复旦大学材料物理第14课
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第14课
晶体的压电性质
压电性质:电介质不仅在电场中可以极化,某些电介质通过形变也可以产生极化。凡通过形变而产生极化现象的电介质晶体叫压电晶体(piezoelectric crystal)。当某些电介质晶体在外力作用下发生形变时,它的某些表面上会出现电荷积累,这种现象称为正压电效应【即:受力→电荷】。当在压电晶体上施加电场时,晶体形状产生微小变化(如果电场是交变的,就会引起晶体振动),这个现象称为反压电效应【即:电压→受力】。
正压电效应:
压电效应首先是在水晶晶体上发现的。如果按照图
10.4.1所示的方位,从晶体中切割出垂直于x轴的晶片,
则称为x-切晶片。当沿垂直于晶片方向(即平行于晶体2
次轴的方向)对晶片施加压力时,在晶片垂直于x轴的两
侧面上就会出现数量相等而符号相反的电荷;当以张力代
替压力时,则电荷改变符号。如果沿x2方向对晶片施加
压力(或张力),则在晶片垂直于x轴侧面上也会出现电荷,
但电荷符号与上一种情况正好相反。上述水晶的压电效
应,可用图10.4.2来说明。图10.4.2(a)为水晶的构
造基元Si02在(00 01)面上投影。质点的正电荷重心和负电
荷重心的分布情况,如图10.4.2(b)所示。这里假定正、
负电荷重心是重合的,整个晶体总电矩等于零,因而晶体
表面不带电。当沿x1方向(2次轴方向)
对晶体施加压力时,晶体由于发生形变而
导致正、负电荷重心分离,即电偶极矩发
生了变化,从而引起晶体在垂直于该方向
的表面带电的现象(图10.4.2(c))。如果
沿x2方向施加压力,由于形变而在垂直
于2次轴的表面上产生带电的情况,如图
10.4.2(d)所示。如果用拉伸代替压缩,
则表面带电情况正好相反。可见,压电效
应是由于晶体在外力作用下发生形变,电
荷重心产生相对位移,从而使晶体总电矩
发生改变造成的。
实验还表明,在压力不太高的情况
下,由压电效应产生的电偶极矩的大小,
与所加的应力成正比。例如.沿水晶晶体
2次轴方向施加单向张力时,单位体积的
电偶极矩的数值或单位面积上的极化电
荷严由下式决定(极化强度):
Pσ(10-4-1)
d
=
式中d是与σ无关的常数,称为压电模
量;σ为应力。若用压力代替张力,则极化方向相反。
在一般情况下,应力状态需要用具有九
个分量的二阶张量来确定,而晶体的极化则
只需要用具有三个分量的矢量来描述。实验
表明,当任意的应力作用在压电晶体上时,
每一个极化分量i P ,都和所有的应力分量j κσ线性地联系着。因此,对于P 1可写出下面方程:
1111111212113131212112222123231313113232133331P d d d d d d d d d σσσσσσσσσ=++++++++
(10-4-2)
或写为
1(,1,2,3)1jk jk
P d j k σ==
类似,有
23,
2jk jk 3jk jk P d P d σσ==
更一般的,
(1,2,3)i ijk jk
P d i σ==
式中ijk d 为压电模运,共有27个分量,是一个三阶张量。
各压电模量的物理意义如下:如果在晶体上施加单向张力11σ,则产生的极化分量有
111112*********,,123P d P d P d σσσ===
这样,只要测量P 1、P 2、P 3,就可求出111211311,,d d d 的数值。如果依次沿x2轴和x3轴方向施加张力,也可阐明其他()ijk d j k =的物理意义。【注意:此时只得到了ijj d !】
在晶体上施加纯切应力12σ时,必然出现相等的分量21σ。这样,
112121************()1P d d d d σσσ=+=+
112121()d d +具有一定的物理意义,由于不可能设计出一个实验来将112d 和121d 分开,为了消除在解释112
d 和121d 物理意义时的任意性,假设112d =121d 。并在一般情况下,
ijk ikj d d =
(10-4-10)
因此,张量ijk d 对后两个下标j 和k 是对称的,ijk d 的独立分量由27个减少至18个。如果将ijk d 按下标展开,形成一个由三层组成的立方表,则用一个下标表示分量所在的层,第二个下标表示所在行,第三个下标表示所在的列。这三层的排列如下:
第一层 第二层 第三层
111112113121122123131132133(1),,(),,(),(),i d d d d d d d d d =311312313321322323331332333(3),,(),,(),(),i d d d d d d d d d =211212213221222223
231232233
(2),,(),,(),(),i d d d d d d d d d
=
括号内为非独立分量。这种排列成立方形的三层表示法,在计算上和书写上都极为不便。但由于它们的后两个下标是对称的,所以可采用较为简单的矩阵表示。张量ijk d 的后两个下标可转换为简化下标表示的矩阵in d (n=1,2,3,4,5,6)。矩阵in d 的各分量与张量ijk d 各分量的关系为
(1,2,3;1,2,3)2(9;3,4,5)in ijj in
ijk d d n j d d n j k j k ===⎧⎪
⎨
=++=+=⎪⎩ 类似,可以改写应力张量
(1,2,3;1,2,3)
(9;3,4,5)n ii n
ij n i n j i j i σσσσ===⎧⎪⎨
=++=+=⎪⎩ 由此应力矩阵可以写为:
1656
24543σσσσσσσσσ⎡⎤
⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦
采用矩阵表示后,(10-4-2)式可与成
1111144155166122144155
166133111111
222222
P d d d d d d d d d σσσσσσσσσ=++++++++ 或
1111122133144155166P d d d d d d σσσσσσ=+++++
(10-4-11) 更一般地可以有
(1,2,3;1,2,...,6)i in n
P d i n σ===
(10-4-12)
in d 的矩阵可以写为:
11
12131415162122
2324252631
32
33
34
35
36d d d d d d d d d d d d d d d d d d ⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦
压电模量矩阵表示比张量表示更为紧凑,在实用上也更为方便。但必须注意,in d 虽然在形式上与二阶张量有相似之处,但不形成二阶张量。(10—4—12)式也可写成下列矩阵形式:
12111121314151632212223242526433132
33
34
35
3656P d d d d d d P d
d d d d d P d d d d d d σσσσσσ⎡⎤
⎢⎥⎢⎥
⎡⎤
⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦⎣⎦⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣
⎦
(10-4-14)
反压电效应
当在压电晶体上施加电场时,晶体形状产生微小变化(如果电场是交变的,就会引起晶体振动)。这个
现象称为反压电效应。在晶体中,电场矢量的分量A 和描述晶体i E 形状变化的应变张量ij S 之间,存在着