flash 存储器扩展
第八章扩展存储器方案
#1楼
00 01 10 11
常用的存储器地址分配的方法有3种：全译码、部分译码和线选 法。
1. 全译码 利用系统的全部的高位地址线作为存储器芯片（或I/O接口芯 片）的片选信号。 特点：地址与存储单元一一对应，地址空间的利用率高。
例8-1： 利用全译码为80C51扩展16KB的外部数据存储器，存 储芯片选用SRAM6264，要求外部数据存储器占用从0000H开 始的连续地址空间。
读选通、写选通信号。
思考题： 请问执行 MOVX A,@DPTR指令时，RD和WR引脚的状态？
8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器
8.3.1 存储器地址空间分配
存储器空间分配除考虑地址线连接外，还讨论各存储器芯片在整个存 储空间中所占据的地址范围。
单片机地址总线为16条，可寻址的最大空间为64KB，用户可根据系统的 需要确定扩展存储器容量的大小。
使用MOVX A,@Ri和MOVX @Ri,A。这时通过P0口输出Ri中 的内容（低8位地址），而把P2口原有的内容作为高8位地址 输出。
例8-4 将程序存储器中以TAB为首址的32个单元的内容依次传 送到外部RAM以7000H为首地址的区域去。
分析：DPTR指向标号TAB的首地址。R0既指示外部RAM的地址， 又表示数据标号TAB的位移量。本程序的循环次数为32，R0 的值：0～31，R0的值达到32就结束循环。程序如下：
MOV P2,#70H MOV DPTR,#TAB MOV R0,#0 AGIN: MOV A,R0 MOVC A,@A+DPTR MOVX @R0,A INC R0 CJNE R0,#32,AGIN HERE: SJMP HERE TAB: DB ……
广州唯创电子 存储器（SPI-FLASH）扩展使用方案
存储器（SPI-FLASH）扩展使用方案基于WT588D 语音芯片强大的控制端口驱动能力，利用一个WT588D 语音芯片可扩展驱动多个SPI-Flash 存储器，以获得更大的存储空间和更多的控制地址。
在目前WT588D 外挂64M 存储器程序如火似荼的开发时期，利用多个32M 存储器也能做到64M 的效果，存储空间骤然递增。
而且还能拥有更多的控制地址，从之前的220段语音地址，扩展到440段或者更多段语音地址，同时外挂多个SPI-Flash 存储器，有效的将语音地址数量提高到数倍。
从基本上解决了WT588D 外挂单个SPI-FLASH 存储空间有限的问题。
使得WT588D能被更好的应用在更多的场合，如游戏机系统，长时间放音系统，多国语言系统，以及需要更多段语音的收银系统，叫号系统等。
1、扩展使用框图框图中只画出外挂三个存储器，实际上WT588D 语音芯片可驱动的外部存储器的数量能达到数十个。
2、外挂存储器数量跟语音地址和播放时间的关系表格中数据为用WT588D 当作主控的情况下计算得来。
表中仅列出3个SPI-Flash 存储器的应用数据。
序号 存储器型号存储器容量外挂存储器数量语音地址（段）播放时间（秒）1 W25X202M1 220 302 2 440 603 3 660 904 W25X404M1 220 100 52 440 200 63 660 300 7 W25X808M1 220 200 82 440 400 93 660 600 10 W25X1616M1 220 500 112 440 1000 123 660 1500 13 W25X3232M1 220 1000 142 440 2000 15366030003、扩展电路图3.1、开关切换模式控制：此电路为外挂6个SPI-FLASH方案，SPI-FLASH的DO、DI、CS、CLK级联接到WT588D语音芯片的P13（DO）、P14（DI）、P15（CS）、P16（CLK）。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。
在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。
下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。
flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。
[说明]td-pitd新一代32位微机原理实验箱、微机接口技术实验系统
![[说明]td-pitd新一代32位微机原理实验箱、微机接口技术实验系统](https://img.taocdn.com/s3/m/edc36ae3760bf78a6529647d27284b73f24236ae.png)
TD-PITD+ 新一代32位微机教学实验系统西安唐都科教仪器公司最新推出“TD-PITD+32位微机教学实验系统”，该系统基于PCI总线扩展卡扩展出80x86系统总线，支持“80x86微机原理及接口技术”、“基于Windows系统的微机原理及接口技术”实验教学和IA-32微机系统应用开发，完全解决了以往各种PCI总线扩展实验设备存在的各种问题，诸如容易死机，不易维护，实验内容少，中断、DMA、存储器扩展等实验开不了或开不全，在Windows 环境中主要实验都不能开展等等。
所以唐都32位微机教学实验系统已成为高校“80x86微机原理及接口技术”和“”微机应用及开发”等课程实验教学的不二选择。
一、支持基于80x86的16/32位微机原理及接口技术教学体系（一）全面支持基于80x86的16/32位微机原理及接口技术的实验教学系统全面支持“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”的实验教学，从而可使各学校由原来的“基于DOS系统的16位微机原理及接口技术”的实验教学顺利提升到“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”实验教学的新层次。
“基于80x86的16/32位微机原理及接口技术”实验教学体系包括：80x86实模式微机原理及接口技术（16位微机原理及其程序设计、32位指令及其程序设计、微机接口技术及其应用）和80x86保护模式微机原理及接口技术（保护模式原理及其程序设计、虚拟存储管理及存储器扩展）。
其中“8259中断控制实验”包括8259单一中断源实验、8259优先级中断实验、8259级联中断实验，“8237DMA传送实验”包括存储器到存储器、存储器到I/O之间的DMA传送实验，“存储器扩展实验”包括8/16/32位静态存储器扩展实验和Flash ROM存储器实验。
（二）Windows环境下的汇编语言和C语言源程序调试软件专为在Windows系统环境下支持80x86微机原理及接口技术的实验教学设计了一套高度可视化的先进集成开发环境，在该环境下可支持80x86汇编或C语言源语言级的编程和调试，支持实验平台上扩展的接口芯片及设备的I/O操作、中断以及DMA方式操作的编程及调试，支持实验平台上存储器的内存扩展的编程操作及调试，完全解决了基于PC微机的Windows环境下，如何通过PCI总线扩展方式，来完整开展80x86微机接口技术的实验教学问题。
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RA M 中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPR OM或F LASHR OM 等存储器来实现。
在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC或SPI等接口来进行数据通信。
这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。
在ST C 单片机中内置了E EPROM（其实是采用IAP技术读写内部FLAS H 来实现EEPR OM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。
下面就详细介绍STC单片机内置EEP ROM 及其使用方法。
f lash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.一般来说单片机里的f lash都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPR OM是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12：00，后来在运行中改为6：00，这是保存在EE PROM里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到6：00下面是网上详细的说法，感觉不错：F LASH和EEPR OM的最大区别是FL ASH按扇区操作，E EPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLA SH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EE PROM低，因而适合用作程序存储器，EE PROM则更多的用作非易失的数据存储器。
当然用FL ASH做数据存储器也行，但操作比EEPR OM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成F LASH和EEPRO M两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLA SH，早期可电擦写型MCU则都是EEPR M结构，现在已基本上停产了。
第8章 89C51单片机的系统扩展
GND 14
28 VCC 27 WE 26 NC 25 A8 24 A9 23 NC 22 OE 21 A10
20 CE 19 I/O7
18 I/O6 17 I/O5 16 I/O4 15 I/O3
图8-6 2817A引脚图
A0～A10
I/00～I/07 CE OE WE
2、2732EPROM存储器
2732是4K×8紫外线擦除电可编程只读存储 器。单一+5V供电，最大工作电流为100mA， 维持电流为35mA，读出时间为250ns。引 脚如图8-2。
2732
A7 1 A6 2
A5 3 A4 4 A3 5 A2 6 A1 7 A0 8 O0 9 O1 10 O2 11
允许快速写入,内部提供全部定时，给出查询标
志。
NC 1 A12 2 A7 3 A6 4
A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10
I/O0 11
I/O1 12 I/O2 13
GND 14
28 VCC 27 WE
A0～A12
26 NC
25 A8 I/00～I/07
24 A9
23 A11
8.1.1 程序存储器的分类
程序存储器ROM也称只读存储器。所谓只 读存储器是指ROM中的信息，一旦写入以 后，就不能随意更改，特别是不能在程序运 行过程中再写入新的内容，只能在程序执行 过程中读出其中的内容。
1、掩膜编程的ROM
其编程由半导体厂家完成，根据用户提出的存 储内容决定MOS管的连接方式，把存储内容 制作在芯片上，用户不能更改所存入的信息。
特点：适合于大批量生产，结构简单、集成度 高。成本高，只有大量生产定型ROM时才合 算。
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义
数据存储在程序存储器(flash)空间的定义（1）flash 常量：#include//须增加的头文件const prog_uchar FlashConst = 3;//定义uchar 型的常量n 定义在flash 里(flash 常量)unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte(&FlashConst); //读取flash常量到ram 变量（2）flash 一维数据：#includeconst prog_uchar s[5] = { 1, 2, 3, 4,5 };unsigned char RamVar; //定义无符号整型变量(Ram 变量)RamVar = pgm_read_byte( &s[1] ); //读取s[1]的值到RamVar, or RamVar = pgm_read_byte(s+1 );（3）flash 多维数据：#includeconst prog_uchar s[4][16] = { {14, 4,13, 1, 2,15,11, 8, 3,10, 6,12, 5, 9, 0, 7 },{ 0,15, 7, 4,14, 2,13, 1,10, 6,12,11, 9, 5, 3, 8 },{ 4, 1,14, 8,13, 6, 2,11,15,12, 9, 7, 3,10, 5, 0 },{15,12, 8, 2, 4, 9, 1, 7, 5,11, 3,14,10, 0, 6,13 }};unsigned char RamVar[4],[16]; //定义无符号整型变量(Ram 变量)register char i, j;for(i=0; i<4; ++){for(j=0; j<16; j++){RamVar[i][j] = pgm_read_byte( &s[i][j]); //读取数组s 的值到RamVar}//end for 2}//end for 1（4）扩展部分avr 对ram和flash 是独立编址的，ram 是按8 位编址，而flash 却按16 位编址，读ram 和读flash 的汇编指令也是不同的。
Flash 存储器的简介
Flash 存储器的简介在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。
它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从0 开始。
Flash 是由一组可独立擦除的1KB 区块所构成的，对一个区块进行擦除将使该区块的全部内容复位为1。
Flash 存储器是由1KB 区块构成，而且每个区块的基地址都固定的。
Flash 存储器的操作对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。
Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
Flash 存储器的编程写入的地址必须以字（4个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。
也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。
Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，读出的数据绝对不正确，结果也难以预料。
Flash 存储器的擦除Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并指定哪一区块被擦除，或者全部擦除。
也就是说以区块是flash 擦除的最小单位。
●执行 1-KB 页的擦除执行 1KB 页的擦除步骤如下：(1) 将页地址写入FMA 寄存器(2) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将ERASE 位置位（写入0xA4420002）。
(3) 查询FMC 寄存器直至ERASE 位被清零。
●执行 Flash 的完全擦除执行完全擦除的步骤如下：(1) 将Flash 写入匙码(flash write key)写入FMC 寄存器，并将MERASE 位置位（写入0xA4420004）。
(2) 查询FMC 寄存器直至MERASE 位被清零。
FLASH存储器的测试方法研究1．引言随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。
FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。
第8章 扩展存储器
P2.4），8条输出线，如何获得16片存储器的
16个片选信号呢？ 解决方法：使用两片74LS138。 注意：采用译码器划分的地址空间块都是相等的，如果将地 址空间块划分为不等的块，可采用可编程逻辑器件FPGA对 其编程来代替译码器进行非线性译码。
15
8000H 9000H A000H B000H C000H D000H E000H F000H
总线信号：P0和P2.
27
2．操作时序
AT89S51对片外ROM的操作时序分两种，即执行非MOVX指令
片外锁存 的时序和执行MOVX指令的时序. 器用
（1）应用系统中无片外RAM
28
29
8.3.3 AT89S51单片机与EPROM的接口电路设计
当片内FLASH容量不够用的时候，就要扩展片外的程序存储
控制信号： （1）ALE：用于低8位地址锁存控制。 （2） PSEN ：片外程序存储器“读选通”控制信号。它接 外
OE
（3）EA ：片内、片外程序存储器访问的控制信号。 扩EPROM的 引脚。
EA =1时，在单片机发出的地址小于片内程
序存储器最大地址时，访问片内程序存储器；
EA =0时，只访问片外程序存储器。
20
8.3 程序存储器EPROM的扩展
程序存储器分类：
（1）掩模ROM： 特征：在制造过程中编程，是以掩模工艺实现的，因此称
为掩模ROM。存储结构简单，集成度高;
使用：掩模工艺成本较高，因此只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM）：
特征： 芯片出厂时没有任何程序信息，用独立的编程器
写入。 使用：PROM只能写一次，写入内容后，就不能再修改。
8FFFH 9FFFH AFFFH BFFFH CFFFH DFFFH EFFFH FFFFH
fpga中flash的作用
fpga中flash的作用FPGA中的Flash：存储和配置的关键在现代电子设备中，FPGA（现场可编程门阵列）是一种重要的集成电路，它具有灵活性和可重配置性。
而FPGA中的Flash存储器起着至关重要的作用，它不仅用于存储配置文件，还承担着其他关键任务。
本文将深入探讨FPGA中Flash的作用，以及它在电子设备中的重要性。
一、存储配置文件FPGA的核心是其可编程逻辑单元（PL）和可编程间连单元（IOB），它们可以按照特定的需求进行重新配置。
而FPGA中的Flash存储器用于存储配置文件，这些文件包含了FPGA的逻辑功能、连接和I/O设置等信息。
每当设备上电或重新启动时，FPGA都会从Flash 中加载这些配置文件，从而确保FPGA能够按照预定的逻辑和连接方式工作。
二、提供非易失性存储与传统的SRAM（静态随机存储器）相比，FPGA中的Flash存储器具有非常重要的优势，即它是一种非易失性存储器。
这意味着即使在设备断电或重新启动后，Flash存储器中的数据仍然能够保持不变。
这为FPGA的配置提供了可靠的保护，确保设备在断电后能够恢复到上一次的配置状态。
三、支持在线更新FPGA中的Flash存储器还支持在线更新，这意味着可以通过软件更新FPGA的配置文件，而不需要重新烧录Flash存储器。
这种灵活性使得FPGA能够随时适应新的需求和功能，而无需停机或更换硬件。
在线更新还可以提高设备的可维护性和可扩展性，减少了对硬件更改的依赖。
四、存储其他重要数据除了配置文件外，FPGA中的Flash存储器还可以用于存储其他重要数据，例如校准参数、设备序列号、加密密钥等。
这些数据对于设备的正常运行和安全性至关重要。
通过将这些数据存储在Flash中，可以确保它们在设备断电或重新启动后仍然可用。
五、实现快速启动FPGA中的Flash存储器还可以用于实现快速启动功能。
在设备上电或重新启动时，FPGA可以直接从Flash中加载配置文件，而无需等待外部存储器的加载。
Wmd86实验指导书(简)
Wmd86实验指导书（简）第1章TD-PITE实验系统简介1．1实验系统配置TD-PITE实验系统由I386E某系统板和接口实验平台两部分组成。
其配置情况如表1-1所列。
表1-1TD-PITE系统的主要配置项目最小系统基本接口芯片内容I386E某系统板8254825582378251DAC0832ADC080974LS24574LS573控制存储器62256SRAMFLASH液晶（选）点阵面包板实验用连线图形液晶8某8LED点阵连接用排线一套数量11111116121111项目键盘数码显示电子音响单次脉冲逻辑开关显示灯驱动接口步进电机（选）直流电机串行口机内电源通信电缆箱体内容4某4键阵共阴极数码管扬声器微动开关拨动开关LEDULN280335BYJ46型DC12V，1.1WDB9插座5V、±12VRS-232数量1412161611111111．2实验系统总线系统总线以排针的形式引出。
实验时，与实验单元相连可完成相应的实验。
系统引出信号线说明见表1-2。
表1-280某86微机系统信号线信号线某D0~某D15某A1~某A20BHE#、BLE#ADS#MY0、MY1IOY0~IOY3HOLDHLDA说明系统数据线（输入/输出）系统地址线（输出）字节使能信号（输出）地址状态信号（输出）存储器待扩展信号（输出）信号线MIR6、MIR7SIR1R/W#MRD#、MWR#IOR#、IOW#说明主8259请求信号（输入）从8259请求信号（输入）读、写信号（输出）存储器读、写信号（输出）I/O读、写信号（输出）复位信号（输出）1MHz时钟输出1.8432MHz时钟输出I/O接口待扩展信号（输出）RST、RST#总线保持请求（输入）总线保持应答（输出）CLKPCLK注：#号表示低电平有效1．3实验系统软件实验系统软件Wmd86.e某e已安装在PC机开始菜单的程序选项中，一般在桌面上建立了名为Wmd864.1的快捷方式。
单片机与外部存储器交互 扩展存储空间的方法
单片机与外部存储器交互扩展存储空间的方法在现代电子设备中，单片机作为一种高度集成的控制器芯片，被广泛应用于各个领域。
然而，由于单片机的存储容量有限，为了满足复杂的应用需求，通常需要扩展存储空间。
本文将介绍单片机与外部存储器的交互原理以及几种常见的方法来扩展存储空间。
一、交互原理在单片机中，外部存储器通常指的是非易失性存储器，如EEPROM、Flash等。
通过与单片机进行数据的读写操作，可以实现数据的长期存储和共享。
外部存储器与单片机之间的交互主要依靠通信接口，如SPI、I2C、串口等。
下面将分别介绍这几种接口的原理。
1. SPI接口SPI（Serial Peripheral Interface）是一种全双工的串行通信接口，使用4根线（SCK、MOSI、MISO、CS）进行数据传输。
在SPI接口中，单片机作为主设备发起数据传输，而外部存储器作为从设备响应主设备的指令并传输数据。
通过SPI接口，单片机可以直接读写外部存储器中的数据，实现存储空间的扩展。
2. I2C接口I2C（Inter-Integrated Circuit）是一种系列总线通信协议，通过两根线（SCL、SDA）进行数据传输。
在I2C接口中，单片机既可以作为主设备发送数据，也可以作为从设备接收数据。
通过I2C接口，单片机可以与多个外部存储器进行通信，实现存储空间的扩展。
3. 串口接口串口接口是一种常见的通信接口，通过TX（发送）和RX（接收）两根线进行数据传输。
在串口接口中，单片机通过发送和接收数据来与外部存储器进行通信。
虽然串口的传输速率较低，但它简单易用，适合与存储器进行简单的数据交互。
二、扩展存储空间的方法在了解了单片机与外部存储器的交互原理后，下面将介绍几种常见的方法来扩展存储空间。
1. 并行存储器并行存储器是一种传统的扩展存储空间的方法，它通常由存储芯片组成，通过地址线和数据线与单片机相连。
并行存储器的特点是读写速度快，但容量有限。
单片机课件8 单片机的存储器的扩展
MCS-51单片机的地址总线为16位，它的存储器最大的 扩展容量为216，即64K个单元。
2013-6-27
单片机原理及其应用
20
8.3 程序存储器扩展
8.3.2 外部程序存储器扩展原理及时序
（一） 外部程序存储器扩展使用的控制信号
（1）EA——用于片内、片外程序存储器配置， 输入信号。当EA=0时，单片机的程序存储器全部为扩 展的片外程序存储器；当EA=1 时，单片机的程序存 储器可由片内程序存储器和片外程序存储器构成，当 访问的空间超过片内程序存储器的地址范围时，单片 机的CPU自动从片外程序存储器取指令。 （2）ALE——用于锁存P0口输出的低8位地址。 （3）PSEN ——单片机的输出信号，低电平时， 单片机从片外程序存储器取指令；在单片机访问片内 2013-6-27 单片机原理及其应用 程序存储器时，该引脚输出高电平。
2013-6-27 单片机原理及其应用 11
8.2 半导体存储器
8.2.2 只读存储器 只读存储器（Read Only Memory，ROM），ROM 一般用来存储程序和常数。ROM是采用特殊方式写入 的，一旦写入，在使用过程中不能随机地修改，只能从 其中读出信息。与RAM不同，当电源掉电时，ROM 仍 能保持内容不变。在读取该存储单元内容方面，ROM 和RAM相似。只读存储器有掩膜ROM、PROM、EPROM、 E2PROM（也称EEPROM）、Flash ROM等。它们的区 别在于写入信息和擦除存储信息的方式不同。
AT89S52单片机外部存储器的扩展
2．锁存器74LS573 也是一种带有三态门的8D锁存器，功能及内部结构与74LS373
完全一样，只是其引脚排列与74LS373不同，图8-10为74LS573引 脚图。
由图8-10，与74LS373相比，74LS573的输入D端和输出Q端依次 排列在芯片两侧，为绘制印制电路板提供方便
引脚说明： D7～D0：8位数据输入线。 Q7～Q0：8位数据输出线。 G ：数据输入锁存选通信号，该引脚与74LS373的G端功能相 同。
（2）数据总线（Data Bus，DB）：用于单片机与外部存储器 之间或与I/O接口之间传送数据，数据总线是双向的。
（3）控制总线（Control Bus，CB）：控制总线是单片机发出 的各种控制信号线。
7
如何来构造系统的三总线。 1．P0口作为低8位地址/数据总线 AT89S51受引脚数目限制，P0口既用作低8位地址总线，又用 作数据总线（分时复用），因此需增加一个8位地址锁存器。 AT89S51访问外部扩展的存储器单元或I/O接口寄存器时，先发 出低8位地址送地址锁存器锁存，锁存器输出作为系统的低8位 地址（A7~ A0）。随后，P0口又作为数据总线口（D7~ D0），如 图8-2所示。 2．P2口的口线作为高位地址线 P2口用作系统的高8位地址线，再加上地址锁存器提供的低8 位地址，便形成了系统完整的16位地址总线。
采用译码器划分的地址空间块都是相等的，如果将地址空间 块划分为不等的块，可采用可编程逻辑器件FPGA对其编程来代 替译码器进行非线性译码。
22
图8-6 存储器空间被划分成每块4KB
2233
2.2 外部地址锁存器 受引脚数的限制，P0口兼用数据线和低8位地址线，为了将
它们分离出来，需在单片机外部增加地址锁存器。目前，常用 的地址锁存器芯片有74LS373、74LS573等。 1．锁存器74LS373
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别
更多的心思。在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来
实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。下面就详细介绍STC 单
片机内置EEPROM 及其使用方法。
flash是用来放程序的，可以称之为程序存储器，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的.
在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无
法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等
存储器来实现。在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通
过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花
Flash存储器
Flash存储器FLASH闪存闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。
这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。
再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
NAND_Flash中文版资料
NAND Flash 存储器和使用ELNEC编程器烧录NAND Flash技术应用文档Summer 翻译整理深圳市浦洛电子科技有限公司August 2006目录一． 简介 ----------------------------------------------------------------------------------- 1 二． NAND Flash与NOR Flash的区别 -------------------------------------------- 1 三． NAND Flash存储器结构描叙 --------------------------------------------------- 4 四． 备用单元结构描叙 ---------------------------------------------------------------- 6 五． Skip Block method（跳过坏块方式） ------------------------------------------ 8 六． Reserved Block Area method（保留块区域方式）----------------------------- 9 七． Error Checking and Correction（错误检测和纠正）-------------------------- 10 八． 文件系统 ------------------------------------------------------------------------------10 九． 使用ELNEC系列编程器烧录NAND Flash -------------------------------- 10 十． Invalid Block Management drop-down menu -------------------------------- 12 十一． User Area Settings3 -------------------------------------------------------- 13 十二． Solid Area Settings --------------------------------------------------------- 15 十三． Quick Program Check-box ---------------------------------------------- 16 十四． Reserved Block Area Options --------------------------------------------17 十五． Spare Area Usage drop-down menu ------------------------------------18简介NAND Flash 结构最早是在1989年由日本东芝公司引入。
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
微机原理存储器扩展例题
1、某8位微机系统需扩展内存至64KB，若使用16K×1位的RAM芯片，需要多少片此类芯片？A. 8片B. 16片C. 32片D. 64片（答案）D2、在微机系统中，若要使用256K×8位的SRAM芯片扩展为1MB的内存，需要几片SRAM 芯片？A. 1片B. 2片C. 4片D. 8片（答案）C3、一个微机系统需要扩展为2MB的内存，若采用64K×16位的DRAM芯片，则至少需要多少片这样的芯片？A. 8片B. 16片C. 32片D. 64片（答案）C4、某系统需扩展一个容量为16MB的ROM存储器，若使用256K×8位的ROM芯片，需要多少片？A. 32片B. 64片C. 128片D. 256片（答案）B5、一个微机系统计划使用容量为1MB的Flash存储器，若采用128K×8位的Flash芯片进行扩展，需要几片？A. 4片B. 8片C. 16片D. 32片（答案）B6、为了扩展一个容量为4GB的外部存储器，若采用容量为256MB的SD卡作为存储介质，需要几张SD卡？A. 4张B. 8张C. 16张D. 32张（答案）C7、某嵌入式系统需要扩展一个128MB的NOR Flash存储器，若采用16M×8位的NOR Flash 芯片，至少需要几片？A. 4片B. 8片C. 16片D. 32片（答案）B8、一个微机系统计划扩展至2GB的DDR3内存，若采用容量为512MB的DDR3内存条，需要几条？A. 2条B. 4条C. 8条D. 16条（答案）B。