镀钯铜线-键合参数
ORION镀耙铜线简介
ORION镀钯铜线详解12裸铜线的缺点-对芯片的损伤较大；-在高端产品中较差的可靠性；-第二焊点较差的结合力，NSOL,TAIL TOO SHORT;-较短的储藏寿命；-必须工作在氮氢混合气体中；镀钯铜线的优点-较高的可靠性；-软慢ＥＭＣ增长速度；-很少的NSOL,TAIL TOO SHORT;-较长的储藏时间，达到铜线的三倍储藏寿命；-可以工作在纯氮气环境中，有较高的安全系数镀钯铜对比裸铜线的优势Orion镀钯铜键合丝特性¢-针对高端IC 封装而研发的表面镀钯铜线；¢-由≥99.999%高纯度铜材料经过添加一定比例的微量元素 而制成的大于4N 纯度的镀钯铜线；¢-除了具有常规铜线的特性外，还具有高强度、低弧度、高韧性、抗氧化的特点，弧度耐冲击、焊丝耐腐蚀；3Orion镀钯铜线规格45氮氢或纯氢气体下FAB 情况纯氮气氮氢混合气体裸铜线镀钯铜线*镀钯铜线无论在氮氢气混合气体下还是在纯氮气环境下都有好的FAB6第一焊点对比48hr 24hr 0hr 裸铜线镀钯铜线*镀钯铜线第一点焊球在空气中有较强稳定性和抗氧化能力，所以第一焊的可靠性大大高于裸铜线7减少NSOL与TAIL TOO SHORT对比Sample:直径: 0.8mil焊线机型: ASM EAGLE 60封装形式：ＳＯＰ８焊线条数：８wires*在同等的条件镀钯铜线大大减少NSOL与TAIL TOO SHORT, 提高设备利用率；8第二焊点比对Wire Pull 后Wire Pull 前裸铜线镀钯铜线*镀钯铜线比裸铜线相比有很高的第二点可靠性，做第二点拉力测试后在相同的条件下有较多铜残留物9第二点形状比较Wire Pull 后Wire Pull 前裸铜线镀钯铜线超低弧度能力Sample:直径: 0.8mil焊线机型: ASM EAGLE 60Loop Height : 40 umBonded ball size : ４5umBonded ball thickness : 13 um镀钯铜线*镀钯铜线比裸铜线更具有超低弧度能力裸铜线10总结•镀钯铜线与普通铜线相比有较好的FAB;•镀钯铜线可以在纯氮气环境下使用；•镀钯铜线可以减少设备的报警，提高设备的利用率；•镀钯铜线与普通铜线相比有较强的第二点可靠性；•镀钯铜线与普通铜线相比较长的使用时间；•镀钯铜线与普通铜线相比较有较高的可靠性；11结 束12。
封装键合铜线参数指摘
我从事半导体封装已经十一年了，主要从事封装前道BG, SAW, DB 和WB 的制成维护与开发，现在，由于国际金价持续走高，铜线的封装比重增加，现在，就将我这些年对铜线的研究与大家分享。
1. 镀钯铜线与裸铜线的区别。
' W6 A$ X6 L( x7 j; E 镀钯铜线是在裸铜线的表面镀了一层钯，钯是一种很稳定的金属，优点是不被氧化。
所以与裸铜线相比，优点为，" a9 o) ~* D8 p/ b1) . 镀钯铜线的存储时间更长，对存储的环境要求没有裸铜线高；2)•钯线的焊接过程中，只需要N2保护就可以，裸铜线的焊接必须是N2 ,H2混合气(forming gas) ；" G2 |2 '3 WO T3). 在焊接工艺控制中，钯线与裸铜线没有差异，都需要采用合理的参数来控制高硬度的铜球焊接(在下面将详细叙述铜线焊接的工艺参数) 。
镀钯铜线的缺点是价格高，一般是裸铜线价格2-3 倍。
2. 铜线的焊接，, a: i: l( O; M/ j2.1 第一点的焊接( ball bonding)由于铜球的硬度远远高于金球，所以铜线ball bond 焊接易出下列废品，NSOP,1 Z9 U+ g+ j+ J: ], HLift Metal, % T6 B, Z, I U. v1 @, U" P9 S- zCrater,Golf Bond 1 A/ H2 e6 g- Q+ C' t为了控制这些废品，需要用特殊的参数加以控制，以下是控制要点，O ?O H8 m( s4 t/ ~1). 焊接过程分阶段，一般分两个阶段就能焊接，对一些易产生lift metal 或cratering 的device，可用三个阶段焊接。
第一阶段，只用force,不加power，这个阶段主要是把球压成型，一般地，对O.8mil 的铜线，用3O-5Og 的force, 1.Omil 4O-8Og, 1.2mil 6O-12Og,1.5mil 15O-25Og, 1.7mil 25O-45Og, 2mil 35O-5OOg. 第二阶段，用power, 焊接force 要小，这样易于焊接，不易产生NSOP,焊接的power可以用one time in a factor的实验方法的到，而对force，一般是第一阶段force 的1/2 或1/3。
镀钯铜线毕业设计
LANZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 毕业设计(论文)题目烘干温度对镀钯铜线表面质量的影响学生姓名金斌学号********专业班级材料成型及控制工程二班指导教师丁雨田(教授)学院材料科学与工程学院答辩日期摘要随着金价的持续上涨，作为电子封装所使用的金线愈加昂贵，大型封装厂商开始寻找可以替代金线作为键合线的材料。
作为键合线的金属线必须要有很好的导电导热性、低电阻，良好的延展性和硬度，很好的抗腐蚀性和抗氧化性，在极端情况下依然有较高的可靠性。
经过多年的研究发现，镀钯铜线是很好地替代品。
普通裸铜线键合丝容易氧化、存储时间短、高温高湿条件下可靠性差。
而在铜线表面镀一层金属钯之后，可以提高铜线的抗氧化、抗腐蚀性能，同时提高键合丝的键合性能。
为此，自主研发了一种溶液浸镀纳米镀层技术，采用这种技术在铜线表面浸镀一层惰性金属元素钯。
本文概述了镀钯铜线在电子封装中的优越性，研究了浸镀钯铜线的制作工艺，以及烘干温度对其性能以及表面质量的影响，测试了浸镀钯铜线和电镀钯铜线的力学性能和电学性能，用扫描电镜观察了其表面形貌并进行了对比，此外，本文对浸镀溶液进行了研究并对溶液中各组成成分进行了系统的分析，最终获得了最佳的成分配比。
研究结果表明：浸镀钯铜线具有高的延伸率和破断力、抗氧化性能、储存性能、可靠性、成球性和键合性能。
相对于电镀钯铜线，浸镀钯铜线具有好的表面质量、致密的镀层、高的延伸率和破断力、低的电阻率和高的电信号传输性能。
关键词：电子封装，溶液浸镀纳米镀层技术，镀钯铜线，制作工艺，性能ABSTRACTWith the price of gold continued to rise, as the electronic packaging gold wire used increasingly expensive, large-scale packaging manufacturers began looking for an alternative to gold wire bonding wire as material. As a wire bonding wire must have good electrical and thermal conductivity, low resistance, good ductility and hardness, good corrosion resistance and oxidation resistance, in extreme cases, there is still a higher reliability.After years of research found that palladium copper is a good substitute. General bare copper bonding wire is easily oxidized, the storage time is short, high humidity conditions and poor reliability. In the copper plated layer of palladium, the copper can improve the oxidation resistance, corrosion resistance, while improving the bonding wire bonding performance. To this end, independent research and development of a solution dip coating nano technology, using this technology in the copper surface layer of inert metal element dip palladium.This article outlines the palladium copper superiority in electronic packaging studied palladium leaching copper production process, as well as the drying temperature on the performance and surface quality, tested the dip plating palladium and palladium-plated copper wire line mechanical and electrical properties, using scanning electron microscopy of the surface morphology and compared, in addition, the paper dipping solution and the solution was studied various components of the system analysis, and ultimately won the Best the composition ratio.The results showed that: Palladium-plated copper leaching with high elongation and breaking strength, oxidation resistance, storage performance, reliability, into a ball and bonding properties. With respect to electroless palladium plating copper wire having a palladium immersion good surface quality, dense coating, a high elongation and breaking strength, low electrical resistivity and high transmission performance.Keywords:Electronic Packaging，Nano-coating technology solution dip，Palladium-plated copper，Production process，Performance目录目录 (4)第一章绪论 (6)1.1 选题意义及背景 (6)1.2 镀钯技术的发展 (10)1.2.1电镀 (11)1.2.2化学镀 (11)1.3纳米镀层技术 (12)1.3.1金属纳米粉体的简介 (12)1.3.2表面气相沉积法 (15)1.3.3溶液浸镀纳米镀层技术 (16)1.4 课题研究目的 (17)第二章镀钯铜线的制备工艺 (18)2.1引言 (18)2.2镀钯铜线坯线制备 (18)2.3镀钯铜线浸镀工艺 (19)2.4 镀钯铜线的热处理 (20)第三章烘干温度对镀钯铜线表面质量的影响 (22)3.1引言 (22)3.2 试验材料与试验方案 (22)3.3 试验过程 (22)3.4 试验结果及分析 (24)第四章镀钯铜线性能测试 (27)4.1引言 (27)4.2镀钯铜线表面分析 (27)4.2.1 浸镀钯铜线表面形貌的影响因素 (27)4.2.2 浸镀钯铜线和电镀钯铜线表面形貌对比 (28)4.3镀钯铜线力学性能分析 (29)4.4镀钯铜线电学性能分析 (30)4.5镀钯铜线镀层性能研究 (31)第五章镀钯机理分析 (33)5.1 引言 (33)5.2 纳米镍粉的性能研究 (34)5.3 浸镀溶液中各组成成分的选择 (34)5.3.1溶剂的选择 (34)5.3.2 乳化剂的选择 (35)5.3.3 成膜剂的选择 (35)5.3.4 调节剂的选择 (35)5.3.5 缓蚀剂的选择 (35)5.3.6抗氧化剂的选择 (37)5.3.7 表面活性剂的选择 (37)5.4 浸镀溶液的配置 (37)5.5 浸镀试样的制备与测试 (38)结论 (40)参考文献： (41)致谢 (43)英语翻译（原文） (44)英文翻译（译文） (54)第一章绪论1.1 选题意义及背景集成电路产业已成为国民经济发展的关键，而集成电路设计、集成电路制造、集成电路封装和集成电路测试是集成电路产业发展的四大支柱产业。
镀钯铜线
（Pd-CU Wire）：Pd-cu Wire产品特点产品特点：1、YoukWire镀钯铜线采用的是加拿大专利，与日本新日铁（Nippon）和Tanaka有相同的制造工艺，在运用上面可直接替代Nippon和Tanaka而不需修改任何压焊参数；2、YoukWire镀钯铜线采用全球最先进的化学镀技术（Direct coating），适用于0.03mm以下微细线材表面涂镀贵金属。
线材质量远高于目前国内的同类产品水品，是集成电路封装耗材中的高端工艺；工艺图：3、加拿大专利镀钯技术，保证镀层的均匀性和完整性（钯层厚度80-100纳米），绿色的无卤镀层技术，符合RoHs （目前除了Nippon和Tanaka外，同行业中的镀钯均为电镀钯，必含有卤素成分，我司拥有全球第三家化学镀专利权）；实物图：4、独有的定向凝固连续铸造、取向材料区域熔炼技术；如图所示：（定向凝固连铸设备）5、贵金属表面防氧化处理技术；如图所示：6、微细丝在线清洗、光亮化热处理技术；7、具有完善的材料测试和试验手段；如图所示：(JDAW-2015型材料测量系统）8、镀钯铜线拥有稳定的成球一致性和第二焊点一致性；如图所示：（第一焊点）（第二焊点）9、镀钯铜线可有效缩短焊接过程中热影响区的形成；如图所示：目前生产工厂实力雄厚，拥有大批的国内顶尖研究型人才，工厂全新设备均从日本和德国进口，五千平米净化车间。
为了满足产品高端需求，生产制程由技术人员全程监督，制程记录详细完整，极大程度的满足产品质量的高要求。
优克电子依然没有停留于目前的成绩，公司总技术工程师继续和香港科技大学集成电路封装实验室以及国内顶尖的研究学府合作继续开发新品，跟紧客户产品变化，满足客户高难度产品封装需求。
公司拥有多名资深半导体封装工艺工程人员和结构件工程技术人员，可为封装企业解决各类技术问题，同时提供产品研发及技术支持。
铜靶材技术参数
铜靶材技术参数
1. 材料成分：含铜量高于99.9%
2. 密度：约为8.96g/cm³
3. 力学性能：
- 抗拉强度：约为210-335MPa
- 屈服强度：约为50-205MPa
- 伸长率：约为30-60%
- 硬度（HV）：约为55-110
4. 热物性：
- 熔点：约为1083°C
- 热导率：约为401W/m·K（20°C）
- 线膨胀系数：约为16.6×10^-6 m/m·K（20-300°C）
5. 电学性能：
- 电阻率：约为0.0000017-0.0000018Ω·m（20°C）
- 电导率：约为54-58×10^6S/m（20°C）
6. 化学性能：
- 耐腐蚀性：对大多数非氧化酸、碱和盐类具有较好的耐腐蚀性
- 铜靶材表面可根据需求镀层或包覆保护层以提高耐蚀性和稳定性
7. 制造工艺：铜靶材可通过熔炼、铸造、轧制、拉拔等工艺制备成不同形状和尺寸的靶材。
8. 应用领域：铜靶材广泛应用于电子、光伏、涂层、电镀以及材料研究等领域，如热扩散、电子束物理气相沉积（EB-PVD）、磁控溅射（sputtering）和物理气相沉积（PVD）等工艺中的靶材。
半导体器件键合用铜线 标准
半导体器件键合用铜线标准一、铜线材料半导体器件键合用铜线应采用纯度为99.9%或更高的高纯度电解铜制成。
铜线中的杂质含量应符合相关标准，以确保其优良的导电性能和机械性能。
二、铜线尺寸铜线的尺寸应符合相关标准，包括直径、线径公差等。
不同规格的铜线应具有相应的尺寸精度和稳定性，以确保键合过程中的准确性和可靠性。
三、铜线表面质量铜线的表面应光滑、平整，无氧化、无油污等。
表面质量的优劣直接影响键合质量和器件性能，因此对铜线的表面质量要求较高。
四、铜线强度铜线应具有一定的强度，以确保在键合过程中能够承受一定的拉力和压力。
强度不足的铜线可能导致键合不良或断裂等问题。
五、铜线耐温性铜线的耐温性能应符合相关标准，能够在一定的温度范围内保持稳定的物理和化学性能。
耐温性能差的铜线可能导致键合失效或器件性能下降。
六、铜线焊接性铜线应具有良好的焊接性能，能够与半导体器件或其他材料进行可靠的焊接。
焊接性能差的铜线可能导致焊接不良或虚焊等问题。
七、铜线导电性作为导电材料，铜线的导电性能至关重要。
铜线的电阻率、电导率等参数应符合相关标准，以确保良好的导电性能和较低的能耗。
八、铜线耐腐蚀性在某些特定应用场景下，铜线可能面临腐蚀问题。
铜线应具有一定的耐腐蚀性，能够抵抗常见的腐蚀介质和环境条件。
耐腐蚀性差的铜线可能影响其使用寿命和可靠性。
综上所述，半导体器件键合用铜线需要满足多个方面的要求，包括材料纯度、尺寸精度、表面质量、强度、耐温性、焊接性、导电性和耐腐蚀性等。
这些要求共同决定了铜线的质量和性能，从而影响半导体器件的性能和可靠性。
因此，在选择和使用半导体器件键合用铜线时，应充分考虑这些因素，确保满足相关标准和实际应用需求。
镀钯铜线
（Pd-CU Wire）：Pd-cu Wire产品特点产品特点：1、YoukWire镀钯铜线采用的是加拿大专利，与日本新日铁（Nippon）和Tanaka有相同的制造工艺，在运用上面可直接替代Nippon和Tanaka而不需修改任何压焊参数；2、YoukWire镀钯铜线采用全球最先进的化学镀技术（Direct coating），适用于0.03mm以下微细线材表面涂镀贵金属。
线材质量远高于目前国内的同类产品水品，是集成电路封装耗材中的高端工艺；工艺图：3、加拿大专利镀钯技术，保证镀层的均匀性和完整性（钯层厚度80-100纳米），绿色的无卤镀层技术，符合RoHs （目前除了Nippon和Tanaka外，同行业中的镀钯均为电镀钯，必含有卤素成分，我司拥有全球第三家化学镀专利权）；实物图：4、独有的定向凝固连续铸造、取向材料区域熔炼技术；如图所示：（定向凝固连铸设备）5、贵金属表面防氧化处理技术；如图所示：6、微细丝在线清洗、光亮化热处理技术；7、具有完善的材料测试和试验手段；如图所示：(JDAW-2015型材料测量系统）8、镀钯铜线拥有稳定的成球一致性和第二焊点一致性；如图所示：（第一焊点）（第二焊点）9、镀钯铜线可有效缩短焊接过程中热影响区的形成；如图所示：目前生产工厂实力雄厚，拥有大批的国内顶尖研究型人才，工厂全新设备均从日本和德国进口，五千平米净化车间。
为了满足产品高端需求，生产制程由技术人员全程监督，制程记录详细完整，极大程度的满足产品质量的高要求。
优克电子依然没有停留于目前的成绩，公司总技术工程师继续和香港科技大学集成电路封装实验室以及国内顶尖的研究学府合作继续开发新品，跟紧客户产品变化，满足客户高难度产品封装需求。
公司拥有多名资深半导体封装工艺工程人员和结构件工程技术人员，可为封装企业解决各类技术问题，同时提供产品研发及技术支持。
pcb电镀铜工艺参数
PCB电镀铜工艺参数主要包括以下几个方面：
1.电镀溶液的组成：PCB电镀铜常用的电镀溶液包括硫酸铜和硫酸体系，同时添加少量的氯离子作为辅助光泽剂和铜光剂。
硫酸铜和硫酸的浓度需要根据实际生产需要进行调整，一般硫酸含量在180克/升左右，硫酸铜含量在75克/升左右。
氯离子的添加量也需要根据实际情况进行调整，一般在3-5ml/L范围内。
2.电流密度和电镀时间：电流密度和电镀时间也是重要的工艺参数。
电流密度的大小直接影响电镀铜的厚度和沉积速度，而电镀时间的长度则决定了电镀铜的总厚度。
在实际生产中，需要根据所需的电镀铜厚度和生产效率来选择合适的电流密度和电镀时间。
3.温度和pH值：电镀溶液的温度和pH值也会影响PCB 电镀铜的效果。
一般来说，电镀溶液的温度维持在室温状态，而pH值则需要控制在一定的范围内，以保证电镀溶液的稳定性和电镀铜的质量。
4.添加剂：为了提高电镀铜的质量和稳定性，需要添加一些添加剂，如光泽剂、整平剂、润湿剂等。
这些添加剂的种类和添加量需要根据实际情况进行调整，以保证电镀铜的效果。
5.阴极材料和表面处理：在PCB电镀铜过程中，阴极材料和表面处理也是非常重要的因素。
常用的阴极材料包括纯铜板、镍板等，而表面处理则包括磨光、化学抛光、电抛光等。
这些因素都会影响电镀铜的质量和效果。
总之，PCB电镀铜工艺参数是一个复杂的过程，需要综合考虑多个因素，并根据实际情况进行调整和优化，以保证电镀铜的质量和效果。
半导体器件键合用铜线 标准
半导体器件键合用铜线标准随着电子科技的不断发展，半导体器件在各个领域的应用得到了广泛推广。
在半导体器件生产过程中，键合是一个重要环节，而键合用的材料也成为制约器件性能和可靠性的关键。
在过去的几十年里，金线一直是半导体器件键合的主要材料。
然而，随着技术的进步和对成本效益的不断追求，铜线逐渐取代金线成为键合的首选材料。
铜的导电性能优越，具有较低的电阻率和出色的导电性能，这对于提高半导体器件的性能和传输信号速度至关重要。
与金线相比，铜线的成本低廉，因此能够降低生产成本和器件价格，从而更好地满足市场需求。
然而，铜线在键合过程中也存在一些挑战。
与金线相比，铜线更容易氧化，而氧化会导致接触电阻的增加，影响器件的性能和稳定性。
为了克服这一问题，需要在铜线表面进行处理，通常是采用镀锡或镀银等方法来保护铜线，提高其抗氧化性能。
此外，由于铜线比金线更硬，键合过程中的压力和功率控制需要更加准确，以确保键合的质量和可靠性。
为了确保半导体器件键合用铜线的质量和一致性，制定一套相关的标准至关重要。
这些标准应该包含以下几个方面：1. 材料要求：包括铜线的成分、纯度、尺寸、形状等方面的要求。
材料的选择将直接影响键合的效果和性能。
2. 表面处理：应明确铜线表面处理的方法和要求，以保证铜线在键合过程中的稳定性和可靠性。
3. 键合过程控制：包括压力、功率、时间等参数的控制要求，以及键合过程中的监测和检测方法。
这些控制要求和方法应能够确保键合的质量和一致性。
4. 质量检验：应明确键合产品的质量检验要求，包括键合强度、电阻、导电性能、表面状态等方面的测试方法和要求。
5. 相关技术要求：除了上述要求之外，还应结合实际应用需求，指定其他相关技术要求，例如键合的可靠性、耐环境性、热稳定性等方面的要求。
通过制定和遵守相关的标准，可以提高半导体器件键合用铜线的生产效率和质量稳定性，进而推动半导体器件的发展。
此外，制定标准还有助于促进产业链上下游企业之间的合作和交流，形成共识，推动整个行业的发展。
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unit
Wire Diameter mils EFO Fire Mode FAB Size mils EFO Fire Time us EFO Current mAmps EFO Gap mils Tail Extension mils EFO Fire Control EFO-On-Fly EFO-On-Fly Delay ms Advanced Control Initial Time Factor Initial Current Factor SBD Threshold microns SBD XY Limit mils EFO Z-Down Offset mils EFO Z-Down Speed % Post EFO Fire Delay ms First EFO Time % forming gas:0.3-0.5 l/min
FORCE
mAmps ms % % % mAmps % % % ms % ms
ms ms ms % % ms ms gr gr gr
Force Minimum Force FS Threshold Compliant Surface Force Profiling Initial Force Initial Force Time Force Ramp Time Damping Time Damping Gain Force RampDn Time Extra RampDn Time Force Ramp Dn Gain Settling Threshold Max Settle Time
mAmps % mils mils % % % mils % % %
Repair Offset 2 Servo Mode
SCRUB
mils
0 standard contact 1 In-Ine 2 80 50 0 30 10 0 -2 N.A (0) N.A (XY) N.A (0) N.A (1) N.A (100) N.A (0) N.A (0) N.A (0) N.A (0) 0 0 Use Angle 0 With USG 0 0 90 N.A (1) N.A (100) N.A (7) N.A (85) N.A (115) (N.A) OFF N.A N.A
BOND 1 PARAMETER
unit
Probond Tip CV Contact Detect Mode Contact Threshold
USG
mils mils/ms %
0 8 0.2 V mode 50 Constant Current 60 12 0 100 100 0 20 0 square 10 0 1.5 125 6 neither 0 3 5 20 10 0 6 0 10 5 N.A (10) OFF ON 45 33 10 100 100 0 0 100 0 30 80 0 0 100 100
Tail Scrub Mode Tail XY Scrub Tail Scrub Phase Tail Scrub Cycles Tail Scrub Frequency Tail Scrub USG Tail Scrub USG Pct Tail Scrub Force Scrub Force Rmp Time Tail-Scrub Height Tail-Scrub Offset Scrub Offset Time Scrub Offset Mode Tail-Step Dist Tail-Step Count Tail-Step Speed Post-Step Force Post-Step Rmp Time Post-Step USG Post-Step Time 2nd XY-Scrub 2nd Scrub Cycles Scrub Phase Mode 2ns Scrub Phase 2nd Scrub Mode 2nd XY Scrub 2nd Scrub Cycles 2nd Scrub Phase
MISCELANEOUS
gr % % % % ms ms % % ms
Z Tear State Z Tear USG Z Tear Speed Z Tear Height Tail Mode XY Distance Peripheral USG Factor Peripheral Force Factor Peripheral Scrub Factor Cap Bond Offset Rework USG Ratio Rework Force Ratio Rework Scrub Ratio
MISCELANEOUS
gr % % % % ms ms % % ms mAmps microns microns % %
Seating USG Bond Offset Bond Cntr Offset Rework USG Ratio Rework Force Ratio
Rework Scrub Ratio % 1st Wire C/V Ratio % 1st Wire USG Ratio % Prelearn C/V Ratio % Peripheral USG Factor % Peripheral Force Factor % Peripheral Scrub Factor % Lift-USG Ratio % Lift Throttle %
USG Mode USG Current USG Bond Time Initial USG Time Initial USG Level Power Equ Factor Power Equ mode USG Prebleed USG Prebleed Pct USG Profile Ramp Up Time Ramp Dn Time Burst Time Burst Level USG Predelay Smart USG Feature Energy Threshold Reference Delay Min USG Time Max USG Time Adj USG Level Force Reduction USG Predelay USG Ringdown Time
SCRUB
100 100 100 100 100 100 100 5 30 2 0 2 90 Pre USG
X Scrub Y Scrub Scrub Cycles Scrub Phase 1st Scrub Mode
Bond Program BALL PARAMETERS
microns microns deg
FORCE
mAmps ms % % % mAmps % % % ms % ms ms gr gr gr
Force Minimum Force FS Threshold Compliant Surface Force Profiling Initial Force Initial Force Time Force Ramp Time Damping Time Damping Gain Force RampDn Time Extra RampDn Time Force Ramp Dn Gain Settling Threshold Max Settle Time
0.8 EFO Fire Time N.A (1.66) 250 65 15 8 before ON N.A (0) OFF N.A (0.5) N.A (1) 0 0 0 100 0 100
USG Mode USG Current USG Bond Time Initial USG Time Initial USG Level Power Equ Factor Power Equ mode USG Prebleed USG Prebleed Pct USG Profile Ramp Up Time Ramp Dn Time Burst Time Burst Level USG Predelay USG Ringdown Time
Bond Program BOND 2 PARAMETER unit Leadfinger
ProStitch Tip CV Contact Threshold
USG
mils mils/ms %
0 8 0.6 (0.5 - 0.7) 50 Constant Current 115 (105 - 125) 10 0 100 110 Classic 0 10 square N.A (10) N.A (0) N.A (1.5) N.A (125) 0 0 60 (40 -70) 5 N.A (10) OFF ON 45 33 10 100 100 0 0 100 0 30 ON 180 50 3 OFF N.A (0) 100 100 100 -0.7 100 100 100
SSB/SEC
microns
mAmps % gr ms microns microns ms micons % gr ms mAmps ms micons
ห้องสมุดไป่ตู้
deg microns deg mils/ms % ms gr gr mils mils
Sec Bond CV Sec USG Factor Sec Bond Time Sec Bond Force Sec Initial Force Stitch Option Stitch Height Stitch Distance