晶闸管器件的选型及其散热器的选择
电焊机用晶闸管模块的选择与应用
电焊机用晶闸管模块的选择与应用一概述电焊机在进行各种金属焊接时根据焊接工艺的不同对焊接时电弧的电压和电流有不同的要求因此需要各种不同特性的交流或直流电源例如在点凸峰焊电阻焊时需要调节焊接隔离变压器原边的电压大小相控调压或改变通过的周波数量属于晶闸管应用于交流调压在各种氩弧焊CO 2气体保护焊中需要的是直流电源或交直流方波电源交流应用时反并联的晶闸管串接在主回路中直流调压应用时晶闸管可以组成单三相全控或半控或双反星型电路改变晶闸管的导通角或控制晶闸管的开关时间即可达到调节焊接电压和电流的目的尤其是近几年来CO 2气体保护焊机发展比较迅速据报道发达国家这种焊机占到百分之六十或七十的比例我国该焊机所占比例很低也就百分之二十左右目前国内CO 2气体保护焊机有可控和不可控两种根据所用器件进行区分采用整流的即为不可控采用晶闸管整流的即为可控全国以成都广州及华东地区发展比较快所选用的器件大部分是螺栓式晶闸管或二极管占有的比例也很大其次是日本产的焊机专用整流模块二 电焊机晶闸管模块分类及应用电焊机中用的晶闸管模块按模块散热底板与电极是否绝缘可分为绝缘型和非绝缘型两种即俗称底板是否带电绝缘型的模块多用在交流焊机中如广泛应用于点焊电阻焊机中的晶闸管模块MTX 系列广泛应用于CO 2气体保护焊机WSM 普通焊机等MTG 系列模块各焊机应用晶闸管模块在下表中简述整机种类 使用模块常见主回路形式电路特点WS 可控 硅直流 氩弧焊机 MFG单相全波整流CO 2 气保 焊机MDGCO2 气保 焊机MTG双反星 并联 带平衡电抗器逆变 焊机 变频器 MDC MDQ MDS单相或三 相整流桥点焊机MTX MTC电子开关三CO 2焊机专用晶闸管MTG 模块模块内部电路图焊机专用MTG 模块特点简介MTG 模块是由三只共阳极晶闸管封装在一起的模块化结构组件模块内管芯参数针对焊机特点专门设计额定结温高通态压降低通流和过载能力强动态性能的一致性好耐疲劳性强免除螺栓式晶闸管装机前参数挑选和配对的难题提高工效焊机目前正朝模块化方向发展而且由于装配调试维修简单整机装置美观大方等优点能明显地提升焊机品位因此模块应用会越来越广泛适用焊机典型主回路形式适用于双反星并联带平衡电抗器电路焊机额定输出电流对模块的选择见下表焊机型号适用主回路焊机额定输出电流MTGMTGAA替代国外模块型号 200AMTG100A/800VMTG AA 60A/400V三社SanRexPWB60A三菱MITSUBISHITM60SZ -M TM60SA -6ZX5 WSM NBK 双反星并联带平衡电抗器250A 315AMTG150A/800VMTG AA 80A/400VSanRex PWB90AMITSUBISHITM100SZ-M TM90SA-6英达 PFT9003N350A400AMTG200A/800VMTG AA130A/400VSanRexPWB130AMITSUBISHITM130SZ-M英达PFT1303NMTG250A/800V MTG AA160A/400VMITSUBISHITM150SZ-M英达PFT1503N500A630A MTG300A/800VMTG AA200A/400VSanRexPWB200AAMITSUBISHITM200SZ-M英达PFT2003N注上表中MTG型为普通压降模块MTG AA为低电压低导通压降型模块焊机用模块电流和电压计算我公司MTG MTG AA焊机专用模块可以使用在很多不同型号规格的焊机中如ZX5普通焊机WSM直流氩弧焊机NBK CO2气体保护焊机这些焊机目前都采用流行的双反星并联带平衡电抗器主回路形式如下图双反星并联带平衡电抗器主回路该线路相当于正极性和反极性两组三相半波整流电路并联每只晶闸管的最大导通角为120º负载电流Id同时由两个晶闸管和两个变压器绕组供给每只管子承担1/6的Id任何瞬时正负极性组均有一支电路导通工作该线路提高了变压器利用率变压器磁路平衡不存在磁化的问题要求主变压器和平衡电抗器对称性好整流输出电压Ud=1.17U2cosa当负载电流小于额定值Id2~5%时流过平衡电抗器的电流太小达不到激磁所需的临界电流平衡电抗器失去作用其上的三角波形电压也就没有了此时该线路输出电压与三相半波电路一样该电压即为电焊机空载电压输出电压Ud=1.35U2cosa电阻R的作用是为电焊机在空载电压输出时提供可控硅导通的擎制电流因此擎制电流参数的大小或离散性对R的阻值有相当重要性实例1. 晶闸管耐压的选择VRRM V DRM已知条件空载电压100V额定输出电流630A暂载率60%根据公式Ud=1.35U2cosa 大电流时Ud=1.17U2cosa 对于双反星型并联电路其对晶闸管耐压要求均为6U2U2为变压器副边相电压根据Ud=1.35U2cosa 计算U2=100V/1.35=74V 考虑两倍余量V RRMV DRM =2 x 2.236 x 74V=331V.因此选择耐压400V 的晶闸管及模块即可2. 晶闸管额定电流的选择IT (AV)先计算变压器副边流过的相电流Ie由公式Ie=1/2 x 0.577 x Id(适用双反星型并联电路,因两极性组并联,所以公式中需乘以1/2)对于630A 输出电流Id=630A所以Ie =1/2 x 0.577 x 630A=182A此值为交流有效值需折算为平均值计算流过的晶闸管额定电流IT(AV)I T =Ie /1.57=182 A /1.57=116A考虑选型需按1.5-2.0倍留一定的余量,按2.0倍计算I T(AV) = (1.5-2.0) I T =116A x (1.5-2.0)=174A-232A显然通过以上的计算对于采用双反星型并联电路的ZX5-630NBK-630WSM-630焊机应选择MTG200-300A/800V 或MTG(AA)130-200A/400V 的模块最好选MTG250--300A/800V 或MTG(AA)160-200A/400V 的模块. 当然焊机可靠长期正常工作除了与模块正确选型有关外与以下因素还有一定的关系焊机暂载率即额定负荷工作持续率FS根据焊机行业标准此类焊机暂载率一般为35%60%100%其定义如下暂载率FS=负载满负荷持续运行时间t/[负载满负荷持续运行时间+休止时间] x 100% = t/Tx 100%上式中T 为焊机的工作周期它是负荷持续运行和休止时间之和我国焊机行业规定手工氩弧焊时T 为5分钟自动氩弧焊时T 为10分钟即工作6分钟休息4分钟散热条件以上计算均是在假设散热条件足够的情况下考虑的如果散热条件发生变化对模块的选型要求可适当增大或减小其它线路焊机对模块的选型对于使用在三相半控全桥整流线路中的模块MTY MDG如下图对器件通流能力要求更高同等输出电流的情况下该线路中的器件通过的电流是双反星并联线路中的两倍但对耐压的要求低一倍实例已知条件Id=630A;空载电压:100V1器件耐压VRRMV DRM的计算由公式Ud=2.34U2Cosa,可以计算出变压器副边相电压U2=100V/2.34=43V;考虑两倍的选择余量后V RRMV DRM =2 x 6x U2=2 x 2.236 x 43V=191V因此选择耐压200V-300V 的器件足够2器件额定电流I TAV的计算由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联, 根据公式Ie=0.577 x Id ; 可以计算出变压器副边相电流:Ie=0.577 x Id=0.577 x 630A=364A(此值为交流有效值) 折算为平均值I TAV= Ie/1.57=364A/1.57=232A考虑选型需按1.5-2.0倍留一定的余量,按2.0倍计算I T(AV) = (1.5-2) I T =232A(1.5-2)=348A-462A显然,目前没有如此大电流的模块,应建议客户采用400-500A 的平板式可控硅为宜以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍但通流能力要求大两倍四使用模块产品注意事项电力半导体模块属于温度敏感性器件使用时必须安装于散热器上安装前首先用酒精将模块底板和散热器表面擦拭干净,待自然干燥后在模块底板上均匀涂上采用滚柱来回滚动涂抹导热硅脂导热硅脂刚好能够覆盖整个底板和散热器安装之后可从散热器上取下模块检查模块底板整个区域是否完全沾润手册中额定电流[I T (A V )I F (A V )]是在规定散热器强通风冷(风速6m/s)和额定壳温Tc 和纯阻性负载下得出的若使用条件发生变化(如感性负载)额定电流就会下降散热器与模块接触面应平整散热器的平面度≤ 0.03mm12mil,确保良好的热传导电极与铜排连接时必须拧紧螺丝并按下图方法将模块紧固于散热器上紧固力矩按手册中要求执行否则接触热阻变大热量向管芯传递采用自然风冷散热时散热器应垂直放置以利于热量的循环对模块额定电流和散热器长度的选择相对于强制风冷情况下模块额定电流和散热器长度都增加一倍为宜为确保使用时模块的结温不超过额定结温Tjm建议采用温度保护措施。
晶闸管、整流管分立器件所用散热器的选配
功率半导体元件在工作时,自身必然要产生热损耗。
选配合适的散热器,是元件可靠工作的重要条件之一。
(一) 概念:1. 元件额定工作结温Tjm:即元件允许的最高工作温度极限。
本参数由制造厂提供,或产品标准强制给出要求。
2. 元件的损耗功率P:元件在工作时自身产生的平均稳态功率消耗,定义为平均有效值输出电流与平均有效值电压降的乘积。
3. 耗散功率Q:特定散热结构的散热能力。
4. 热阻R:热量在媒质之间传递时单位功耗所产生的温升。
R=△T/Q(二) 散热器的选配:设环境温度为Ta 。
散热器配置的目的,是必须保证它能将元件的热损耗有效地传导至周围环境,并使其热源(即结点)的温度不超过Tjm 。
用公式表示为 P而热阻又主要由三部分组成:R=Rjc+Rcs+Rsa …….②其中:Rjc—结点至管壳的热阻,与元件的工艺水平和结构有很大关系,由制造厂给出;Rcs—管壳至散热器的热阻,与管壳和散热器之间的填隙介质(通常为空气)、接触面的粗糙度、平面度以及安装的压力等密切相关。
介质的导热性能越好或者接触越紧密,则Rcs越小。
瑞田达公司的散热器安装,一般Rcs≈(0.1~0.2)RjcRsa—散热器至空气的热阻,它是散热器选择的重要参数,与材质、材料的形状和表面积、体积以及散热介质(如水、空气)流速等参数有关。
综合.①和②,可得 Rsa<[(Tjm-Ta)/P]- Rjc-Rcs …….③上式③即散热器选配的基本原则。
一般散热器厂商应提供特定散热器材料的形状参数和热阻特性曲线,据此设计人员可计算出所需散热器的表面积、长度、重量,并进一步求得散热器的热阻值Rsa 。
选用标准散热器时,可根据③式计算出的值选取合适的散热器。
螺栓型器件的散热器见特性参数表中推荐的散热器。
平板型元件,必须选择SS水冷系列和SF风冷系列散热器,它们的Rsa(三) 注意事项上面的理论分析是一个普遍原则,在实际设计中应留出足够余量。
另外,散热器表面向空气的热辐射,也是一种热耗散方式。
半导体模块散热器选择及使用原则
半导体模块散热器选择及使用原则半导体模块散热器选择及使用原则一、金旗舰散热器选择的基本原则1,散热器选择的基本依据IGBT散热器选择要综合根据器件的耗散功率、器件结壳热阻、接触热阻以及冷却介质温度来考虑。
2,器件与散热器紧固力的要求要使器件与散热器组装后有良好的热接触,必须具有合适的安装力或安装力矩,其值由器件制造厂或器件标准给出,组装时应严格遵守不要超出规定的范围。
3,散热器的额定冷却条件自冷散热器:环境温度最好不高于40℃,安装时散热器翼片要垂直布置,上下端面不能有阻挡,以便散热器周围有良好的空气自然对流的环境和通道。
风冷散热器:进口空气温度控制在40℃以下,进口端风速最好达到6米/秒。
水冷散热器:进口水温不高于35℃。
水流量要根据散热总热量需要和进出水设计温差决定。
4,选用散热器的综合考虑选用散热器应综合考虑散热器的散热能力范围、冷却方式、技术参数和结构特点,一种器件仅从技术参数看,可能有两、三种散热器均能满足要求,但应结合冷却、安装、通用互换和经济性综合考虑选取。
二、选用散热器的一般方法用户对散热器的选取应根据器件工作时的实际冷却条件,稳、瞬态负载情况,适当考虑安全系数,按稳态不超过器件最高工作结温来考虑。
1,根据器件在电路中工作的电流波形和导通角,确定器件工作时的的平均电流IAV,由IAV计算出该电流的有效值IRMS IRMS = F·I AV F为波形系数。
2,由IRMS 或180°导通角时IAV ,并结合器件浪涌电流,确定器件型号。
IAV =IRMS/1.57。
3,由所选器件的最大允许管壳温度Tc与主电流IAV的关系曲线,查得器件在工作点IAV 所对应的Tc值。
或根据所选器件的有关参数按如下方法计算出Tc值。
Tc = Tjm - Rjc·PAVTjm为器件的最大允许最高工资结温,普通整流管为150℃,普通晶闸管为125℃,快速晶闸管为115℃Rjc为器件的结壳热阻。
浅析晶闸管参数选择
浅析晶闸管参数选择
晶闸管参数选择是指在设计电路时,根据电路的特点和需要,选择合适的晶闸管参数,以使电路获得最佳的性能和可靠性。
晶闸管有许多参数,如电压能力、电流能力、最大绝缘电压、最大耗散功率、导通压降、反向漏电流等。
以下为一些重要的晶闸管参数选择的浅析:
1. 电压能力:选择晶闸管时必须要考虑到待控制电路的最大电压。
一般情况下,在
选择晶闸管时,该器件的电压等级应至少比待控制电路的最大电压高20%。
3. 最大绝缘电压:即晶闸管的绝缘电阻和最大反向电压。
在选择晶闸管时,必须考
虑到晶闸管在电路中的位置和被控制的电源,以及周围环境的情况,选择符合实际情况要
求的最大绝缘电压。
4. 最大耗散功率:晶闸管在控制电路中需要释放大量的功率,因此最大耗散功率是
非常重要的参数。
在实际选择中,应根据待控制电路中的功率和晶闸管的特性来决定选用
的晶闸管的最大耗散功率。
5. 导通压降:选择晶闸管时,也要考虑到其导通压降的参数。
导通压降一般是晶闸
管的额定值,不能超过这个额定值,否则将会造成电路的不稳定和不可靠。
6. 反向漏电流:晶闸管的反向漏电流表示器件的导通状态下,带反向电压时的电流
大小,这一参数应该越小越好。
如果反向漏电流较大,会影响晶闸管的稳定性,导致电路
故障。
晶闸管散热器技术要求
快速熔断器1.采用自冷式快速熔断器。
2.额定电压 380V;额定电流1600A。
3.冷态电阻<=0.033mΩ±10%4.与铜排接触面为边长74mm的正方形,孔为M10X9,2孔距为30mm,其接触面铜镀纯银厚度大于50um。
5.壳温升<=65oC,最大允许发热温度>120OC.6.符合低压熔断器国家标准GB13539.1-20087.使用环境温度:-5OC----+60OC.晶闸管及散热器的技术要求(一)、晶闸管技术要求采用烧结型(Alloying type)普通晶闸管,其技术参数如下:通态平均电流IT(A V)>=2000A; 断态重复峰值电压VDRM/反向重复峰值电压 VRRM>=1600V; 断态重复峰值漏电流IDRM/反向重复峰值漏电流IRRM<=9/6mA; 门极触发电流IGT=60—80MA,配对2个晶闸管ΔIGT<=10mA;门极触发电压VGT=1.08V--1.2V; 维持电流IH=50—60mA; 通态电压上升率dv/dt<=1000v/us ; 通态电流上升率di/dt<=200A/us;通态涌浪电流ITSM<=45KA;通态峰值电压VTM/通态峰值电流ITM<=1.45v/3000A;通态门槛电压VTO<=0.91V;通态斜率电阻rT<=0.12mΩ;最高(等效)结温TVJM<=125ΟC;结壳热阻RTHJC<=0.0125kw;接触热阻RTHCH<=0.004KW;安装力F=45KN(根据晶闸管情况而定)。
(二)、散热器技术要求1.外观表面1.1 散热体表面应无缩孔、锈蚀、裂纹等缺陷。
1.2 平板形散热器的金属紧固件(压板、压盖、蝶形弹簧)、水冷散热体和螺栓形散热器的导电片应加镀层保护。
1.3 散热体台面的表面粗糙度Rα最大允许值为1.6μm。
1.4 散热体台面的平面度不低于9级。
晶闸管选型资料
0.64 ≤200 ≤3.0 (分档)
SZ13 SZ15 SZ16
1.2 ≤200 ≤3.5
SZ17
2.5 ≤200 ≤3.5
3.5 ≤250 ≤3.5
SZ12
KP300 300
KP300 (螺 栓)
300
KP500 500
KP800 800
KP1000 1000
KP1600 1600
KP2000 2000
外形 及安装 尺寸 见图 及表
电源电器系列
5A-20 A
20A -5 00 A
螺栓 式外形尺寸
规格
d
D
L
h
5A
M6
14
27
10
10A
M8
19
40
12
20A
M10
19
40
12
20 A带线
M10
24
170
12
30A
M12
28
180
15
50A
M12
32
190
15
100A
M16
32
200
15
200A
M20
42
ΦD
KP 200
48
48
KP 300
52
52
65
KP 500
65
KP 800
70
KP1 000
75
KP1 200
80
KP1 500
85
KP2 000
98
KP3 000
110
KP4 000
110
ΦD1 25 25 29 32 42 42.5 47 50 57 62.5 63 73 73
器件的发热及散热器的选择
器件的发热及散热器的选择许多客户常常询问某一型号的固体继电器或模块要配什么型号的散热器,其实两者之间并没有完全一致的对应关系,因为固体继电器或模块的发热量主要跟所驱动的负载的实际电流有关,而与其本身的电流等级大小关系不大。
发热量的计算公式(两种):1:发热量=实际负载电流(安培)×1.5瓦/安培以上公式适合于单相固体继电器、单相交流调压模块、R系列固体调压器,而对三相固体继电器、三相交流调压模块,其实际负载电流应为三相实际负载电流之和。
2:发热量=实际负载电流(安培)×3.0瓦/安培。
以上公式适合于单相全控整流模块。
散热器的作用就是把固体继电器或模块产生的热量散发出去,但实际上(考虑到价格因素时)选择散热器的大小很难用一句话就能确定,因为散热效果不但跟散热器的大小有关,还跟环境温度(季节)、通风条件(自然冷却或强迫冷却及风量大小)以及安装密度等因素均有关。
散热效果的参考标准:使固体继电器或模块的底板(与散热器接触面)温度不得超过80℃。
因此实际应用中可在散热器安装面靠近固体继电器或模块的边缘处(20mm以内)安装一只75℃的温度开关(带一对常闭触点),把固体继电器或模块的控制信号串入这对常闭触点,这样当检测点温度超过75℃时,常闭触点跳开,切断控制信号,强迫关闭固体继电器或模块的输出,使其得到保护。
一般在每相实际电流超过50A、安装密度大、环境温度高的地方,最好采用温度开关保护。
选用散热器除考虑上述因素外,还要考虑固体继电器或模块本身体积与散热器能否相配,以及散热器在机柜中的安装空间。
但最终要保证即使在最恶劣情况下固体继电器或模块的底板温度也不得超过80℃。
本公司生产的产品规格繁多,许多客户对我公司原有的B、C、D系列散热器感到设计不够合理,安装不便,从2003年6月起我公司新设E、F、G系列散热器取代原有的B、C、D系列。
E、F、G系列是我公司自己设计,特点是散热设计合理,安装方便,规格品种齐全,加上原有的A系列,即A、E、F、G四大系列23种规格散热器可适合我公司所有的固体继电器和模块的散热。
散热器如何选型及计算
散热器如何选型及计算散热器是用来散热的设备,广泛应用于电子设备、机械设备、汽车等各个行业。
选型和计算散热器的主要目的是确保设备能够良好地散热,避免过热导致设备故障或者损坏。
以下是关于散热器选型和计算的详细内容。
一、散热器选型:1.确定散热器类型:根据具体的应用场景和要求,选择合适的散热器类型,如散热片、风冷散热器、水冷散热器等。
2.计算散热器尺寸:根据散热器所能承载的功率和散热区域的限制,计算散热器的尺寸,包括长度、宽度和高度等。
3.确定散热器材质:根据具体的散热要求和环境条件,选择合适的散热器材质,如铜、铝、不锈钢等。
4.确定散热器安装方式:根据散热器的应用场景和要求,确定散热器的安装方式,如板式安装、贴片安装等。
5.考虑附件需求:根据具体的应用场景和要求,考虑是否需要配备散热风扇、水泵等附件,以提高散热效果。
二、散热器计算:1.确定散热功率:根据设备的功率消耗和工作条件,计算散热器所需的散热功率。
常用公式为:散热功率=(设备最高工作温度-设备环境温度)/散热器散热系数。
2.计算散热面积:根据散热功率和材料的导热性能,计算散热器所需的散热面积。
常用公式为:散热面积=散热功率/(材料导热系数×温度差)。
3.确定散热器尺寸:根据散热面积和散热器的设计限制,计算散热器的尺寸。
通常,散热器的表面积越大,散热效果越好。
4.选择散热器材料和结构:根据散热功率和散热器尺寸,选择合适的散热器材料和结构。
铜和铝是常用的散热材料,具有良好的导热性能。
5.考虑散热风扇或水泵:根据散热要求和工作条件,选择合适的散热风扇或水泵。
风扇的选择要考虑空气流量和风压,水泵的选择要考虑水流量和扬程。
晶闸管基础知识一
晶闸管基础知识一可控硅是硅可控整流元件的简称,亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
二、可控硅的用途可控硅被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
三、可控硅的优点可控硅具有耐压高、容量大、效率高、可控制等优点。
四、可控硅的分类按其工作特性,可控硅(THYRISTOR)可分为普通可控硅(SCR)即单向可控硅、双向可控硅(TRIAC)和其它特殊可控硅。
五、主要参数可控硅的主要参数:1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。
常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。
常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
3 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。
常用可控硅的IGT一般为几十微安到几十毫安。
六、封装形式常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
七、主要厂家主要厂家:ST、PHILIPS 、MOTOROLA、NEC、MITSUBISHI、TOSHIBA、TECCOR、SANKEN 等。
§1.整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。
电力电子晶闸管参数选择
电力电子晶闸管参数选择电力电子晶闸管是一种可以控制电流的半导体器件,是电力电子技术中必不可少的核心组件之一。
在使用电力电子晶闸管时,正确的参数选择是至关重要的。
本文将介绍电力电子晶闸管的常用参数及其选择方法。
一、电力电子晶闸管常用参数1.承受电压:晶闸管所能承受的最大电压。
2.承受电流(额定电流):晶闸管所能承受的最大电流。
3.阈值电流:晶闸管开启所需的最小触发电流。
4.保持电流:晶闸管开启后,在门控电压为零时,需要在其下流经保持电流的条件下才能保持通态。
5.反向电流:晶闸管关闭时的反向电流。
6.延迟角:晶闸管在被触发后到通电的时间。
7.触发电压:晶闸管开启所需的门控电压。
二、选择电力电子晶闸管的参数1.根据负载电流选择:在选择晶闸管时,需要考虑所需控制的负载电流。
根据负载电流来选择承受电压和承受电流(额定电流)。
2.根据负载特性选择:在选择晶闸管时,需要考虑负载的性质,比如负载的耐压及电阻等。
如果负载是低电阻的,应选择容量更大的晶闸管。
3.根据负载工况选择:在选择晶闸管时,需要考虑负载的实际工作情况,比如初始电流、升压和降压等。
4.根据触发器电压选择:在选择晶闸管时,需要考虑所用触发电路的电压。
选择门控电压相对低的晶闸管,可以更容易地触发。
5.根据环境温度选择:在选择晶闸管时,需要考虑环境温度对其特性参数的影响。
通常情况下,晶闸管的性能参数都会随着环境温度的升高而发生改变。
三、注意事项1.正确选择晶闸管的参数:不同的应用要求不同的晶闸管参数。
只有正确地选择晶闸管的参数,才能实现最佳电路性能。
2.检查电路:在实际的应用中,应当检查电路是否符合设计要求,以确保晶闸管的安全使用和可靠性。
3.合理布局散热器:晶闸管在使用过程中会发热,如果散热不好,则会损坏晶闸管。
因此,在使用过程中需要合理安装散热器,保持晶闸管的正常工作温度。
4.应根据需求选择适合的触发电路:根据不同需求和应用场景选择适当的触发电路具有重要意义。
晶闸管参数应该如何选择
嘿儿哈 2015/07/09 文章来自网络转载晶闸管也就是可控硅,国外简称为SCR元件,是硅整流装置中最主要的器件,它的参数选择是否合理直接影响着设备运动性能。
合理地选用可控硅可提高运行的可靠性和使用寿命,保证生产和降低设备检修成本费用。
在一般情况下,装置生产厂图纸提供的可控硅的参数最主要两项:即额定电流(A)和额定电压(V),使用部门提出的器件参数要求也只是这两项,在变频装置上的快速或中频可控硅多一个换向关断时间(tg)参数,在一般情况下也是可以的。
但是从提高设备运行性能和使用寿命的角度出发,我们在选用可控硅器件时可根据设备的特点对可控硅的某一些参数也作一些挑选。
根据可控硅的静态特性,对可控硅器件参数的选择提出如下几点讨论。
1 选择正反向电压可控硅在门极无信号,控制电流Ig为0时,在阳(A)一一阴(K)极之间加(J2)处于反向偏置,所以,器件呈高阻抗状态,称为正向阻断状态,若增大UAK而达到一定值VBO,可控硅由阻断突然转为导通,这个VBO值称为正向转折电压,这种导通是非正常导通,会减短器件的寿命。
所以必须选择足够正向重复阻断峰值电压(VDRM)。
在阳一一阴极之间加上反向电压时,器件的第一和第三PN结(J1和J3)处于反向偏置,呈阻断状态。
当加大反向电压达到一定值VRB时可控硅的反向从阻断突然转变为导通状态,此时是反向击穿,器件会被损坏。
而且V BO和V RB值随电压的重复施加而变小。
在感性负载的情况下,如磁选设备的整流装置。
在关断的时候会产生很高的电压( ∈=-Ldi/dt),如果电路上未有良好的吸收回路,此电压将会损坏可控硅器件。
因此,器件也必须有足够的反向耐压VRRM。
可控硅在变流器(如电机车)中工作时,必须能够以电源频率重复地经受一定的过电压而不影响其工作,所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上,考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素,在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。
晶闸管的选用经验
晶闸管的选用经验
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1.选择晶闸管的类型晶闸管有多种类型,应依照顾用电路的具体要求合理选用。
若用于交直流电压操纵、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源爱护电路等,可选用一般晶闸管。
若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。
若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。
若用于锯齿波生发器、长时刻延时器、过电压爱护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。
若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。
若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。
2.选择晶闸管的要紧参数晶闸管的要紧参数应依照顾用电路的具体要求而定。
所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流1.5~2倍。
晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的操纵电路)的各顶要求,不能偏高或偏低,否则会阻碍晶闸管的正常工作。
三相晶闸管选择方法
三相晶闸管选择方法
在选择三相晶闸管时,需要考虑以下几个关键因素:
1. 额定电压:选择额定电压大于或等于实际应用中可能出现的最高电压的晶闸管。
2. 额定电流:选择额定电流大于或等于实际应用中可能出现的最大电流的晶闸管。
3. 开关速度:根据实际应用中对晶闸管开关速度的要求进行选择。
4. 热性能:考虑晶闸管在工作时的散热性能,选择具有良好热性能的产品。
5. 触发灵敏度:选择具有合适触发灵敏度的晶闸管,以确保其触发稳定可靠。
6. 品牌和质量:选择知名品牌的晶闸管,并考虑其售后服务和技术支持等方面。
此外,根据实际应用场景,可能还需要考虑其他因素,如晶闸管的封装形式、耐久性、可靠性等。
在选择三相晶闸管时,建议参考制造商提供的技术规格书和使用指南,以确保选择适合应用的晶闸管。
晶闸管选用方法
晶闸管选用方法
晶闸管是一种电子元器件,它广泛应用于电力电子控制领域。
晶闸管的选用方法非常重要,直接影响设备的性能和可靠性。
以下是一些晶闸管选用方法的建议:
1. 根据电路的功率和电压要求选择晶闸管的额定电压和电流。
晶闸管的额定电压和电流必须能够满足电路的要求,否则会引起设备故障或损坏。
2. 考虑晶闸管的开关速度。
晶闸管的开关速度越快,设备的效率和响应速度就越高。
但是,开关速度过快也会增加设备的噪声和EMI(电磁干扰)。
3. 考虑晶闸管的耐压和耐电流能力。
晶闸管的耐压和耐电流能力越高,设备的可靠性就越高。
4. 考虑晶闸管的温度容限。
晶闸管的温度容限必须能够适应设备的工作环境和负载要求,否则会引起设备故障。
5. 考虑晶闸管的价格和可获得性。
晶闸管的价格和可获得性必须符合设备的预算和生产计划。
综上所述,晶闸管的选用方法需要综合考虑电路要求、开关速度、耐压和耐电流能力、温度容限、价格和可获得性等因素,才能选出最适合设备的晶闸管。
- 1 -。
晶闸管的选取
1:相关定义说明晶闸管在环境温度为40(C和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
使用时应按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管,正弦半波电流平均值IT (AV)、电流有效值IT 和电流最大值Im三者的关系为:各种有直流分量的电流波形,其电流波形的有效值I与平均值Id之比,称为这个电流的波形系数,用K f 表示。
因此,在正弦半波情况下电流波形系数为:所以,晶闸管在流过任意波形电流并考虑了安全裕量情况下的额定电流IT(AV) 的计算公式为:在使用中还应注意,当晶闸管散热条件不满足规定要求时,则元件的额定电流应立即降低使用,否则元件会由于结温超过允许值而损坏。
2.原则说明:a:满负载下,电流波形连续,也就是单管导通120度b:系统是稳定工作下,电容的平均电流为0,所以整流后的平均电流与负载产生关系。
假设最恶劣工作条件为最低电压下,负载为额定负载2倍。
故处理是理想下的近似处理c:波形系数计算如下(即在实际波形下计算通态平均电流和有效值的比值关系)Id=I1=所以有:23.首先计算负载的平均电流值,然后得到通过每个整流管的平均值,由比值系数得到相应的有效值,这个有效值可以等效成为晶闸管的有效值。
再由定义的比值系数得到额定电流值详细见下列列表考虑方面1. 采用压接的工艺,对称的2. 结构:周期的负载承受能力和过载能力。
采用模块(单面冷却,绝缘电压限制,能量大的处理能力差,易安装。
片状(双面冷却,无绝缘电压限制。
能量大,但是需要外接安装处理3. 电特性暂时忽略的量(漏电流,Vd,Vbo,Vbo(o),Ih,Il)首要考虑的量(VDRM,VDSM)如果瞬态电压未知,则应该选却的比例为2.0-2.5倍故(380V---380*1.1*1.414*(2.0-2.5)=1182-1477(690---690*1.1*1.414*(2.0-2.5)=2146-2681其次通态平均电流能力(过载能力-1.5-2)a. 功率负载等同直流计算----KW/UDC120 690*1.2 276 92 2.0 260 1.577 117 128-170157 690*1.2 361 120 2.0 340 1.577 152 165-220179 690*1.2 411 137 2.0 388 1.577 174 189-251 (22KW-54-77),考虑到效率问题,22KW效率更高些,所以选择在合理范围内4,管子选取4. 如果按照电机软启动器的设计依据则有三相电机每相额定电流有效值是电机额定功率的2倍,也就是说如果一个55KW的电机,那么其每相额定电流的有效值是110A,考虑到余量,所以为220A,所以通态的平均电流为220/1.577=139A,如果还应用与电机节能经济运行,还要将对应的电流值扩大一倍。
晶闸管应用指南
晶闸管(可控硅)应用指南技术部一. 参数说明1. 参数表中所给出的数据,I TSM 、I 2t 、dv/dt 、di/dt 指的是元件所能满足的最小值, Q r 、V TM 、V TO 、r T 指元件可满足(不超过)的最大值。
2. 通态平均电流额定值I TAV (I FAV )I TAV (I FAV )指在双面冷却条件下,保证散热器温度55℃时,允许元件流过的最大正弦半波电流平均值。
I TAV (I FAV )对应元件额定有效值I RMS =1.57 I TAV 。
实际使用中,若不能保证散热器温度低于55℃或散热器与元件接触热阻远大于规定值,则元件应降额使用。
3. 晶闸管通态电流上升率di/dt参数表中所给的为元件通态电流上升率的临界重复值。
其对应不重复测试值为重复值的2倍以上,在使用过程中,必须保证元件导通期任何时候的电流上升率都不能超过其重复值。
4. 晶闸管使用频率晶闸管可工作的最大频率由其工作时的电流脉冲宽度t p ,关断时间t q 以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间t V 决定。
f max =1/(t q +t p +t V )。
根据工作频率选取元件时必须保证元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔t H >t q ,并留有一定的裕量。
随着工作频率的升高,元件正向损耗E pf 和反向恢复损耗E pr 随之升高,元件通态电流须降额使用。
二. 元件的选择正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对保证整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。
元件的选择要综合考虑其使用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素,在保证所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。
由于电力电子器件的应用领域十分广泛,具体应用形式多种多样,下面仅就晶闸管元件在整流电路和单项中频逆变电路中的选择加以说明。
1. 整流电路器件选择工频整流是晶闸管元件最常用的领域之一。
元件选用主要考虑其额定电压和额定电流。
功率器件的散热计算及散热器选择详细说明
功率器件的散热计算及散热器选择H e a t D i s p e r s i o n C a l c u l a t i o n F o r P o w e r D e v i c e s a n d R a d i a t o r s S e l e c t i o n功率管的散热基础理论功率管是电路中最容易受到损坏的器件.损坏的大部分原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值.那么它的额定功耗值是怎样确定的,还有没有潜力可挖呢?让我们来分析一下.晶体管耗散功率的大小取决于管子内部结温Tj. 当Tj 超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧毁.硅管允许结温一般是125~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出).耗散功率是指在一定条件下使结温不超过最大允许值时的电流与电压乘积.管子消耗的功率越大,结温越高.要保证结温不超过允许值,就必须将产生热散发出去.散热条件越好,则对应于相同结温允许的管耗越大,输出也就越大.因此功率管的散热问题是至关重要的.热阻为了描述器件的散热情况,引入热阻的概念.电流流过电阻R ,电阻消耗功率RI 2[W](每秒RI 2焦耳能量),导致电阻温度上升。
用隔热材料覆盖电阻,电阻产生的热量不能散发时,则电阻温度随着时间增加而上升,直至电阻烧坏。
一般而言,二物体间的温差越大,温度高的物体向低的物体移动量增多。
某电阻置于空气中(如图6.33所示),由于流过电流向电阻提供功率,这功率变为热能。
在使电阻温度生高的同时,部分热能散发于空气中。
开始有电流流过电阻时,电阻温度不高,因此散发的热也小,电阻温度逐渐上升,散发的热量也上升与用电阻表示对电流的阻力类似.热阻表示热传输时所受的阻力.即由U1-U2=I ×R 可有类似的关系T1-T2=P ×R T (1-1)其中T1-T2为两点温度之差,P 为传输的热功率,R T 是传输单位功率时温度变化度数,单位是℃/W.RT 越大表明相同温差下散发的热能越小.于是结温Tj,环境温度Ta,管耗PCM 及管子的等效热阻R T 之间有以下的关系 Tj-Ta=P CM ×RT (1-2)若环境温度一定(常以25℃为基准), Tj 已定,则管子等效热阻越小,管耗P CM 就越可以提高.下面我们来看看管子的散热途径及等效热阻的情况.以晶体管为例.图1-1(a)是晶体管散热的示意图.从管芯(J-Junction)到环境(A-Ambient)之间有几条散热途径: 管芯(J)到外壳(C-Case),通过外壳直接向环境(A)散热;或通过散热器(S)(中间有界面)向环境散热.不同的管芯(指材料、工艺不同)本身的散热情况不同,或者说热阻不同.外壳、散热器等的热阻也各不相同.我们可用一个等效电路来模拟这个散热情况,如图1-1(b)所示.散发的热能Pc 表示为电流的形式;两点的温度分别为结温Tj,和环境温度Ta;结到外壳的热租用Rjc 表示,外壳到环境用Rca 表示,外壳到散热器用Rcs 表示,散热器到环境用Rsa 表示,加散热器后有两条并存的散热途径.图1-1 晶体管散热情况分析(a)晶体管散热示意图 (b)散热等效电路对于小功率管,一般不用散热器,则管子的等效热阻为R T = Rjc+ Rca (1-3)而大功率管加散热器后,一般总有Rcs+ Rsa<<Rca,则R T ≈ Rjc+ Rcs+ Rsa (1-4) 不同的管子Rjc 不同,比如MJ21195的Rjc=0.7℃/W,而MJE15034的Rjc=2.5℃/W. Rca 与管壳的材料和几何尺寸有关. Rsa 与散热器的材料(铝、铜等)及散热面积等有关.并且发现将它垂直放置比水平放置散热效果好,表面钝化涂黑又可改进热外壳C 散热器S (a)Pc (b) 易腾科技有限公司w w w s r p .c o mRcs 是管壳与散热器界面的热阻.可分为接触热阻和绝缘层热阻.接触热阻取决于接触面的情况,如面积大小、压紧程度等.若在界面涂导热性能较好的硅脂可减少热阻.当需要与散热器绝缘时(如利用外壳、底座进行散热的情况),垫入绝缘层也会形成热阻.绝缘层可以是0.05~0.1mm 厚的云母片或采用阳极氧化法在表面形成的绝缘层.若已知管子的总热阻为R T ,则在环境温度为T A 时允许的最大耗散功率可由式(1-2)得出.在产品手册上给出的管耗只在指定散热器(材料、尺寸一定)及一定环境温度下的最大允许值.若散热条件发生变化,则允许的管耗也应随之改变.对于其它类型的器件(包括集成功放等),耗散功率和散热的关系均与此类似.因此在使用中必须注意环境温度及合适的散热器(同时要注意器件与散热器的压紧情况等),才能获得所需的功率.图1-2 铝散热板的热阻实际产品设计的散热计算目前的电子产品主要采用贴片式封装器件,但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装,这主要是可方便地安装在散热器上,便于散热。
晶闸管散热器技术要求
快速熔断器1.采用自冷式快速熔断器。
2.额定电压 380V;额定电流1600A。
3.冷态电阻<=0.033mΩ±10%4.与铜排接触面为边长74mm的正方形,孔为M10X9,2孔距为30mm,其接触面铜镀纯银厚度大于50um。
5.壳温升<=65oC,最大允许发热温度>120OC.6.符合低压熔断器国家标准GB13539.1-20087.使用环境温度:-5OC----+60OC.晶闸管及散热器的技术要求(一)、晶闸管技术要求采用烧结型(Alloying type)普通晶闸管,其技术参数如下:通态平均电流IT(A V)>=2000A; 断态重复峰值电压VDRM/反向重复峰值电压 VRRM>=1600V; 断态重复峰值漏电流IDRM/反向重复峰值漏电流IRRM<=9/6mA; 门极触发电流IGT=60—80MA,配对2个晶闸管ΔIGT<=10mA;门极触发电压VGT=1.08V--1.2V; 维持电流IH=50—60mA; 通态电压上升率dv/dt<=1000v/us ; 通态电流上升率di/dt<=200A/us;通态涌浪电流ITSM<=45KA;通态峰值电压VTM/通态峰值电流ITM<=1.45v/3000A;通态门槛电压VTO<=0.91V;通态斜率电阻rT<=0.12mΩ;最高(等效)结温TVJM<=125ΟC;结壳热阻RTHJC<=0.0125kw;接触热阻RTHCH<=0.004KW;安装力F=45KN(根据晶闸管情况而定)。
(二)、散热器技术要求1.外观表面1.1 散热体表面应无缩孔、锈蚀、裂纹等缺陷。
1.2 平板形散热器的金属紧固件(压板、压盖、蝶形弹簧)、水冷散热体和螺栓形散热器的导电片应加镀层保护。
1.3 散热体台面的表面粗糙度Rα最大允许值为1.6μm。
1.4 散热体台面的平面度不低于9级。
浅析晶闸管参数选择
浅析晶闸管参数选择晶闸管是一种常用的电子器件,它具有可控开关和放大功率的特性,被广泛应用于电力系统、变频调速、电磁加热等领域。
在选择晶闸管参数时,需要考虑很多因素,包括控制电压、最大正向电流、最大反向电压、导通压降、关断时间等。
本文将浅析晶闸管参数选择的基本原则和注意事项。
一、控制电压控制电压是指晶闸管的触发电压,也称为开启电压。
一般来说,控制电压越低,晶闸管的触发灵敏度越高,对外部触发脉冲的抗干扰能力也越强。
在选择晶闸管参数时,需要根据具体的控制电压要求进行选择。
二、最大正向电流和最大反向电压最大正向电流和最大反向电压是晶闸管的两个重要参数,它们决定了晶闸管能够承受的最大电流和最大电压。
在实际应用中,需要根据负载的电流和电压要求来选择晶闸管的最大正向电流和最大反向电压,以确保晶闸管能够正常工作并具有足够的安全裕量。
三、导通压降晶闸管的导通压降是指晶闸管在导通状态下的电压降,也称为正向压降。
导通压降越小,晶闸管的导通损耗就越小,因此在选择晶闸管参数时,需要尽量选择导通压降较小的型号,以提高系统的能效。
四、关断时间晶闸管的关断时间是指晶闸管在导通状态切换到关断状态所需的时间,也称为关断时间。
关断时间越短,晶闸管的开关速度就越快,对系统的稳定性和动态响应能力就越好。
因此在选择晶闸管参数时,需要根据实际的开关速度要求来选择合适的型号。
除了以上四个基本参数外,还有很多其他参数需要考虑,在实际选择晶闸管时需要全面考虑各种参数之间的相互影响,综合分析各种因素来选择合适的晶闸管型号,以确保系统的稳定性、可靠性和高效性。
晶闸管参数选择是一个复杂的工程,需要综合考虑各种因素,同时也需要根据具体的应用场景来进行选择。
希望本文能够对读者在晶闸管参数选择方面有所启发,帮助大家更好地进行晶闸管的选型和应用。
【浅析晶闸管参数选择】。
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具体的计算式为:
2
通态损耗: PT(AV)=IT(AV)×VT0 +2.46×IT(AV)×RT0 总损耗: Ptot =1.1×PT(AV)
分别是: KPA1400- 24、KPX1900- 24 和 KPB3000- 24。
2.181
0.024
KPB3000- 24
1.689
1.858
0.036
考虑 2.5 的过冲系数, 晶闸管的电压等级为:
查《大功率半导体器件产品数据手册》, 得到的
VDSM≥933V×2.5 = 2 333V → 2 400V 2) 元件和散热器的选择
数据如表 1 所示: 用以上数据计算元件的通态损耗, 考虑到其他
1 晶闸管及其散热器概述
晶闸管是一种四层三端器件, 在应用过程中它 能承受的最大通态电流受运行情况和通风散热等因 素的制约, 散热器的散热效果越好, 元件就能通过越 大的电流。并不是器件的额定值是多少, 实际应用 就能达到这个数值, 尤其是元件在串、并联应用的情 况下更是如此。并且相同的器件, 当温度一定( 或者 说散热器上某一点温度一定) , 其导通角不同时, 通 态电流也会不同。由于晶闸管的电特性值取决于温 度, 在数据手册中给出的电特性数据在许多情况下 也连同温度数据一起给出。所有数据均是在工作频 率为 40 ̄60Hz 范围内给出, 若器件的工作频率超出 此频率范围应用时, 其额定值也应该降等级。因此, 在使用晶闸管散热器件时一定要充分考虑上述因 素, 正确、合理地应用[1]。
! PT =
1 2π
π
VIdt
α
( 1)
式中 α为控制角 , α=π- θ( θ为导通角)
此 时 设 半 导 体 元 件 的 门 槛 电 压 为 VT0, 斜 率 电 阻 为 RT0, 则 在 器 件 通 过 电 流 I 时 , 器 件 正 向 通 态 电压为:
VTM =VT0+RT0I 又已知: I = IMsinθ 代入( 1) 式, 并经推导可得:
De sign a n d R e a liza t ion of M icr o Bu s Ba se d on ACE
CHENG De- rong1 LI Chang- gui1 LIU Jing- qiang2 (1.C hongqing R adio & T V U niversity,C hongqing 400052;2.Peking U niversity,B eijing 100871) Abstr act: A ccording to distributive application system ,this article designs m icro bus structure based on A C E . T his structure m akes internetbecom e physicalbase ofsoftbus,so thatthe units connected to the bus possess drive ability.W orking problem s am ong allthe units can be solved by PeterH erzum reference m odel.A llthe units are equal. Key wor ds: A C E ; data drive; softbus; m icro bus; inter-w orking reference m odel
样, 这里总热阻也为上述三部分之和。即:
Rja = Rjc+Rcs+Rsa
( 3)
这样当我们选定某型器件及散热器之后, 可用
下述公式来计算器件的最后工作结温 Tjm。
Rja = ( Tjm- Ta) / P
( 4)
即: T jm = RjaP+Ta
( 5)
此时若计算出的 Tjm 大于器件最高 Tjm, 则应当
3.1 根据热阻确定器件能承受的最大通态电流
这里我们所谈的热阻应当包括所有的热阻即结
3.2 元件与散热器选配应用实例 例如: 控制直流马达需要一个三相晶闸管整流
桥, 设线电压是 Vline = 660V(RMS), 50Hz, 直流电流输 出 Id=3 600A, 晶闸管空气冷却, 最高环境温度为 TA= 40℃, 希望的浪涌电流值为 ITSM=20kA。选配元件与 散热器。
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·73·
程德蓉, 李昌贵, 刘敬强: 一个基于 ACE 的微总线的设计与实现
这说明微总线架构是可行性的。
4 结语
虽然对微总线进行了深入研究, 得出一些有用 的方案思路, 但是将该技术推广到复杂的业务应用 领域还要做许多工作。今后还应加强研究解决以下 问题:
( 1) 总线的模型比较简单。所有的构件数据交 互都是通过同一总线进行的, 总线的数据压力和并 发压力过大。
( 2) 联邦构件的协同能力, 有待进一步改善。模 型是基于简单的应用, 只是证明了基于总线的联邦 构件模型的可行性。
( 3) 建立构件执行环境, 解决本地构件和远程构 件操作的位置透明性。
参考文献 [1] Stephen D H uston, Jam es C E Johnson, U m ar Syyid.A C E
另行选择热阻小的散热器或改善冷却条件, 或者另
选其他型号器件和散热器[3]。
θ- 1 sin2θ
其中: F2 =! 2
定义为导通因子
2
(1- cosθ)
式中: VT0—半导体器件门槛电压; RT0— 半导体器件斜率电阻; IT— 流过半导体器件正向平均电流; θ— 半导体器件导通角。
3 元件与散热器选配
θ- 1 sin2θ
2
PT =VT0 IT( AV) +RT0IT( AV) π
2
2
(1- cosθ)
2
=VT0 IT( AV) +F R IT0 2T( AV)
( 2)
180°情况的热阻, 若器件的实际运行工况和上述有
差异时, 其相应的热阻应大于样本上的 Rjc 值。与电 阻串联应用时总电阻为各分电阻之和计算方法一
热器, 热阻值分别为 0.014 K/W 和 0.024 K/W。从风
正向电流所引起的热损耗使晶闸管 P- N 结发 热, 导致结温上升。此时, 热量向管壳→散热器的散 热片→空气扩散。但在热量的扩散过程中各介质对 热量具有一定的阻力( 即热阻) , 并且热的传递也需 要一个过程, 这样晶闸管芯片的 P- N 结温度最高, 也就是说在正常的通态过程中, 晶闸管的壳温比结 温低得多。
晶闸管的额定正向通态平均电流是使器件壳温 不超过某一指定值时阳极和阴极可连续通过的工频 正弦半波电流平均值。如果电流波形不是正弦半波 波形, 那么允许正向平均电流就不同于额定正向平 均电流。
2 器件功率损耗的计算
在晶闸管正向导通期间, 会在其结上产生热损 耗, 这个热损耗是器件的功率损耗所产生的。
对于正弦半波电流, 其平均功率并不等于平均 电压乘以平均电流, 而是将瞬时功率在一周内平均, 瞬时功率 P 等于瞬时电压 V 和瞬时电向和反向阻断其间, 由于阻断电压使得
流过的阻断电流而产生的功率损耗; c. 控制极控制功率所产生的功率损耗; d. 器件开关过程中的开关功率损耗。 在以上几种功率损耗中, 在通常使用状态下, 正
向电流导通时的功率损耗所占比例最大, 但当使用 频率超过 1 000Hz 时, 开关功率损耗也是不容忽视 的。因此, 在工频应用场合, 可仅考虑 a 项功率损耗, 在工频范围以上时, 还须考虑 d 项功率损耗。
1) 电压设计 额定线电压的峰值为:
V0(max) = Vline ×" 2 =660×1.414=933V
表 1 三种系列普通晶闸管的主要参数
门 槛 电 压 /V
斜 率 电 阻 /MΩ
结壳电阻/(K/W) 接触电阻/(K/W) 浪涌电流/kA
KPA1400- 24
1.05
0.298
0.015
0.004
收稿日期: 2006- 06- 05 作者简介: 李毅梅(1971- ), 女, 辽宁省黑山县人, 工学硕士, 主要从事电工电子的教学、课程设计和科研工作。
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李毅梅: 晶闸管器件的选型及其散热器的选择
即: P =VI 则平均功率
壳热阻 Rjc, 接触热阻 Rcs 和散热器热阻 Rsa。 通常样 本参数给出的结壳热阻是在直流工况和正弦导通
关键词: 功率器件 ; 晶闸管; 功率损耗; 散热器
中图分类号: TN341
文献标识码: A
文章编号: 1673- 1980(2006)04- 0072- 02
随 着 电 力 半 导 体 器 件 向 高 电 压 、大 电 流 方 向 发 展, 越来越多的使用者偏向选择更大容量等级的器 件。这主要是从优化线路、减小装置体积、降低成本、 简化装配的角度考虑。但在实际应用中, 电流和电 压并不简单是各个元器件相应数据的叠加。笔者就 晶闸管器件的选型及其散热器的选择进行分析。
程序员指南—网络与系统编程 的 实 用 设 计 模 式[M ].马 维 达, 译.北京: 中国电力出版社, 2004. [2]C hris B ritton.IT 体系结构与中间件(建设大型集成系统 的 策略)[M ].李彬,译.北京: 人民邮电出版社, 2003.7. [3] 李强, 贾云霞,编著.V isualC ++ 项目开发实践[M ].北 京 : 中 国铁道出版社, 2003.6. [4] Peter H earzum , O liver Sim s..基 于 构 件 的 企 业 级 开 发 [M ]. 韩柯, 译.北京: 机械工业出版社、中信出版社, 2005. [5] D ouglas C Schm idt, Stephen D H uston. C ++ N etw ork Program m ing V olum e M astering C om plexity w ith A C E and Patterns[M ].马维达, 译.武汉: 华中科技大学出版社.2003. [6] 王 继 刚 , 顾 国 昌.构 架 与 模 式 在 通 信 系 统 软 件 中 的 应 用 研 究[J].计算机应用, 2003, 23( 11) : 43-45.