电力电子技术第二版张兴课后习题问题详解

合集下载

电力电子技术第二版课后答案

电力电子技术第二版课后答案

【复习思考】1.1电力电子技术的任务是什么?答:电力电子技术的根本任务是实现电能的变换、控制和调节。

1.2根据电能变换种类的不同,电力电子变换电路分为哪几种类型?各自的作用是什么?答:根据电能变换种类的不同,电力电子变换电路分为直流-直流变换、直流-交流变换、交流-直流变换、交流-交流变换四种类型。

直流-直流变换的作用是将一种直流电变换为另一固定或可调电压的直流电的电路;直流-交流变换的作用是使直流变成可调的交流电,而且可输出连续可调的工作频率;交流-直流变换的作用是将交流电变换为固定或可调的直流电的电路;交流-交流变换的作用是将交流电的参数(幅值、频率等)加以转换。

1.3信息电子技术和电力电子技术的相同和不同点分别是什么?控制理论在电力电子技术中有什么作用?答:电力电子技术和信息电子技术的相同点:①从器件的制造技术上讲两者同根同源,都是采用半导体材料制成,而且两者大多数的制造工艺也是一致的。

①两者电路的分析方法也基本一致。

电力电子技术和信息电子技术的不同点:①电力电子技术变换的是“电力”,所处理的电能功率一般是“大功率”,但也可以处理“小功率”;信息电子技术变换的是“信息”,一般处理的是“小功率”。

①在信息电子技术中的电子器件既可处于放大状态,也可处于开关状态;而在电力电子技术中为了避免功率损耗过大,电力电子器件总是工作在开关状态。

电力电子技术实质上是将现代电子技术和控制技术引入到传统电力技术领域实现电力变换和控制,可以看作弱电控制强电的技术,是弱电和强电之间的接口。

而控制理论则是实现这种接口的强有力的纽带。

1.4电力电子器件的发展分为哪几个阶段?答:电力电子技术的发展可以根据电力电子器件的发展分为4个阶段:第一个阶段:电子管、汞弧整流器等非半导体器件为主的史前期;第二个阶段:晶闸管时代;第三个阶段:全控型器件时代;第四个阶段:复合/新型器件时代。

【复习思考】2.1电力二极管属于哪种类型的控制器件?在电力电子电路中有哪些用途?答:电力二极管属于不可控型、双极性器件;用途:可作为整流、续流、保护元件用。

电力电子技术第二版张兴课后习题问题详解

电力电子技术第二版张兴课后习题问题详解

一、简答题2.1 晶闸管串入如图所示的电路,试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

题2.1图在晶闸管有触发脉冲的情况下,S开关闭合,电压表读数接近输入直流电压;当S开关断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管有出发脉冲,但是流过晶闸管电流低于擎住电流,晶闸管关断,电压表读数近似为0(管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值)。

2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比,有何不同。

电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率;通常工作在开关状态;需要专门的驱动电路来控制;需要缓冲和保护电路。

2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断;电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通,通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。

2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时,会出现电压过冲,请解释原因。

导致电压过冲的原因有两个:阻性机制和感性机制。

阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。

电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降,管压降随之降低,因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降,最后稳定在U F。

感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降,d i/d t 越大,峰值电压U FP 越高。

2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。

若流过 PN 结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂 N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过 PN 结的电流较大时,注入并积累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。

从减小反向过冲电压的角度出发,应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管?肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短,通流能力比普通二极管小。

《电力电子技术第二版》课后习题及解答

《电力电子技术第二版》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

1.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

最新《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

最新《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

1.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术》习题及解答第1章 思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K VI <=Ω=250100,所以不合理。

《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

1.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

(完整版)《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

(完整版)《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

1.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

(完整版)电力电子技术第二版张兴课后习题答案

(完整版)电力电子技术第二版张兴课后习题答案

一、简答题2.1 晶闸管串入如图所示的电路,试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

题2.1图在晶闸管有触发脉冲的情况下,S开关闭合,电压表读数接近输入直流电压;当S开关断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管有出发脉冲,但是流过晶闸管电流低于擎住电流,晶闸管关断,电压表读数近似为0(管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值)。

2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比,有何不同。

电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率;通常工作在开关状态;需要专门的驱动电路来控制;需要缓冲和保护电路。

2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断;电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通,通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。

2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时,会出现电压过冲,请解释原因。

导致电压过冲的原因有两个:阻性机制和感性机制。

阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。

电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降,管压降随之降低,因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降,最后稳定在U F。

感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降,d i/d t 越大,峰值电压U FP 越高。

2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。

若流过PN 结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过PN 结的电流较大时,注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。

从减小反向过冲电压的角度出发,应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管?肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短,通流能力比普通二极管小。

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

1.6试说明晶闸管有哪些派生器件?答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K VI <=Ω=250100,所以不合理。

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电⼒电⼦技术(第⼆版)》习题答案《电⼒电⼦技术》习题及解答第1章思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输⼊阳极电压U A 决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压⼤⼩由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采⽤阳极电压反向使阳极电流I A 减⼩,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建⽴的正反馈⽆法进⾏。

进⽽实现晶闸管的关断,其两端电压⼤⼩由电源电压U A 决定。

1.3温度升⾼时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升⾼时,晶闸管的触发电流随温度升⾼⽽减⼩,正反向漏电流随温度升⾼⽽增⼤,维持电流I H 会减⼩,正向转折电压和反向击穿电压随温度升⾼⽽减⼩。

1.4晶闸管的⾮正常导通⽅式有哪⼏种?答:⾮正常导通⽅式有:(1) I g =0,阳极电压升⾼⾄相当⾼的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过⾼;(3) 结温过⾼。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能⼒所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了⼀个光电⼆极管,在光的照射下,光电⼆极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要⽤于⾼压⼤功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使⽤在图题1.8所⽰电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

电力电子技术(第二版)》课后习题及解答

《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题晶闸管的导通条件是什么导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

晶闸管的关断条件是什么如何实现晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

晶闸管的非正常导通方式有哪几种答:非正常导通方式有:(1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt过高;(3) 结温过高。

请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

试说明晶闸管有哪些派生器件答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题所示电路中是否合理,为什么(暂不考虑电压电流裕量)图题答:(a )因为H A I mA K V I <=Ω=250100,所以不合理。

(b) 因为A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100A,裕量达5倍,太大了。

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术(第二版)》习题答案

《电力电子技术》习题及解答第1章 思考题与习题1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A 决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小,I A 下降到维持电流I H 以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A 决定。

1.3温度升高时,晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化?答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小,正反向漏电流随温度升高而增大,维持电流I H 会减小,正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种?答:非正常导通方式有:(1) I g =0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率du/dt 过高;(3) 结温过高。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

即gr rr q t t t +=。

答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。

1.7请简述光控晶闸管的有关特征。

答:光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加,此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。

主要用于高压大功率场合。

1.8型号为KP100-3,维持电流I H =4mA 的晶闸管,使用在图题1.8所示电路中是否合理,为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.8答:(a )因为H A I mA K VI <=Ω=250100,所以不合理。

电力电子技术第二版张兴课后习题答案

电力电子技术第二版张兴课后习题答案

一、简答题2.1 晶闸管串入如图所示的电路,试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

题2.1图在晶闸管有触发脉冲的情况下,S开关闭合,电压表读数接近输入直流电压;当S开关断开时,由于电压表阻很大,即使晶闸管有出发脉冲,但是流过晶闸管电流低于擎住电流,晶闸管关断,电压表读数近似为0(管子漏电流形成的电阻与电压表阻的分压值)。

2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比,有何不同。

电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率;通常工作在开关状态;需要专门的驱动电路来控制;需要缓冲和保护电路。

2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断;电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通,通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。

2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时,会出现电压过冲,请解释原因。

导致电压过冲的原因有两个:阻性机制和感性机制。

阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。

电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降,管压降随之降低,因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降,最后稳定在U F。

感性机制是指电流随时间上升在器件部电感上产生压降,d i/d t 越大,峰值电压U FP 越高。

2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。

若流过 PN 结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂 N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过 PN 结的电流较大时,注入并积累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。

从减小反向过冲电压的角度出发,应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管?肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短,通流能力比普通二极管小。

张兴电力电子课后习题及答案

张兴电力电子课后习题及答案

题 2.19 图 2.20 试分析电力电子器件串并联使用时可能出现什么问题及解决方法。 答:采用多个功率管串联时,应考虑断态时的均压问题。应在功率管两端并联电阻均衡静态
压降,并联 RC 电路均衡动态压降。 采用多个功率管并联时,应考虑功率管间的均流问题。在进行并联使用时,应尽选择同 一型号且同一生产批次的产品,使其静态和动态特性均比较接近。其中功率 MOSFET 沟道 电阻具备正温度系数,易于并联。 2.21 电力电子器件为什么加装散热器? 答:与信息系统中的电子器件主要承担信号传输任务不同,电力电子器件处理的功率较大, 具有较高的导通电流和阻断电压。 由于自身的导通电阻和阻断时的漏电流, 电力电子器件要 产生较大的耗散功率,往往是电路中主要的发热源。为便于散热,电力电子器件往往具有较 大的体积,在使用时一般都要安装散热器,以限制因损耗造成的温升。
Байду номын сангаас
ii
ui
io
RL
uo
考虑到上述电路中缓冲电容 C 的稳压作用以及该电路的电压-电压变换功能,输出滤波电 感 L 是冗余元件,可以省略。缓冲电容的作用变换为输出滤波。电路结构见下图。
ii
ui
io
RL
i
uo
3)boost-buck 型 DC-DC 电压变换器构建的基本思路 将 boost 型、buck 型变换器电路相互串联并进行适当化简,即可构建 boost-buck 型变换 器。 boost-buck 型 DC-DC 电压变换器构建的方法: ○ 1 输入级采用 boost 型电压变换器电路,并将其输出负载省略。 输出级则采用 buck 型电压变换器电路,并将其输入电压源省略。 串联 boost 型电压变换器电路的输出与 buck 型电压变换器电路的输入。 ○ 2 若假设两电路串联后的开关管 VT1、VT2 为同步斩波开关管,省略冗余元件。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

一、简答题2.1 晶闸管串入如图所示的电路,试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

题2.1图在晶闸管有触发脉冲的情况下,S开关闭合,电压表读数接近输入直流电压;当S开关断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管有出发脉冲,但是流过晶闸管电流低于擎住电流,晶闸管关断,电压表读数近似为0(管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值)。

2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比,有何不同。

电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率;通常工作在开关状态;需要专门的驱动电路来控制;需要缓冲和保护电路。

2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。

电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断;电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通,通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。

2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时,会出现电压过冲,请解释原因。

导致电压过冲的原因有两个:阻性机制和感性机制。

阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。

电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降,管压降随之降低,因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降,最后稳定在U F。

感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降,d i/d t 越大,峰值电压U FP 越高。

2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低,且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。

若流过 PN 结的电流较小,二极管的电阻主要是低掺杂 N-区的欧姆电阻,阻值较高且为常数,因而其管压降随正向电流的上升而增加;当流过 PN 结的电流较大时,注入并积累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,导致其电阻率明显下降,即电导率大大增加,该现象称为电导调制效应。

2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。

从减小反向过冲电压的角度出发,应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管?肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短,通流能力比普通二极管小。

从减少反向过冲电压的角度出发,应选择恢复特性软的二极管。

2.7 描述晶闸管正常导通的条件。

承受正向电压且有门极触发电流。

2.8 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?晶闸管流过的电流大于维持电流,通过外部电路使晶闸管流过的电流低于维持电流。

2.9 试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。

I G=0时阳极电压达到正向转折电压U bo;阳极电压上升率 d u/d t 过高;结温过高。

2.10 试解释为什么Power MOSFET的开关频率高于IGBT、GTO。

Power MOSFET 为单极性器件,没有少数载流子存贮效应,反向恢复时间很短。

2.11 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR;开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET;SCR为电流型驱动;而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。

2.12 解释电力电子装置产生过电压的原因。

电力电子装置可能的过电压原因分为外因和内因。

外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因,如由分闸、合闸等开关操作引起过电压。

而内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程。

1)换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断,因而有较大的反向电流流过,当恢复了阻断能力时,该反向电流急剧减小,会因线路电感在器件两端感应出过电压;2)关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。

2.13 在电力电子装置中常用的过电流保护有哪些?快速熔断器、快速断路器和过电流继电器都是专用的过电流保护装置,还有通过驱动实施保护的电子电路过流保护。

2.14 试分析电力电子器件串并联使用时可能出现什么问题及解决方法。

采用多个功率管串联时,应考虑断态时的均压问题。

应在功率管两端并联电阻均衡静态压降,并联 RC 电路均衡动态压降。

采用多个功率管并联时,应考虑功率管间的均流问题。

在进行并联使用时,应尽选择同一型号且同一生产批次的产品,使其静态和动态特性均比较接近。

其中功率 MOSFET 沟道电阻具备正温度系数,易于并联。

2.15 电力电子器件为什么加装散热器?与信息系统中的电子器件主要承担信号传输任务不同,电力电子器件处理的功率较大,具有较高的导通电流和阻断电压。

由于自身的导通电阻和阻断时的漏电流,电力电子器件要产生较大的耗散功率,往往是电路中主要的发热源。

为便于散热,电力电子器件往往具有较大的体积,在使用时一般都要安装散热器,以限制因损耗造成的温升。

二、计算题2.16 在题2.16图中,电源电压有效值为20V ,问晶闸管承受的正反向电压最高是多少?考虑安全裕量为2,其额定电压应如何选取?题2.16图正反向电压最高是,考虑安全裕量,额定电压选取2.17 如图所示,U 为正弦交流电u 的有效值,VD 为二极管,忽略VD 的正向压降及反向电流的情况下,说明电路工作原理,画出通过R 1的电流波形,并求出交流电压表V 和直流电流表A 的读数。

题2.17图当u >0时,VD 正向导通,R 2被短路,则流过R 1电流i 1和R 2上电流i 2分别为:()()112/)sin 0,π00,πi R t t i t ωωω=∈=∈ 当u <0时,VD 截止,R 1和R 2构成串联电路,电流为:1212=sin (π,2π)i i t t R R ωω=∈+ R 1上电流波形如图所示,因为直流电流表测的是电流的平均值,所以电流表A 的指示为i 2平均值I 2d ,22d π12121d()2πI t t ωω==⎰ Ωu i设i1的有效值为I1,则:1112 I===设电压表V指示有效值为U R1,则:R11112U I R==一、简答题3.1 试简述4种基本DC-DC变换器电路构建的基本思路与方法。

1)Buck型DC-DC电压变换器构建的基本思路:①构建Buck型DC-DC电压变换器的基本原理电路,输入电压源U i通过开关管VT与负载R L相串联。

开关管VT导通时,输出电压等于输入电压,即u o=U i;开关管VT断开时,输出电压等于零,即u o=0。

输出电压的平均值为U o=(U i·t on+0·t off)/T=D·u i,由于D≤1,U o≤U i该电路起到了降压变换的基本功能。

电路结构和工作模型见下图。

u i②Buck型电压变换电路的输出电压呈方波脉动,为抑制输出电压脉动需要在基本原理电路的输出端两侧并入滤波电容C。

电路结构见下图。

u o③由于U o≤U i,开关管VT导通时,电压源将对滤波电容C充电,充电电流很大,相当于输入输出被短路,以至于开关管VT所受的电流应力大大增加而损坏。

为了限制开关管VT导通时的电流应力,可将缓冲电感L串入开关管VT的支路中。

电路结构见下图。

u o④开关管VT关断时缓冲电感L中电流的突变为0,将感应出过电压,使开关管VT的电压应力大大增加,为此需加入续流二极管VD缓冲电感释放能量提供续流回路。

电路结构见下图。

u o2) boost 型DC-DC 电压变换器构建的基本思路① 构建boost 型DC-DC 电压变换器的基本原理电路,输入电流源I i 通过开关管VT 与负载R L 相并联。

开关管VT 关断时,输出电流等于输入电流,即i o =I i ;开关管VT 导通时,输出电流等于零,即i o =0。

输出电流的平均值为I o =(0·t on +I i·t off )/T=(1-D)·I i ,由于1-D ≤1,I o ≤I i 。

该电路起到了降流变换的基本功能。

电路结构见下图。

i i i② boost 型电流变换电路的输出电流呈方波脉动,为抑制输出电流脉动,需要在基本原理电路的输出支路中串入滤波电感L 。

电路结构见下图。

i iLi o③ 由于I o ≤I i ,当的开关管VT 断开时,电感L 中电流发生突变,将感应出极高的电压,以至于开关管VT 所受的电压应力大大增加而损坏。

为了限制开关管VT 关断时的电压应力,可将缓冲电容C 并入开关管VT 的两端。

电路结构见下图。

I i LI o④开关管VT导通时缓冲电容两端电压由U o突变为0,将通过VT迅速放电,放电电流很大,使开关管VT的电流应力大大增加,为此需加入钳位二极管VD,阻止缓冲电容放电。

电路结构见下图。

I iVDI o⑤若令变换器电路中的开关管、二极管、电容、电感均为理想无损元件并考虑变换器输入、输出能量的不变性,得u i i i=u o i o,则buck型电流变换器在完成降流变换的同时也完成了升压变换。

boost型电压变换和buck型电流变换存在功能上的对偶性。

由buck型电流变换器电路可以导出boost型电压变换器。

变换器电路中开关管的开关频率足够高时,buck 型电流变换器电路中的输入电流源支路可以用串联大电感的电压源支路取代。

电路结构见下图。

u o考虑到上述电路中缓冲电容C的稳压作用以及该电路的电压-电压变换功能,输出滤波电感L是冗余元件,可以省略。

缓冲电容的作用变换为输出滤波。

电路结构见下图。

u o3)boost-buck型DC-DC电压变换器构建的基本思路将boost型、buck型变换器电路相互串联并进行适当化简,即可构建boost-buck型变换器。

boost-buck 型DC-DC 电压变换器构建的方法:① 输入级采用boost 型电压变换器电路,并将其输出负载省略。

输出级则采用buck 型电压变换器电路,并将其输入电压源省略。

串联boost 型电压变换器电路的输出与buck 型电压变换器电路的输入。

② 若假设两电路串联后的开关管VT 1、VT 2为同步斩波开关管,省略冗余元件。

根据开关管VT 1、VT 2导通时,所构成的两个独立的电流回路拓扑,合并VT 1、VT 2为VT 12,得到一个等效电路。

根据开关管VT 1、VT 2关断时,所构成的两个独立的电流回路拓扑,合并VD 1、VD 2合并为VD 12,得到另一个等效电路。

使上述两个变换器等效电路的输入输出具有公共电位参考点得到boost-buck 型DC-DC 电压变换器。

u o4) buck-boost 型DC-DC 电压变换器构建的基本思路将buck 型、boost 型变换器电路相互串联并进行适当化简,即可构建buck-boost 型变换器。

buck-boost 型DC-DC 电压变换器构建的方法:① 输入级采用buck 型电压变换器电路,并将其输出负载省略。

相关文档
最新文档