场效应管的分类和作用
场效应管工作原理 1
场效应管工作原理（1）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
场效应管介绍
场效应管原理场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。
1.1 1.1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
增强型MOS(EMOS)场效应管一、工作原理1．沟道形成原理当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。
在栅极下方形成的导电沟1线性电子电路教案道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。
随着VGS的继续增加，ID将不断增加。
irfz44n场效应管制作逆变器
irfz44n场效应管制作逆变器摘要：一、场效应管简介1.场效应管的作用2.场效应管的分类二、irfz44n 场效应管特点1.性能参数2.应用领域三、制作逆变器的过程1.准备材料2.制作电路板3.安装元器件4.接线与调试四、逆变器的应用1.电源供应2.电子设备驱动正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有高输入电阻、低噪声和低失真等优点，广泛应用于各种电子设备中。
其中，irfz44n 是一种性能优越的场效应管，具有高速度、高电流和低栅极电荷等特性。
场效应管根据其导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型氮化镓场效应管（eGaN FET）等。
不同类型的场效应管在性能和应用领域上有所差异，需要根据实际需求进行选择。
irfz44n 场效应管具有较高的性能参数，如击穿电压、漏极电流和栅极阈值电压等。
这使得它在制作逆变器等高功率应用中具有优势。
逆变器是一种将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于电源供应、电子设备驱动等领域。
制作逆变器的步骤如下：1.准备材料：根据逆变器的设计方案，选购所需的元器件，如irfz44n 场效应管、集成电路、变压器等。
同时，准备电路板、焊接工具等制作工具。
2.制作电路板：将设计好的电路图印制在电路板上，按照图纸要求进行布局和焊接。
在焊接过程中要注意焊接质量和元器件的封装，确保连接可靠。
3.安装元器件：将选购的元器件安装到电路板上，如将irfz44n 场效应管固定在散热器上，并连接相应的引脚。
同时，检查元器件的连接是否正确。
4.接线与调试：将电路板与外部电源、负载等连接，检查电路的连通性。
接着，对电路进行调试，调整irfz44n 场效应管的栅极阈值电压等参数，确保逆变器性能稳定。
总之，irfz44n 场效应管具有优良的性能，适用于制作逆变器等高功率应用。
d438场效应管参数
d438场效应管参数摘要：1.场效应管的基本原理2.场效应管的主要参数3.场效应管的分类与应用4.场效应管的优缺点5.场效应管在我国的研究与发展正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，以其高精度、低噪声、低功耗等优点在电子领域得到广泛应用。
本文将对场效应管的基本原理、主要参数、分类与应用进行详细介绍，并探讨其在我国的研究与发展。
一、场效应管的基本原理场效应管是依据电子在半导体材料中的移动规律而工作的。
它由半导体基片、源极、漏极和栅极四个区域组成。
在栅极与漏极之间存在一个绝缘层，称为栅氧化层（Gate Oxide Layer），起到隔离电子的作用。
当栅极施加电压时，栅氧化层上的电荷会影响到半导体基片内部的电子，从而控制漏极的电流。
二、场效应管的主要参数1.电流放大系数（β）：在场效应管工作过程中，电流放大系数β表示源极电流与栅极电流之间的比例关系。
β越大，场效应管的放大能力越强。
2.阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管从关断状态转为导通状态所需的栅极电压。
不同类型的场效应管阈值电压有所不同。
3.输入阻抗（Zin）：输入阻抗是指场效应管输入端的等效阻抗。
它与栅极电阻和栅氧化层电容共同决定场效应管的输入电流。
4.输出阻抗（Zout）：输出阻抗是指场效应管输出端的等效阻抗。
它与漏极电阻和输出电容共同决定场效应管的输出电流。
三、场效应管的分类与应用1.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种常见的场效应管，根据其结构可分为增强型、耗尽型两种。
它广泛应用于电源、放大器、开关等电路。
2.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：IGBT是一种兼具场效应管和双极型晶体管优点的器件。
它适用于高电压、大电流场合，如电动汽车、工业控制等领域。
3.沟道场效应管（JFET）：JFET是一种基于半导体沟道工作的场效应管。
它具有电流放大系数高、输入阻抗高等优点，适用于线性放大器和开关电路。
nce3095k场效应管参数
nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。
它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。
二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。
2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。
β值越大，放大效果越好。
3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。
4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。
5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。
合理选择参数可降低功耗。
三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。
它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。
四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。
2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。
3.考虑电流放大系数，确保放大效果。
4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。
5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。
6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
场效应管的应用和分类
图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理
3) 特性曲线 （1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
(3. 4)
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7（b）所示。
02
(3. 2)
03
(3. 3)
04
图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.1.2绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理
图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
(3. 13) 3.2.2 共漏放大电路 漏放大电路又称源极输出器。 电路如图3.15所示。由图3.15（b）可得:
(3. 1)
图3.2 N沟道结型场效应管工作原理
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
输出特性 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系, 即
01
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电 压uGS的关系为
图 3.10 场效应管共源放大电路
(3. 8)
01
(3. 7) 由于栅极电阻上无直流电流, 因而
02
图 3.11分压偏置式共源放大电路
场效应管放大电路的静态工作点可用式（3.4）或式（3.5）与式（3.7）或式（3.8）联立求出UGSQ和IDQ,漏源电压UDSQ由下式求得:
动态分析
(3. 9)
1
2
3.1 场效应管
01
h25r1203场效应管参数
h25r1203场效应管参数摘要：一、场效应管简介1.场效应管的定义和作用2.场效应管的分类二、场效应管参数1.类型2.栅极电压3.漏极电流4.源极电流5.导通电阻6.输入电容7.输出电容8.耗尽模式和增强模式9.工作温度10.额定电压和额定电流三、场效应管参数的选择与应用1.根据电路需求选择参数2.性能指标与参数的关系正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有放大、开关、振荡、信号处理等功能，被广泛应用于各种电子设备中。
为了充分发挥场效应管的性能，了解其参数至关重要。
本文将对场效应管的一些重要参数进行概述。
一、场效应管简介场效应管，简称FET，是一种利用栅极电场控制半导体沟道导通的器件。
它具有输入阻抗高、输出阻抗低、驱动电流小等特点。
根据结构和工作原理，场效应管可以分为金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型。
二、场效应管参数1.类型：场效应管根据结构和工作原理分为金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型。
其中，MOSFET具有更高的输入阻抗和更低的驱动电流。
2.栅极电压：栅极电压是控制场效应管导通或截止的电压。
不同类型的场效应管具有不同的栅极电压范围。
3.漏极电流：在栅极电压一定时，漏极的电流。
漏极电流与栅极电压成正比，不同类型的场效应管具有不同的漏极电流特性。
4.源极电流：在栅极电压一定时，源极的电流。
源极电流与漏极电流相等，且与栅极电压无关。
5.导通电阻：在漏极电压一定时，栅极和源极之间的电阻。
导通电阻越小，器件的导通性能越好。
6.输入电容：栅极和源极之间的电容。
输入电容越大，器件的输入阻抗越高。
7.输出电容：漏极和源极之间的电容。
输出电容越大，器件的输出阻抗越低。
8.耗尽模式和增强模式：根据漏极和源极之间的导电类型，场效应管可以分为耗尽模式和增强模式。
耗尽模式FET在栅极电压为零时导通，增强模式FET在栅极电压为最大值时导通。
9.工作温度：场效应管能正常工作的温度范围。
场效应管的作用、规格及分类
场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
场效应管详解
场效应管详解一、场效应管的基本概念场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种三极管，由栅极、漏极和源极三个电极组成。
栅极与漏极之间通过电场控制漏极和源极之间的电流。
二、场效应管的工作原理场效应管的工作原理基于电场控制电流的效应。
当栅极施加一定电压时，在栅极和漏极之间形成了一个电场，这个电场控制着漏极和源极之间的电流。
通过调节栅极电压，可以改变漏极和源极之间的电流，实现对电流的控制。
三、场效应管的分类根据不同的控制机构，场效应管可以分为三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）。
MOSFET是最常见的一种场效应管。
四、场效应管的特点和优势1. 高输入阻抗：场效应管的栅极是绝缘层，因此栅极和源极之间的电流极小，使得场效应管具有很高的输入阻抗。
2. 低噪声：由于高输入阻抗的特性，场效应管的噪声很低。
3. 低功耗：场效应管的控制电流很小，从而使得其功耗较低。
4. 快速开关速度：场效应管的开关速度较快，适合高频应用。
五、场效应管的应用领域场效应管广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、开关电路、调节电路、振荡器等。
在电子行业中，场效应管已经成为一种重要的电子元件。
六、场效应管的优化和发展随着科技的不断进步，场效应管也在不断优化和发展。
目前，一些新型的场效应管已经出现，如高电压场效应管、功率场效应管等，以满足不同领域对场效应管的需求。
场效应管作为一种重要的电子元件，具有较高的输入阻抗、低噪声、低功耗和快速开关速度等特点，广泛应用于各种电子设备中。
随着科技的不断发展，场效应管的优化和发展也在不断进行，使其能更好地满足不同领域的需求。
场效应管的研究和应用将继续推动电子技术的发展，为人们的生活带来更多便利和创新。
场效应管详细资料
一：场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚，分别是控制极栅极（G极）、源极（S极）、漏极（D极）场效管与三极管三只引脚的对应关系：栅极（G）对应基极（B）、源极（S）对应发射极（E）、漏极（D）对应集电极（C）二：场效管的分类主板中的场效管，按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT－23、SOT－223、SO－8、TO－251、TO－252（TO －263）等其中SOT－23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002（N沟道）；代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等开题，这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO－8封装的场效管，其内部有两个场效管，这种场效管通常称为双场效管，主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A等，这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT－223封装的有代码为BSP100（N沟道）、P3055LL（N沟道）等型号，这种场效管主要用在中，小功率稳压电路中，如北桥供电、3.3V供电其中TO－251封装的有代码为HUF76107D3（N沟道）、AMP3055（N沟道）等型号，这种场效管主要应用在中功率供电电路中，如南桥供电、北桥供电、AGP 显卡供电、内在供电电路中其中TO－252（TO－263）封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号，以上都属于N沟道场效管，都属于大功率N沟道场效管，这种场效管主要应用在大供电电路中，如CPU供电电路三：场效管的识别在电脑电路中，场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说，从左到右其引脚基本为G、D、S（散热片接D极）四：场效管的检测与代换在维修中，主板中的场效管通常为击穿（短路）损坏，这时保引脚之间通常呈短路状态，因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。
场效应管的分类及识别
三、 场效应管的特性：
1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压
2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高
3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通
4、场管的ＤＳ功能可互换
Ｎ沟道场管的导通截电压：
55N03、76139D、76129S、10N03、15M03 F827、F841、BPS100)
2、好坏判断
测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路
软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、 场管的代换原则（只适合主板）
场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可
功率大的可以代换功率小的
一、 符号： “Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件
场效应管分三个极： Ｄ极为漏极（供电极）
导通条件：ＶＧ>ＶＳ ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大, )
截止条件：ＶＧ<ＶＳ ，ＩＤ没有电流或有很小的电流"
四、 场效应管的作用：
放大、调制、谐振、开关
五、 场效应管的测量及好坏判断
1、测量
极性及管型判断
红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道
红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道
如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿
贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测, 场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准
4368场效应管参数
4368场效应管参数一、什么是场效应管场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，它通过控制电场来控制电流。
它由源极、漏极和栅极三个电极组成，其中栅极与源极之间有一层绝缘层。
当在栅极上施加电压时，形成的电场会影响源漏之间的电流大小。
二、场效应管的分类1.按照结构分类（1）JFET：结型场效应管，由PN结构组成。
（2）MOSFET：金属氧化物半导体场效应管，由金属-氧化物-半导体结构组成。
（3）IGBT：绝缘栅双极晶体管，由NPN三极管和MOSFET组合而成。
2.按照工作方式分类（1）增强型：在栅源间施加正电压时才能使漏源之间有较大的漏电流。
（2）耗尽型：在栅源间施加负电压时才能使漏源之间有较小的漏电流。
三、场效应管参数1.静态参数（1）IDSS：零偏压下最大漏电流。
（2）VGS(off)：栅源截止电压，即当栅极电压为0时，漏极电流为IDSS时的源极漏极电压。
（3）Vp：钳位电压，即当漏极电流为0时，栅源电压的值。
（4）RDS(on)：导通时的漏源阻抗。
2.动态参数（1）输入电容CISS：栅源之间的输入电容。
（2）输出电容COSS：漏源之间的输出电容。
（3）反向传输系数Crss：栅源之间和漏源之间的反向传输系数。
四、场效应管应用场效应管广泛应用于放大、开关、调节等各种领域，如：1.音频放大器2.功率放大器3.开关模式稳压器4.直流-直流变换器5.信号调制解调器6.计算机内存芯片和微处理器等数字集成电路中的开关元件。
五、场效应管的优缺点1.优点：（1）输入阻抗高，对信号源影响小；（2）噪声低；（3）体积小、重量轻；（4）可靠性高、寿命长；（5）功耗低；（6）工作频率高。
2.缺点：（1）灵敏度低；（2）漏电流大；（3）温度稳定性差；（4）静态工作点易受外界因素影响。
六、场效应管的选型在选择场效应管时，需要考虑以下几个方面：1.工作电压和电流：选择合适的工作电压和电流范围。
11n60场效应管参数
11n60场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.11n60场效应管的参数特点3.11n60场效应管的应用领域4.11n60场效应管的选购与使用注意事项正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，根据导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
其中，11n60场效应管是一种常见的MOSFET型号，广泛应用于各种电子设备中。
1.场效应管的基本概念与分类场效应管是利用半导体材料的电场效应来控制电流的晶体管。
根据导电方式，场效应管可分为耗尽型和增强型。
耗尽型场效应管在栅极电压为正时，沟道内的电子浓度增加，形成电流；增强型场效应管则在栅极电压为负时，沟道内的电子浓度增加，形成电流。
2.11n60场效应管的参数特点11n60场效应管是一种N型MOSFET，具有以下特点：- 漏极电流ID：在一定的栅极电压下，11n60场效应管的漏极电流与沟道长度、宽度和材料有关。
- 阈值电压Vth：当栅极电压大于阈值电压时，11n60场效应管开始导通，形成电流。
- 饱和电压Vgs：当栅极电压大于饱和电压时，11n60场效应管进入饱和区，电流不再随栅极电压增加而明显增加。
- 输入阻抗Zi：11n60场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号干扰。
3.11n60场效应管的应用领域11n60场效应管具有较高的工作频率、较低的噪声和较好的线性度，因此广泛应用于以下领域：- 放大器：11n60场效应管可作为电压、电流放大器，具有较高的性能。
- 开关电源：11n60场效应管在高电压、大电流应用中具有较好的开关性能。
- 模拟电路：11n60场效应管的线性度较好，可用于搭建高精度模拟电路。
- 射频电路：11n60场效应管具有较高的工作频率，可用于射频放大器和混频器等。
4.11n60场效应管的选购与使用注意事项选购11n60场效应管时，应注意以下几点：- 品牌和封装：选择知名品牌和合适的封装，以确保产品质量和可靠性。
场效应管工作原理与应用
V DS > VGS – VGS(th)
4V 3.5 V
特点：
O
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似 三极管的正向受控作用。
考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。
注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。
14
数学模型：
工作在饱和区时，MOS 管的正向受控作用，服从 平方律关系式：
因此，非饱和区又称为可变电阻区。
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数学模型：
VDS 很小 MOS 管工作在非饱区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系：
ID
n C O XW
2l
[2(VGS
VGS (th))VDS
VD2S ]
n C O XW
l
(VGS
VGS (th))VDS
其中，W、l 为沟道的宽度和长度。
COX (= / OX) 为单位面积的栅极电容量。
D
P+ N+
N+
P+ N+
N+
P
P
由图
VGD = VGS - VDS
▪ VDS 很小时 → VGD VGS 。此时 W 近似不变，即 Ron 不变。
因此
VDS→ID 线性 。
▪ 若 VDS →则 VGD → 近漏端沟道 → Ron增大。
此时
Ron →ID 变慢。
7
▪ 当 VDS 增加到使 VGD = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断
共源组态特性曲线：
IG 0 VG+-S
ID
+
T VDS
-
输出特性： 转移特性：
场效应管s极接地电阻
场效应管s极接地电阻一、场效应管概述场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，属于三极管的一种。
与普通的三极管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、频率响应宽等优点。
其主要特点是输入电阻高、输出电阻低，具有大电流放大系数和大功率放大能力。
二、场效应管的分类1.按照控制方式分类(1)JFET（结型场效应管）：通过反向偏置PN结来控制导电型沟道中的载流子浓度。
(2)MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：通过栅极上的电场来调节沟道中的载流子浓度。
2.按照结构分类(1)沟道型：沟道型FET又称为JFET，其特点是在PN结上形成一个导电区域。
(2)绝缘栅型：绝缘栅型FET又称为MOSFET，其特点是在绝缘层上形成一个导电区域。
3.按照工作方式分类(1)增强型：增强型FET需要外加正偏压才能工作。
(2)耗尽型：耗尽型FET不需要外加正偏压即可工作。
三、场效应管的S极接地电阻1.概念：S极接地电阻是指场效应管的源极（S极）与地之间的电阻。
2.作用：S极接地电阻可以影响场效应管的放大性能，包括增益、输出功率和失真等方面。
3.计算方法：(1)对于JFET，其S极接地电阻可以通过下列公式计算：Rs=1/gm 其中，gm为沟道导纳，可以通过下列公式计算：gm=2ID/Vp其中，ID为漏极电流，Vp为PN结反向截止电压。
(2)对于MOSFET，其S极接地电阻可以通过下列公式计算：Rs=1/λID其中，λ为通道长度调制系数。
四、如何提高场效应管的放大性能1.选择合适的工作点：通过调节偏置电压和偏置电流来确定合适的工作点。
2.降低噪声系数：采用低噪声场效应管或者在输入端加入滤波器来降低噪声系数。
3.提高输入信号质量：采用高质量的输入信号源或者在输入端加入滤波器来提高输入信号质量。
4.提高输出负载能力：通过匹配合适的输出负载来提高场效应管的输出负载能力。
5.降低失真：采用反馈电路或者调整偏置电压和偏置电流来降低失真。
场效应管的分类和作用
场效应管的分类和作用
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称.由多数载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它属于控制型器件.
特点:
具有输入高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
因为场效应管的输入阻抗很高，因此耦合
可以容量较小，不必用法电解。
2、场效应管很高的输入阻抗十分适合作阻抗变换。
常用于多级放大器
的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以便利地用作恒流源。
5、场效应管可以用作开关。
场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分离对应于晶体管的放射极和集电极。
将置于R×1k档，用两表笔分离测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数K Ω时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（用法中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分离碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，解释均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
创造工艺打算了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换用法，并
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mos场效应管分类
mos场效应管分类MOS场效应管是一种常见的半导体器件，它可以用于放大、开关和调节电流等多种应用。
根据其结构和工作原理的不同，MOS场效应管可以分为多种类型，下面将对其进行分类介绍。
1. N沟道MOS场效应管（NMOS）N沟道MOS场效应管是一种常见的MOS管，它的基本结构由P型衬底、N型沟道和P型栅极组成。
当栅极施加正电压时，会形成一个电场，使得沟道中的电子被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，NMOS管的导通是由栅极控制的。
NMOS管具有低电压驱动、高速开关和较小的输入电容等优点，常用于数字电路中。
2. P沟道MOS场效应管（PMOS）P沟道MOS场效应管与NMOS管相似，但其沟道为P型，栅极为N型。
当栅极施加负电压时，会形成一个电场，使得沟道中的空穴被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，PMOS管的导通也是由栅极控制的。
PMOS管具有低功耗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于模拟电路中。
3. 增强型MOS场效应管（Enhancement MOSFET）增强型MOS场效应管是一种常见的MOS管，其沟道中没有自由电子或空穴，需要通过栅极施加电压来形成导电通道。
当栅极施加正电压时，会形成一个电场，使得沟道中的电子或空穴被吸引到栅极附近，从而形成导电通道。
因此，增强型MOS管的导通也是由栅极控制的。
增强型MOS管具有高输入阻抗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于放大电路中。
4. 耗尽型MOS场效应管（Depletion MOSFET）耗尽型MOS场效应管与增强型MOS管相似，但其沟道中已经存在自由电子或空穴，不需要通过栅极施加电压来形成导电通道。
当栅极施加负电压时，会形成一个电场，使得沟道中的自由电子或空穴被排斥到栅极附近，从而形成截止状态。
因此，耗尽型MOS管的导通是由栅极控制的。
耗尽型MOS管具有高输入阻抗、低噪声和较小的输出电容等优点，常用于放大电路中。
MOS场效应管根据其结构和工作原理的不同，可以分为N沟道MOS管、P沟道MOS管、增强型MOS管和耗尽型MOS管等多种类型。
50p02a场效应管参数
50p02a场效应管参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，其工作原理基于电子在半导体材料中的移动。
场效应管在现代电子设备中有着广泛的应用，如计算机、手机、家电等。
根据导电方式的不同，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型等。
1.场效应管的基本原理场效应管的基本原理是利用栅极电压控制源极和漏极之间的电流。
在栅极与半导体基片之间存在一个绝缘层，绝缘层上的栅极电压会形成一个电场，这个电场作用在半导体材料上的电子，从而控制电子的运动，进而调节电流。
2.场效应管的分类及应用（1）金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种常见的场效应管，其绝缘层为氧化层。
根据导电方式，MOSFET可分为增强型和耗尽型。
（2）增强型场效应管：增强型场效应管在栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流。
当栅极施加正向电压时，电子浓度增加，形成电流，从而实现电流的增强。
（3）耗尽型场效应管：耗尽型场效应管在栅极电压为零时，源极和漏极之间存在电流。
当栅极施加正向电压时，电子浓度减少，电流减小。
3.场效应管的主要参数（1）阈值电压：阈值电压是指场效应管从截止状态切换到导通状态所需的最低栅极电压。
（2）电流密度：电流密度是场效应管在单位面积上的电流。
（3）跨导：跨导是场效应管的电流密度与栅极电压之间的比例系数，表示栅极电压对电流的控制能力。
4.场效应管的优缺点优点：（1）高输入电阻：场效应管的输入电阻较高，能有效地抵制干扰信号。
（2）低噪声：场效应管的噪声较低，有利于提高信号传输质量。
（3）低失真：场效应管的失真度较低，适用于放大和开关等高精度应用。
缺点：（1）较低的电流放大能力：与晶体管相比，场效应管的电流放大能力较低。
（2）工艺敏感：场效应管的性能受制程工艺影响较大，不同工艺生产的场效应管性能差异明显。
5.场效应管在电子设备中的实例场效应管广泛应用于各种电子设备，如电源管理、放大器、开关、传感器等。
mos场效应管分类
mos场效应管分类
MOS场效应管（MOSFET）是一种常用的半导体器件，它可以用来放大电信号、开关电路以及作为电压控制器件等。
MOSFET可以分为两种类型：增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。
增强型MOSFET是一种常开型MOSFET，当栅极电压为零时，漏极和源极之间的导通电阻非常小，因此它可以用来作为开关电路。
当栅极电压为正时，会在栅极和漏极之间形成一个电场，这个电场会吸引电子，从而使漏极和源极之间的导通电阻变得更小。
因此，增强型MOSFET可以用来放大电信号。
耗尽型MOSFET是一种常闭型MOSFET，当栅极电压为零时，漏极和源极之间的导通电阻非常大，因此它不能用来作为开关电路。
当栅极电压为负时，会在栅极和漏极之间形成一个电场，这个电场会排斥电子，从而使漏极和源极之间的导通电阻变得更大。
因此，耗尽型MOSFET可以用来作为电压控制器件。
MOSFET还可以根据其结构分为两种类型：p型MOSFET和n型MOSFET。
p型MOSFET的基底是p型半导体，源极和漏极是n型半导体，栅极是金属。
n型MOSFET的基底是n型半导体，源极和漏极是p型半导体，栅极是金属。
总之，MOSFET是一种非常重要的半导体器件，它可以用来放大电信号、开关电路以及作为电压控制器件等。
MOSFET可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET，以及p型MOSFET和n型MOSFET。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求来选择合适的MOSFET。
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场效应管的分类和作用分别是什么?根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。
无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。
为了保护MOS 场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.3.场效应管的主要参数:Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N 沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。
在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管。
由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。
（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效应管的主要参数1、夹断电压VP当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm= △ID/△VGS它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示。
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型栅场效应管代。