磁性物理实验指导书

磁性物理实验

讲义

磁性物理课程组编写

电子科技大学微电子与固体电子学院

二O一二年九月

目录

一、起始磁导率温度特性测量和居里温度测试计算分析 (1)

二、电阻率测试及磁损耗响应特性分析 (3)

三、磁致伸缩系数测量与分析 (6)

四、磁化强度测量与分析 (9)

五、磁滞回线和饱和磁感应强度测量 (11)

六、磁畴结构分析表征 (12)

一、起始磁导率温度特性测量和居里温度测试计算分析

(一) 、实验目的：

了解磁性材料的起始磁导率的测量原理，学会测量材料的起始磁导率，并能够从自发磁化起源机制来分析温度和离子占位对材料起始磁导率和磁化强度的影响。

(二）、实验原理及方法：

一个被磁化的环型试样，当径向宽度比较大时，磁通将集中在内半径附近的区域分布较密，而在外半径附近处，磁通密度较小，因此，实际磁路的有效截面积要小于环型试样的实际截面。为了使环型试样的磁路计算更符合实际情况，引入有效尺寸参数。有效尺寸参数为：有效平均半径r e ，有效磁路长度l e ，有效横截面积A e ，有效体积V e 。矩形截面的环型试样及其有效尺寸参数计算公式如下。

⎪

⎪⎭⎫ ⎝⎛-=

211

211ln r r r r r e （1）

⎪

⎪⎭⎫ ⎝⎛-=

211

211ln

2r r r r l e π （2）

⎪

⎪⎭⎫ ⎝⎛-=

21

1

22

11ln r r r r h A e （3）

e e e l A V = （4）

其中：r 1为环型磁芯的内半径，r 2为环型磁芯的外半径，h 为磁芯高度。

利用磁芯的有效尺寸可以提高测量的精确性，尤其是试样尺寸不能满足均匀磁化条件时，应用等效尺寸参数计算磁性参数更合乎实际结果。材料的起始磁导率（

i μ）可通过

对环型磁心施加线圈后测量其电感量（L ）而计算得到。计算公式如式（5）所示。

2

0i e e

A N L l μμ=

（5）

其中：μ0为真空磁导率，4π×10-7 H·m -1；N 为线圈匝数。

磁性材料起始磁导率（µi ）的定义式如式（6）所示。可知，起始磁导率的温度特性依赖于材料磁感应强度（B ）的温度特性，而磁感应强度和磁化强度（M ）之间满足式（7），因此可知，材料起始磁导率的温度特性可反映材料磁化强度的温度特性。根据郎之万顺磁性理论可知，磁性材料的磁化强度大小严重依赖于温度变化。随着温度升高，磁性材料可铁磁性或亚铁磁性状态转变为顺磁性状态，此时对应的临界温度为磁性材料的居里温度（T c ）。对于铁氧体材料来说，次晶格上的离子种类和占位情况会影响次晶格间的超交换作用，从而对材料温度特性产生影响。

001

lim i H B

H μμ∆→∆=

∆ （6） B =μ0(H +M ) （7） 测量实验装置如下图所示。

高低温试验箱

(三)、实验内容：

通过对材料起始磁导率温度曲线的测量，确定居里温度，分析强磁性物质离子占位分布对自发磁化强度的温度特性以及对超交换作用的影响，进而表征磁特性参数的温度特征。

(四)、实验步骤：

1、将LCRZ 测量仪开机预热10分钟，并进行开路和短路较准。

2、准确测量待测环型样品的内径r 1、外径r 2和高h 。

3、对待测样品绕10匝线圈后将其置于高低温试验箱中。首先测量室温下待测样品的电

感量，然后分别调节温度至-30℃、-10℃、50℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃和120℃，测量不同温度下待测样品的电感量。

4、根据电感量计算材料起始磁导率，并计算材料居里温度。根据上述测量结果分析强磁

性物质离子占位分布对自发磁化强度的温度特性以及对超交换作用的影响。

(五)、实验注意事项

1. 当高低温箱工作室温度（PV 值）≥60℃时禁止起动高低温箱“制冷”功能！

2. 高低温箱照明灯不宜长亮！

3. 请勿拨动超温设置拨盘开关！

二、电阻率测试及磁损耗响应特性分析

（一）、实验目的

了解四探针法测量材料电阻率的原理和倍乘电压表法测量测量材料磁损耗的原理，并学会结合磁损耗产生机制对磁损耗进行分离，探讨电阻率对材料损耗的影响。

（二）、实验原理

软磁铁氧体磁芯的总损耗P cv 主要由磁滞损耗P h 、涡流损耗P e 和剩余损耗P r 三部分组成，如式（1）所示。在铁氧体磁芯工作时，P h 、P e 和P r 通常都是叠加在一起难以分离。但是可采用约旦（Jordan ）法对各损耗进行分离。

2r r P P cv h e P P P af bf =++=++ (1)

在比较低的频率下，材料的涡流损耗与样品的厚度d 2和频率f 2成正比，而与电阻率ρ成反比，即：P e ＝K e B 2f 2d 2/ρ，其中K e 为常数。由此可见，降低涡流损耗的关键是减小样品的厚度d （或半径R ）和提高材料的电阻率ρ。对于多晶MnZn 铁氧体，电阻率包括晶粒内部与晶粒边界两个部分。因此，提高电阻率也应从两个方面入手。 电阻率的测量采用四探针法，其原理如下。四探针法测量样品电阻率是以针距约为1mm 的四根金属探针同时排成一直线，并以一定的压力压在平整的样品表面，如图1所示。在1、4两根探针间通过电流I ，则在2、3探针间产生电位差V 。

材料电阻率 ρ=C

I

V

(Ω-cm) (2) 式中C 为探针修正系数，由探针的间距决定。

当样品电阻率分布均匀时，试样尺寸满足半无穷大条件时，

121223

21111C S S S S S S π=+--

++(cm) (3)

式中：S 1、S 2、S 3分别为探针1与2，2与3，3与4之间的间距。每个探头都有自己的系数。C ≈6.28±0.05(cm)。

若取电流值I=C 时，则ρ=V ，即可由数字电压表直接读出。

由于块状或棒状样品外形尺寸远大于探针间距，符合半无穷大边界条件，电阻率可直接