半导体制冷原理 ppt课件
半导体制冷原理
半导体制冷原理半导体材料具有热电效应，即在材料中通过电流时，会同步地产生热量（焦耳效应）和产生电压差（享利效应）。
当一个半导体材料的其中一个端子加热时，另一个端子就会产生冷却效果。
这种效应被称为“庞特效应”，成为半导体制冷的核心原理。
当一个电流通过热电堆时，由于庞特效应，电流从P型半导体的冷面流向N型半导体的热面，在冷面产生降温效应，在热面产生升温效应。
这样就实现了从冷却一侧到加热一侧的热量传导。
同时，半导体材料的导热效应也起到了重要的作用，将从冷端吸收的热量快速传导到热端，以保证制冷效果。
半导体材料选择对半导体制冷性能影响很大。
通常情况下，元素稀有、价格高昂的材料具有更好的制冷性能，如铋（Bi）和锗（Ge）等。
同时，半导体材料的制备过程也需要特殊的工艺，以确保材料的纯度和晶体结构，以获得最佳的制冷性能。
半导体制冷技术具有很多优点。
首先，半导体制冷设备结构简单，体积小，适应性强，使得其在小型制冷设备中应用广泛。
其次，半导体制冷设备没有移动部件，无噪音无振动，符合无噪音和低振动的制冷需求。
再次，半导体制冷设备对环境友好，没有任何污染物的排放。
然而，半导体制冷也存在一些挑战和限制。
首先，半导体材料的制冷效果有限，热电转换效率较低。
目前，热电转换效率最高的半导体材料为铋锑合金（Bi-Sb alloy），其热电转换效率仅为15%左右。
其次，半导体制冷设备的功耗相对较高，需要大量的电能输入以达到制冷效果。
此外，半导体制冷设备制备工艺复杂，成本较高。
将来，随着科学技术的发展和新材料的研究，半导体制冷技术有望取得更大突破。
如研发出更高效的半导体材料和提高热电转换效率，进一步降低功耗和成本，使得半导体制冷技术在更广泛的领域中得到应用，为人类创造更舒适的环境。
半导体制冷ppt课件
2021/8/6
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1
概述 原理 特点 系统 应用
2021/8/6
二 为什么选择半导体
普通金属导体的珀尔帖效应微弱,制冷效果不佳。例 如当时曾用金属材料中导热和导电性能最好的锑-铋 (Sb-Bi)热电偶做成制冷器,但其制冷效率还不到1 % ,根 本没有实用价值。
20世纪50年代~ 20世纪80年代 半导体材料的广泛应用，热电 效应的效率大大提高,热电发 电和热电制冷进入工程实践。 . 20世纪80年代~ 至今
提高半导体的热电制冷的性能 开发热电制冷的应用领域
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概述 原理 特点 系统 应用
2021/8/6
国内
20世纪50~60年代 开始对半导体制冷进行了研究
(220)
2021/8/6
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概述 原理 特点 系统 应用
可见 一定的电偶对的最大制冷量只和冷端温度Tc有关（ Th 一定时）； 当工作温度和材料性质（α、λ、ρ）一定时，最
大制冷量只和电偶的尺寸有关，短粗的电偶制冷量 大，细长的电偶制冷量小。
2021/8/6
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概述 原理 特点 系统 应用
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概述 原理 特点 系统 应用
（2）制冷量最大的条件
由 Q 0IT c1 2I2Rk(ThTc)
(2-7)
可以看出，工作温度一定时，制冷量的大小与电流有关，对
式（2-7）对电流求偏导数并令其为零。得到
Tc IR0
使制冷量Q0取得极值的电流为
I Q0 opt
Tc
R
(2-
19)
Q0， ma（ x 2TR c） 2-K(Th-Tc)
《半导体制冷实验》PPT课件_OK
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附2 中间导体定律
中间导体定律 在热电偶回路中接入中间导体 （第三导体），只要中间导体两端温度相同， 中间导体的引入对热电偶回路总电势没有影响， 这就是中间导体定律。
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实验内容
1、半导体制冷特性测试
改变半导体制冷片两端电压，记录电流的大
小和冷端、热端温度，计算温差大小。
2、计算在不同电压下最大制冷系数
K max
Tc TH Tc
3、用作图法作半导体制冷片的U-I负载特性曲线，
并与半导体PN结的伏安特性曲线进行比较。
4、观察半导体制冷结露现象。
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预习与思考
半导体制冷片是由PN结串联而成的吗？ 半导体热电偶与PN结有什么区别？它们之间
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帕尔贴效应产生热量的多少
Qp aTc I
Qp表示帕尔贴效应产生的热量变化 a为温差电动势率 Tc为结点处的温度 I为流经导体的电流
半导体材料可以通过掺杂提高温差电动势率，
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从而达到i
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半导体制冷片
由多组半导体热电偶组合而成
40×40×4mm 127对热电偶组成 冷热端温差60℃
直流电通过两种不 同导电材料构成的 回路时，结点上将 产生吸热或放热现
象称为帕尔贴效应, 又称热电效应 4
帕尔贴效应的物理解释
电荷载体（载流子）在回路中运动形成电流， 如果电荷载体在不同的导体之间流动，由于其 在不同导体内所处的能级不同，在结点处就会 产生能级的跳变，当从高能级向低能级运动， 便放出多余的能量（放热），反之则吸热。
的伏安特性曲线会相同吗？为什么？ 半导体制冷与温差发电有什么联系？ 半导体制冷有什么优点和缺点？
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仪器实物
实验仪
《半导体制冷》课件
冷端散热器
将半导体组件的冷端热 量散发到环境中，保持
低温状态。
电源和控制模块
提供工作电压和电流， 控制半导体制冷系统的
运行状态。
半导体制冷系统的工作流程
热端散热器将热量散发到环境中，维持热平衡 。
通过电源和控制模块调节电流大小和方向，可以控制 半导体制冷系统的制冷量和温度。
通电后，电流通过半导体组件，产生珀尔贴效 应，即热量从热端通过半导体组件传递到冷端 。
03
半导体制冷系统的设计
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW
ERA
半导体制冷系统的设计原则
高效性
确保系统在运行过程中能够高效地转换电能 ，实现快速制冷。
安全性
设计时应充分考虑系统的安全性能，防止过 热、过流等潜在风险。
稳定性
系统应具备稳定的运行状态，保证制冷效果 的一致性和可靠性。
科研领域
用于精密测量和实验设备的制 冷和温度控制，如光刻机、质
谱仪等。
BIG DATA EMPOWERS TO CREATE A NEW ERA
02
半导体制冷系统的组成和工作流程
半导体制冷系统的组成
热端散热器
用于将半导体产生的热 量散发到环境中，保持
系统正常工作温度。
半导体组件
由许多单体半导体元件 串联或并联组成，实现
半导体制冷系统的挑战和机遇
技术成熟度
目前半导体制冷技术尚未完全成熟，仍存在效率、稳 定性等方面的问题，需要进一步研究和改进。
成本问题
半导体制冷系统的制造成本较高，限制了其在一些低 端市场的应用。
政策支持
政府可以出台相关政策，鼓励企业加大半导体制冷技 术的研发和应用投入，推动产业发展。
半导体制冷ppt
半导体制冷原理
珀尔帖效应：当直流电通过不同的导电材料 构成的回路时,其接触面上将产生吸热或放热 现象。
半导体制冷原理
其机理主要是电荷载体在不同的材料中处于 不同的能量级，在外电场的作用下，电荷载 体从高能级的材料向低能级的材料运动时， 便会释放出多余的能量。反之，电荷载体从 低能级的材料向高能级的材料运动时，需从 外界吸收能量。能量在不同材料的交接面以 热的形式放出或吸收。
半导体制冷优缺点
缺点
1.半导体制冷器的制冷效率低 2. 电偶对中的电源只能使用直流电源 3.电偶堆元件采用高纯稀有材料，再加上 工艺条件尚未十分成熟，导致元件成本 比较高
半导体制冷的应用
通过以上分析，半导体温差电片件应用范围有： 制冷、加热、发电，制冷和加热应用比较普 遍，有以下几个方面： 1、军事方面：导弹、雷达、潜艇等方面的红 外线探测、导行系统。 2、医疗方面；冷力、冷合、白内障摘除片、 血液分析仪等。
半导体制冷Leabharlann 理用P型和N型半导体粒子按照一定的规则排 列，将它们用金属连接片焊接成一个电偶 对，接上直流电源后将电流从N极流向P极 的那端作为冷端，用于制冷，而将P极流 向N极的一端作为热端，用于放热 。
半导体制冷原理
在实际中一级制冷是不能达到制冷要求 1.串联
2.并联 3.串并联混合
半导体制冷优缺点
优点
1.不使用制冷剂，故无泄漏，对环境无污染。 2.尺寸小，重量轻，适合小容量、小尺寸的特殊的制冷环 境。 3.无运动部件，因而工作时无噪声，无磨损、寿命长，可 靠性高。 4.半导体制冷器参数不受空间方向的影响，即不受重力场 影响，在航天航空领域中有广泛的应用。 5.作用速度快，工作可靠，使用寿命长，易控制，调节方 便，可通过调节工作电流大小来调节器制冷能力 。
半导体制冷片工作原理
半导体制冷片工作原理Company Document number ：WUUT-WUUY-WBBGB-BWYTT-1982GT半导体制冷片工作原理致冷器件是由半导体所组成的一种冷却装置，随着近代的半导体发展才有实际的应用，也就是致冷器的发明。
其工作原理是由直流电源提供电子流所需的能量，通上电源后，电子负极(-)出发，首先经过 P 型半导体，于此吸热量，到了 N 型半导体，又将热量放出，每经过一个 NP 模块，就有热量由一边被送到令外一边造成温差而形成冷热端。
冷热端分别由两片陶瓷片所构成，冷端要接热源，也就是欲冷却之。
在以往致冷器是运用在 CPU 的，是利用冷端面来冷却 CPU，而热端面散出的热量则必需靠风扇来排出。
致冷器也应用于做成车用冷/热保温箱，冷的方面可以冷饮机，热的方面可以保温热的东西。
半导体致冷器的历史致冷片是由半导体所组成的一种冷却装置，于 1960 摆布才浮现，然而其理论基础Peltier effect 可追溯到 19 世纪。
下图(1)是由 X 及 Y 两种不同的金属导线所组成的封闭路线，通上电源之后，A 点的热量被移到 B 点，导致 A 点温度降低，B 点温度升高，这就是着名的 Peltier effect。
这现象最早是在 1821 年，由一位德国科学家 Thomas Seeback 首先发现，无非他当时做了错误的推论，并没有领悟到暗地里真正的科学原理。
到了 1834 年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家JeaNPeltier，才发现暗地里真正的原因，这个现象直到近代随着半导体的发展才有了实际的应用，也就是「致冷器」的发明。
一、因半导体致冷片薄而轻巧，体积很小，不占空间，并可以携带，做成车用电冷/热保温箱，放置车上，不占空间，并可变成冰箱及保温箱，夏天可以摆上几瓶饮料，就可以便冰饮，在冬天就可以变成保温箱。
二、致冷器件的结构与原理下图(2)是一个制冷器的典型结构。
图(2) 致冷器的典型结构致冷器是由许多 N 型和 P 型半导体之颗粒互相罗列而成，而 NP 之间以普通的导体相连接而成一完整路线，通常是铜、铝或者其它金属导体，最后由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好，外观如下图(3)所示，看起来像三明治。
半导体制冷片工作原理
半导体制冷片工作原理————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期：半导体制冷片工作原理致冷器件是由半导体所组成的一种冷却装置，随着近代的半导体发展才有实际的应用,也就是致冷器的发明。
其工作原理是由直流电源提供电子流所需的能量，通上电源后，电子负极(-)出发，首先经过Ｐ型半导体,于此吸热量，到了N型半导体,又将热量放出，每经过一个NP模块,就有热量由一边被送到令外一边造成温差而形成冷热端。
冷热端分别由两片陶瓷片所构成，冷端要接热源，也就是欲冷却之。
在以往致冷器是运用在CPU的,是利用冷端面来冷却CPU,而热端面散出的热量则必需靠风扇来排出。
致冷器也应用于做成车用冷／热保温箱,冷的方面可以冷饮机，热的方面可以保温热的东西。
半导体致冷器的历史致冷片是由半导体所组成的一种冷却装置，于１96０左右才出现,然而其理论基础Pｅltier effect 可追溯到1９世纪。
下图(1)是由X及Ｙ两种不同的金属导线所组成的封闭线路，通上电源之后,A点的热量被移到B点，导致A点温度降低,B点温度升高,这就是著名的Peｌtiｅr efｆect。
这现象最早是在1821年,由一位德国科学家ＴhｏmaｓSeebaｃk首先发现,不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。
到了1８３4年，一位法国表匠,同时也是兼职研究这现象的物理学家JeaNPeltier，才发现背后真正的原因，这个现象直到近代随着半导体的发展才有了实际的应用，也就是「致冷器」的发明。
一、因半导体致冷片薄而轻巧,体积很小,不占空间，并可以携带，做成车用电冷/热保温箱,放置车上，不占空间,并可变成冰箱及保温箱，夏天可以摆上几瓶饮料，就可以便冰饮,在冬天就可以变成保温箱。
图(１）致冷器件的作用原理致冷器的名称相当多，如Pｅlｔier coolｅr、ther ｍoeｌectrｉc、thermoelｅctrｉc coolｅr (简称T.Ｅ或T.E.C)、thermoelｅｃｔrｉc module,另外又称为热帮浦(ｈeaｔｐump)。
半导体制冷片--帕尔贴ppt课件
peltier制冷片制冷特点及应用
• • • • • • • • 半导体致冷器作为特种冷源，在技术应用上具有以下的优点和特点： 1、 不需要任何致冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会 产生回转效应，没有滑动部件，是一种固体器件，工作时没有震动、噪音、 寿命长、安装容易。 2、 半导体致冷器具有两种功能，既能致冷，又能加热，致冷效率一般 不高，但致热效率很高，永远大于1。因此使用一个器件就可以代替分立的加 热系统和致冷系统。 3、 半导体致冷器是电流换能型器件，通过输入电流的控制，可实现高 精度的温度控制，再加上温度检测和控制手段，很容易实现遥控、程控、计 算机控制，便于组成自动控制系统。 4、 半导体致冷器热惯性非常小，致冷致热时间很快，在热端散热良好 冷端空载的情况下，通电不到一分钟，致冷器就能达到最大温差。 5、 半导体致冷器的反向使用就是温差发电，半导体致冷器一般适用于 中低温区发电。 6、 半导体致冷器的单个致冷元件对的功率很小，但组合成电堆，用同 类型的电堆串、并联的方法组合成致冷系统的话，功率就可以做的很大，因 此致冷功率可以做到几毫瓦到上万瓦的范围。 7、半导体致冷器的温差范围，从正温90℃到负温度130℃都可以实现。
peltier制冷片选用原则
• 半导体致冷应用产品的心脏部分是半导体致冷器，根据半导体温差致 冷器的特点，弱点及应用范围，选用致冷器时首先应确定以下几个问 题： • 1、 确定致冷器的工作状态。根据工作电流的方向和大小，就可 以决定致冷器的致冷，加热和恒温性能，尽管最常用的是致冷方式， 但也不应忽视它的致热和恒温性能。 • 2、 确定致冷时热端实际温度。因为致冷器是温差器件，要达到 最佳的致冷效果，致冷器须安装在一个良好的散热器上，根据散热条 件的好坏，决定致冷时致冷器热端的实际温度，要注意，由于温度梯 度的影响，致冷器热端实际温度总是要比散热器表面温度高，通常少 则零点几度，多则高几度、十几度。同样，除了热端存在散热梯度以 外，被冷却的空间与致冷器冷端之间也存在温度梯度。 • 3、确定致冷器的工作环境和气氛。这包括是工作在真空状况还 是在普通大气，干燥氮气，静止或流动空气及周围的环境温度，由此 来考虑保温（绝热）措施，并决定漏热的影响。 • 4、确定致冷器工作对象及热负载的大小。除了受热端温 度影响 以外，致冷器所能达到的最低温度或最大温差是在空载和绝热两个条 件下确定的，实际上工作的，致冷器既不可能真正绝热，也必须有热 负载，否则无意义。
《半导体制冷实验》课件
目录
• 半导体制冷原理介绍 • 半导体制冷器件 • 半导体制冷实验步骤 • 实验结果分析 • 结论与展望
01
半导体制冷原理介绍
Chapter
半导体制冷原理概述
半导体制冷，又称为热电制冷，是一种利用半导体材料 的热电效应实现制冷的技术。
半导体制冷技术不需要制冷剂，而是通过电能与热能的 相互转换实现制冷。
实验环境
实验室内的温度、湿度和清洁度应符合实验要求 ，确保实验结果的准确性和可靠性。
实验操作步骤
步骤一
检查实验器材和材料 是否齐全、完好，确 保实验顺利进行。
步骤二
根据实验要求，选择 合适的半导体材料和 规格，按照正确的连 接方式将各部件连接 起来。
步骤三
打开电源，观察半导 体制冷器的制冷效果 ，记录相关数据。
根据实验数据，分析半导体制冷效果与 电流、电压等因素的关系，以及实验误 差来源。
VS
对比分析
将实验结果与理论预测进行对比，找出差 异原因，提高实验的准确性和可靠性。
结果讨论
结果解释
对实验结果进行解释，分析半导体制冷原理 在实际应用中的表现和限制因素。
改进建议
根据实验结果和数据分析，提出改进半导体 制冷实验的措施和建议，提高实验效果和可 靠性。
半导体制冷器件的工作原理
01
当直流电通过由P型半导体和N型半导体组成的半导体制冷器时，在电场的作用 下，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子分别向冷端和热端移动，从而在 冷端产生制冷效果。
02
随着电流的持续流动，热量从热端不断转移到冷端，从而实现制冷的目的。
半导体制冷器件的种类
平板型半导体制冷器
05
半导体制冷原理
半导体制冷原理(转)2007-06-01 12:41:53希望用半导体制冷将相机CCD温度降到22度以下.第一部分制冷片的介绍半导体制冷片（TE）也叫热电制冷片，是一种热泵，它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。
半导体制冷片的工作运转是用直流电流，它既可制冷又可加热，通过改变直流电流的极性来决定在同一制冷片上实现制冷或加热，这个效果的产生就是通过热电的原理，以下的图就是一个单片的制冷片，它由两片陶瓷片组成，其中间有N型和P型的半导体材料（碲化铋），这个半导体元件在电路上是用串联形式连结组成半导体制冷片的工作原理是：当一块N型半导体材料和一块P型半导体材料联结成电偶对时，在这个电路中接通直流电流后，就能产生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸收热量，成为冷端由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。
吸热和放热的大小是通过电流的大小以及半导体材料N、P的元件对数来决定，以下三点是热电制冷的温差电效应。
1、塞贝克效应（SEEBECK EFFECT）一八二二年德国人塞贝克发现当两种不同的导体相连接时，如两个连接点保持不同的温差，则在导体中产生一个温差电动势：ES=S.△T式中：ES为温差电动势S（?）为温差电动势率（塞贝克系数）△T为接点之间的温差2、珀尔帖效应（PELTIER EFFECT）一八三四年法国人珀尔帖发现了与塞贝克效应的效应，即当电流流经两个不同导体形成的接点时，接点处会产生放热和吸热现象，放热或吸热大小由电流的大小来决定。
Qл=л.I л=aTc式中：Qπ为放热或吸热功率π为比例系数，称为珀尔帖系数I为工作电流a为温差电动势率Tc为冷接点温度3、汤姆逊效应（THOMSON EFFECT）当电流流经存在温度梯度的导体时，除了由导体电阻产生的焦耳热之外，导体还要放出或吸收热量，在温差为△T的导体两点之间，其放热量或吸热量为：Qτ=τ.I.△TQτ为放热或吸热功率τ为汤姆逊系数I为工作电流△T为温度梯度以上的理论直到本世纪五十年代，苏联科学院半导体研究所约飞院士对半导体进行了大量研究，于一九五四年发表了研究成果，表明碲化铋化合物固溶体有良好的制冷效果，这是最早的也是最重要的热电半导体材料，至今还是温差制冷中半导体材料的一种主要成份。
半导体制冷原理图解制冷与空调技术
半导体制冷原理图解 - 制冷与空调技术半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，于1960年左右才消灭，然而其理论基础peltier effect可追溯到19世纪。
这现象最早是在1821年，由一位德国科学家thomas seeback首先发觉，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背后真正的科学原理。
到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职争辩这现象的物理学家jean peltier，才发觉背后真正的缘由，这个现象直到近代随著半导体的进展才有了实际的应用，也就是［致冷器］的创造（留意，这种叫致冷器，还不叫半导体致冷器）。
由很多n型和p型半导体之颗粒相互排列而成，而n p之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最後由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必需绝缘且导热良好，外观由很多n型和p型半导体之颗粒相互排列而成，而n p之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最终由两片陶瓷片像夹心饼干一样夹起来，陶瓷片必需绝缘且导热良好。
n型半导体。
任何物质都是由原子组成，原子是由原子核和电子组成。
电子以高速度绕原子核转动，受到原子核吸引，由于受到肯定的限制，所以电子只能在有限的轨道上运转，不能任意离开，而各层轨道上的电子具有不同的能量（电子势能）。
离原子核最远轨道上的电子，经常可以脱离原子核吸引，而在原子之间运动，叫导体。
假如电子不能脱离轨道形成自由电子，故不能参与导电，叫绝缘体。
半导体导电力量介于导体与绝缘体之间，叫半导体。
半导体重要的特性是在肯定数量的某种杂质渗入半导体之后，不但能大大加大导电力量，而且可以依据掺入杂质的种类和数量制造出不同性质、不同用途的半导体。
将一种杂质掺入半导体后，会放出自由电子，这种半导体称为n型半导体。
p型半导体，是靠“空穴”来导电。
在外电场作用下“空穴”流淌方向和电子流淌方向相反，即“空穴”由正板流向负极，这是p型半导体原理。
半导体制冷器
半导体制冷器的性能测试与评估
• 半导体制冷器的性能测试主要包括制冷量测试、制冷效率测试、散热效果测试等 • 制冷量测试需要使用热流量计、温度传感器等设备，测量制冷器的制冷效果 • 制冷效率测试需要使用功率计、温度传感器等设备，测量制冷器的能耗 • 散热效果测试需要使用热流量计、温度传感器等设备，测量制冷器的散热效果
缺点：
• 半导体制冷器的制冷量相对较小，适用于中小功率制冷需求 • 半导体制冷器的成本较高，使用寿命相对较短 • 半导体制冷器对工作环境要求较高，需要良好的散热条件
03
半导体制冷器的设计与制造
半导体制冷器的设计 要点
• 半导体制冷器的设计需要考虑制冷量、制冷效率、散热效果等因 素
• 根据制冷需求选择合适的半导体材料，提高制冷效率 • 优化散热器设计，提高散热效果，保持制冷器的正常工作 • 考虑制冷器的工作环境，确保制冷器在各种条件下的稳定运行
半导体制冷器的制造工艺
• 半导体制冷器的制造工艺主要包括半导体元件制备、散热器制备、 热交换器制备和电源设计等
• 半导体元件制备需要采用单晶硅、多晶硅等半导体材料，通过 切割、掺杂等工艺制备
• 散热器制备需要采用铝、铜等金属材料，通过压铸、焊接等工 艺制备
• 热交换器制备需要采用不锈钢、铜合金等材料，通过冲压、焊 接等工艺制备
半导体制冷器的基本结构
• 半导体制冷器主要由半导体元件、散热器、热交换器和电源组成 • 半导体元件是制冷器的核心部件，负责产生制冷效果 • 散热器负责将半导体元件产生的热量传递给外界，保持制冷器 的正常工作 • 热交换器负责将制冷器产生的冷量传递给需要制冷的物体 • 电源为半导体元件提供电能，驱动制冷器的正常工作
半导体制冷原理
半导体制冷原理是指使用半导体材料来制冷的原理。
这种方法使用半导体材料来把热能转换成电能，从而冷却物体。
半导体制冷技术是一种非常先进的制冷技术，可以替代传统的制冷方法，如气体制冷和液体制冷。
这种技术是通过使用半导体材料中的电子流来实现冷却的。
半导体材料中的电子流可以用于吸收热能，并将其转化为电能，从而使物体冷却。
半导体制冷技术具有很多优点，如较低的能耗，更高的效率，更小的尺寸和更长的使用寿命。
它也可以用在各种不同的应用中，如汽车空调，家用电器，冰箱，空调等。
还可以应用在工业和商业领域，如冷藏储存，医疗设备，电信设备等。
半导体制冷技术还在不断发展和改进中。
研究人员正在研究新的半导体材料和新的技术，以提高效率和减少能耗。
总的来说，半导体制冷是一种先进的制冷技术，具有很多优点，并且在未来可能会取代传统的制冷方法。
半导体制冷的原理
半导体制冷的原理半导体制冷技术是一种基于半导体材料电热效应的制冷方法，其原理主要基于品质效应和热耦合效应。
在半导体制冷技术中，电流通过半导体材料时会产生冷热效应，从而实现制冷过程。
首先，我们需要了解几个基本的概念：1. 品质效应（Seebeck效应）：当两个不同材料的两个连接处处于不同的温度时，材料的电子会产生从高温端到低温端的自由扩散，形成了热流。
如果将这两个连接点开路，形成一个闭合回路，并连接一个电压测量仪器，我们会发现，在两个连接点之间会产生一个电势差。
这个现象就是品质效应，也就是我们常说的Seebeck效应。
2. 热耦合效应（Peltier效应）：如果将上述的闭合回路改为外加电压源，当电流从低温端流向高温端时，温度梯度将加强，热流的方向也将发生改变。
这时，内部的电子将吸收外部电流传递过来的热量，从而实现了制冷效果。
这个过程就是热耦合效应，也就是我们说的Peltier效应。
了解了这两个基本概念后，我们可以进一步探讨半导体制冷的原理。
半导体材料通常由两种材料构成：P型半导体和N型半导体。
P型半导体中的杂质主要是三价元素（如硼）；N型半导体中的杂质主要是五价元素（如磷）。
当这两种材料连接时，会形成一个PN结。
在PN结的连接处，会形成一个空间电荷区（也称为耗尽层）。
空间电荷区中的电子从N型半导体流向P型半导体，而杂质离子则从P型半导体流向N型半导体，从而形成了电偶极。
在静止状态下，该电偶极会阻止电子和杂质离子进一步扩散，从而形成了一个平衡状态。
当给PN结施加一个电压时，电子和杂质离子会被电场力推动，从而扩散现象被打破，空间电荷区的宽度和形状也发生了变化。
此时，电子会从N型半导体向P 型半导体移动，杂质离子则相反。
在PN结两侧的半导体材料上，由于电子和杂质离子的重新分布，使得结的一侧较为负电，称为冷侧；另一侧较为正电，称为热侧。
当电流通过PN结时，冷热效应会导致冷热两侧温度差增大，从而实现制冷效果。
半导体制冷工作原理知识。
半导体制冷工作原理知识。
半导体制冷也叫温差电制冷、热电制冷或电子制冷，是利用半导体的“塞贝克效应”的逆效应一一帕尔贴(Peltier)效应来实现制冷的一门新兴技术。
所谓“帕尔帖效应”，就是在两种不同金属组合的闭合线路中，若通以直流电流，就会使一个接点变冷而另一个接点变热的现象。
这种现象是由法国科学家Jean C.A. Pettier在1834年发现的。
半导体致冷是靠空穴和电子在运动中直接传递能量来实现的。
与蒸汽压缩式制冷和吸收式制冷相比，它的特点主要表现在以下几个方面：
1)不需要制冷剂，无泄漏，无污染;
2)无机械传动部分，因此工作时无噪音、无磨损、寿命长;
3)冷却速度和制冷温度可以通过改变电流大小任意调节，灵活性高;
4)体积可以做得很小。
例如一个能达到-100℃低温的四级半导体致冷器，其外形尺寸只有一个香烟盒大小。
5)制冷效率与容量大小无关，在制冷量极小时仍能保持较高的制冷效率。
作为一种新兴技术，它在诸多方面又有其难以克服的缺点:
电流过大(通常工作电流可达到5A甚至更高)，耗电量大约是蒸汽压缩式制冷的两倍，发热量大，大容量时制冷效率太低(通常COP<1)对半导体芯片的散热条件要求高半导体致冷器在制造工艺上也不太成熟。
目前，国内外对于便携式制冷的研究，绝大多数仍然集中于如何改善半导体制冷器的工作散热条件(例如使用涡旋换热技术)，以及如何改进半导体芯片的生产工艺等方面。
第六节 半导体制冷
半导体制冷
一、基本概念 半导体制冷又称热电制冷或温差电制冷。 具有热电能量转换特性的材料，在通过直流 电时有制冷功能，因此而得名热电制冷。由 于半导体材料具有最佳的热电能量转换特性， 它的应用才真正使热电制冷实用化，为此人制冷特点： • 这种制冷新技术与传统的制冷方法不同， 既没有制冷剂，又无复杂的机械设备和管 路系统．只要给热电制冷器—通电，几分 钟后就会结上一层雪白的冰霜，既方便又 迅速。因此，它开辟了制冷技术的一个新 分支，解决了许多特殊场合的制冷难题， 其应用有着十分广阔的前景。
二、半导体制冷的基本原理 1.半导体定义 半导体导电能力介于导体与绝缘体之间，叫半 导体。 2.塞贝克效应 • 1821年．塞贝克发现：在两种不同金属构成 的回路中，如果两个接头处的温度不同，其周围 就会出现磁场。进一步实验之后，他发现了在回 路中有一电动势存在，这种现象称为塞贝克效应 或温差电效应。这种电动势就称为塞贝克电动势 或温差电动势。 • 利用塞贝克效应可进行热能到电能的转换， 即温差发电。
• 半导体制冷与机械压缩式制冷的比较
半导体制冷器是一种不用制冷剂、没有运动件的 电器。它的热电堆起着普通制冷压缩机的作用，冷端 及其热交换器相当于普通制冷装置的蒸发器，而热端 及其热交换器则相当于冷凝器。通电时，自由电子和 空穴在外电场的作用下，离开热电堆的冷端向热端运 动，相当于制冷剂在制冷压缩机中的压缩过程。在热 电堆的冷端，通过热交换器吸热，同时产生电子-空穴 对，这相当于制冷剂在蒸发器中的吸热和蒸发。在热 电堆的热端，发生电子-空穴对的复合，同时通过热交 换器散热，相当于制冷剂在冷凝器的放热和凝结。
图6 半导体制冷原理图
在温差电路中引入第三种材料（连接片和导线） 不会改变电路的特性，这样，半导体元件可以各 种不同的连接方式来满足使用要求。
半导体制冷原理
半导体制冷原理半导体制冷的原理是基于热电效应。
热电效应是指当电流通过两种不同温度的材料界面时，会产生热电效应以及被称为热电效应的电压差。
这种现象可以由热电材料的特殊性质解释。
半导体材料常常用于制冷器件，因为它们具有较高的热电效应和良好的电热性能。
半导体材料是一种在温度差变化下表现出电压差的材料。
它由P型半导体和N型半导体通过PN结结合而成。
当施加电压时，电子从N型区域流动到P型区域，同时空穴从P型区域流动到N型区域。
由于电子和空穴在半导体材料中的运动速度和方向不同，他们会发生碰撞，并在碰撞时转移能量。
这种现象称为输运效应，并在材料中产生热电效应。
半导体制冷的主要原理是通过施加电压来产生热电效应，并利用这种效应来传导热量。
当施加电压时，电子从高温区域向低温区域跃迁，同时空穴从低温区域跃迁到高温区域。
这种现象导致了温度差的形成，使得热量从低温区域流向高温区域。
通过适当选择半导体材料和控制电压，可以实现高效的制冷效果。
半导体制冷具有许多优势和应用。
首先，它是一种小型化和微型化的制冷方法。
半导体制冷器件非常紧凑，可以方便地嵌入到各种微小空间中，例如电子元件、传感器和集成电路。
其次，它具有快速响应的特点。
由于半导体材料的高敏感性，它可以快速响应温度变化，并实现高效的制冷效果。
此外，半导体制冷还具有低振动、无噪音、无污染等优点，适用于对环境要求较高的应用。
半导体制冷在许多领域有广泛的应用。
其中一个主要的应用就是微电子制冷。
随着集成电路的不断发展，其功耗越来越大，导致芯片温度升高。
半导体制冷可以在芯片表面实现精确的局部制冷，提高芯片的散热效果。
此外，半导体制冷还广泛应用于激光器、光电探测器、红外传感器等光电子器件的制冷。
由于这些器件对温度稳定性要求很高，半导体制冷可以提供准确的温度控制，保证器件的性能和寿命。
综上所述，半导体制冷是一种基于热电效应的制冷方法。
它通过施加电压在半导体材料中产生温度差，从而实现高效的热量转移。
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当电流通过电偶对时，热电元件内还要 放出焦耳热。焦耳热 与电流的平方成正比， 即：
制
Qj I 2R
(2-159)
冷
原
式中R 为热电元件的电阻。若电偶臂的
理 与 技 术
长s1度, s为2L，R,则电阻L率(为11 及22)，截(面2-1积60为)
s1 s2
计算证明，有一半的焦耳热传给热电
元件的冷端，引起制冷效应降低。
d dy
(
p
r)
0
制 冷 原
1 yopi
1(1xxx1sc)(xxsc1) 1xxx1sc
(2-154)
理
与
因为与压力比y的关系为：
技 术
yT4a T1
T3 T1
T4a T3
(
x
pc
k1
)k
(2-155)
p0
则按式(2-154)可求出最佳压力比：
制 冷 原
(
pc p0
)opi
(
x
k
)k1
yopi
原
效应的原理达到制冷目的。
理 ➢ 塞贝克效应就是在两种不同金属组成的闭
与 技
合线路中，如果保持两接触点的温度不同，就
会在两接触点间产生一个电势差——接触电动 势。同时闭合线路中就有电流流过，称为温差
术 电流。反之，在两种不同金属组成的闭合线路
中，若通以直流电，就会使一个接点变冷，一
个变热，这称为珀尔贴效应，亦称温差电现象
高循环经 技 济性应采用尽可能小的压比。但对于实
术 际循环存在最佳压力比，此时制冷系数
最高。
2.3.2 热电制冷
2.3.2.1 热电制冷的原理
➢ 热电制冷(亦名温差电制冷、半导体制冷或
制 电子制冷)是以温差电现象为基础的制冷方法，
冷 它是利用“塞贝克”效应的逆反应——珀尔帖
理
四个过程
与
技
➢ 这与蒸汽压缩式制冷机的四个工作过程相
术
近，其区别在于工质在循环过程中不发生 集态改变
图2-162 无回热空气制冷机系统图
Ⅰ-压缩机 Ⅱ-冷却器 Ⅲ-膨胀机 Ⅳ-冷箱
图2-163 无回热空气制冷机 理论循环的p-V图与T-s图
制 冷 原 理 与 技 术
NEXT
➢ 图2-162示出无回热空气制冷机系统图
理
与
单位压缩功 和 膨胀功 分别是：
技
w c h 2 h 1 cp(T 2 T 1 )(2-146)
术
w e h 3 h 4 cp(T 3 T 4)(2-147)
从而可计算出循环消耗的 单位功 及 制热系数：
w w c w e c p (T 2 T 1 ) c p (T 3 T 4 ) (2-148) 制
冷 原
q0
cp(T1T4)
(2-149)
w cp(T2T1)cp(T3T4)
理
与 若不计比热随温度的变化，并注意到
技 术
T2
T3
(
pc
k1
)k
T1 T4
p0
则上式可简化为：
q0
cp(T1T4)
(2-149)
制
w cp(T2T1)cp(T3T4)
冷
原
T2
T3
(
pc
k1
)k
理
T1 T4 p0
与
技 术
第三节 其他形式的制冷循环
2.3.1
制
冷
2.3.2 热电制冷
原
2.3.2.1 热电制冷的原理
理
2.3.2.2 热电制冷的特性分析
与 技
2.3.2.3 多级热电堆
术
2.3.3 蒸气喷射式制冷循环
2.3.1 空气制冷
➢ 历史上第一次实现的气体制冷机是以空气
制
作为工质的，并且称为空气制冷机
冷
原
➢ 压缩式空气制冷机的工作过程也是包括等 熵压缩，等压冷却，等熵膨胀及等压吸热
除了焦耳热以外，由于半导体的导热，从
电堆热端还要传给冷端一定的 热量 Q k：
制 冷
Qk k(ThTc) (2-161)
原 式中k ——长L 的热电元件 总导热系数
理
与 技
若两电偶臂的导热系数及截面积分别为1,2
及 s1, s2 则：
术
kL1(1s12s2) (2-162)
因此，电偶对 的制冷量 应为珀尔贴热量 与传回冷端的焦耳热量和导热量之差，即：
制
Q 0 (PN )IcT 1 2 I2 R k (T h T c)(2-163)
冷
电偶对工作时，电源既要对电阻做功，又要克
制
➢ 图2-163所示是冷箱中制冷温度是环境
冷
介质的温度
原
1-2是等熵压缩过程
理
与
2-3是等压冷却过程
技
3-4是等熵膨胀过程
术
4-1是在冷箱中的等压吸热过程
现在进行理论循环的性能计算，单位制 冷量及冷却器的 单位热负荷 分别是：
制
q 0 h 1 h 4 cp(T 1 T 4) (2-144)
冷
原
q c h 2 h 3 c p(T 2 T 3 ) (2-145)
制 冷 原 理 与 技 术
NEXT
➢ 半导体材料内部结构的特点，决定了它产 生的温差电现象比其他金属要显著得多，所以
制
热电制冷都采用半导体材料，亦称半导体制冷
冷 ➢ 图2-165所示，当电偶通以直流电流时，P 原 型半导体内载流子(空穴)和N型半导体内载流
理 子(电子)在外电场作用下产生运动，并在金属
(pc)1kk1
T1 1 T2T1
T4 T3T4
(2-150)
p0
因为热源温度是恒值，此时比较标准循环 应当是可逆卡诺循环，其 制冷系数 为：
制 冷
c
T1 T3 T1
原 因此上述理论循环的 热力完善 度为：
理 与 技
( T 1 )T (3 T 1)T c T 0 (2-151) c T 2 T 1 T 1 T 2 T 0
术
显然，永远 TcT2 c
图2-164 无回热空气制冷机实际循环
➢ 图2-164中 1-2s-3-4s-1 为实际循环，而
制 循环 1-2a-3-4a-1 可认为是只考虑换热端部 冷 温差，这样计算的 实际循环的制冷系数 为：
原 理 与 技 术
pr
1xxyse
1
ysc
se
ysc11xyxysessce
(2-152)
上式中：
制
ycp(T3T4a) T4a(TT43a 1) T4a (2-153)
冷 原
cp(T2a T1) T1(TT21a 1)
T1
理 称为循环的 特性系数 。而 xT3 /T1
与
技
由上式可以看出，在 Tc,T0,Tc,T0
术
给定的情况下，必然有一个最佳值
yopipr最大。
为此对式(2-152)，求导，并令 可得：
与
片与半导体接头处发生能量的传递及转换。
技 术
➢ 如果将电源极性互换，则电偶对的制冷端 与发热端也随之互换。
当电偶对通以直流电I 时，因珀尔贴效
应产生的 吸热量 与电流I 成正比
制 冷
Q I
(2-157)
原 理
式中 ——珀尔贴系数
与 它与导体的物理化学性质有关，可按下式计算
技
术
( P N)Tc (2-158)