半导体材料硅的基本性质

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硅知识点总结框架

硅知识点总结框架

硅知识点总结框架全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:硅是一种常见的半导体材料,广泛应用于电子工业中。

在学习硅的知识点时,我们可以按照以下框架进行总结:硅的基本性质、硅的制备方法、硅的应用领域以及硅的未来发展方向。

我们来看硅的基本性质。

硅是周期表中第14元素,化学符号为Si。

它是一种灰白色的固体,具有金属和非金属的特性。

硅是地壳中含量最丰富的元素之一,其化学性质稳定,不容易与其他元素发生化学反应。

硅具有良好的导电性和热导性,是一种优良的半导体材料。

硅的制备方法主要包括自然硅的提取和人工合成两种。

自然硅主要存在于硅酸盐矿物中,通过矿石的精炼和提纯可以得到高纯度的硅。

人工合成硅主要是指通过化学反应将硅源物质转化为硅材料。

目前,工业上主要采用的制备方法是化学气相沉积法和晶体生长法。

硅的应用领域非常广泛,主要包括电子工业、光伏产业、半导体材料等方面。

在电子工业中,硅被广泛应用于集成电路、太阳能电池、电子器件等领域,是现代电子产品的重要组成部分。

硅还可以用于制备硅钢、硅铁合金等工业原材料,广泛应用于冶金、化工等领域。

未来,硅材料在电子工业中的应用前景非常广阔。

随着5G、人工智能等新兴技术的发展,对集成电路和光伏材料的要求越来越高,硅作为优良的半导体材料将在未来得到更广泛的应用。

人们也在不断研究硅材料的改性方法,以提高其性能和应用范围。

第二篇示例:硅知识点总结框架硅是一种非金属元素,化学符号为Si,原子序数为14。

硅在地壳中含量很高,是地壳中第二多的元素。

硅是一种广泛应用的材料,被广泛用于电子工业、建筑领域、制造业等多个领域。

以下是硅知识点的总结框架:一、硅的性质1. 物理性质:硅是一种灰色的晶体,熔点为1414°C,沸点为3265°C。

硅是半导体材料,其导电性介于导体和绝缘体之间。

2. 化学性质:硅是惰性元素,不容易与其他元素反应。

硅可以与氧形成氧化硅,与氢形成硅氢化合物。

二、硅的结构1. 晶体结构:硅以晶体形式存在,常见的晶体结构包括钻石结构、闪锌矿结构等。

硅材料知识

硅材料知识

硅材料的基本特性1、硅材料的基本特性;2、硅单晶材料的重要参数定义:晶向;导电类型;电阻率;杂质分布均匀性;微缺陷;晶片几何尺寸及公差;厚度;弯曲度;翘曲度;平行度;抛光片的平坦度;3、硅单晶中杂质的缺陷对器件的影响。

硅结晶型的硅是暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体。

化学性质非常稳定。

在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应。

硅的用途:①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。

在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。

在开发能源方面是一种很有前途的材料。

②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。

将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。

可应用于军事武器的制造。

第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时磨擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。

③光导纤维通信,最新的现代通信手段。

用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传输,代替了笨重的电缆。

光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。

光纤通信将会使21世纪人类的生活发生革命性巨变。

④性能优异的硅有机化合物。

例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。

在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一劳永逸地解决渗水问题。

在古文物、雕塑的外表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化。

天安门广场上的人民英雄纪念碑,便是经过有机硅塑料处理表面的,因此永远洁白、清新。

发现1822年,瑞典化学家白则里用金属钾还原四氟化硅,得到了单质硅。

名称由来源自英文silica,意为“硅石”。

分布硅主要以化合物的形式,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中,约占地表岩石的四分之一,广泛存在于硅酸盐和硅石中。

关于硅的知识点总结

关于硅的知识点总结

关于硅的知识点总结硅的物理性质硅是一种灰色金属,具有良好的导电性、导热性和化学稳定性。

它的熔点高达1414摄氏度,沸点为3265摄氏度,具有较高的融化温度和热稳定性。

硅的密度约为2.33克/立方厘米,硬度较高,能耐高温,属于典型的半金属材料。

硅的化学性质硅是一种化学惰性较高的元素,它在常温下不易与氧气、水或其它物质发生反应。

但是,在一定条件下,硅可以与氧气、氯气等元素发生化学反应,生成二氧化硅、硅氢化合物等化合物。

此外,硅还能够形成多种配位化合物,如四氯化硅、硅烷等。

硅的应用硅在工业生产和科研领域有着广泛的应用。

首先,硅是集成电路和半导体材料的主要原料,它的导电性和稳定性使得它成为现代电子设备中不可或缺的材料。

此外,硅也是太阳能电池板的制备材料,它在光伏产业中有着重要的作用。

另外,硅还被用作制备耐高温耐腐蚀材料、电解铝、合金等。

硅的生产硅是从硅石中提取的。

硅石是一种富含二氧化硅的矿石,其主要成分为二氧化硅和少量的杂质。

硅的生产过程主要包括硅石的选矿、熔炼、精炼等步骤。

首先,硅石要经过选矿处理,去除其中的杂质;然后,将硅石加热至高温,将其中的二氧化硅还原成硅金属;最后,通过精炼等多道工序,将硅金属纯化,获得高纯度的硅产品。

硅的结构特性硅的原子结构特殊,它的原子结构为Si: 1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p⁴。

这种原子结构决定了硅的物理和化学性质。

硅元素存在多种同素异形体,其中最重要的是α晶形和β晶形。

α型硅是传统的非晶硅,具有较高的电阻率,用于传统集成电路中;而β型硅具有较高的导电性和导热性,用于现代半导体材料制备中。

硅的环境影响硅是地球上丰富的元素之一,但是大规模的硅矿开采和利用对环境造成了一定的影响。

在硅石的开采过程中,常常伴随着土地破坏、水源污染等环境问题,在硅石的加工过程中,也会产生大量的尾矿渣和工业废水等污染物。

因此,在硅石的开采和加工过程中,应该注意减少对环境的不利影响,加强环保设施建设,达到可持续发展的目标。

半导体材料硅的基本性质-推荐下载

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1.3 硅的化学性质
硅在自然界中多以氧化物为主的化合物状态存在。
硅晶体在常温下化学性质十分稳定,但在高温下,硅几乎与所有物质发生化学反应。
1. 硅的热氧化反应
~1100℃
Si + O2 → SiO2
~1000℃
Si + 2H2O → SiO2 + H2 在硅表面生成氧化层,其反应程度与温度有相当大的关系,随温度的升高,氧化速度加
1.3 半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体,它们的定义分别为: 本征半导体:当半导体中无杂质掺入时,此种半导体称为本征半导体。 非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,本征半导体就成为非本征半导体。
1.4 掺入本征半导体中的杂质,按释放载流子的类型分为施主与受主,它们的定义分别为: 施主:当杂质掺入半导体中时,若能释放一个电子,这种杂质被称为施主。如磷、砷就
是硅的施主。 受主:当杂质掺入半导体中时,若能接受一个电子,就会相应地产生一个空穴,这种杂
质称为受主。如硼、铝就是硅的受主。
对全部高中资料试卷电气设备,在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验;通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关,1系电过,力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层,机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2,高总而中体且资配可料置保试时障卷,各调需类控要管试在路验最习;大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试,况卷要下安加与全强过,看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高;中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整,处核或理对者高定对中值某资,些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定,卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置,跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等,料,编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气,线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术,技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项;资方对料式整试,套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资,气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技,进术合行,理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对:于于在调差分试动线过保盒程护处中装,高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时,术,作是应为指采调发用试电金人机属员一隔,变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内;图部同纸故一资障线料时槽、,内设需,备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切,验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中,术资要资料进料试行,卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况,然后根据规范与规程规定,制定设备调试高中资料试卷方案。

硅的汽化温度

硅的汽化温度

硅的汽化温度介绍硅是一种常见的元素,属于非金属的半导体材料。

它具有多种重要的特性,其中之一是其汽化温度。

本文将探讨硅的汽化温度以及与之相关的方面。

硅的基本性质硅(符号Si)是周期表中的第14号元素,原子序数为14,相对原子质量为28.0855。

硅是地壳中含量最丰富的元素之一,在自然界中广泛存在。

它具有许多重要的特性,使其在工业和科学领域中得到广泛应用。

硅是一种非金属的半导体材料,它在室温下是固体形态。

其晶体结构由由四面体构成的长程有序结构所组成,使得硅具有许多出色的电学和光学性能。

硅的化学性质稳定,它不容易与其他元素反应。

同时,硅也是一种不可生物降解的材料,因此在环境中也具有一定的持久性。

硅的汽化温度硅的汽化温度是指在一定的压强下,硅从固体直接转变为气体的温度。

汽化温度取决于外界压力、纯度以及晶体结构。

在标准大气压下,即1个大气压(1 atm)的压强下,硅的汽化温度约为3265摄氏度。

这是一个相对较高的温度,表明硅在常温下通常是固体形态。

值得注意的是,硅的汽化温度会随着压力的变化而改变。

当压力增加时,硅的汽化温度会相应提高,反之亦然。

影响硅汽化温度的因素除了外界压力的影响外,硅的纯度以及晶体结构也会对其汽化温度产生影响。

纯度的影响硅的纯度对其汽化温度产生影响。

高纯度的硅材料更加稳定,因此汽化温度较高。

工业上使用的硅材料通常具有高纯度,以确保其稳定性和可靠性。

晶体结构的影响硅的晶体结构也会影响其汽化温度。

硅的晶体结构可以分为两类:晶格和非晶态。

在晶格结构中,硅原子呈现出周期性有序的排列,这种结构更加稳定,使硅的汽化温度相对较高。

相比之下,非晶态结构的硅材料由无序排列的硅原子构成,其结构不规则,因此其汽化温度相对较低。

硅的应用领域硅是一种非常重要的材料,广泛应用于多个领域。

电子学由于硅具有半导体特性,它被广泛用作电子元件的基础材料。

硅芯片是现代电子设备中的核心部件,包括计算机、手机、平板电脑等。

太阳能硅是制造太阳能电池板的关键材料之一。

硅(si)材料特点

硅(si)材料特点

硅(Si)是一种非金属元素,具有以下特点:
1. 高熔点和高热稳定性:硅具有较高的熔点(约为1414°C),因此在高温环境下能够保持稳定性。

这使得硅在高温应用中表现出色,例如在半导体制造中的炉管、炉膛等设备。

2. 半导体性质:硅是一种重要的半导体材料,其电导率介于金属和非金属之间。

通过控制硅的杂质浓度和结构,可以将硅制成p型或n型半导体,用于制造电子器件如集成电路(IC)、太阳能电池等。

3. 良好的机械性能:硅具有较高的硬度,且具有较好的抗拉强度和耐磨性。

这使得硅在一些应用领域中作为结构材料使用,例如制造光学窗口、传感器封装等。

4. 化学惰性:硅在常温下对大多数酸和碱都具有较好的耐腐蚀性。

这使得硅在化学实验室、化学工业中常被用作反应容器、仪器设备的制造材料。

5. 高纯度和可控性:硅可以通过精细的提纯工艺制备高纯度的晶体硅,用于半导体材料的制备。

此外,硅的物理和电学性质可以通过控制晶体结构和取向进行调控,以满足具体应
用需求。

6. 可广泛应用:硅材料广泛应用于电子、光电、光学、化工等领域。

在电子行业中,硅是制造集成电路和其他电子器件的基本材料。

在太阳能产业中,硅是制造太阳能电池的关键材料。

总体而言,硅作为一种重要的材料,在半导体、光电和化工等领域发挥着重要作用,其特点包括高热稳定性、半导体性质、机械性能和化学惰性等。

半导体材料硅基本性质

半导体材料硅基本性质

半导体材料硅的基本性质一.半导体材料固体材料按其导电性能可分为三类:绝缘体、半导体及导体,它们典型的电阻率如下:图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围半导体又可以分为元素半导体和化合物半导体,它们的定义如下:元素半导体:由一种材料形成的半导体物质,如硅和锗。

化合物半导体:由两种或两种以上元素形成的物质。

1)二元化合物GaAs —砷化镓SiC —碳化硅2)三元化合物As —砷化镓铝AlGa11AlInAs —砷化铟铝11半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体,它们的定义分别为:本征半导体:当半导体中无杂质掺入时,此种半导体称为本征半导体。

非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,本征半导体就成为非本征半导体。

掺入本征半导体中的杂质,按释放载流子的类型分为施主与受主,它们的定义分别为:施主:当杂质掺入半导体中时,若能释放一个电子,这种杂质被称为施主。

如磷、砷就是硅的施主。

受主:当杂质掺入半导体中时,若能接受一个电子,就会相应地产生一个空穴,这种杂质称为受主。

如硼、铝就是硅的受主。

图(a)带有施主(砷)的n型硅 (b)带有受主(硼)的型硅掺入施主的半导体称为N型半导体,如掺磷的硅。

由于施主释放电子,因此在这样的半导体中电子为多数导电载流子(简称多子),而空穴为少数导电载流子(简称少子)。

如图所示。

掺入受主的半导体称为P型半导体,如掺硼的硅。

由于受主接受电子,因此在这样的半导体中空穴为多数导电载流子(简称多子),而电子为少数导电载流子(简称少子)。

如图所示。

二.硅的基本性质硅的基本物理化学性质硅是最重要的元素半导体,是电子工业的基础材料,其物理化学性质(300K)如表1所示。

性质符号单位硅(Si)原子序数Z 14原子量M原子密度个/cm3 ×1022晶体结构金刚石型晶格常数 a Å熔点Tm ℃1420 密度(固/液) ρg/ cm3介电常数ε0个/ cm3×1010本征载流子浓度ni本征电阻率ρi Ω·cm ×105电子迁移率μn cm2/(V·S) 1350空穴迁移率μp cm2/(V·S) 480电子扩散系数Dncm2/S空穴扩散系数Dp cm2/S禁带宽度(25℃)Eg eV导带有效态密度Nc cm-3×1019价带有效态密度Nvcm-3×1019器件最高工作温度℃250表1 硅的物理化学性质(300K)硅的电学性质硅的电学性质有两大特点:一、导电性介于半导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4~1010Ω·cm二、导电率和导电类型对杂质和外界因素(光热,磁等)高度敏感。

硅的性质及有关半导体基础理论

硅的性质及有关半导体基础理论
硅的性质及有关半导体基础理论
硅是典型的具有半导体性质的元素,是很重要的半导体 材料。据统计,目前半导体器件的95﹪以上用硅材料制作,集 成电路99﹪以上是用硅材料制作。
这个比例还在增大。尤其大规模集成电路(LSI)、超大 规模集成电路(VLSI)、甚大规模集成电路(ULSI)都是制作 在高纯优质的硅单晶抛光片或外延片上。
*对于绝缘体而言,价电子紧密地局限在其原子轨道,无法导电。 *对于具有金刚石结构的硅,每个原子与邻近四个原子构成键合。
Z +4
X 金刚石晶格中四面体结构
+4
+4
+4
Y
+4
在金刚石二维空间 结构的键合情况
上面已讲述硅原子的最外层轨道具有四个价电子。它可以与四个临近原子分享其价电子,所以这样的一对分享价电 子即成为共价键。
• 由于半导体的Eg比较小,所以在一定温度下具有能量较大的电子就越过禁带进入导带。使原来空着的导带 有了电子,而且在价带中也出现了一些电子的空位,这样导带中的电子和价带中的电子,在外电场的作用 下,都可作定向运动。因此,半导体在一定的温度下具有导电性。
1、半导体的导电机构—电子和空穴。
电子自价带激发到导带,不仅使导带有了导电的功能,而且原来价带由于有一些状态空了出来,也获得了一 定的导电性能。这一事实在半导体的导电机购具有十分重要的意义。
• 。
绝缘体和半导体,它的电子大多数都处于价带,不能自由移动。但在热、光等外界因素的作用下,可以使少量 价带中的电子越过禁带,跃迁到导带上去成为载流子。
绝缘体和半导体的区别主要是禁带的宽度不同。半导体的禁带很窄,(一般低于3eV),绝缘体的禁带宽一 些,电子的跃迁困难得多。因此,绝缘体的载流子的浓度很小,导电性能很弱。实际绝缘体里,导带里的电子 不是没有,并且总有一些电子会从价带跃迁到导带,但数量极少。所以,在一般情况下,可以忽略在外场作用 下它们移动所形成的电流。但是,如果外场很强,束缚电荷挣脱束缚而成为自由电荷,则绝缘体就会被“击穿” 而成为导体。

硅元素的知识点总结

硅元素的知识点总结

硅元素的知识点总结硅元素的物理性质硅的外层电子排布为2, 8, 4,属于第4主族元素。

硅元素是一种具有金属性和非金属性的半金属元素,它在固态状态下是一种闪亮的灰白色晶体,熔点为1414℃,沸点为3265℃。

硅是一种较为脆弱的半导体材料,它的导电性能随温度的升高而增加,并且在25℃时,硅的电阻率约为3000Ω·cm。

硅元素的化学性质硅元素具有明显的非金属性,它与氧化物能形成硅酸盐,与非金属元素形成硅的硅化物(如硅化氢、硅化碳)等。

硅在常温下能与氧气和水反应,生成二氧化硅和水合硅酸。

此外,硅元素还具有较好的抗腐蚀性能,能够抵御大部分酸和碱的侵蚀。

硅元素在工业和生活中的应用硅元素是一种广泛应用的材料,它在各种工业和科技领域中都具有重要的作用。

硅元素主要应用于以下几个方面:1. 半导体材料:硅元素是现代电子工业中最重要的材料之一,它被广泛应用于电子元件、光伏电池、集成电路等领域。

2. 材料增强剂:硅元素是一种重要的合金添加剂,能够改善其他金属的力学性能和耐腐蚀性能,同时还能提高合金的热稳定性和机械性能。

3. 硅橡胶:硅元素是橡胶产品中的一种关键添加剂,硅橡胶具有优异的耐高温性能和化学稳定性,被广泛应用于各种高温、耐磨的工业领域。

4. 制备玻璃:硅元素是玻璃制造工业中必不可少的原料,硅元素能够使玻璃具有硬度高、抗冲击性能好、耐高温、耐酸碱等优点。

5. 医疗保健:硅元素被广泛应用于制备医疗保健产品,如医用玻璃器皿、医用硅橡胶制品和生物材料等。

硅元素的环境影响及防护措施硅元素在工业生产过程中会产生硅尘、二氧化硅等有害物质,对环境和人体健康造成危害。

因此,需要采取相关的防护措施来减少硅元素对环境和人体的影响。

1. 在生产过程中应采取有效的通风设备和防护设施,避免硅尘对工人的侵害。

2. 对硅元素的使用和处理应按照相关法规和标准进行,做好废弃物的收集、处理和处置工作。

3. 在生产过程中应加强对二氧化硅的监测,确保工作场所的空气质量符合相关标准。

硅半导体温度与电导率的关系

硅半导体温度与电导率的关系

硅半导体温度与电导率的关系引言硅半导体是一种常见的材料,广泛应用于电子器件和集成电路中。

在硅半导体中,温度是一个重要的参数,对其电导率有着显著影响。

本文将探讨硅半导体温度与电导率之间的关系,并深入分析其原因。

1. 硅半导体的基本性质硅(Si)是一种化学元素,位于周期表第14族。

它具有四个价电子,形成四个共价键。

由于其晶体结构的特殊性质,硅可以作为一种良好的半导体材料。

硅半导体具有以下几个基本性质:1.禁带宽度(Band Gap):禁带宽度是指固体材料中价带和传导带之间的能量差。

在纯净的硅晶体中,禁带宽度约为1.12电子伏特(eV)。

这意味着在室温下,只有高能级激发才能使得电子跃迁到传导带中。

2.载流子:在硅晶体中,载流子主要有两种类型,即电子和空穴。

电子是带负电荷的载流子,而空穴则是带正电荷的载流子。

3.掺杂:通过在硅晶体中引入掺杂物,可以改变其导电性质。

掺杂分为两类:N型(n-type)和P型(p-type)。

N型半导体中掺入五价元素(如磷),会产生额外的自由电子;而P型半导体中掺入三价元素(如硼),会产生额外的空穴。

2. 温度对硅半导体电导率的影响温度是影响硅半导体电导率的重要因素之一。

随着温度的增加,硅材料中载流子的数量和活动性都会发生变化,从而对电导率产生影响。

2.1 载流子浓度与温度在纯净(无掺杂)的硅材料中,载流子主要由热激发产生。

随着温度的升高,原子振动增强,禁带内部分价带上升到传导带中所需能量减少。

这使得更多的电子能够跃迁到传导带中,并增加了载流子浓度。

在掺杂硅材料中,温度对载流子浓度的影响更为复杂。

以N型半导体为例,当温度升高时,掺入的五价元素(如磷)提供的额外自由电子数量会增加,进而增加了载流子浓度。

但是,由于热激发效应,部分载流子也会被激发到禁带中,减少了有效载流子数量。

因此,在高温下,掺杂硅材料的载流子浓度可能会略有下降。

2.2 载流子迁移率与温度除了载流子浓度之外,载流子迁移率也是影响硅半导体电导率的重要参数。

硅的基本性质

硅的基本性质

硅的基本性质硅属元素周期表第三周期ⅣA族,原子序数l4,原子量28.085。

硅原子的电子排布为1s22s22p63s23p2,原子价主要为4价,其次为2价,因而硅的化合物有二价化合物和四价化合物,四价化合物比较稳定。

地球上硅的丰度为25.8%。

硅在自然界的同位素及其所占的比例分别为:28Si为92.23%,29Si为4.67%,30Si为3.10%。

硅晶体中原子以共价键结合,并具有正四面体晶体学特征。

在常压下,硅晶体具有金刚石型结构,晶格常数a=0.5430nm,加压至l5GPa,则变为面心立方型,a=0.6636nm。

硅是最重要的元素半导体,是电子工业的基础材料,它的许多重要的物理化学性质,如表1.1 所示。

表1.1 硅的物理化学性质(300K)[4,6]①本书中关于分子、原子、离子密度、浓度的单位简写为cm-3或cm-2。

续表性质符号单位硅(Si)磁化率德拜温度介电常数本征载流子浓度本征电阻率电子迁移率空穴迁移率电子有效质量空穴有效质量电子扩散系数空穴扩散系数禁带宽度(25℃) 导带有效态密度价带有效态密度器件最高工作温度χθDε0n iρiμnμpm n﹡m p﹡D nD pE g(△W e)N cN v厘米-克-秒电磁制K个/cm3Ω·cmcm2/(V·s)cm2/(V·s)ggcm2/scm2/seVcm-3cm-3℃-0.13×10-665011.91.5×10102.3×l051350480m n﹡‖= 0.92m0m n﹡⊥= 0.19m0(1.26K)m h﹡p= 0.59m0m l﹡p =0.16m0(4K)34.612.31.112.8×10191.04×1019250硅的基本物理和化学性质硅的电学性质半导体材料的电学性质有两个十分突出的特点,一是导电性介于导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4~1010Ω·cm范围内;二是电导率和导电型号对杂质和外界因素(光、热、磁等)高度敏感。

晶体硅作为半导体材料的原因

晶体硅作为半导体材料的原因

晶体硅作为半导体材料的原因1. 晶体硅的基本特性晶体硅,这个名字听起来是不是有点儿高大上?其实,它在半导体领域可是个响当当的角色。

首先,晶体硅的结构特别稳定,像一个稳重的大叔,给人一种踏实的感觉。

它的原子排列得井井有条,就像是个整齐的图书馆,书本都摆得一丝不苟。

这种稳定性让它在高温下也不容易变形,真是半导体材料中的“老实人”啊。

1.1. 导电性再说说它的导电性,晶体硅的导电能力适中,既不像金属那样通电如流,也不像绝缘材料那样完全不导电。

你可以把它想象成一位灵活的舞者,能够在不同的环境中自如变换。

这种适度的导电性使得晶体硅可以通过掺杂来调节电流,就像加点儿调料让菜肴更加美味。

1.2. 丰富的资源还有啊,晶体硅的原材料来源也相当广泛,地球上到处都是它的“身影”,可以说是“取之不尽,用之不竭”。

相比其他一些稀有材料,晶体硅的可获得性让它在市场上相当受欢迎,就像抢手的明星,随时都能吸引一大波粉丝。

2. 制造工艺的可行性说到制造工艺,晶体硅的生产过程也是相对成熟的。

想想看,技术发展这么快,很多新材料往往在实验室里光辉灿烂,但一旦要投入实际应用,就像是“纸上谈兵”,难度倍增。

然而,晶体硅的生产工艺早已被验证,简直就是个“老手”,可以批量生产,降低了成本,真是好得让人心动。

2.1. 设备的兼容性而且,晶体硅的兼容性也很不错,现有的制造设备几乎都能应对,就像是那种什么都能穿的百搭衣服,搭配起来毫无压力。

其他材料虽然性能好,但有时候可能需要专门的设备,这可让很多企业心里苦。

2.2. 处理过程的安全性更重要的是,晶体硅的处理过程相对安全,对环境的影响也小得多。

我们常常担心新材料的环保问题,晶体硅在这方面表现得相当不错,简直是个“环保小卫士”,让大家用得安心。

3. 应用范围的广泛性最后,咱们再聊聊晶体硅的应用。

它的用途广泛,简直像是“万金油”,无所不在。

从手机、电脑到太阳能电池板,晶体硅都是大热门。

这种材料不仅能满足人们对高效能的需求,而且还能推动科技的不断进步。

硅的性质及有关半导体基础理论教材

硅的性质及有关半导体基础理论教材

由于某种电子受到激发而进入空带。在外电场作用下,这些电子在空带中 向较高的空带能级转移时,没有反向电子转移与之抵消,可形成电流。因此 表现出导电性,所以空带又称为导带。 两个能级之间,可能有一个能量间隙,这个能量间隙称为禁带(也称为 带隙)。 两个相邻能带也可能重叠(交叠),此时禁带也就消失。能带交叠的程 度与原子间的距离有关,原子间距愈小,交叠的程度愈大。 能带可划分成导带和价带。所谓价带即温度等于绝对零度时(T=0°K) 电子所占据的带。导带即是在有限温度下,部分电子因为热运动,由最高的 价带被激发到上面的导带中去,原来空的能带获得一定的导电功能,因此我 们常称为导带。 在价带和导带只见的能量间隙称为禁带或禁区。一般以Eg表示。在禁带 中不存在任何电子。禁带宽度Eg是一个很重要的参数。材料不同,原子结构 不同,Eg大小也不相同。如鍺(Ge)Eg=0.75ev 硅Eg=1.12 。砷化镓 (GaAs)=1.43ev。
*对金属导体而言,价电子是由固体中所有原子所共享。在施加电场下,这 些价电子并非局限在特定的原子轨道,而是在原子间自由流窜,因而产生 导电电流。金属导体的自由电子密度一般约在10E23 cm-3左右,这相当于 电阻率在10E-4ohm.cm以下。
*对于绝缘体而言,价电子紧密地局限在其原子轨道,无法导电。 *对于具有金刚石结构的硅,每个原子与邻近四个原子构成键合。
导 带
价 带
导 带
导 带
禁带
价 带
禁带
禁 带 价 带
绝缘体
半导体
导体
半导体在T=0°K时,它和绝缘体的情况相似,只不过半导体的Eg要小 得多,一般等于1个电子伏特数量级左右,比绝缘体小十倍。我们常以
电阻率10E10Ω .cm区分绝缘体和半导体的标准。按固体能带理论,物质

硅的基本特性和用途

硅的基本特性和用途

硅的基本特性和用途硅是一种非金属元素,化学符号是Si,原子序数14,相对原子质量28.09。

我国曾称它为矽,因矽和锡同音,难以分辨,故于1953年将矽改称为硅。

硅有无定型和晶体两种同素异形体,晶体硅具有金属光泽和某些金属特性,因此常被称为准金属元素。

晶体硅为钢灰色,无定形硅为黑色,密度2.4g/cm3,熔点1420℃,沸点2355℃,晶体硅属于原子晶体,硬而有光泽,有半导体性质。

硅的化学性质比较活泼,在高温下能与氧气等多种元素化合,不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液,用于制造合金如硅铁、硅钢等。

硅是地球上储藏最丰富的材料之一,在自然界分布极广,它是构成矿物与岩石的主要元素。

在自然界硅无游离状态,都存在于化合物中。

硅的化合物主要是二氧化硅(硅石)和硅酸盐。

硅约占地壳总质量的27.72%,仅次于氧。

造房子用的砖、瓦、砂石、水泥、玻璃、吃饭、喝水用的瓷碗、水杯,洗脸间用的洁具,它们看上去截然不同,其实主要成分都是硅的化合物。

虽然人们早在远古时代便使用硅的化合物黏土制造陶器。

但直到1923年,瑞典化学家贝采利乌斯才首次分离出硅元素,并将硅在氧气中燃烧生成二氧化硅,确定硅为一种化学元素。

硅是一种重要的半导体材料,掺微量杂质的硅单晶可用来制造大功率晶体管、整流器和太阳能电池等。

二氧化硅(硅石)是最普通的化合物,在自然界中分布极广,构成各种矿物和岩石。

最重要的晶体硅石是石英。

大而透明的石英晶体称为水晶,黑色几乎不透明的石英晶体叫墨晶。

石英的硬度为7。

石英玻璃能透过紫外线,可以用来制造贡蒸汽紫外光灯和光学仪器。

自然界中还有无定形的硅,称为硅藻土,常用作甘油炸药(硝化甘油)的吸附体,也可作绝热、隔音材料。

普通的砂子是制造玻璃、陶瓷、水泥和耐火材料等的原料。

硅酸干燥脱水后的产物为硅胶,它有很强的吸附能力,能吸收各种气体,因此常用来作吸附剂,干燥剂和部分催化剂的载体。

多晶硅和石英玻璃的联合制备法的原料就是硅。

但这种硅不是天然形成的,是经过工业方法制取的,而且有用于工业生产中,因此被称为工业硅。

硅的教案[新]

硅的教案[新]

硅的教案一、前言硅是一种非金属元素,化学符号为Si,原子序数为14。

它在地壳中的含量仅次于氧、碳、氢等元素,是地球上最常见的元素之一。

硅具有很高的化学稳定性和热稳定性,因此被广泛应用于电子、光电、半导体、建筑材料等领域。

本教案将介绍硅的基本性质、应用及相关实验。

二、硅的基本性质1. 物理性质硅是一种灰白色晶体,具有金属光泽。

它的密度为2.33 g/cm³,熔点为1414℃,沸点为3265℃。

硅具有良好的导热性和导电性,但不是良好的导电体,因为它的电子结构中只有4个价电子。

2. 化学性质硅是一种化学稳定的元素,不易与其他元素发生反应。

但在高温、高压和氧气的存在下,硅会与氧气发生反应,生成二氧化硅(SiO₂)。

硅还可以与氢气、氯气、溴气等发生反应,生成相应的化合物。

3. 结构性质硅的原子结构类似于碳,都是四面体结构。

硅原子与四个相邻原子形成共价键,形成晶体结构。

硅晶体有两种常见的结构:钻石型和闪锌矿型。

其中,钻石型硅晶体是一种非常硬的材料,被广泛应用于工业领域。

三、硅的应用1. 电子领域硅是电子元器件的重要材料之一。

它可以制成半导体材料,用于制造晶体管、二极管、场效应管等电子元器件。

此外,硅还可以制成太阳能电池板,用于太阳能发电。

2. 光电领域硅可以制成光电器件,如光电二极管、光电晶体管等。

这些器件可以将光信号转换为电信号,被广泛应用于通信、光学仪器等领域。

3. 建筑材料领域硅可以制成玻璃、陶瓷等建筑材料。

其中,玻璃是一种非常重要的建筑材料,被广泛应用于建筑、家具、汽车等领域。

4. 化学领域硅可以制成硅橡胶、硅油等化学品。

硅橡胶具有很好的耐高温、耐腐蚀性能,被广泛应用于航空、航天、汽车等领域。

四、硅的实验1. 制备硅晶体将纯度较高的硅粉末与氯气在高温下反应,可以得到硅氯化物。

然后,将硅氯化物在高温下还原,可以得到纯度较高的硅晶体。

2. 制备硅橡胶将硅烷(SiH₄)和氧气在催化剂的作用下反应,可以得到硅橡胶。

关于硅的知识点总结

关于硅的知识点总结

关于硅的知识点总结如下:
1. 物理性质:硅是半导体材料,具有灰黑色、硬脆的固体性质,且熔点较高,为2303K。

2. 化学性质:硅在常温下不与非氧化性酸反应,但能与氢氟酸反应生成四氟化硅气体。

此外,硅也能与强碱
溶液反应生成硅酸盐和氢气。

3. 用途:硅是现代信息技术的关键元素,被广泛应用于电子工业和半导体制造业等领域。

此外,硅还用于制
造陶瓷、玻璃、耐火材料等。

4. 制备方法:工业上通常采用碳在高温下还原二氧化硅的方法制取硅,即用焦炭还原石英砂或用氢气还原四
氯化硅来制备高纯度硅。

5. 硅酸盐:硅酸盐是由硅、氧和金属元素组成的化合物的总称,是地壳中含量最丰富的矿物之一。

常见的硅
酸盐包括长石、云母、黏土等。

6. 硅酸盐工业:硅酸盐工业是以含硅元素物质为原料通过高温加热制取技术制成陶瓷、玻璃、水泥等硅酸盐
产品的工业。

综上所述,硅作为一种重要的半导体材料,在电子工业、半导体制造业等领域具有广泛应用。

了解硅的性质、用途、制备方法和硅酸盐工业等方面的知识有助于更好地认识和应用硅材料。

硅知识点总结

硅知识点总结

硅知识点总结硅是一种重要的非金属元素,也是半导体材料的主要组成部分。

在现代科技发展中,硅的应用越来越广泛,涉及到电子、信息、能源等众多领域。

深入了解硅的性质和应用,对于我们更好地理解现代科技的发展具有重要的意义。

本文将对硅的知识点进行总结,以便读者更好地了解这个重要的元素。

一、硅的基本性质1.1物理性质硅的原子半径为0.118 nm,原子序数为14,相对原子质量为28.09,密度为2.33 g/cm3。

硅的晶体结构为面心立方晶系,共有三种常见结构:金刚石型结构、锗型结构和立方晶型结构。

硅的熔点为1415℃,沸点为2355℃,比熔对为-168℃,是一种典型的半导体材料。

硅的热导率、电导率、热膨胀系数和硬度都比较高,可以用于制造高温、高压的电子元件。

1.2化学性质硅在常温下不与大多数化学物质反应,但是会与强氧化剂如氧气、水等反应。

硅和氧气反应可以生成二氧化硅,化学式为SiO2。

二氧化硅是一种重要的无机化合物,在材料科学、环保和净水等领域都有广泛的应用。

二、硅的制备方法2.1物理制备硅的物理制备主要有两种方法:热分解和顶硼热还原法。

其中热分解法是将硅化物在高温下进行分解,生成纯度较高的硅;顶硼热还原法是将硅化铝和贫硅化物在高温下反应生成硅。

2.2化学制备化学制备硅的方法主要有两种:氢氧化钠法和三氯硅烷法。

其中氢氧化钠法是将高纯度的二氧化硅与氢氧化钠进行反应,生成硅酸钠,并经过还原反应得到硅质量;三氯硅烷法是将三氯硅烷和氢气在催化剂作用下反应生成硅,适用于大规模生产。

三、硅的应用领域3.1电子领域硅是电子工业中半导体材料的主要成分之一,广泛应用于半导体器件、集成电路、太阳能电池等领域。

其中硅晶体管是电子工业中的重要发明,可以放大电信号,是电子通信领域的核心元件。

3.2信息领域硅还广泛应用于计算机、手机等信息产品中,硅片是制造集成电路的重要材料。

除此之外,硅还可以用于制造LCD显示器等多种信息产品。

3.3能源领域硅在能源领域的应用主要是太阳能电池。

半导体材料硅

半导体材料硅

半导体材料硅硅是一种非金属元素,也是最常见的半导体材料之一。

它的化学符号是Si,原子序数是14。

硅是地壳中含量第二多的元素,占地壳质量的27.7%。

硅可以以多种形式存在,最常见的是结晶硅、非晶硅和多晶硅。

结晶硅是硅的最稳定和最有序的形式。

它具有高度的晶体结构,每个硅原子都与四个周围的硅原子形成共价键。

这种键型使得硅具有良好的导电性和半导体特性。

由于结晶硅材料的纯度和晶体质量对器件性能的重要影响,制备高纯度的结晶硅是使用硅的关键步骤之一。

非晶硅是一种无定形的硅材料,它的原子排列没有明显的结晶性质。

在非晶硅中,硅原子形成了非常复杂、大量连接和松散的网络结构。

非晶硅相对于结晶硅具有更高的电阻率和更差的导电性能,因此通常用于一些需要电阻性材料的应用,例如太阳能电池板的透明导电层。

多晶硅是介于结晶硅和非晶硅之间的形态。

它是由许多小的晶体颗粒组成的,晶体的排列较为混乱,但仍具有一定的结晶性质。

多晶硅具有比非晶硅更好的导电性能,但远不及结晶硅。

多晶硅通常用于制造晶体管和太阳能电池等应用。

除了它的导电性能以外,硅还具有许多其他优良的物理和化学性质。

它具有较高的熔点和良好的热导性,可以在高温下稳定工作。

硅也具有良好的化学稳定性,能够抗腐蚀和氧化。

这些性质使得硅成为制造集成电路、太阳能电池和其他电子器件的理想材料。

总结起来,硅是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性能和化学稳定性。

通过不同的制备方法和工艺,硅可以存在于不同的形态,包括结晶硅、非晶硅和多晶硅。

它的独特性质使得硅成为现代电子技术中不可或缺的材料之一。

硅的物理性质

硅的物理性质

硅的物理性质硅(Si)是一种稀土元素,在元素周期表中位于第四组第14位,是显微镜下最重要的电子衍射介质之一。

从科学的角度看,硅是一种无机化合物,也是最重要的半导体材料,在电子、机械、化工及其他领域都有广泛的应用。

本文将对硅的物理性质做一概述。

硅的化学性质硅具有稳定的四价离子性能,在溶剂中易溶解,它的溶解度依赖于溶剂的pH值。

硅的氧化态为4,在pH大于8的环境下它的氧化态为2,在pH小于8的环境下它的氧化态为0。

硅在低耐蚀环境中,形成不可逆的氧化反应,硅和水之间构成质子受体实现水分解,反应生成键类似于硅酸盐,可形成多重晶体状的化合物。

硅的钨酸盐硅的钨酸盐,全称为硅钨酸盐,是由硅酸和氨基酸混合而成,主要作为陶瓷、建筑材料、玻璃、石膏等的材料组成成分,起关键作用。

硅钨酸盐在高温下有较好的热稳定性,具有良好的韧性和机械强度,具有良好的抗冲击性能。

它可以增强材料的耐火性,特别是可以增强氧化物的耐火性,从而可以改善材料性能和加工性能。

硅的物理性质硅是一种稀有的无机物质,有高熔点,有较强的吸热性和抗热膨胀性能。

硅因其电子衍射特性,广泛应用于电子衍射仪,也可以用于高温密封和元件制造,以及电路板外壳的制作等。

硅的物理性质表明它具有良好的热稳定性,可以有效抗腐蚀,耐高温,耐低温,耐弯曲,冲击强度及耐蚀性等优良品质。

综上所述,硅的物理性质非常丰富,它的化学性质及其钨酸盐的物理性质对工业和生活都有重要的意义,是先进材料的重要来源。

硅及其衍生物的应用日益增加,可以实现经济高效和高精度制造,以满足社会经济发展的需要。

以上就是关于硅的物理性质的介绍,硅是重要的半导体材料,具有丰富的物理性质,在电子、机械、化工及其他领域有广泛的应用。

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1.5掺入施主的半导体称为N型半导体,如掺磷的硅。
由于施主释放电子,因此在这样的半导体中电子为多数导电载流子(简称多子),而空穴为少数导电载流子(简称少子)。如图1.1所示。
掺入受主的半导体称为P型半导体,如掺硼的硅。
由于受主接受电子,因此在这样的半导体中空穴为多数导电载流子(简称多子),而电子为少数导电载流子(简称少子)。如图1.1所示。
此混合液是硅单晶缺陷的择优腐蚀显示剂,缺陷部位腐蚀快。
(3)硅与金属的作用
硅与金属作用可生成多种硅化物,如TiSi2,W Si2,MoSi等硅化物具有良好的导电性、耐高温、抗电迁移等特性,可以用来制备集成电路内部的引线、电阻等元件。
(4)硅与SiO2的化学反应
1400℃
Si +SiO2 →2SiO
在直拉法(CZ)制备硅单晶时,因为使用超纯石英坩埚(SiO2),石英坩埚与硅熔体会发生上述反应。反应生成物SiO一部分从硅熔体中蒸发出来,另外一部分溶解在熔硅中,从而增加了熔硅中氧的含量,成为硅中氧的主要来源。在拉制单晶时,单晶炉内须采用真空环境或充以低压高纯惰性气体,这种工艺可以有效防止外界沾污,并且随着SiO蒸发量的增大而降低熔硅中的氧含量,同时,在炉腔壁上减缓SiO沉积,以避免SiO粉末影响无位错单晶生长。
半导体材料硅的基本性质
一.半导体材料
1.1固体材料按其导电性能可分为三类:绝缘体、半导体及导体,它们典型的电阻率如下:
图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围
1.2半导体又可以分为元素半导体和化合物半导体,它们的定义如下:
元素半导体:由一种材料形成的半导体物质,如硅和锗。
化合物半导体:由两种或两种以上元素形成的物质。
图2.5 原子能级和能带
3. 导体、半导体及绝缘体的能带模型
能带理论可以说明导体、半导体和绝缘体的区别,如图2.6所示。金属导体有被电子部分占据的能带,称为导带。在导带中,空态的能量与被占态的能量相连接。能带填充情况很容易被外电场作用所改变,表现出良好的导电性。
半导体和绝缘体在T=0K时电子恰好填满较低的一系列能带,其余能带全空着。最高被填充的能带与其上的空带之间隔着禁带(带隙)。外电场很难改变其能带填充状况,因而不产生电流。在T≠0K时,由于半导体的禁带宽度较窄,一般在1~2eV左右,会有少量电子从最高的满带(即价带)跃迁到空带(即导带),成为导电电子,同时价带中出现少量空穴,自由的电子和空穴在外电场作用下漂移运动,因此,半导体具有一定的导电性。绝缘体的禁带较宽,这种热激发很少,所以导电性很差。
3s3p
按照这种配布,s轨道的两个电子已配成对了,不能再配对。只有p 轨道上的2个电子尚未配对,可以和最近邻原子的价电子配成两对。这样每个原子只能和最近邻原子形成2个共价键,而实际上却是4个共价键。
这个矛盾靠轨道的杂化来解决。硅原子的3s上的电子可以激发到3p上去,形成新的sp3杂化轨道:
3s3p
sp3杂化轨道有4个未配对的电子,故可以形成4个共价键。虽然3s能级上的电子激发到3p能级上去需要一定的能量,但形成2个共价键所放出的能量更多,结果体系更趋稳定。
1.3硅的化学性质
硅在自然界中多以氧化物为主的化合物状态存在。
硅晶体在常温下化学性质十分稳定,但在高温下,硅几乎与所有物质发生化学反应。
1.硅的热氧化反应
~1100℃
Si + O2→SiO2
~1000℃
Si + 2H2O→SiO2+ H2
在硅表面生成氧化层,其反应程度与温度有相当大的关系,随温度的升高,氧化速度加快。
c.缺陷(原生缺陷和工艺诱生缺陷)
半导体材料中各种缺陷也可以在禁带中产生能级,增加少子复合机率,降低少子寿命。
6. 载流子浓度
载流子浓度随温度的变化如图2.9所示。
图2.9 以温度为函数且施主浓度为1015cm-3的硅样品的电子浓度
7.PБайду номын сангаас结
a. PN结的光生伏特效应
光生伏特效应就是半导体二极管吸收光能后在PN结两端产生电动势的效应。
1.4 硅的晶体结构和化学键
1.硅的晶体结构
硅晶体为金刚石结构,四个最近邻原子构成共价四面体。如图2.1和图2.2所示。
图2.1 共价四面体图2.2 硅的晶体结构
2.硅晶体的化学键
硅晶体中的化学键为典型的共价键,共价键是通过价电子的共有化形成的。具体说来,共价键是由两原子间一对自旋相反的共有电子形成的。电子的配对是形成共价键的必要条件。硅晶体中的每个原子都与4个最近邻原子形成四对自旋相反的共有电子,构成4个共价键。
价带有效态密度
Nv
cm-3
1.04×1019
器件最高工作温度

250
表1 硅的物理化学性质(300K)
1.2硅的电学性质
硅的电学性质有两大特点:
一 、导电性介于半导体和绝缘体之间,其电阻率约在10-4~1010 ·cm
二 、导电率和导电类型对杂质和外界因素(光热,磁等)高度敏感。无缺陷的、无掺杂的硅导电性极差,称为本征半导体。当掺入极微量的电活性杂质,其电导率将会显著增加,称为非本征半导体。例如,向硅中掺入亿份之一的硼,其电阻率就降为原来的千分之一。掺入不同的杂质,可以改变其导电类型。当硅中掺杂以施主杂质(ⅴ族元素:磷、砷、锑等)为主时,以电子导电为主,成为N型硅;当硅中掺杂以受主杂质(Ⅲ族元素:硼、铝、镓等)为主时,以空穴导电为主,成为P型硅。硅中P型和N型之间的界面形成PN结,它是半导体器件的基本机构和工作基础。如图所示电阻率随杂质浓度的变化
b. 光电转换的物理过程
1吸收光能激发出非平衡电子一空穴对
2非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动
3非平衡电子和空穴在内建电场作用下向相反方向运动而分离,在PN结两端产生电势
4将PN结用导线连接,形成电流
5在太阳电池两端连接负载,实现了将光能向电能的转换
硅中的杂质能级如图2.8所示。
图2.8 硅中杂质能级
a.浅能级杂质
在硅中的Ⅲ,Ⅴ族元素,杂质能级非常靠近价带或导带,对硅的电学性能起着关键性影响,如受主杂质硼和施主杂质磷。
b.深能级杂质
在硅中,有些杂质的能级位于禁带中部,例如: 金,银,铜,铁等重金属杂质。电子和空穴可以通过这些复合中心使少数载流子寿命降低。
二.硅的基本性质
1.1硅的基本物理化学性质
硅是最重要的元素半导体,是电子工业的基础材料,其物理化学性质(300K)如表1所示。
性质
符号
单位
硅(Si)
原子序数
Z
14
原子量
M
28.085
原子密度
个/cm3
5.00×1022
晶体结构
金刚石型
晶格常数
a
Å
5.43
熔点
Tm

1420
密度(固/液)
g/ cm3
2.329/2.533
4.硅晶体的禁带宽度Eg
禁带宽度Eg是半导体材料的一个重要参数。 Eg的大小大体上和光吸收的阀值能量及光发射的光波长限相对应,即和光电应用的波长范围密切联系着。较大的Eg有利于提高半导体器件的热稳定性。
Eg的大小还与温度有直接的关系,在一定的温度范围内Eg随T线性变化,但当T→0K时,Eg趋于一个常数,如图2.7所示。
图2.7 Si的禁带宽度Eg随温度的变化
5. 硅中杂质的能级和缺陷能级
理想的硅晶体,即无缺陷无掺杂的半导体硅,禁带中没有其它能级存在,具有本征电导特性,称为本征半导体。当掺入杂质或有缺陷时,禁带中将有杂质或缺陷能及存在,将明显影响半导体性能,对电导起主要作用。实际半导体都会有一定的杂质,所形成有电导超过本征电导,称为杂质半导体或非本征半导体。
所谓共价键的方向性是指原子只在特定的方向上形成共价键。硅原子的四个sp3杂化轨道是等同的,各含有1/4s和3/4p成分,它们两两之间的夹角为109°28′。所以,它们的对称轴必须指向正四面体的四角。而且,共价键的强弱取决于形成共价键的两个电子轨道相互交叠的程度,交叠愈多,共价键愈强。因此,硅原子结合时的4个共价键取四面体顶角方向,因为2个最近邻原子的sp3杂化轨道在四面体顶角方向重叠最大,故共价键取这些方向,这就决定了硅晶体为金刚石结构。
2.硅与氯气(Cl2)或氯化物(HCl)的化学反应
~300℃
Si +2Cl2 →SiCl4
~280℃
Si + 3HCl→ SiHCl3+ H2
上面两个反应常用来制造高纯硅的基本材料—SiCl4和SiHCl3。
3.硅与酸的化学反应
硅对多数酸是稳定的,硅不能被HCl 、H2SO4、HNO3、HF及王水所腐蚀,但可以被其混合液所腐蚀。
1)二元化合物
GaAs— 砷化镓
SiC — 碳化硅
2)三元化合物
AlGa11As — 砷化镓铝
AlIn11As —砷化铟铝
1.3半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体,它们的定义分别为:
本征半导体:当半导体中无杂质掺入时,此种半导体称为本征半导体。
非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,本征半导体就成为非本征半导体。
硅原子的最外层价电子分布为3s23p2,3s能级最多能容纳2个自旋相反的电子,现已有2个自旋相反的电子配成对了。3p能级最多可容纳6个电子,现只有2个电子。根据洪特规则,即共价轨道上配布的电子将尽可能分占不同的轨道,且自旋平行。那么,两个p电子将分别占据两个p轨道,而空出一个p轨道。如此,硅原子的价电子配布为:
1.5硅的半导体性质
1. 硅原子能级图
图2.3 一孤立硅原子能级图
2. 硅晶体的能带结构
图2.4 硅晶体的能带结构图
晶体的能带代表的物理意义:
反应了晶体中电子的运动状态具有介于孤立原子中电子与自由电子之间这样一种特性。设想,固体中各个原子之间没有相互作用,相距较远,彼此孤立,那么,许多电子都处在相同的能级上。实际上,原子通过电子,特别是外层电子的相互作用,改变了独立原子中电子的能量,N 个孤立原子的一个能级扩层或分裂成N个间隔很近的能级,组成一个能带。如图2.5所示。
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