 军用温度(-25～-125)℃N 工业用(-25～85)℃H 商用(0～100)℃ I 工业用(-40～85)℃K 特殊军用(-30～125)℃ L 限制军用(-55～85)℃<125℃7、分类：没有标志的为标准加工产品,标有"B"的为老化产品ATXX X XX XX X X X12 3 4 5 6前缀器件编号速度封装形式温度范围工艺1、前缀： ATMEL 公司产品代号2、器件编号：3、速度：4、封装形式：A TQFP 封装B 陶瓷钎焊双列直插C 陶瓷熔封D 陶瓷双列直插F 扁平封装G 陶瓷双列直插，一次可编程 J 塑料J 形引线芯片载体K 陶瓷J 形引线芯片载体N 无引线芯片载体，一次可编程 L 无引线芯片载体 M 陶瓷模块P 塑料双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装R 微型封装集成电路S 微型封装集成电路 T 薄型微型封装集成电路U 针阵列V 自动焊接封装 W 芯片 Y 陶瓷熔封Z 陶瓷多芯片模块5、温度范围： C 0℃至70℃ I -40℃至85℃ M -55℃至125℃6、工艺：空白标准B Mil-Std-883，不符合B 级 /883 Mil-Std-883, 完全符合B 级XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6 前缀器件编号一般说明温度范围封装形式筛选等级 DAC 87 X XXX X /883B 4 7 8温度范围输入编码输出 1、前缀：放大器： OPA 运算放大器 ISO 隔离放大器INA 仪用放大器 PGA 可编程控增益放大器转换器： ADC A/D 转换器 ADS 有采样/保持的A/D 转换器DAC D/A 转换器MPC 多路转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D 和D/A 转换器SDM 系统数据模块 SHC 采样/保持电路模拟函数： MPC 多功能转换器 MPY 乘法器DIV 除法器LOG 对数放大器频率产品： VFC 电压-频率转换器UAF 通用有源滤波器其它： PWS 电源（DC/DC转换器） PWR 电源 REF 基准电压源XTR 发射机RCV 接收机2、器件编号：3、一般说明： A 改进参数性能 L 锁定 Z +12V 电源工作 HT 宽温度范围4、温度范围： H 、J 、K 、L ： 0℃至70℃A 、B 、C ：-25℃至85 ℃ R 、S 、T 、V 、W ：-55℃至125℃5、封装形式： L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插 M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6、筛选等级： Q 高可靠性QM 高可靠性，军用7、输入编码： CBI 互补二进制COB 互补余码补偿二进制输输入入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8、输出：V 电压输出I 电流输出XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号速度封装形式温度范围工艺1、前缀：CY Cypress公司产品CYM 模块VIC VME总线2、器件编号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO 7C9101 微处理器3、速度：4、封装：A 塑料薄型四面引线扁平封装J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封R 带窗口的针阵列B塑料针阵列L 无引线芯片载体S 微型封装IC D 陶瓷双列直插N 塑料四面引线扁平封装T 带窗口的陶瓷熔封E 自动压焊卷P 塑料U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装F 扁平封装PF 塑料扁平单列直插V J形引线的微型封装G 针阵列PS 塑料单列直插W 带窗口的陶瓷双列直插Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体X 芯片HD 密封双列直插PZ 塑料引线交叉排列式双列直插Q 带窗口的无引线芯片载体HV 密封垂直双列直插5、温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军用（-55℃至125℃）6、工艺： B 高可靠性MC XXXX X X (G)1 2 3 4 5前缀器件编号温度封装无铅标志1、前缀：MC 有封装的IC MCC IC芯片MFC 低价塑料封装功能电路MCB 扁平封装的梁式引线IC MCBC 梁式引线的IC芯片MCCF 倒装的线性电路MLM 与NSN线性电路引线一致的电路MCH 密封的混合电路MHP 塑料的混合电路MCM 集成存储器MMS 存储器系统2、器件编号：1500～1599 (-55～125)℃军用线性电路1400～1499;3400～3499 (0～70)℃线性电路:1300～1399.3300～3399 消费工业线性电路3、温度或改型： C 0～70℃ A 表示改型的符号4、封装形式：L 陶瓷双列直插(14或16) U 陶瓷封装G 金属壳TO-5型R 金属功率型封装TO-66型K 金属功率型TO-3封装F 陶瓷扁平封装T 塑料TO-220型P 塑料双列P1 8线性塑料封双列直插P2 14线塑料封双列直插PQ 参差引线塑料封双列(仅消费类器件)封装SOIC 小引线双列封装5、无铅标志：G 无铅产品无标识有铅产品IDT XX XXX XX X X X1 2 3 4 5 6 7前缀系列器件编号功耗速度封装温度1、前缀：IDT为IDT公司产品前缀2、系列：29:MSI逻辑电路39:有限位的微处理器和MSI逻辑电路49:有限位的微处理器和MSI逻辑电路54/74:MSI逻辑电路61:静态RAM 71:静态RAM(专卖的)72:数字信号处理器电路79:RISC部件7M/8M:子系统模块(密封的) 7MP/8MP:子系统模块(塑封)3、器件编号：4、功耗：L或LA低功耗:S或SA:标准功耗5、速度：6、封装：P:塑料双列TP:塑料薄的双列TC:薄的双列(边沿铜焊)TD:薄的陶瓷双列D:陶瓷双列 C:陶瓷铜焊双列XC:陶瓷铜焊缩小的双列G:针栅阵列(PGA) SO:塑料小引线ICJ:塑料芯片载体L:陶瓷芯片载体XL:精细树脂芯片栽体ML:适中的树脂芯片载体E:陶瓷封装 F:扁平封装U:管芯7、温度范围：没标:(0～70)℃B:833B级 (-55～125)℃I:工业级(-40～85)℃XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 6前缀器件编号电性能选择温度范围封装形式脚数1、前缀： D 混合驱动器G 混合多路FET MM 高压开关NE/SE SIC产品ICL 线性电路ICM 钟表电路DGM 单片模拟开关ICH 混合电路IH 混合/模拟门IM 存储器AD 模拟器件DG 模拟开关2、器件编号：3、电性能选择：4、温度范围：A -55℃至125℃ B -20℃至85℃ C 0℃至70℃I -40℃至125℃M -55℃至125℃5、封装形式：A TO-237型 B 微型塑料扁平封装 C TO-220型D 陶瓷双列直插E TO-8微型封装F 陶瓷扁平封装H TO- 66型I 16脚密封双列直插J 陶瓷双列直插K TO-3型L 无引线陶瓷芯片载体P 塑料双列直插S TO-52型T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型U TO-72、TO-18、TO-71型V TO-39型Z TO-92型/W 大圆片/D 芯片Q 2引线金属管帽6、脚数： A 8 B 10 C 12 D 14 E 16 F 22 G 24H 42 I 28 J 32 K 35 L 40 M 48 N 18P 20 Q 2 R 3 S 4 T 6 U 7V 8（引线间距0.2"，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23"，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2"，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23"，5脚接外壳）MAX XXX (X) X X X X 1 2 3 4 5 6 7 前缀器件编号等级温度范围封装形式脚数尾标1、前缀：MAXIM公司产品代号2、器件编号：100-199 模数转换器600-699 电源产品200-299 接口驱动器／接受器700-799 微处理器外围显示驱动器300-399 模拟开关模拟多路调制器800-899 微处理器监视器800-899 微处理器监视器400-499运放900-999 比较器500-599 数模转换器3、指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4、温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）A = -40℃至+85℃（汽车级）M =-55℃ 至+125℃（军品级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）G =-40℃ 至+105℃（AEC-Q100 2级）T =-40℃ 至+150℃（AEC-Q100 0级）U = 0℃ 至+85℃ （扩展商业级）5、封装形式：A SSOP(缩小外型封装) B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装 H 模块封装,SBGAJ CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列LLCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100 U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装（300mil）X SC-70（3脚，5脚，6脚）Y窄体铜顶封装ZTO-92MQUAD/D裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆6、管脚数量：A 8,25,46B 10，64C 12，192D 14,128E 16,144F 22，256G 24,81H 44I 28,57 J 32 K 5,68,265 L 9,40M 7，48,267 N18,56O 42 P 20,96Q 2，100 R 3，84S 4，80 T 6，160U 38,60 V 8（圆形）,30,196 W 10（圆形）,169 X 36 Y 8（圆形）,52 Z 10（圆形）,727、尾标：T或T&TR表示该型号以卷带包装供货＋表示无铅(RoHS)封装-表示未经过无铅认证#表示符合RoHS标装器件拥有无-D或-TD表示器件潮湿灵敏度等级(MSL)大于1供铅豁免权货时需防潮包装PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 前缀器件编号改进类型速度和标识温度范围封装形式 1、前缀：PIC MICROCHIP 公司产品代号2、编号和类型： C CMOS 电路LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护AA 1.8VLCR 小功率CMOS ROM F 快闪可编程存储器HC 高速CMOSCR CMOS ROM LV 低电压 FR FLEX ROM3、改进类型或选择：4、速度及标识： -55 55ns -70 70ns -90 90ns -10 100ns-12 120ns -15 150ns -17 170ns -20 200ns -25 250ns-30 300ns晶体标示： LP 小功率晶体 RC 电阻电容 XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体频率标示： -20 2MHZ -04 4MHZ -10 10MHZ -16 16MHZ -20 20MHZ-2525MHZ -3333MHZ5、温度范围：空白 0℃至70℃I -45℃至85℃E -40℃至125℃6、封装形式： L PLCC 封装 SP 横向缩小型塑料双列直插 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插 SS 缩小型微型封装 PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片 TS 薄型微型封装8mm×20mm SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil PT 薄型四面引线扁平封装 VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil TQ 薄型四面引线扁平封装 ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmLM XXX X X 1 2 3 4系列器件编号温度封装1、系列：AD 模拟对数字AH 模拟混合 AM 模拟单片CD CMOS 数字 DA 数字对模拟LF 线性FEF LH 线性混合 LM 线性单片 LP 线性低功耗LMC CMOS 线性LX 传感器 MM MOS 单片 TBA 线性单片 NMC MOS 存储器2、器件编号：用3位,4位或5位数字表示3、温度： A 表示改进规范的; C 表示商业用的温度范围线性电路的1XX,2XX,3XX 表示三种温度分别为 (-55～125)℃(-25～85)℃(0～70)℃4、封装形式： D 玻璃/金属双列直插 F 玻璃/金属扁平 H TO-5(TO ～99,TO ～100,TO ～46)J 低温度玻璃双列直插(黑陶瓷) K TO-3(钢的) KC TO-3(铝的)N 塑料双列直插P TO-202(D-40 耐热的) S "SGS"型功率双列直插T TO-220型 W 低温玻璃扁平封装(黑瓷扁平)Z TO-92型E 陶瓷芯片载体Q 塑料芯片载体 M 小引线封装L 陶瓷芯片载体μP X XXXX X 1 2 3 4 前缀产品类型器件编号封装形式 1、前缀： 2、产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路 C 双极模拟电路 D 单极型数字电路 3、器件型号： 4、封装形式： A 金属壳类似TO-5型封装 D 陶瓷双列 H 塑封单列直插 L 塑料芯片载体 B 陶瓷扁平封装 E 陶瓷背的双列直插 J 塑封类似TO-92型 M 芯片载体 C 塑封双列 G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体 V 立式的双列直插封装XX X XXX XX1234系列温度器件编号封装 1、系列： 1 数字电路用两位符号区别系列.2 单片电路用两符号表示.第一符号 S 数字电路T 模拟电路U 模拟/数字混合电路第二符号除"H"表示混合电路外,其它无规定3 微机电路用两位符号表示MA 微计算机和CPUMB 位片式处理器 MD 存储器有关电路ME 其它有关电路(接口,时钟,外围控制,传感器等)2、温度范围： A 没有规定范围如果器件是别的温度范围,可不标,亦可标"A".B (0～70)℃C (-55～125)℃D (-25～70)℃E (-25～85)℃F -40～85)℃G (-55～85)℃3、器件编号：4、封装：第一位表示外观C 圆壳封装D 双列直插E 功率双列(带散热片)F 扁平(两边引线)G 扁平(四边引线) K 菱形(TO-3系列)M 多列引线(双.三.四列除外) Q 四列直插R 功率四列(外散热片)S 单列直插 T 三列直插第二位表示封装材料 C 金属-陶瓷 G 玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍) M 金属P 塑料 (半字符以与前符号混淆)XXX XXX X X XX1 2 3 4 5系列器件编号封装无铅标识包装 1、系列： DPA 低电压大功率直流解决方案 LNK 替代线性变压器以及阻/容降压解决的方案TNY 具有峰值功率模式大功率范围的高效离线式开关ICTOP 拥有EcoSmart 技术的集成离线式开关电源芯片2、器件编号：3、封装： G SMD-8,SMD-8B 封装 P DIP-8,DIP-8B 封装PFI DIP-8B 封装Y.YAI TO-220封装 R TO263-7C 封装F TO-262封装 4、无铅标识：空白有铅产品N 无铅产品5、包装： TL 或Bx 表示XX XXXXX X X1 2 3 4前缀器件编号改进类型封装形式1、前缀： HA 模拟电路HB 存储器模块HG 专用集成电路 HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED ）HN 存储器（NVM ） HM 存储器（RAM ） HR 光电器件（光纤） PF RF 功率放大器2、产品编号：3、改进类型：4、封装形式： P 塑料双列 PG 针阵列SO 微型封装C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插G 陶瓷熔封双列直插CP 塑料有引线芯片载体FP 塑料扁平封装CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体LAXXXX 1 2 前缀器件编号1、前缀： LA 双极线性电路 LB 双九数字电路 LC CMOS 电路 LE MNMOS 电路 LM PMOS.NMOS 电路 SKT 厚腊电路 LD 薄膜电路2、器件编号：普通线性、逻辑器件 M XXX XXXXX XXX X 1 2 3 4 5 产品系列器件编号速度封装温度1、产品系列：74AC/ACT先进CMOS HCF4XXXM74HC高速CMOS2、器件编号：3、速度：4、封装：BIR，BEY陶瓷双列直插M，MIR塑料微型封装5、温度：普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 7系列工艺器件编号封装速度温度等级1、系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAM TS27 EPROMETC27 EPROM MK41 快静态RAM S28 EEPROMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM TS29 EEPROM2、工艺：空白NMOS CCMOS L小功率3、器件编号：4、封装： C 陶瓷双列J 陶瓷双列N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5、速度：6、温度：空白0℃~70℃E -25℃~70℃V -40℃~85℃M -55℃~125℃7、等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8系列类型容量改进等级电压范围速度封装温度1、系列：27EPROM 87EPROM锁存2、类型：3、容量：6464K位（X8）256256K位（X8）16116M位（X8/16）可选择512512K位（X8）10011M位（X8）16016M位（X8/16）1011M位（X8）低电压10241M位（X8）4014M位（X8）低电压20012M位（X8）2012M位（X8）低电压8014M位（X8）40014M位（X8）40024M位（X16）4、改进等级：5、电压范围：空白5V +10%Vcc X5V +10%Vcc6、速度：55 55n 60 60ns 70 70ns80 80ns 90 90ns 100/10 100 n120/12 120 ns 150/15 150 ns 200/20 200 ns250/25 250 ns7、封装： F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）M 塑料微型封装B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10电源类型容量擦除结构改型Vcc 速度封装温度1、电源：2、类型： F 5V +10% V 3.3V +0.3V3、容量：11M 22M 33M 88M 1616M4、擦除：0大容量1顶部启动逻辑块2 底部启动逻辑块 4 扇区5、结构：0 ×8/×16可选择1 仅×82 仅×166、改型：空白 A7、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc8、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns100 100ns 120 120ns 150 150ns 200 200ns9、封装：C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双列直插M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插10、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 器件系列类型容量Vcc 速度封装温度1、器件系列：29快闪2、类型： F 5V单电源V 3.3单电源3、容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块100B （128K×8.64K×16）底部块040 （12K×8）扇区200T （256K×8.64K×16）顶部块200B （256K×8.64K×16）底部块080 （1M×8）扇区400T （512K×8.64K×16）顶部块400B （512K×8.64K×16）底部块016 （2M×8）扇区4、Vcc：空白5V+10%VccX +5%Vcc5、速度：60 60ns 70 70ns 80 80ns 90 90ns 120 120ns6、封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7、温度：10℃~70℃6-40℃~85℃3-40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 6器件系列类型工艺容量改型封装温度1、器件系列：24 12C 25 12C（低电压）93 微导线95 SPI总线28EEPROM2、类型/工艺：C CMOS（EEPROM）E 扩展I C总线W 写保护P SPI总线LV 低电压（EEPROM） CS 写保护（微导线）3、容量：01 1K 02 2K 04 4K 08 8K 16 16K 32 32K 64 64K4、改型：空白 A、 B、 C、 D5、封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6、温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃3-40℃~125℃微控制器编号ST X XX X XX X X1 2 3 4 5 6前缀系列版本器件编号封装温度范围1、前缀：2、系列：62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列 72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3、版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMlessP 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4、序列号：5、封装：B 塑料双列直插D 陶瓷双列真插 F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6、温度范围：1.50℃~70℃(民用) 2-40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业)E-55℃~125℃一般IC型号XXXX XXX X XX1 2 6 3前缀器件编号温度封装数字和接口电路XXXX XXXX XXXX XXXX XXXX1 6 42 3前缀温度系列器件编号封装1、前缀：AC 改进的双极电路SN 标准的数字电路TL TII的线性控制电路TIEF 跨导放大器TIES 红外光源TAL LSTTL逻辑阵列JANB 军用B级IC TAT STTL逻辑阵列JAN38510 军用产品TMS MOS存储器/微处理器JBP 双极PMOS 883C产品TM 微处理器组件SNC IV马赫3级双极电路TBP 双极存储器SNJ MIL-STD-883B双极电路TC CCD摄像器件SNM IV马赫1级电路TCM 通信集成电路RSN 抗辐射电路TIED 经外探测器SBP 双极微机电路TIL 光电电路SMJ MIL-STD-883B MOS电路VM 语音存储器电路TAC CMOS逻辑阵列; TIFPLA双极扫描编程逻辑阵列TLC 线性CMOS电路TIBPAL 双极可编程阵列逻辑2、器件编号：3、封装：J.JT.JW.JG 陶瓷双列PH.PQ.RC 塑料四扁平封装T 金属扁平封装LP 塑料三线 D.DW 小引线封装DB.DL 缩小的小引线封装DBB.DGV 薄的超小封装 DBV 小引线封装 GB 陶瓷针栅阵列RA 陶瓷扁平封装 KA.KC.KD.KF 塑料功率封装U 陶瓷扁平封装P 塑料双列 JD 黄铜引线框陶瓷双列 W.WA.WC.WD 陶瓷扁平封装N.NT.NW.NE.NF 塑料双列 MC 芯片DGG.PW 薄的再缩小是小引线封装 PAG.PAH.PCA.PCB.PM.PN.PZ 塑料薄型四列扁平封装FH.FN.FK.FC.FD.FG.FM.FP 芯片载体4、系列： GTL Gunning Transceiver Logic SSTL Seris-Stub TerminatedLogicCBT Crossbar Technolongy CDC Clock-DistributionCircuitsABTE 先进BiCMOS 技术／增强收发逻辑 FB Backplane TransceivrLogic/Futurebust没标者为标准系列 L 低功耗系列 AC/ACT 先进CMOS 逻辑H 高速系列 AHC/AHCT 先进高速CMOS 逻辑ALVC 先时低压CMOS 技术S 肖特基二极管箝位系列 LS 低功耗肖特基系列 BCT BiCMOS 总线-接口技术AS 先进肖特系列 F F 系列（FAST ） CBT Crossbar Techunogy ALS 先进低功耗肖特基 HC/HCT 高速CMOS 逻辑 LV 低压HCMOS 技术 ABT 先时BiCMOS 技术 5、速度： 15 150 ns MAX 取数 17 170 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 25 250 ns MAX 取数 35 350 ns MAX 取数 45 450 ns MAX 取数 20 200 ns MAX 取数 3 350 ns MAX 取数 4 450 ns MAX 取数6、温度范围：数字和接口电路系列 55.54 (-55～125)℃ 75.74 (0～70)℃CMOS 电路74表示(-40～85)℃76 (-40～85)℃双极线性电路 M (-55～125)℃ E (-40～85)℃I (-25～85)℃ C (0～70)℃ MOS 电路 M (-55～125)℃ R (-55～85)℃ L (0～70)℃ C (-25～85)℃ E (-40～85)℃ S (-55～100)℃ H (00～55)℃TXXXXXX1 2 3前缀器件编号封装1、前缀： TA 双极线性电路 TC CMOS 电路 TD 双极数字电路 TM MOS 存储器及微处理器电路2、器件编号： P 塑封 M 金属封装 C 陶铸封装3、封装形式： F 扁平封装 T 塑料芯载体(PLCC) J SOJD CERDIP(陶瓷浸渍) Z ZIPX XXXXXX X X (-XX) 1 2 3 4 5 6 前缀器件编号封装温度范围工艺等级存储时间EEPOTX XXXX X X X 1 2 7 3 4 前缀器件编号阻值封装温度范围串行快闪X XX X XXXX X -X 1 2 3 4 8 前缀器件编号封装温度范围Vcc 限制1、前缀：2、器件编号：3、封装形式： D 陶瓷双列直插 P 塑料双列直插 M 公制微型封装 Y 新型卡式 E 无引线芯片载体 L 薄型四面引线扁平封装 X 模块 F 扁平封装 S 微型封装 K 针振列 V 薄型缩小型微型封装 J 塑料有引线芯片载体 T 薄型微型封装4、温度范围：空白标准 B B 级（MIL-STD-883） E -20℃至85℃I -40℃至85℃ M -55℃至125℃ 5、工艺等级：空白标准 B B 级（MIL-STD-883） 6、存取时间（仅限EEPROM 和NOVRAM ）：15 150ns 20 200ns 25 250ns 空白 300ns35 350ns45 450ns 55 55ns 70 70ns 90 90ns 7、前端到末端电阻： Z 1K Ω Y 2K Ω W 10K Ω U 50K Ω T 100K Ω 8、Vcc 限制：空白 1.8V 至3.6V -5 4.5V 至5.5VVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V -3 3V至5.5-2.7 2.7V至5.5V -1.8 1.8V至5.5VZ XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 7前缀器件编号速度封装温度范围环境特殊选择1、前缀：2、器件编号：3、速度：空白 2.5MHz A 4.0MHz B 6.0MHz H 8.0MHz L 低功耗的，直接用数字标示4、封装形式：A 极小型四面引线扁平封装C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体5、温度范围：E -40℃至100℃M -55℃至125℃S 0℃至70 ℃6、环境试验过程：A 应力密封B 军品级C 塑料标准D 应力塑料E 密封标准7、特殊选择：。

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

常用电子元器件命名表示图形主要技术参数

常用电子元器件参考资料部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

超详细的元器件分类大全

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一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。

如R表示电阻，W表示电位器。

第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实队J金属膜Y氮化膜、C-沉珂莫卜玻璃釉膜、X线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。

1-普通、2-普通3超高频、4-高阻、5-高温6精密7精密8-高压9-特殊G-高功率、T-可调。

5、色码电感器色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。

6、阻流圈（扼流圈）限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。

7、偏转线圈偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q值高、体积小、价格低。

穸颜器35问，听说只有2%的人知滔全部答案I干岱怎么用PLC对步讲电机讲行精准守付控制？17种开关接线图学习51单片机的膊悟：—涌则百涌梅拟电路与数字电路某本知识对比分析单片机和数字电路，，么杭干扰？开种常汛的内部噪声，你都清桔吗？申，阴色环表＆色环申，阴识别方法樟拟电路和数字电路PCB设计的区别。

元器件符号和名称

元器件符号和名称
常见的电子元器件符号和名称有：
1.电阻器：用一个字母R表示，单位是欧姆（Ω）。

2.电容器：用字母C表示，单位是法拉（F），常用的有微法（μF）、皮法（PF）。

3.电感器：电感线圈的简称，用字母L表示，单位是亨利（H），常用的有毫亨（mH）。

4.二极管：表示符号通常为D，半导体材料制成的元件，有两个电极，具有单向导电性。

5.三极管：表示符号通常为Q或P，有三个电极，具有放大、截止、饱和导通的功能。

6.继电器：是一种电控制器件，具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）。

7.温度保险丝：也叫做热熔断体，是温度感应回路切断装置。

8.可控硅：是一种大功率电器元件，也称晶闸管，分单向可控硅和双向可控硅两种。

除了上述列举的元器件符号和名称外，还有其他各种电子元器件，每个元器件在电路中发挥不同的作用。

了解电子元器件的符号和名称对于学习和分析电路非常重要。

常见电子元器件命名规则

电子元器件命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃ 至70℃（商业级）I =-20℃ 至+85℃（工业级）E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A2．器件型号3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围：C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列 U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装 D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装 X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插 R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插国外IC芯片命名规则（二）2010-10-9 7:46:00MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 5 61. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季 /振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns， 100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 71．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块 200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线 V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

很全的各类电子元器件符号实物命名规则生产厂商一览

很全的各类电子元器件符号实物命名规则生产厂商一览
电子电路中常用的器件包括：
1、电阻器(含电位器)
2、电容器
3、电感器与变压器
4、二极管
5、晶体管三极管
6、场效应晶体管（含IGBT、MOSFET）
7、晶闸管(可控硅)
8、晶振
9、连接器
10、各种传感器
11、光电器件
12、电声器件
13、显示器件
14、继电器与干簧管
15、开关
16、保险丝等。

下面一起来看看它们的电路符号+实物图+命名规则+生产厂商：1.电阻器(含电位器)
举例：
RJ76表示精密金属膜电阻器
R——电阻器（第一部分）
J——金属膜（第二部分）
7——精密（第三部分）
6——序号（第四部分）
2.电容器
国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)
•(2)日本TDK
•(3)日本京瓷(Kyocera)
•(4)日本罗姆(ROHM)
•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic) (6)韩国三星(SAMSUNG)
•(7)美国基美(KEMET)
•(8)英国Syfer
•(9)中国台湾国巨(YAGEO)
•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器与变压器
4.二极管
5.晶体管三极管
6.场效应晶体管
7.晶闸管(可控硅)
8.晶振
9.连接器
10.各种传感器
11.光电器件
12.电声器件
13.显示器件
14.继电器与干簧管
15.开关
16.保险丝。

常用电子元器件命名介绍

第1 章常用电子元器件§1.1 电阻器和电位器电阻器简称电阻.它是电子电路中应用最多的元件之一.电阻器在电路中用于分压,分流,滤波(与电容器组合),耦合,阻抗匹配,负载等.电阻器用符号R 表示.电阻值的基本单位为欧姆,简称欧( ).常用的单位还有千欧(k )和兆欧(M ).三者的换算关系是:1M =1000k ,1k =1000电位器是一种具有三个接头的可变电阻器.在使用中,通过调节电位器的转轴,不但能使电阻值在最大与最小之间变化,而且当两固定端供某一电压时,还能调节滑动接头与两固定接头之间的电位高低,故称电位器.电位器在收音机,录音机,电视机等电子设备中用于调节音量,音调,亮度,对比度,色饱和度等.1.1.1 电阻器的命名,分类及参数(一) 型号命名根据部颁标准(SJ-73)规定,国产电阻器,电位器的型号由下列五个部分组成:第一部分:主称,用字母表示,R表示电阻器,W表示电位器;第二部分:材料,用字母表示,具体含义见表3.1.1;第三部分:产品分类,用数字或字母表示,见表3.1.2;第四部分:序号,用数字表示;第五部分:区别代号,用字母表示.区别代号是当电阻器(电位器)的主称,材料特征相同,而尺寸,性能指标有差别时,在序号后用A,B,C,D等字母予以区别.表3.1.1 电阻器,电位器其材料字母表示表类别名称符号字母顺序主称RW第一字母材料碳膜金属膜氧化膜合成碳膜有机实芯无机实芯沉积膜玻璃釉膜线绕硅碳膜压敏光敏热敏TJYHSNCIXPUMGR第二字母表3.1.2 电阻器与电位器的代号列表意义意义数字代号电阻器电位器字母代号电阻器电位器1普通普通G 高功率高功率2普通普通T 可调—3 超高频—W —微调4 高阻—D —多圈5 高温—X小型小型6 ——J精密精密7精密精密L 测量用—8 高压特种函数Y 被釉—9特殊特殊C 防潮—电阻器的种类很多:常用的电阻器按照导电体的结构特征分为实芯电阻器,薄膜电阻器和线绕电阻器;按电阻器的材料,结构又分为碳膜电阻器,金属氧化膜电阻器,线绕电阻器, 热敏电阻器,压敏电阻器等.另外,按照各种电阻器的特性,还可分为高精度,高稳定,高阻,高压,大功率,高频以及超小型等各种专用类型的电阻器.下面分别叙述几类常用电阻器的性能及结构.(1) 碳膜电阻器:碳膜电阻器稳定性好,噪声低,阻值范围较宽,既可制成小至几欧的低值电阻器,也能制成几十兆欧的高值电阻器,且价格较便宜.在-55～+40 ℃的环境温中, 通常按50%的额定功率之下使用.薄膜电阻是在园柱形陶瓷管体上覆一层具有一定导电能力的薄膜构成,引线在柱体两端引出.(2) 金属膜电阻器与金属氧化膜电阻器:金属膜电阻器外形和结构与碳膜电阻器相似,不同的是它采用合金粉真空蒸发制成. 它是以金属膜作导电层,表面涂以红色或棕色保护漆.金属膜电阻器的性能比碳膜电阻器更为优越,它不仅精密度高,稳定性好,阻值范围宽,噪声低,而且耐热性能好,在同样的功率条件下,体积只有碳膜电阻器的一半左右.可在- 55～70℃的环境温度中,按100%的额定功率使用.(实际工作时都降容使用) 这类电阻常用在质量要求较高的电路中.金属氧化膜电阻器的性能与金属膜电阻器相似,其长期工作稳定性不如金属膜电阻.耐热性较好.(3) 线绕电阻器:线绕电阻器是用镍铬丝或锰铜丝,康铜丝绕在瓷管上制成的,分固定式和可调式两种.外表涂以釉或酚醛作为保护层,颜色有黑色,棕色,灰色和兰色等.线绕电阻器的特点是阻值精度很高,噪声小,阻值稳定,能承受高温,在环境温度150℃下仍能正常工作.但它体积大,阻值较低,大多在十万欧以下. 同时线绕电阻器由于结构上的原因,分布电容和电感系数都比较大,不适合在高频电路中使用,这类电阻器通常在大功率电路中作降压元件或负载等用.线绕电阻由于其承受功能大小的不同,外形尺寸相应变化.(4) 热敏电阻器:热敏电阻器是用一种对温度极为敏感的半导体材料制成的非线性元件.电阻值随温度升高而变小的叫负温度系数热敏电阻器;随温度升高而增大的为正温度系数热敏电阻器.(5) 压敏电阻器:压敏电阻器是一种特殊的非线性电阻器,当加在压敏电阻器两端的电压至一定值时,它的阻值会急剧变小.在电子线路中,它常用作过压保护和稳压元件.压敏电阻器按伏安特性可分为对称型(无极性)和非对称型(有极型)两种.它们都具有电压温度系数较小,耐浪涌电流能力强的特点.不同规格的压敏电阻,具有不同规格的转折电压和浪涌电流吸收能力.(三) 主要参数1.标称阻值与允许误差标志在电阻器上的阻值称为标称阻值.但电阻的实际值往往与标称阻值不完全相符,即存在一定的误差.电阻器所允许的误差可由下式计算:%100×=RRRRRδ(3.1.1)式中δ—允许误差;R—电阻器的实际阻值;RR—电阻器的标称阻值.电阻器的阻值范围很宽,一般通用电阻器的阻值可从10 ～10M .按规定,电阻器的标称阻值应符合阻值系列所列数值.常用电阻器标称阻值系列见表3.1.3. 电阻器的精度等级见表3.1.4.表3.1.3 常用电阻器标称阻值表允许误差标称阻值/×10n (n为整数)±5%(E24系列)1.03.31.13.61.23.91.34.31.54.71.65.11.85.62.06.22.26.82.47.52.78.23.09.1±10%(E12系列)1.03.31.23.91.54.71.85.62.26.82.78.2±20%(E6系列)1.33.31.54.71.26.8表3.1.4 电阻器的精度等级表精度等级005 01(或00)02(或0) I II III允许误差±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%精密电阻器的精度等级分为±0.5%,±1%,±2%三个等级; 普通电阻的精度等级分为±5%,±10%和±20%三个等级.电阻的阻值和误差有两种表示方法,它们分别为:数值表示法:用文字,数字或符号直接打印在电阻上的表示法.色码表示法:用三到四个色环或色点表示电阻的阻值或允许误差.图3.1.1所示为几种常见的色码表示法.色环所代表的意义见表3.1.5.图3.1.1 电阻器阻值与误差的色码表示法表3.1.5 色环,色点所代表的意义表色环颜色第一色环(A)第一位数第二色环(B)第二位数第三色环(C)第三位数第四色环(D)黑—0 ×100±1%棕1 1 ×101±2%红2 2 ×102±3%橙3 3 ×103±4%黄4 4 ×104—绿5 5 ×105±0.5%蓝6 6 ×106±0.2%紫7 7 ×107±0.1%灰8 8 ×108—白9 9 ×109—金——×10-1±5%银——×10-2±10%本身颜色———±20以上两种表示法中,如无误差等级标志,一律表示允许误差为±20%.例如有一个电阻的色环分别为棕,黑,红和银色,则该电阻的阻值为10×102 ,即1000 ,允许误差为±10%.2.额定功率额定功率是指在正常条件下,电阻器长时间工作而不损坏或不显著改变其性能时,所允许消耗的最大功率.对于同一类电阻器,额定功率的大小取决于它的几何尺寸和表面面积. 电阻器的额定功率系列见表3.1.6, 表示电阻功率的通用符号见表3.1.7.表3.1.6 电阻器的额定功率系列表种类额定功率系列/W0.05 0.125 0.250.5 1 2 4 8 10线绕电阻器15 25 40 50 75 100 150 250 5000.05 0.125 0.250.5 1 2 5 10 25非线绕电阻器50 1000.25 0.5 1 1.6 2 3 5 10 16线绕电位器25 40 63 100非线绕电位器0.025 0.05 0.1 0.250.5 1 2 3表3.1.7 电阻功率的通用符号表图形符号名称图形符号名称略1/4W电阻略5W电阻略1/2W电阻10W电阻略1W电阻20W 20W电阻略2W电阻说明:功率大于10W和小于1/4W的电阻,用阿拉伯数字标注,例如20W电阻.3.最大工作电压(极限工作电压)每一个电阻器都有其最大的耐压程度,这一电压称为极限工作电压.电阻器的最大工作电压值用下式计算:LjRmaxRPU = (3.1.2)式中:Umax—最大工作电压; PR—额定功率; RLj—临界阻值.临界阻值由电阻器的额定功率以及它的结构,外形尺寸等因素确定.在实际使用中,当RRLj时,则必须低于最高工作电压,以免烧坏或产生极间击穿和飞弧现象.1.1.2 电阻器的测量使用电阻器时,首先要知道它是否完好,然后要确定一下它的实际阻值.下面介绍几种常用测量法.(一)用万用表测量固定电阻器测量前,将万用表进行调零,例如将万用表置于R×1k 挡,将红,黑两根表笔短接,使表头指针阻值为零,然后用表棒接被测固定电阻器的两个引出端,此时表头指针偏转的指示值,即为被测电阻器的阻值.如果指针不摆动, 则可将万用表换到R×10k 挡,并重新调零.如果指针仍不摆动,则表示该电阻器内部已断,不能再用.如果指针摆动到指示为零,可将万用表置于R×10 挡或R×1 挡(每次换挡均须调零后才能进行测量).此时指针偏转指示的值,即该值×10或×1 的值为电阻器的阻值.注意:测量时人体手指不要触碰在被测固定电阻器的两个引出端上,以免影响测量精度,特别是对大电阻影响大,因为手有时有几百千欧姆的电阻.(二)用电桥测量固定电阻器如果认为用万用表测量电阻器的阻值精度不够要求的话,则可以用电桥来测量.要注意在被测电阻器所允许的最大功耗内进行测量.1.1.3 电位器的命名,分类及参数(一) 型号命名见3.1.1 电阻器的命名,分类及参数中(一)电阻器和电位器的型号命名一节.(二) 分类电位器的种类较多,并各有特点.按所使用的电阻材料分为碳膜电位器,碳质实芯电位器,金属膜电位器,玻璃釉电位器,线绕电位器等.下面介绍几种常用的电位器.1. 碳膜电位器碳膜电位器的电阻片是用碳粉和树脂的混合物喷涂在马蹄形胶板上制成的.电阻片上旁边两端焊片间的电阻值是电位器的最大阻值,滑动臂与旁边两端焊片之间的阻值随触点位置改变而变化,改变滑动臂在碳膜片上的位置,就可以达到调节电阻的目的.它的特点是结构简单,阻值范围宽(约为100 ～4.7M ),价格便宜,但功率不太高,一般小于2W.它是目前使用最广泛的一种电位器.2. 线绕电位器线绕电位器的电阻体是用合金电阻丝制成的.它的特点是有较好的温度稳定性,噪声很低,精度高,耐热性能好,有较大的功率.在同样的功率下,线绕电位器的体积最小,但价格高.3. 单圈式电位器单圈式电位器是线绕电位器的一种, 它的滑动臂只能在不到360°的范围内旋转.4. 多圈式电位器多圈式电位器的滑动臂从一个极端位置到另一个极端位置,它的轴要转动好几圈.这种电位器的电阻丝紧紧地绕在外有绝缘层的粗金属线上,金属线圈绕成螺旋形,装在有内螺纹的壳体内.电位器的滑动臂由转轴带动,能沿着螺旋形的金属线移动.转轴每旋转一周,滑动臂仅移动一个螺距.因此,多圈式电位器可以对电阻值作细微的调节.它的特点是电压分度十分细密和行程分辨率高,但成本高.这类电阻适用于需精密微调的电路.(三) 主要参数电位器除与电阻器有相同的参数外,还有特有的几个参数.1.最大阻值和最小阻值电位器的标称阻值都是指最大阻值.最小阻值又称零位阻值.由于触点存在接触电阻,因此最小电阻值不可能为零.2.阻值变化特性它是指阻值随活动触点的旋转角度变化的关系,这种关系可以是任何函数形式.常用的有直线式,指数式和对数式,分别用X,Z,D表示.直线式电位器,其阻值变化和转角成线性关系,多用在分压电路中.指数式电位器,多用在音量控制电路中,以适应入耳听觉的需要.对数式电位器适用于与指数式相反的电路中,如音调控制电路.3.滑动噪声由于电阻器电阻分配不当,转动系统配合不当和电位器接触电阻等原因,会使电位器的电接触刷在移动时,输出端除有有用信号外,还伴有随着信号的起伏不定的噪声,这就是滑动噪声.§1.2 电容器电容器具有隔直流和通交流的能力,因此在电子技术中是个十分重要的元件.利用电容器的充放电特性,可以用电容器组成定时电路,锯齿波产生电路,微分和积分电路以及滤波电路等.电容器用符号C表示.电容的基本单位为法拉,简称法(F).但此电位过分大,平常常用的单位还有微法( F),纳法(nF)和皮法(pF)等.它们之间的换算关系是:1F=106 F;1 F=106pF1.2.1 电容器的型号命名根据部颁标准(SJ—73)规定,国产电容器的型号由下列五个部分组成:第一部分:主称,用字母表示(一般用C表示).第二部分:材料,用字母表示,具体含义见表3.2.1.第三部分:特征,用字母或数字表示,具体含义见表3.2.1.第四部分:序号,用数字表示.1.2.2 电容器的分类电容器的种类很多,分类方法也各有不同.从结构上分可分为:固定电容器和可变电容器两大类.根据介质材料不同来区分可分为:气体介质电容器(空气电容器,真空电容器,充电式电容器);液体介质电容器(油浸电容器);无机固体介质电容器(纸介电容器,涤纶电容);电解介质电容器(分液式和干式两种);复合介质电容器(纸膜混和电容器).下面分别介绍几种常用电容器的结构及特点.瓷介电容器瓷介电容器的形状与结构,常用的有管形,圆片形,瓶形,筒形,叠片形.瓷介电容器以陶瓷材料作为绝缘介质,它的电极在瓷片表面用烧结渗透的方法形成银层面构成的.瓷介电容器的特点:体积小,有很好的稳定性,绝缘电阻大,可制成高压电容器;结构简单,价格低廉,它很适合在高频电路,脉冲电路中使用.云母电容器在两块铝箔或铜片间夹上云母绝缘层,从金属箔片上接出引线,就构成一个云母电容器.这两块金属箔是电容器的极片,云母层是它的介质.另一种是在云母表面直接喷涂上银层, 而作为电容器的电极.如果把许多隔有云母的电极叠合起来,便构成一个容量较大的云母电容器.常见的云母电容器在它们外面有用胶木粉压制成的外壳.云母电容器的特点:介质损耗小,有很高的绝缘电阻,稳定性好且耐高温,因此,常使用于高频电路中和仪器仪表中.由于材料较贵及制造工艺较为复杂,通常使用日渐减少.表3.2.1 电容器材料,特征表示方法表材料意义特征意义符号符号瓷介云母玻璃电解其他C 瓷介1 圆片非密封- 箔式非密封Y 云母2 管形非密封- 箔式非密封I 玻璃釉3 迭片密封- 烧结粉固体密封O 玻璃膜4 独石密封- 烧结粉固体密封Z 纸介5 穿心- - - 穿心J 金属化纸6 支柱- - - -B 聚苯乙烯7 - - - 无极性-L 涤纶8高压高压- - 高压Q 漆膜9 - - -特殊特殊S 聚碳酸脂J 金属膜H 复合介质W 微调D 铝A 钽N 铌G 合金T 钛E 其他例:CT1-0.022 F-63V表示为圆片型低频瓷介电容器,电容量为0.022 F,额定工作电压为63V.有机薄膜介质电容器有机薄膜介质电容器是以聚苯乙烯,聚四氟乙烯,聚碳酸酯等有机薄膜作为介质,以铝箔为电极或者直接在薄膜上蒸发一层金属膜为电极,然后经卷绕封装而制成的电容器.有机薄膜电容器的特点:体积小,电容值稳定,绝缘电阻较大,漏电极小,耐压较高.其耐压小型的为3～100V,一般为250～1000V,有的高达3000V.它常被用于电视机,晶体管收音机以及各种仪器,仪表做旁路或滤波电容使用.注意:因为这类电容器的耐热性较差,因此焊接时电容器引线不宜剪得太短.否则容易因高热而损坏.纸介电容器纸介电容器是由厚度很薄的纸作为介质,铝箔作为电极,并经卷绕成圆柱形封装的电容器.纸介电容器的特点:由于介质厚度小,而且纸有较高的抗张强度,因而可做成容量大,体积小的电容器.但它漏电流和介质损耗较大,电容值的温度系数较大,热稳定性差,不宜在要求较高的电路中使用.如果电极不用金属箔,而是在纸上蒸发一层金属薄膜作为电极,这种纸介电容器为金属纸化介电容器.电解电容器电解电容器的介质是一层极薄的附着在薄金属极板上氧化膜,其阳极是附着有氧化膜的金属极,阴极则是液体,半液体和胶状的电解液.可以制成很大电容值的电容器.电解电容器按阳极材料不同可分为:铝电解,钽电解,铌电解电容器.按极性又可分为有极性和无极性两种.使用较多的是有极性的铝电解电容器.铝电解电容器一般简称为电解电容器.电解电容器的漏电较其它电容器大得多,损耗也大,因此不宜在高频电路中使用.电解电容器的允许误差较大,一般分为±10%,±20%和±20～50%几种,它的实际容量有时会和标称容量相差很大.钽电解电容器钽电解电容器是以固体二氧化锰作为电解质,其正极材料是钽薄板,钽的外面烧结一层氧化膜并沉积一层二氧化锰后,再涂上一层石墨,石墨外面喷上金属作为负极.整个电容的封装材料用塑料或环氧树脂.钽电解电容器的特点:体积小,性能稳定,绝缘电阻高,漏电流小,可长期储存使用;使用温度范围广,可在-55～+85℃下工作,但价格高.一般仅在要求高的电路中使用.当其上加有反压时,绝缘电阻会急剧下降,甚至会击穿损坏.各种有极性的电解电容器,都具有单向导电性质,因此在使用前先认好极性,将电容器的正端接电位高的一端,负端接电位低的一端.如极性接反,会使电容器击穿损坏.可变电容器可变电容器的种类很多,常用的有以下几类:(1) 单连可变电容器:它是由一个单元的动,定片组成的.空气单连可变电容器常用在直接放大式收音机中做调谐用,也使用在一些电子设备中.(2) 等容双连可变电容器:它由两组同轴可变电容器组成,采用薄膜做介质.(3) 差容双连可变电容器:它是由两组不同容量的同轴可变电容器组成.一类为差容空气介质双连可变电容器,多用于电子管超外差收音机上.另一类差容密封双连可变电容器采用薄膜做介质,多用在袖珍式收音机上.为减小收音机的体积,在双连的后面还附有两个微调电容器.注意:在使用可变电容器时,必须把动片可靠接地,否则会引起噪音信号.(4) 微调电容器:微调电容器能对电容量作微量调节,常用云母,陶瓷或聚苯乙烯等材料作介质.但在高质量的通信设备和电子仪器中,也有用空气作介质.1.2.3 电容器的主要参数电容器的参数很多,但在实用上,一般仅以电容器的容量和额定工作电压作为选择依据, 只有在要求较高的电路中,才考虑电容器的容量误差,高频损耗等参数.在电容器上标志的容量值为标称容量.在实际生产中,电容器的电容量具有一定的分散性,无法做到和标称容量完全一致.为了便于生产的管理和使用,又规定了电容器的精度等级,确定了电容器在不同等级下的允许误差.允许误差可从下式求得%100CCCRR×=δ (3.2.1)式中δ—允许误差; C—电容器的实际容量; CR—电容器的标称容量.表3.2.2 电容器的精度等级表精度级别00(01)(02)I II III IV V VI允许误差/% ±1 ±2 ±5±10 ±20 +20-10+50-20 +100-30电容器的容量和允许误差有两种表示方法:(1) 数值表示法:即用文字,数字或符号直接打印在电容器上的表示.它的规格标志一般为:型号—额定直流工作电压—标称容量—精度等级.例如:CJ3-400-0.01-II,表示密封金属化纸介电容器,额定直流工作电压400V, 电容量0.01 F,允许误差±10%.(2) 色环表示法:用三到四个色环表示电容器的容量和允许误差.各颜色所代表的意义见表3.2.3.表3.2.3 电容器的容量和允许误差色环表示法表颜色有效数字乘数允许误差/%颜色有效数字乘数允许误差/%银—10-2±10 绿5 105±0.5金—10-1±5 蓝6 106±0.2黑0 100—紫7 107±0.1棕1 101±1 灰8 108—红2 102±2 白9 109±5-20橙3 103—无色——±20黄4 104—电容器允许误差标识符号见表3.2.4.表3.2.4 电容器允许误差标识符号表符号允许误差/% 符号允许误差/% 符号允许误差/%E ±0.001 B ±0.1 K ±10X ±0.002 C ±0.2 M ±20Y ±0.005 D ±0.5 N ±30H ±0.01 F ±1 R +100-10U ±0.02 G ±2 S +50-20R ±0.05 J ±5 Z +80-20电容量通常用4位有效数字来表示,再用一个字母表示数值的量级. 如1p2 表示1.2pF; 220n表示0.22 F;3 3表示3.3 F;2n2表示2200 F等.§1.3 电感线圈1.3.1 电感线圈的型号命名电感线圈电感量的标志方法主要有以下三种:1,直标法:单位H(亨利),mH(毫亨), H(微亨),2,数码表示法:方法与电容器的表示方法相同.3,色码表示法:这种表示法也与电阻器的色标法相似,色码一般有四种颜色,前两种颜色为有效数字,第三种颜色为倍率,单位为H,第四种颜色是误差位.我们常见的是国产电感线圈,其型号由以下四部分组成:第一部分:主称,用字母表示(L为线圈,XL为阻流圈).第二部分:特征,用字母表示(G为高频).第三部分:型式,用字母表示(X为小型).第四部分:区别代号,用字母A,B,C……表示.1.3.2 电感线圈的分类电感线圈的种类很多,按其结构特点可分为单层线圈,多层线圈,蜂房线圈,带磁芯线圈及可变电感线圈等.下面分别介绍不同结构电感线圈的外形结构与特点.单层线圈单层线圈的电感量较小,约在几个微亨至几十微亨之间.单层线圈通常由高强度漆包铜线绕成,使用在高频电路中.为了提高线圈的Q值,单层线圈的骨架, 常使用介质损耗小的陶瓷和聚苯乙烯材料制作.线圈的绕制可采用密绕和间绕.间绕线圈每圈间都相距一定的距离,所以分布电容较小.当采用粗导线时,可获得高Q值和高稳定性. 但间绕线圈电感量不能做得很大,因而它可以使用在要求分布电容小,稳定性高,而电感量较小的场合.对于电感量大于H 15的线圈,可采用密绕.密绕线圈的体积较小,但它圈间电容较大, 且Q值不易作高.另外,对于有些要求稳定性较高的地方,还应用镀银的方法将银直接镀覆在膨胀系数很小的瓷质骨架表面,制成电感系数很小的高稳定型线圈.在高频大电流的条件下,为了减少集肤效应,线圈通常使用铜管绕制.多层线圈单层线圈的电感量小,如要获得较大值电感量时单层线圈已无法满足.因此,当电感量大于300 H时,就应采用多层线圈.多层线圈除了圈与圈之间具有电容之外,层与层之间也具有电容,因此使用多层线圈的分布电容大大增加.同时线圈层与层间的电压相差较多.但层间的绝缘问题较难处理.为此多层线圈常采用分段绕制,各段之间距离较大,以减少了线圈的电容和耐压问题.蜂房线圈多层线圈的缺点之一就是分布电容较大,采用蜂房绕制方法, 可以减少线圈的固有电容.所谓的蜂房式,就是将被绕制的导线以一定的偏转角(约19°～26°)在骨架上缠绕.通常缠绕是由自动或半自动的蜂房式绕线机进行的.对于电感量较大的线圈,可以采用两个, 三个以至多个蜂房线包将它们分段绕制.带磁芯的线圈线圈加装磁芯后,电感量增加.加装磁芯后还可以减小线圈的体积,减少损耗和分布电容.品质因数亦可做的提高.另外,调节磁芯在线圈中的位置,还可以改变电感量.1.3.3 电感线圈的主要参数(一)电感量电感量大小,跟电感线圈的圈线,截面积以及内部有没有铁芯或磁芯有很大关系.如果在其它条件相同的情况下,圈数越多,电感量就越大;圈数相同,其它条件不变,那么线圈的截面积越大,电感量就越大;同一个线圈,插入铁芯或磁芯后,电感量比空心时明显增大,而且插入的铁芯或磁苡质量越好,线圈的电感量就增加得越多.(二)品质因素品质因素是表示线圈质量的一个参数.它是指线圈在某一频率的交流电压下工作时,线圈所呈现的感抗和线圈电阻的比值,用公式表示为RLRfL2。

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rb751s40的命名方法在某种程度上也体现了其简洁和明了。

4. 个人观点和总结从个人角度来看，rb751s40的命名方法虽然可能会给初学者带来一定的困扰，但它所蕴含的丰富信息和直观性也使得我们能够更快速地理解和应用该元器件。

rb751s40所代表的整流器类型和特定型号也让它在市场上有着重要的地位，对于电子产业的发展也起到了至关重要的作用。

常用电器元件的命名及使用方法一、电阻电阻在电路中用R加数字表示

常用电器元件的命名及使用方法一、电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻。

电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。

1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。

换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×102Ω（即4.7K）； 104则表示100Kb、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色 / 10-2±10金色 / 10-1±5黑色 0 100 /棕色 1 101 ±1红色 2 102±2橙色 3 103 /黄色 4 104/绿色 5 105±0.5蓝色 6 106±0.2紫色 7 107±0.1灰色 8 108 /白色 9 109 +5至 -20无色 / / ±20二、电容1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。

电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。

电容的特性主要是隔直流通交流。

电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。

其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。

电气元件命名规则

一、互感器命名互感器的种类：油浸式电流互感器110kV及以上35-60kV27.5kV及以下浇注式电流互感器27.5kV及以上15-20kV10kV及以下发电机组用电流互感器发电机组用电流互感器发电机母线用电流互感器发电机母线用电流互感器GIS组合电器用电流互感器GIS组合电器用电流互感器干式电流互感器干式电流互感器油浸式电压互感器110kV及以上35-60kV27.5kV及以下浇注式电压互感器27.5kV及以上15-20kV10kV及以下组合式互感器组合式互感器零序电流互感器零序电流互感器电容式电压互感器电容式电压互感器SF6气体电流互感器SF6气体电流互感器互感器型号字母含义：LCZ-35QL 电流互感器Current transformerC 手车式Han dcart typeZ 浇注式Casti ng type35 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)Q 结构代号Structure codeLDZB6-10QL 电流互感器Current transformerD单匝式Z 浇注式Casti ng typeB 带保护级Wity protective class6 设计序号Desig n Number10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)Q 结构代号Structure codeLDJ2-10L 电流互感器Current transformerD带触头盒J 加强型Reinforced type6 设计序号Desig n Number10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)LFSQ-10QL 电流互感器Current transformerF 圭寸闭式Hermetical typeS 手车式Han dcart typeQ 加强型Rei nforced type10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) Q 结构代号Structure codeLMZJ1-0.5L:电流互感器；M母线式；乙树脂浇注；J :加大容量；1:设计序号；0.5 :额定电压500VLMZB7-10GYW1L 电流互感器Current transformerM 母线式Busbar typeZ 浇注式Casti ng typeB 带保护级Wity protective class7 设计序号Desig n Number10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV) GYW1 高原污秽Plateau DirtyLXK-© 120LX——电缆型K――开合式120——内径LZZJ-10L 电流互感器Current transformerZ支柱式Post typeZ 浇注式Casti ng typeJ 加强型Reinforced type10 额定电压(kV) Highest voltage for equipment(kV)LZZBJ9-10L电流互感器Z支柱式Z浇注式B带保护级J加强型10额定电压（kV）、电压互感器型号JDZ(X)-3,6,10J 电压互感器Voltage transformerD 单相Si ngle phaseZ 浇注式Casti ng typeX 带剩余电压绕组With residual voltage winding 3,6,10 电压等级(kV) Voltage class(kV)JDZ(X)10-3,6,10J 电压互感器Voltage transformerD 单相Si ngle phaseZ 浇注式Casti ng typeX 带剩余电压绕组With residual voltage winding10 设计序号Desig n Number3,6,10 电压等级(kV) Voltage class(kV)JDZF7-10GYW1J 电压互感器Voltage transformerD 单相Si ngle phaseZ 浇注式Casti ng typeF 带剩余电压绕组With residual voltage winding7 设计序号Desig n Number10 电压等级(kV) Voltage class(kV)GYW1 高原污秽Plateau DirtyJSZV-6RJ电压互感器S三相Z绕注式V V形接法6额定电压kVR带熔断器JDZXF14-6J电压互感器D单相X带剩余电压绕组F带三个二次绕组14设计序号6额定电压kVJSJV-10QJ电压互感器S三相J油式绝缘V “V'式接线10电压电压（kV）Q全工况JSZW-10J电压互感器S三相Z浇注式W五注铁心10电压电压（kV）LXK-© 120LX——电缆型K――开合式120——内径LZZBJ9-10L电流互感器Z支柱式Z浇注式B带保护级J加强型9设计序号10额定电压（kV）JSZV-6RJ电压互感器S三相Z绕注式V V形接法6额定电压KVR带熔断器JDZXF14-6J电压互感器D单相Z绕注式X带剩余电压绕组F带三个二次绕组14设计序号6额定电压KVJSJV-10QJ电压互感器S三相J油式绝缘V “V'式接线10电压电压（kV）Q全工况JSZW-10J电压互感器S三相Z浇注式W五注铁心10电压电压（kV）JDG-0.5 380/100VJ电压互感器D单相G干式JDZXF14-6J电压互感器D单相Z绕注式X带剩余电压绕组F带三个二次绕组14设计序号6额定电压kV数字标示：JDZX10-10C 10/ V 3/0.1/ V 3/0.1/3KV半绝缘电压互感器。