《集成电路原理及应用》课后答案..
3篇3章习题解答浙大版集成电路课后答案
第三章 反馈放大电路及应用题3.3.1 怎样分析电路中是否存在反馈?如何判断正、负反馈；动态、 静态反馈(交、直流反馈)；电压、电流反馈；串、并联反馈?解：根据电路中输出回路和输入回路之间是否存在信号通路，可判断是否存在反馈。
利用瞬时极性法，可以判断正、负反馈：若反馈信号的引入使放大器的净输入量增大， 则为正反馈；反之为负反馈。
在静态条件下(v i =0)将电路画成直流通路，假设因外界条件(如环境温度)变化引起静态输出量变化，若净输入量也随之而变化，则表示放大器中存在静态反馈。
当v i 加入后，将电路画成交流通路，假定因电路参数等因素的变化而引起输出量变化，若净输入也随之而变化，则表示放大器中存在动态反馈。
利用反证法可判断电压、电流反馈。
假设负载短路后，使输出电压为零，若反馈量也随之为零，则是电压反馈；若反馈量依然存在(不为零)，则是电流反馈。
在大多数电路中(不讨论个别例外)，若输入信号和反馈信号分别加到放大电路的二个输入端上，则为串联反馈；若加到同一输入端上，则为并联反馈。
题3.3.2 电压反馈与电流反馈在什么条件下其效果相同，什么条件下效果不同?解：在负载不变的条件下，电压反馈与电流反馈效果相同；当负载发生变化时，则二者效果不同，如电压负反馈将使输出电压恒定，但此时电流将发生更大的变化。
题3.3.3 在图题3.3.3所示的各种放大电路中，试按动态反馈分析：(1)各电路分别属于哪种反馈类型?(正/负反馈；电压/电流反馈；串联/并联反馈)。
(2)各个反馈电路的效果是稳定电路中的哪个输出量?(说明是电流，还是电压) (4)若要求将图(f)改接为电压并联负反馈，试画出电路图(不增减元件)。
解：(1)，(2) : (a)电压并联负反馈，稳定υo 。
(b)电流串联负反馈，稳定i o 。
(c)电流并联负反馈，稳定i o 。
(d)电压串联负反馈，稳定υo 。
(e)电压并联负反馈，稳定υo 。
(f)电压串联负反馈，稳定υo 。
1篇1章习题解答浙大版集成电路课后答案
第一章半导体二极管及其电路分析题1.1.1已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1（a）所示。
（1）若将其按正向接法直接与1.5V电池相连，估计会出现什么问题？（2）若将其按反向接法直接与30V电源相连，又会出现什么问题？（3）分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。
（4）画出两只2AP9二极管[图题1.1.1（a）]在：同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。
图题1.1.1解：(1)烧杯二极管；(2)反向击穿；(3)串联电阻可以限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值，使二极管或稳压管安全；(4)同相串联：其正反相的电压分别增加反相串联略去正向压降后都是反向特性；同相并联时：其特性如同一只管子特性反相并联时：两边都是正向特性。
题1.1.2当用万用表电阻档测量二极管[参见图题1.1.1（b）]，分析：（1）所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态（微变）电阻？（2）设万用表内电池电压为1.5V，R×10Ω档的内阻R iˊ为240Ω，R×100Ω档的内阻R iˊ=2.4kΩ。
试用图解分析法估算：a）用R×10Ω档测得的正向电阻值；b）用R×100Ω档测得的正向电阻值。
从概念上说明，为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊？解：(1) 是二极管的直流电阻。
(2) 在二极管的特性曲线坐标上，作出两条负载线，负载线和特性曲线的交点求得V D和I D，然后求出这二档的电阻。
负载线方程分别为：V D=1.5-0.24I D(R×10Ω档)V D=1.5-2.4I D(R×100Ω档)所以用R×10Ω档测得的二极管正向电阻值为Ω===76mA 7.4V 36.0DDD I V R 用R ×100Ω档测得的二极管正向电阻值为 Ω===500mA 5.0V 25.0D DD I V R由于万用表不同档的内阻不同，使流过二极管的电流相差较大，从而不同档时，测得二极管的正向电阻相差悬珠。
集成电路原理及应用期末复习资料..
1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路。
共模信号：双端输入时，两个大小相同，极性相同的信号。
差模信号：双端输入时，两个大小相等，极性相反的信号。
对差模输入信号的放大作用、对共模输入信号的抑制作用2.集成运放有哪几部分组成？各部分的典型电路分别是什么？输入级、中间级、输出级、偏置电路四大部分组成输入级的典型电路是差动放大电路, 利用它的电路对称性可提高整个电路的性能，减小温漂；中间级的典型电路是电平位移电路, 将电平移动到地电平，满足零输入时零输出的要求；输出级的典型电路是互补推挽输出放大电路，使输出级输出以零电平为中心，并能与中间电压放大级和负载进行匹配；偏置电路典型电路是电流源电路，给各级电路提供合适的静态工作点、所需的电压3.共模抑制比的定义？集成运放工作于线性区时，其差模电压增益Aud与共模电压增益Auc之比4.集成运放的主要直流参数：输入失调电压Uos、输入失调电压的温度系数△Uos/△T、输入偏置电流、输入失调电流、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰--峰电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压5.集成运放主要交流参数：开环带宽、单位增益带宽、转换速率、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。
6.理想集成运放的基本条件。
1.差模电压增益为无穷大2.输入电阻为无穷大3.输出电阻为04.共模抑制比CMRR为无穷大5.转换速率为无穷大即Sr=006.具有无限宽的频带7.失调电压·失调电流极其温漂均为08.干扰和噪声均为07.理想集成运放的两个基本特性：虚短和虚断。
代表的实际物理意义。
其实，虚短和虚断的原因只有一个，那就是：输入端输入电阻无穷大。
集成电路制造技术原理与工艺[王蔚][习题答案(第2单元)
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第二单元习题解答1.SiO2膜网络结构特点是什么？氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什么？对SiO2膜性能有哪些影响？二氧化硅的基本结构单元为Si-O四面体网络状结构，四面体中心为硅原子，四个顶角上为氧原子。
对SiO2网络在结构上具备“长程无序、短程有序”的一类固态无定形体或玻璃体。
半导体工艺中形成和利用的都是这种无定形的玻璃态SiO2。
氧在SiO2网络中起桥联氧原子或非桥联氧原子作用，桥联氧原子的数目越多，网络结合越紧密，反之则越疏松。
在连接两个Si-O四面体之间的氧原子掺入SiO2中的杂质，按它们在SiO2网络中所处的位置来说，基本上可以有两类：替代（位）式杂质或间隙式杂质。
取代Si-O四面体中Si原子位置的杂质为替代（位）式杂质。
这类杂质主要是ⅢA，ⅤA元素，如B、P等，这类杂质的特点是离子半径与Si原子的半径相接近或更小，在网络结构中能替代或占据Si原子位置，亦称为网络形成杂质。
由于它们的价电子数往往和硅不同，所以当其取代硅原子位置后，会使网络的结构和性质发生变化。
如杂质磷进入二氧化硅构成的薄膜称为磷硅玻璃，记为PSG；杂质硼进入二氧化硅构成的薄膜称为硼硅玻璃，记为BSG。
当它们替代硅原子的位置后，其配位数将发生改变。
具有较大离子半径的杂质进入SiO2网络只能占据网络中间隙孔（洞）位置，成为网络变形（改变）杂质，如Na、K、Ca、Ba、Pb等碱金属、碱土金属原子多是这类杂质。
当网络改变杂质的氧化物进入SiO2后，将被电离并把氧离子交给网络，使网络产生更多的非桥联氧离子来代替原来的桥联氧离子，引起非桥联氧离子浓度增大而形成更多的孔洞，降低网络结构强度，降低熔点，以及引起其它性能变化。
2.在SiO2系统中存在哪几种电荷？他们对器件性能有些什么影响？工艺上如何降低他们的密度？在二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷。
在SiO2内和SiO2-Si界面上有四种类型的电荷：可动离子电荷：Q m；氧化层固定电荷：Q f；界面陷阱电荷：Q it；氧化层陷阱电荷：Q Ot。
集成电路原理第四章习题解答
2 12
10 10 5 0.75 10 W
6 2
3
而由于输入非阶跃信号导致在转换区产生的暂态附加功耗
PA 1 2 f VDD I max t r t f
其中，Imax为转换电平V*=0.5VDD处的P管和N管的峰值电流，则
CMOS与非门为无比电路，输出低电平可达到0V；而NMOS与非门为 有比电路，其输出低电平与输入管和负载管宽长比有关。
CMOS与非门输出高电平可达到VDD，而NMOS与非门输出高电平有阈 值损失，只能达到VDD-Vth NMOS与非门的静态功耗大于CMOS与非门
5、已知： CMOS反相器Vthn= ∣ Vthp∣=0.2VDD，n=p=110-4A/V2，
I max I p I n 1 2 n V Vthn
*
2Leabharlann 1.125 104
A
得
PA 1 2 1 2 f V DD I max t r t f
6
4
10 10 5 1.125 10
20 10
9
0.56 10 W
原来建立的上下极板感应电荷平衡被打破，如要保持沟道区 导电电荷数目不变（强反型），就必须增加上极板的电荷量，
即增大栅压，VG增大，导致Vth增大。表现出来即为体效应。
2、比较E/E饱和负载、E/E非饱和负载和E/D NMOS反相器 的优缺点，哪一种结构能得到较好的功耗速度优值？
3、图中两级反相器I、 II均为E/D NMOS反相器，为了使级 联反相器无电平损失，须保证： Vin=Vout=Vinv 若设定增强型器件阈值电压VTE=0.2VDD，耗尽型器件阈值 电压VTD=-0.6VDD，转换电平Vinv=0.5VDD，则求出反相器II的 负载管（或上拉管）与输入管（或下拉管）的宽长比之比。
集成电路原理及应用答案
第2章 模拟集成电路的线性应用
2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说 明该电路完成什么功能。
RF RF RF RF uO uo1 uI2 ui1 ui2 R1 R2 R1 R2
R
功能：减法运算
R1 R2 Rf
ui1
R
–A 1 uo1 +
Rp1
ui2
Rp2
–A 2 +
2.8 设计一个运放电路，要求运算关系为， uO 5(ui1 ui2 uI3 ui4 ) 指定接于输入、输出端的反馈电 阻为100k，试选定各信号源与放大器输入端之间的电阻 及平衡电阻。
方案一：用两级反相求和电路
20kΩ 100kΩ R1 u
i1
100kΩ Rf1 –A
uO 5(ui2 ui4 ) 5[(ui1 ui3 )]
Rp1 R1 //R3 //R f1 33.3 kΩ
100k 20k R5
1
ui3
R3
100kΩ 20kΩ Rp1
Rf2 100kΩ –A + Rp2
9.1kΩ
+
ui2
20k R2
ui4 R 20k 4
2
uo 8.3kΩ
Rp2 R2 //R4 //R5 //R f 2 6.25kΩ
uO 5(ui1 ui2 uI3 ui4 )
第2章 模拟集成电路的线性应用
方案二：两个同相求和电路和一个差动放大器
100kΩ R2 ui2 R4 ui4 100kΩ Rp1 100kΩ R1 ui1 R3 ui3 100kΩ Rp2
uO 5[(ui1 ui3 ) (ui2 ui4 )]
单片机嵌入式系统原理及应用课后答案
单片机嵌入式系统原理及应用课后答案【篇一：单片机原理及嵌入式系统设计第一次作业习题】1、用8位二进制数表示出下列十进制数的补码：+65 、—115[+65]补：0100 0001[-115]补：1100 11012 、写出十进制数12.4用的bcd码和二进制数：bcd码：0001 0010.0100 二进制数：1100.0110011001100110（结果保留16位小数） 3 、当采用奇校验时，ascii码1000100和1000110的校验位d7应为何值？这2个代码所代表的字符是什么？答：分别为0和1，代表字符分别是d和f4、计算机由(运算器、控制器、存储器、输入设备、输出设备)五部分组成。
5、画出微机的组成框图，说明三总线的作用。
数据总线db：在控制总线的配合下传递cpu的输入/输出数地址总线ab：选择芯片或选择芯片中的单元，以便cpu通过控制总线让数据总线与该单元之间单独传输信息控制总线cb：配合数据总线与地址总线起作用，负责传递数据总线或地址总线的有效时刻和数据总线的传输方向等信息6、8位微机所表示的无符号数、带符号数、bcd码的范围分别是多少？答：8位微机所表示的无符号数范围：0~255带符号数范围：-128~+127bcd码范围：0~997、1001001b分别被看作补码、无符号数、ascii码、bcd码时，它所表示的十进制数或字符是什么？答：分别是补码73，无符号数73，bcd码498、举例说出单片机的用途。
答：比如马路上红路灯的时间控制;洗衣机的洗涤、甩干过程的自动控制等9、举例说明cpu执行指令的过程。
答：计算机每执行一条指令都可分为三个阶段进行。
即取指令、分析指令、执行指令。
根据程序计数器pc中的值从程序存储器读出现行指令，送到指令寄存器。
将指令寄存器中的指令操作码取出后进行译码，分析其指令性质。
如指令要求操作数，则寻找操作数地址。
计算机执行程序的过程实际上就是逐条指令地重复上述操作过程，直至遇到停机指令可循环等待指令。
(完整版)二篇4章2浙大版集成电路课后答案
题2.4.18 试用负边沿JK 触发器和“与-或-非”门构成一个四位数码并行寄存和一个四位数码串行输入右移移位寄存器。
解：令C 是并行寄存数据和实现右向移位操作的控制端，其用JK 触发器构成的框图如图所示：令C=1并行存数，C=0时为右移串入后，得出各组合电路的逻辑函数，现以1J 3和1K 3函数为例,列出真值表，求出函数式，其它式子也照此类推。
输 入 输 出 C Q 2 D 3 1J 3 1K 30 0 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 11 0233311Q C CD K J +==122211Q C CD K J +==011111Q C CD K J +==SRD C CD K J +==00011由四个函数式画出的电路图如图所示：题2.4.19 图题2.4.19是一个实现串行加法的电路图，被加数11011及加数10111已分别存入二个五位被加数和加数移位寄存器中。
试分析并画出在六个时钟脉冲作用下全加器输出S i 端、进位触发器Q 端以及和数移位寄存器中左边第一位寄存单元的输出波形(要求时间一一对应)。
1D 2D 3DFF3 FF2 FF1 FF0 SR D 1J C1 1K 组合 逻辑电路 1JC1 1K 组合 逻辑电路1J C1 1K 组合 逻辑电路 1J C1 1K 组合 逻辑电路 CP0D0Q 1Q 2Q 3Q C D 1 D S1J QC11K11J Q C11K11J Q C11K11J Q C11K1CPC Q 3Q 2Q 1Q 0D 3 D 2 D 0≥1 &≥1 &≥1 &≥1 &图题2.4.19解：解该题时，注意全加器是一个合逻辑电路，而移位寄存器和触发器是一个时序电路，要注意时序关系。
其波形如图：题2.4.20 (1)试分析图题2.4.20(a)、(b)所示计数器的模是多少?采用什么编码进行计数?(2)若计数脉冲频率f CP 为700Hz 时，从Q 2端、Q 0端输出时的频率各为多少?图题2.4.20解：分析计数器电路有多种方法，列表法：以CP 为顺序，依次列出触发器的初态、输入，和次态，可以得出结论。
单片机原理及应用第三版课后答案
单片机原理及应用第三版课后答案1. 第一章题目答案:a) 单片机的定义: 单片机是一种集成电路，具有CPU、存储器和输入输出设备等功能，并且可以根据程序控制进行工作的微型计算机系统。
b) 单片机的核心部分是CPU，它可以通过执行程序指令来完成各种计算、逻辑和控制操作。
c) 存储器分为程序存储器和数据存储器，程序存储器用于存放程序指令，数据存储器用于存放数据和暂存中间结果。
d) 输入输出设备用于与外部环境进行数据交换，如开关、LED、数码管等。
e) 单片机的应用广泛，包括家电控制、智能仪器、工业自动化等领域。
2. 第二章题目答案:a) 单片机中的时钟系统用于提供CPU运行所需的时序信号，常见的时钟源有晶体振荡器和外部信号源。
b) 时钟频率决定了单片机的运行速度和精度，一般通过控制分频器、定时器等来调整时钟频率。
c) 单片机中的中断系统用于处理紧急事件，如外部输入信号、定时器溢出等，可以提高系统的响应能力。
d) 中断源包括外部中断、定时器中断和串口中断，通过编程设置中断向量和优先级来处理不同的中断事件。
e) 中断服务程序是处理中断事件的程序，包括保存现场、执行中断处理和恢复现场等步骤。
3. 第三章题目答案:a) I/O口是单片机与外部设备进行数据交换的接口，包括输入口和输出口两种类型。
b) 输入口用于接收外部信号，如开关、传感器等，可以通过编程设置输入口的工作模式和读取输入口的状态。
c) 输出口用于控制外部设备，如LED、继电器等，可以通过编程设置输出口的工作模式和输出口的状态。
d) I/O口的工作模式包括输入模式、输出模式和双向模式，可以根据具体应用需求设置相应的模式。
e) 串行通信接口是单片机与外部设备进行数据传输的一种常见方式，包括UART、SPI和I2C等多种通信协议。
4. 第四章题目答案:a) 定时器的作用是产生指定时间间隔的定时信号，可以用于延时、计时、PWM等功能。
b) 单片机的定时器一般由计数器和一些控制寄存器组成，通过编程设置定时器的工作模式和计数值。
集成电路设计与工具 课后答案_王志功版
第一章1．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义：降低成本。
4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识第二章1．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,113．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P135．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe,6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21第三章1．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。
集成电路原理及应用第一章
2. 克服交越失真的互补推挽输出电路
VT4、R1、R2组成固定恒压偏置电路(称VBE 扩大电路)，为VT2、VT3基极提供固定偏压， 克服了交越失真。
图1-1-19 克服交越失真的互补推挽输出电路
3. 具有过载保护的互补推挽输出电路
ห้องสมุดไป่ตู้
由Re2、Re3、 VD1、VD2 组成限流型
目前，集成运放还在向低漂移、低功耗、高速度、高输入阻抗、高放大倍数和高输出功率等高指标 的方向发展。
§1.1 集成运放的基本组成电路
1.1.1 差动输入电路 1.1.2 恒流源电路 1.1.3 有源负载电路 1.1.4 双端变单端电路 1.1.5 直流电平位移电路 1.1.6 互补推挽输出电路
1.1.1 差动输入电路
集成运放的发展从技术性能角度，大致可分为几个阶段： ⑴上世纪60年代初出现原始型 “单片集成”运放μA702。 ⑵1965年出现了第一代集成运放，如μA709。 ⑶1966年出现了第二代集成运放，如μA741。 ⑷1972年出现了第三代集成运放，如AD508。 ⑸1973年出现了第四代集成运放，如HA2900。
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3.集成运放的输入级
集成运放的许多性能指标主要取决于差动输入级。输入级的改进便成为各代集成运放的重要标 志。
(1)普通差动放大电路
普通差放电路作为集成运放的输入级时，其优点是电路结构简单，容易匹配，因此输 入失调电压小。它广泛用于早期产品和第一代集成运放中。
如国产的F001（5G922）、F004（5G23）以及国外的A709等。
缺点： 输入阻抗低，约为50k到300k； 失调电流，约为100nA； 最大差模输入电压低，不超过7V； 差模输入电压范围也较小，常为10V； 电压增益不高，约为30到100倍。
1+X集成电路理论习题及参考答案
1+X集成电路理论习题及参考答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、以全自动探针台为例，上片过程中，当承重台下降到指定位置时，( )。
A、红色指示灯亮B、红色指示灯灭C、绿色指示灯亮D、绿色指示灯灭正确答案：B答案解析：以全自动探针台为例，承重台前的两个按钮指示灯：绿色表示上升，红色表示下降。
承重台下降到指定位置后，下降指示灯灭，即红色指示灯灭。
2、分选机选择依据是（）。
A、芯片封装类型B、芯片的管脚数量C、芯片的电气特性D、芯片的应用等级正确答案：A3、转塔式分选机常见故障不包括（）。
A、真空吸嘴无芯片B、测试卡与测试机调用的测试程序错误C、料轨堵塞D、IC定位错误正确答案：D4、清洗是晶圆制程中不可缺少的环节，使用DHF清洗液进行清洗时，可以去除的物质是（）。
A、光刻胶B、颗粒C、金属D、自然氧化物正确答案：D5、用重力式选机设备进行芯片检测的第二个环节是( )。
A、分选B、测试C、上料D、外观检查正确答案：B答案解析：重力式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。
6、晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过（）传输给探针台。
A、USDB、GPIBC、HDMID、VGA正确答案：B7、下列选项中错误的是（）。
A、客户需求量比较少的情况下，是需要编带的。
客户需要的量比较大，则可以不需要编带B、通常情况下，编带机要设置以下参数：1.编带一格的长度；2.编带一卷的数量；3.载带与盖带一卷长度；4.前空与后空IC数量；5.机械压刀的温度；6.产速C、编带是指利用编带机把散装元器件，通过检测、换向、测试等工位，放入载带中D、编带机的光检区能够运用高速高精度视觉处理技术自动检测芯片，将管脚不良或印章异常的芯片进行剔除正确答案：A8、墨点打点的位置是在( )的中央。
A、PAD点B、晶粒C、晶圆D、切割通道正确答案：B答案解析：打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4~1/3大小，且墨点不能覆盖PAD点。
（集成电路原理）第5章MOS反相器习题与答案
第5章MOS反相器习题与答案1. 说明MOS器件的基本工作原理。
它与BJT基本工作原理的区别是什么？MOS器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压V GS实现对水平I DS的控制。
它是多子（多数载流子）器件。
用跨导描述其放大能力。
双极器件（两种载流子导电）是多子与少子均起作用的器件，有少子存贮效应，它用基极电流控制集电极电流，是流控器件。
用电流放大系数描述其放大能力。
2. 试以栅介质和栅电极的种类对MOS器件进行分类。
当前VLSI MOSIC工艺的主流采用何种工艺？以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。
历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4为栅介质的MNS 器件，以及以SiO2+ Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅-半导体器件--MIS 器件。
以Al为栅电极时，称铝栅器件。
以重掺杂多晶硅(Poly-Si) 为栅电极时，称硅栅器件。
它是当前VLSI MOS器件的主流器件。
3. 试述硅栅工艺的优点。
①它使|V TP|下降1.1V，也容易获得合适的V TN值并能提高开关速度和集成度。
②硅栅工艺具有自对准作用，使栅区与源、漏交迭的密勒电容大大减小，也使其它寄生电容减小，使器件的频率特性得到提高。
另外，在源、漏扩散之前进行栅氧化，也意味着可得到浅结。
③硅栅工艺还可提高集成度，这不仅是因为扩散自对准作用可使单元面积大为缩小，而且因为硅栅工艺可以使用“二层半布线”即一层铝布线，一层重掺杂多晶硅布线，一层重掺杂的扩散层布线。
4. 画出MOS器件的输出特性曲线。
指出它和BJT输出特性曲线的异同。
何谓厄莱电压？在饱和区MOS器件的电流-电压特性将不再是水平直线的性状，而是向上倾斜，也就是说，工作在饱和区的NMOS器件的电流将随着V DS的增加而增加。
这种在V DS作用下沟道长度的变化引起饱和区输出电流变化的效应，被称为沟道长度调制效应。
衡量沟道长度调制的大小可以用厄莱(Early)电压V A表示，它反映了饱和区输出电流曲线上翘的程度。
《单片机原理及应用》各章课后习题参考答案
第1章单片机概述参考答案1．答：微控制器，嵌入式控制器2．答：CPU、存储器、I/O口、总线3．答：C4．答：B5．答：微处理器、微处理机和CPU它们都是中央处理器的不同称谓，微处理器芯片本身不是计算机。
而微计算机、单片机它们都是一个完整的计算机系统，单片机是集成在一个芯片上的用于测控目的的单片微计算机。
嵌入式处理器一般意义上讲，是指嵌入系统的单片机、DSP、嵌入式微处理器。
目前多把嵌入式处理器多指嵌入式微处理器，例如ARM7、ARM9等。
嵌入式微处理器相当于通用计算机中的CPU。
与单片机相比，单片机本身（或稍加扩展）就是一个小的计算机系统，可独立运行，具有完整的功能。
而嵌入式微处理器仅仅相当于单片机中的中央处理器。
为了满足嵌入式应用的特殊要求，嵌入式微处理器虽然在功能上和标准微处理器基本是一样的，但在工作温度、抗电磁干扰、可靠性等方面一般都做了各种增强。
6．答：MCS-51系列单片机的基本型芯片分别：8031、8051和8071。
它们的差别是在片内程序存储器上。
8031无片内程序存储器、8051片内有4K字节的程序存储器ROM，而8751片内有集成有4K 字节的程序存储器EPROM。
7．答：因为MCS-51系列单片机中的“MCS”是Intel公司生产的单片机的系列符号，而51系列单片机是指世界各个厂家生产的所有与8051的内核结构、指令系统兼容的单片机。
8．答：相当于MCS-51系列中的87C51，只不过是AT89S51芯片内的4K字节Flash存储器取代了87C51片内的4K字节的EPROM。
9．单片机体积小、价格低且易于掌握和普及，很容易嵌入到各种通用目的的系统中，实现各种方式的检测和控制。
单片机在嵌入式处理器市场占有率最高，最大特点是价格低，体积小。
DSP是一种非常擅长于高速实现各种数字信号处理运算（如数字滤波、FFT、频谱分析等）的嵌入式处理器。
由于对其硬件结构和指令进行了特殊设计，使其能够高速完成各种复杂的数字信号处理算法。
重理工 集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全
重理工集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全1-1思考题典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同（增加了哪些主1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺与分立器件结隔离工艺与分立器件NPNNPN管制造工艺有什么不同管制造工艺有什么不同（）要工序要工序）？增加工序的的目的是什么？答：分立器件NPN管制造工艺：外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻→P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。
典型PN结隔离工艺：氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→隔离扩散、推进（氧化）→基区光刻→基区扩散、再分布（氧化）→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊点→合金化及后工序。
增加的主要工序：埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。
目的：埋层：1、减小串联电阻；2、减小寄生PNP晶体管的影响。
隔离墙：将N型外延层隔离成若干个“岛”，并且岛与岛间形成两个背靠背的反偏二极管，从而实现PN结隔离。
管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？1-1-2.NPN1-1-2.NPN管的电极是如何引出的？集电极引出有什么特殊要求？答：集成电路中的各个电极均从上表面引出。
要求：形成欧姆接触电极：金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触（金半接触势垒二极管）。
因此，外延层电极引出处应增加浓扩散。
典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩1-1-3.1-1-3.典型典型PNPN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后？答：由于隔离扩散深度较深，基区扩散深度相对较浅。
放在基区扩散之前，以防后工序对隔离扩散区产生影响。
1-1作业典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的？答：在N型外延层中进行隔离扩散，并且扩穿外延层，与P型衬底连通，从而将N型外延层划分为若干个“岛”；同时，将隔离区接最低电位，使岛与岛之间形成两个背靠背的反偏二极管，从而岛与岛互不干涉、互不影响。
集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第4单元
复习题1.ULSI中对光刻技术的基本要求？答：一般来说，在ULSI中对光刻技术的基本要求包括五方面：①高分辨率。
随着集成电路集成度的不断提高，加工的线条越来越精细，要求光刻的图形具有高分辨率。
在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，一般也可以用加工图形线宽的能力来代表集成电路的工艺水平。
②高灵敏度的光刻胶。
光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。
在集成电路工艺中为了提高产品的产量，希望曝光时间愈短愈好。
为了减小曝光所需的时间，需要使用高灵敏度的光刻胶。
光刻胶的灵敏度与光刻胶的成份以及光刻工艺条件都有关系，而且伴随着灵敏度的提高往往会使光刻胶的其它属性变差。
因此，在确保光刻胶各项属性均为优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度已经成为了重要的研究课题。
③低缺陷。
在集成电路芯片的加工过程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。
通常芯片的制作过程需要经过几十步甚至上百步的工序，在整个工艺流程中一般需要经过10~20次左右的光刻，而每次光刻工艺中都有可能引入缺陷。
在光刻中引入缺陷所造成的影响比其他工艺更为严重。
由于缺陷直接关系到成品率，所以对缺陷的产生原因和对缺陷的控制就成为重要的研究课题。
④精密的套刻对准。
集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。
ULSI中的图形线宽在1μm以下，因此对套刻的要求也就非常高。
一般器件结构允许的套刻精度为线宽的±10%左右。
这种要求单纯依靠高精度机械加工和人工手动操作已很难实现，通常要采用自动套刻对准技术。
⑤对大尺寸硅片的加工。
集成电路芯片的面积很小，即便对于ULSI的芯片尺寸也只有1~2cm2左右。
为了提高经济效益和硅片利用率，一般采用大尺寸的硅片，也就是在一个硅片上一次同时制作很多完全相同的芯片。
采用大尺寸的硅片带来了一系列的技术问题。
对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。
而且环境温度的变化也会引起硅片的形变（膨胀或收缩），这对于光刻也是一个难题。
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集成电路原理及应用（第2版）谭博学苗汇静主编课后习题答案第二章 模拟集成电路的线性应用对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4， v 2_=v 2 - =u i2，代入U o1得U。
哙呱…），2.11 求图3所示电路的增益A f ，并说明该电路完成什么功能则 u i1=U 01R 1 R2R 2R 1，即 uo-(1K)u i1，则 U 。
1-U i2R 3U i2 -U oR 4R 3因两个输入信号均从同相端输入, 所以输入阻抗比较高。
该电路为高输入阻抗的差动放2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设解：第一级运放为同相放大器。
对 A 1 :由"虚断”和"虚短”得 i 1 =i 2， v^=v 1. =u，1)Ui2 -U o1解：该电路由两个集成运放构成， A1为主放大器接成反相运算放大器， A2为辅助放大器,A2也接成反相放大器，利用 A2对A1构成正反馈，是整个电路向信号源索取的电流极少。
主放大器A 1 :由“虚断”和“虚短”得R i U i I iu i 01u 。
R 2R iR 2u iu i辅助放大器A2的电压放大倍数:o2uo22R 1 该电路为自举电路, U i U i U i R iI iI i - IR 2R 2 U i U i u i2 u 。
R 2目的是提高电路的输入电阻。
2R得 U^2U iRR当 R = R 1 时，R t2.12 求图4所示电路输出电压与输入电压的表达式，并说明该电路完成什么功能i1-u o1，即u o1 =-u i1。
A 1为倒相器 解：对A 1 :由对A 2 :由“虚断”和“虚短”得故该电路为减法电路。
2.15 如图6所示电路为积分反馈式微分电路，试分析此电路的工作原理，并写出传递函 数的表达式。
解：对A 1 :由“虚断”得 v^=v 1 .整理得 U o (s) = R(U o2 (s) -U j (s))R 1对A 2 :由“虚断”和“虚短”得U o2(s)-心 代入上式得SC RA s 些二——R2——U i (s) R+R 2SCRA 1为差动放大器，A 2以A 1的输出为反相输入， 经过积分放大后的输出电压在电阻R 4上的分压作为A 1放大器的同相输入。
2.16 设计一个运算电路，要求运算关系为u o =20 .比t U j2 t dt o解：此题设计方法较多，此只列举几种仅供参考U ol Ui 2R-i R 2_ UoR f R f则 U o = -( U o1RR f RUi2), A 2为反相放大器将 Uo1 =-U ii 代入上式得 UoR fR i U iiR fR 2 U i2由“虚短”得U j _Vi_ 亠「比 R-i R 2R 4 R 3 R 4U o2又 R 3=R 1，R4=R 2方法一：将求和电路的输出作为积分电路的输入，则积分电路的输出即为 U o ；方法二：将积分电路的输出作为求和电路的输入 ，则求和电路的输出即为 U o ；方法三：反相积分求和电路再加一个倒相器； 方法四：利用同相积分求和电路。
前三种方法只要电路参数选择合适，即可得出结果，再此简单说明几种，具体如下： 方法一：电路如下U o1=-则 u o = 1UoU ii 孰2dt1当 R 3 =R 1 =R 2， RC=时，20u °=20 U ii tU i2 t dt °对A 1 : i 』Uii(t )+Ui2(t )[U1 十dt = -U oi , C { RR 」oi对A 2 : U0 = _ U oi ,则U o = i g + R 3一 J …Uii + _ Ui2 dt ，RC ^R-i R 2 JA当 --- =20 时，U o =20 U ii t U i2 t dt oRC方法四：电路如下R3'R‘ U ii+ R‘ U i2R1R2方法三：电路如下u i1单独作用时：U ii -V U o 一 v dv.C -R 3R 5dtR + R整理得，u 。
= -. U ii t dtCR iRi +R 2 」 同理，U i2单独作用时：u 。
1产 U i2tdt , CR i贝U U o =U o +U o =—R 2U ii t U i2 t dt ,CR 1当R i R2=20 时，U o =20 U ii t U i2 t dt oCR第三章模拟集成电路的非线性应用3.7 试分析如图3所示电路输出电压与输入电压之间的关系，并说明此电路在什么条件下能完成全波整流功能，此电路有什么特点？=V _,V _=U 。
R1 R 2R I ,R21R f1当（R 2+R f2 —R f2 -R f2）=T 时，完成全波整流功能；由于为同相输入,R 2 R 1故该电 路输入电阻较高。
（习题3.7图）解：对 A 1 : u i _ 0 时，u _=u . =u j , VD 2 导通，VD 1 截止，uoi =u i对A 2 : U _=U ^U i 故流过R f 2的电流为零，故 Uo=U i当u i <0时，VD 2截止，VD 1导通,Rf i对 A 1 : uo1 =(1+ )u i ,对 A 2 : u=u . =u iR iUi - uo1R 2u 。
_ui R f 2此时u oR21(R2+R f2 -电 -1) u i3.8 设计一个能实现图4所示曲线的二极管函数变换器。
解：设计图为：（可参考课本P 88页）（习题3.8图）3.10 如图6所示电路为集成块BG307专用电压比较器，画出其传输特性（常 温下输出高电平为3.2V ，低电平为-0.5V ）。
解：由“虚断”和“虚短”得Ui _UU -U oR2R3U = U _ = U r =3V1故U j =4 -一U o 贝y ：31U ml =4 ——3.2 ： 2.93 V3 1U mh =4 0.5 : 4.16 V3其传输特性如下所示：R7（图 3.10）第四章集成变换器及其应用4.1 求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件。
解:rU iU i 乙- •Ii• • • U u -U o R o1SC o又叫建=罟，"则 uRo SCRoRs j iR) +SCRRs +R s'将上式代入，则i)二匕匸匕- U iR sR o+SCRR s+R s因此 Z i =¥ 二R SCR R R-1 00 0 0- 003.24. IB对A 有:对A 有:求如图3所示电路的输入阻抗，并说明其性质，假定图中的集成运放满解：对于A 1有:解:整体有:U i —U 02I iSC01 0 -u o2a 2R o2 --a 2U o1U i U oi -U iR(d -1)01 二 aiU i 以上各式联立得:U i j(1 a®24.3足理想条件 4.2 求下图所示电路的输入阻抗，假定图中的集成运放满足理想条件整体有:4.12 A/D 转换器的主要技术指标有哪些？ 某DAC 有二进制14位，满量程模拟输出电压为10V,试问它的分辨率和转换精 度各为多少？答：A/D 转换器的主要技术指标有：①分辨率；②量程；③精度；④转换时间和转换率；⑤输出逻辑电平；⑥对参考电压的 要求。
D/A 转换器的技术指标有：①分辨率；②转换精度；③偏移量误差；④线性度；⑤输入编码方式；⑥输出电压；⑦ 转换时间。
14分辨率为10V X 2 〜610.4；1转换精度为一 LSB=305.2」V 。
24.13 某一控制系统要使用D/A 转换器，要求该D/A 转换器的精度小于0.25%, 那么应选择多少位的D/A 转换器？1解：转换精度a= LSB ，又LSB=b X 2』（b 为量程，n 为位数） 2则 X 2 */b<0.25%对于A 2有: o1 R i 则U o-R2U ： 一① R1U i -U o1 SCI i ①②联立整理得:SC 1 + R 2R 1」 joc 1 + R 2 R 1」则该电路输入端等效为一电容，等效的电容值为该电路为电容倍增器， 通过改变 R 2R 1 J 以及C 的大小，可得到任意大小的电容值。
D/A 转换器的技术指标有哪些？设 的值,2得n 一84.14 11 位A/D 转换器分辨率的百分数是多少？如果满刻度电压为10V ,当输入电压为5mV 寸，写出其输出的二进制代码。
解：2 -1 X 100%~ 0.49% 因此A/D 转换器的分辨率为10V 0.49%=4.9mV 因此当输入电压为 5mV 时，二进制代码为 000 0000 0000b第六章集成有源滤波器6.4 如图1所示，当分别取如下两组参数时，试分别求出该电路的 G0 , --n , 等参数。
(1) R 1 =R 2 =24k Q ， C 1 =940pF ， C 2 =470pF ， R=::。
(2) R 1=7.3k Q ，R 2=39.4k Q ，6=C 2 =0.047」F ，R=4k Q ，R f =20k Q 。
则当取⑴参数时：G o:T ：62.7 103rad/s,当取⑵参数时： 20 1“1 J® Wn.RRCQ 5.6 103 rad/S6.6设计一个一阶高通滤波器，其截止频率为 2kHz 。
要求画出电路图，写出传 递函数的表达式。
解：电路图如下所示：解：由电路得：Go = V -RL ,Wn R座+ 皿一 (Go —1) R 1R 2C 1C 2 R 1C 1 R 2G R 2C 21其传递函数为:贝V 巳=796.18 Q, R f =1592.36 Q6.7设计一个二阶低通滤波器，其截止频率为 10kHz 。
要求画出电路图，选择集 成电路芯片的型号和各种元器件的参数值。
解：电路图如下所示：选择巴特沃斯型滤波器令 R 1=R 2 =R, C 1=C 2=C 取 C=0.1」F 则 R=160 Q ,又『：=3-G o =1.414，则 G o =1.586Rf又 f c =2KHZ ，则 W C1=12.56(rad/s) R C 1令G o RL = _2R i取6=0.1」FG o则GS 盲 1.414S 1 又f c 110KHZ 2丨丨RC又G o =1 取R f =58.6K Q，则R=100K Q。
R。