电力电子技术习题资料整理
电力电子技术复习题
《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
最全电力电子技术试题及答案
最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
电力电子技术习题资料整理
电力电子技术习题集 习题一
1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。 2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？
晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？ 3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？ 4. 图 1-30 中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为
Im，试计算各波形的电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量，额 定电流 100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平 均值 Id 各位多少？
图 1-30 习题 1-4 附图 5. 在图 1-31 所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管
充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E=50V；L=0.5H；R=0.5 Ω ; IL=50mA（擎住电流）。
要应用领域。
9. 请将 VDMOS（或 IGBT）管栅极电流波形画于图 1-32 中，并说明电
流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析 RCD
缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率 MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提
高 MOSFET 的功率容量？
自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？试
作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α＝30°时的 ud、
i u 、 VT1
VT1
的波形。
7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载，α＝π/3，R=2Ω，
U2=220V，试计算负载电流 Id，并按裕量系数 2 确定晶闸管的额定 电流和电压。
3．试作出图 2-8 所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载，在α ＝30°时的 ud、id、iVT1、iVD4 的波形。并计算此时输出电压和电流 的平均值。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术
《电力电子技术》复习资料1. 用两个或者非门组成的基本 RS 触发器，其输入信号 Rd 、Sd 必须满足的约束条件是 __________________ (1 分)A. R d+S dB. R d S dC. R d S dD. R d+S d2. (1 分). . ..3. 发射结正偏、集电结也正偏是晶体三极管工作在__________________区的外部条件 (1 分)A. 饱和B. 截止C. 放大D. 可变电阻4. 分析晶体管低频小信号放大电路时，通常采用交、直流量分开的方法，这是由于________________________ (1 分)A. 晶体管是非线性元件B. 放大电路中存在着阻容元件C. 晶体管是有源器件D. 放大电路中既有直流量又有交流量5. 三角形连接的纯电容对称负载三相对称电源上，已知各相容抗 ，各线电流均为10A ，则此三相电路的视在功率为( )。
(1 分)A. 200VAB. 600VAC. 1039VAD. 1800VA6. 一台三相异步电动机工作在额定状态时，其电压为UN ，最大电磁转矩为 Tmax ，当电源电压降到 0.8UN ，而其他条件不变时，此时电动机的最大电磁转矩是原 Tmax 的( )。
(1 分)A. 0.64 倍B. 0.8 倍C. 1.0 倍D. 1.2 倍7. 电感接在有效值为 2V 的交流电压源两端， 已知吸收 Q=1var ，则该电感的感抗是 ( ) 。
(1 分)A. 1ΩB. 2ΩC. 3ΩD. 4Ω8. 工作在某放大电路中的一个晶体三极管，若测得它的三个电极的直流电位为： UB =3.6V 、UE=2.9V 、UC =12V ，据此可判断该管为________________________ (1 分)A. PNP 型 Ge 管B. PNP 型 Si 管C. NPN 型 Si 管D. NPN 型 Ge 管9. 组合逻辑电路是由________________组合而成的 (1 分)A. CMOS 门电路B. TTL 门电路C. 触发器，或者触发器和门电路D. 门电路10. 有源逆变电路中，晶闸管大部份时间承受正压，承受反压的时间为 (1 分)A. π－βB. 30°+βD C B AC. 10°+βD. βC. 120°D. 180°11. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是 (1 分)A. 有源逆变器B. A/D 变换器C. D/A 变换器D. 无源逆变器17. 单相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为( )。
电力电子技术练习题与答案
（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
（免费版）电力电子技术复习资料
（免费版）电⼒电⼦技术复习资料(免费版)电⼒电⼦技术复习资料电⼒电⼦复习题⼀、填空1、请在正确的空格内标出下⾯元件的简称：电⼒晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有⾜够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要⾼和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的⽅法是串专⽤均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为⽅波。
5、型号为KS100-8的元件表⽰双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同⼀桥臂上的上、下⼆个元件之间进⾏；⽽120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进⾏的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升⾼时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
2、由晶闸管构成的逆变器换流⽅式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电⼒电⼦元件构成的逆变器可分为有源逆变器与⽆源逆变器两⼤类。
4、有⼀晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表⽰表⽰200A，9表⽰900V。
5、单结晶体管产⽣的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要⽤于驱动⼩功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产⽣的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发⼤功率的晶闸管。
1、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是阳极A ，阴极K 和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压，阴极接负电压，门极接正向电压形成了⾜够门极电流时晶闸管导时，导通；关断条件是当晶闸管阳极电流⼩于维持电流IH通的晶闸管关断。
2、可关断晶闸管的图形符号是；电⼒场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电⼒晶体管的图形符号是；3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在0o—180o变化，在阻感性负载时移相范围在 —180o变化。
电力电子技术题库及答案整理版
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L __大于__ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM __小于__ U BO。
U _，设U2 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_Fm2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流 _______________________。
电力电子技术复习题(整理版)
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
电力电子技术复习习题
电⼒电⼦技术复习习题第1章电⼒电⼦器件填空题：1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。
电⼦技术包括信息电⼦技术和电⼒电⼦技术两⼤类。
2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗___。
3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__保护电路___。
4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型_、_双极型__、_复合型_三类。
5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_单向导电性_。
6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。
晶闸管派⽣器件：快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。
7.肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为 _门极_ 正向有触发则导通、反向截⽌ ___关断_ 。
9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值⼤⼩上有I L_=(2~4)_IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDRM_<_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同⼀管芯上的功率集成器件。
12.GTO的_GTO元的阴极和门极并联_结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。
13.功率晶体管GTR从⾼电压⼩电流向低电压⼤电流跃变的现象称为_击穿_。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的_放⼤区_、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数，对器件并联时均流有利。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升⾼⽽_下降_，开关速度_⼩于_电⼒MOSFET 。
电力电子技术期末复习资料汇总
电力电子技术复习题库第二章：1.使晶闸管导通的条件是什么？①加正向阳极电压；②加上足够大的正向门极电压。
备注：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流。
2.由于通过其门极能控制其开通，但是不能控制其关断，晶闸管才被称为（半控型）器件。
3.在电力电子系统中，电力MOSFET通常工作在（ A ）状态。
A. 开关B. 放大C. 截止D. 饱和4.肖特基二极管（SBD）是（ A ）型器件。
A. 单极B. 双极C. 混合5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为：①不可控器件；②半控型器件；③全控型器件6.下列电力电子器件中，（C）不属于双极型电力电子器件。
A. SCRB. 基于PN结的电力二极管C. 电力MOSFETD. GTR7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为（电流驱动型）和（电压驱动型）两类。
8.同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为（单极性器件）、（双极型器件）和（复合型器件）。
9.（通态）损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。
当器件的开关频率较高时，（开关）损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
（填“通态”、“断态”或“开关”）10.电力电子器件在实际应用中，一般是由（控制电路）、（驱动电路）和以电力电子器件为核心的（主电路）组成一个系统。
11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，肖特基二极管（SBD）属于（不可控）型器件。
12.型号为“KS100-8”的晶闸管是（双向晶闸管）晶闸管，其中“100”表示（额定有效电流为100A ），“8”表示（额定电压为800V）。
13.型号为“KK200-9”的晶闸管是（快速晶闸管）晶闸管，其中“200”表示（额定有效电流为200A），“9”表示（额定电压为900V ）。
14.单极型器件和复合型器件都是（电压驱动）型器件，而双极型器件均为（电流驱动）型器件。
电力电子技术基础参考资料
考虑题与习题1.独立考虑以下各小题，分不从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT 和IGBT〞中选择适宜的词填写在各小题的括号里。
〔1〕〔〕是半控器件，〔〕和〔〕是全控器件。
〔2〕〔〕和〔〕所需驱动电路的静态功耗接近于0。
〔3〕要是盼瞧导通电流为15A时，器件主回路的导通压落小于220mV，那么应选用〔〕作为主开关器件。
〔4〕除功率MOSFET外，〔〕的输进特性与功率MOSFET的输进特性类似。
〔5〕〔〕在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的操纵极所需反向关断电流之峰值的尽对值需超过100A。
〔6〕〔〕的输进特性与双极型三极管的输进特性类似。
〔7〕要是盼瞧制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，那么应选用〔〕作为主开关器件。
〔8〕〔〕要是差不多导通，在主回路电流大于10A条件下，即使操纵信号变为负值，它也不能关断。
2.分析比立SCR〔一般晶闸管〕、双向SCR〔双向晶闸管〕、GTO〔可关断晶闸管〕、GTR〔电力双极型晶体管〕、功率MOSFET和IGBT等电力电子器件的性能，答复以下咨询题：〔1〕哪种器件的工作频率最高？〔2〕哪种器件的容量较小？〔3〕哪种器件既可由操纵信号正向开通，也可由操纵信号反向开通？〔4〕哪些是半控器件？〔5〕哪些是全控器件？〔6〕Ron是哪种器件的参数？〔7〕哪种器件的输进特性与功率MOSFET的输进特性类似，而且它的输出特性与GTR的输出特性类似？〔8〕在器件的通态电流与300A条件下，为了将它关断，哪种器件的操纵极所需反向关断电流之峰值的尽对值应超过60A？〔9〕要是在静态〔电流、电压、操纵信号的幅值和电路参数维持不变〕条件下，测得一个器件的操纵极电压为+10V，主电路的电流为20A，主回路的管压落为200mV。
咨询：它属于哪种器件？〔10〕要是盼瞧在每个工作周期内，器件导通和关断的持续时刻各为约10ms,那么，哪些可控器件相应的操纵信号为高电平的持续时刻必须大于5ms？而另外哪些可控器件相应的操纵信号为高电平的持续时刻可小于5ms？3.一般晶闸管〔SCR〕与负载电阻串联接单相交流市电，其标称值为220V〔有效值〕，电网电压动摇不超过20%。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术练习题库与答案
电力电子技术练习题库与答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体（P1N1P2N2）材料构成的。
（）A、正确B、错误正确答案：B2.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通（）A、正确B、错误正确答案：B3.逆变角太大会造成逆变失败。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.降压斩波电路中二极管作用是续流。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.螺栓式晶闸管的优点是散热性能好。
（）A、正确B、错误正确答案：B6.并联谐振逆变电路采用负载换流方式时，谐振回路不一定要呈电容性。
（）A、正确B、错误正确答案：B7.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.电力电子器件一般工作在开关状态，因此可以用理想开关模型来代替。
（）A、正确B、错误正确答案：A10.对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B12.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B13.整流电路按电路结构不同分为零式电路和桥式电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.变频器总是把直流电能变换成50Hz交流电能。
（）A、正确B、错误正确答案：B15.逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
（）A、正确B、错误正确答案：A16.无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.电感元器件对电流的变化起阻碍作用，在电路中通交阻直。
电力电子专业技术复习题整理版
电力电子技术复习题(整理版)————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流I H _______擎住电流I L （数值大小关系）。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff =___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是 过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为 。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
《电力电子技术》习题
《电力电子技术》习题第1章 电力电子器件1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.4请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.5试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.6请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.7型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.7所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.7答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
(b)A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c ）A V I A 1501150=Ω=，大于额定值，所以不合理。
电力电子技术考试复习资料
一、单选题1.单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断答案： B2.要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）。
A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压答案： A3.单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）度。
A、180°B、60°C、360°D、120°答案： A4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止答案： B5.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )A、功率晶体管B、IGBTC、功率MOSFETD、晶闸管答案： D6.二极管两端加上正向电压时（）。
A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通答案： B7.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路答案： B8.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )A、电容B、电感C、蓄电池D、电动机答案： B9.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )A、三相半波可控变电流电路B、单相半控桥C、接有续流二极管的三相半控桥D、接有续流二极管的单相半波可控变流电路答案： A10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A、大功率三极管B、逆阻型晶闸管C、双向晶闸管D、可关断晶闸管答案： B11.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFET答案： C12.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC答案： A13.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
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电力电子技术习题集
习题一
1.试说明什么是电导调制效应及其作用。
2.晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？
晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？
3.有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？
4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为
I m，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额
定电流100A的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d各位多少？
(f)
图1-30 习题1-4附图
5.在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管
充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E=50V；L=0.5H；R=0.5Ω; I L=50mA（擎住电流）。
图1-31习题1-5附图图1-32习题1-9附图
6.为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO却可
以？
7.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号
有哪些异同？
8.试比较GTR、GTO、MOSFET、IGBT之间的差异和各自的优缺点及主
要应用领域。
9.请将VDMOS（或IGBT）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电
流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10.全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD
缓冲电路中各元件的作用。
11.限制功率MOSFET应用的主要原因是什么？实际使用时如何提
高MOSFET的功率容量？
习题二
1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V 连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
系统采用220V的交流电压通过降压变压器供电，且晶闸管的最小控制角αmin＝30°，（设降压变压器为理想变压器）。
试求：
（1）变压器二次侧电流有效值I2；
（2）考虑安全裕量，选择晶闸管电压、电流定额；
（3）作出α＝60°时，u d、i d和变压器二次侧i2的波形。
3．试作出图2-8所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载，在α＝30°时的u d、i d、i VT1、i VD4的波形。
并计算此时输出电压和电流的平均值。
4．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2 Ω，L值极大，反电动势E＝60V，当α＝30°时，试求：
（1）作出u d、i d和i2的波形；
（2）求整流输出电压平均值U d、电流I d，以及变压器二次侧电流有效值I2。
5. 某一大电感负载采用单相半控桥式整流接有续流二极管的电路，
负载电阻R=4Ω，电源电压U2=220V，α=π/3，求：
(1) 输出直流平均电压和输出直流平均电流；
(2) 流过晶闸管（整流二极管）的电流有效值；
(3) 流过续流二极管的电流有效值。
6．三相半波可控整流电路的共阴极接法和共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗？如果不是，它们在相位上差多少度？试作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α＝30°时的u d、
i VT1、u VT1的波形。
7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载，α＝π/3，R=2Ω，
U2=220V，试计算负载电流I d，并按裕量系数2确定晶闸管的额定电流和电压。
8．三相桥式全控整流电路，U2＝100V，带阻感性负载，R＝5 Ω，L值极大，当α＝60°，试求：
（1）作出u d、i d和i VT1的波形；
（2）计算整流输出电压平均值U d、电流I d，以及流过晶闸管电流的平均值I dVT和有效值I VT；
（3）求电源侧的功率因数；
（4）估算晶闸管的电压电流定额。
9．三相桥式不控整流电路带阻感性负载，R＝5 Ω，L＝∞，U2＝220V，X B=0.3 Ω，求U d、I d、I VD、I2和γ的值，并作出u d、i VD1和i2的波形。
10．请说明整流电路工作在有源逆变时所必须具备的条件。