电力电子 填空
【电力电子技术期末考试】必考填空题整理
填空1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ＋ Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接 正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压,门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负 电压，第二阳极T2接 正 电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲） 换流。
电力电子考试题库 (含答案)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
电力电子选择填空复习题
填空题:1、门极驱动电路是电路和主电路的接口。
2、栅极，集电极和是IGBT的三端。
3、门极驱动电路通常要提供电气隔离环节，一般采用光隔离和。
4、使晶闸管维持导通所必需的最小电流，称为。
5、三相桥整流电路的有源逆变工作状态中，允许采用的最小逆变角一般取.7、在单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为.8、在三相桥式全控整流电路中，电阻负载移相范围是。
9、单相桥式全控整流电路阻感负载（其中电感很大）时，交流侧电流谐波次数为：次（用k=1,2,3,…,表示）。
10、在单相半波可控整流电路中α=60°, U2=100V, 输出电压平均值U d=V.11、在降压斩波电路中,E=20V ，U o=10V, α= .12、对于星形连接的三相三线交流调压电路电阻负载时，电路的移相范围是。
13、就换流方式而言，IGBT直流斩波电路采用换流，串联二极管式晶闸管逆变电路采用换流。
14、在三相电压源型逆变电路中，其基本工作方式是导电方式。
15、在PWM 逆变器中，提高直流电压利用率的方法之一是用代替正弦波做调制信号。
16、,阳极和阴极是晶闸管的三端。
17、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，是。
18、门极驱动电路通常要提供电气隔离环节，一般采用和。
19、在三相桥式全控整流电路中，触发延迟角α 和逆变角β 关系是。
20、在单相桥式全控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
21、在单相桥式全控整流电路中，电阻负载移相范围是,阻感负载（电感足够大）移相范围是。
22、三相桥式全控整流电路阻感负载（其中电感很大）时，交流侧电流谐波次数为：次（用k=1,2,3,…,表示）。
23、在单相桥式全控整流电路中α=60°, U2=100V, 输出电压平均值U d=V.24、在升压斩波电路中,E=30V,β=0.5,则输出电压平均值U o= V.25、交流调压电路和交流调功电路的电路形式完全相同，所不同的是 .26、对于电流源型逆变器，交流侧电流是波。
电力电子技术题库
电力电子技术题库一、填空题1、普通晶闸管内部有三个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极、阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管TGBT；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
7、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
8、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
9、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。
10、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。
11、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
13、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
14、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
15、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接接一个续流二极管。
16、整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
17、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
18、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。
电力电子考试题库(附含答案解析)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
电力电子技术试题及答案
一、填空题（29分）1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。
3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。
5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍-。
1、普通晶闸管的图形符号是 电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 。
3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0º—180º 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180º 变化。
5、提高变流置的功率因数的常用方法有 减小触发角 、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电 、 设置补偿电容 。
电力电子填空
1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在__开关_______状态。
当器件的工作频率较高时，_开关______损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___载波比__________，当它为常数时的调制方式称为_同步________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为__分段同步调制__________调制。
3、面积等效原理指的是，_冲量________相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_______，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___IGBT________。
5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即根号6 ，其承受的最大正向电压为根号2 。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变逆变，如果接到负载，则称为无源逆变。
7、___GTR______存在二次击穿现象，____IGBT________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_措施。
10、同一晶闸管，维持电流IH 与掣住电流IL在数值大小上有IL_（2~4）IH。
11、电力变换通常可分为：AC-DC 、AC-AC 、DC-DC和DC-AC 。
12、在下图中，_V1______和__VD1______构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；V2___和__VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第2___象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
电力电子技术(简答,大题,选择填空)
简答题1. 使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲).或：u AK>0且u GK>0.2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流.要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.多相多重斩波电路有何优点？答：多相多重斩波电路因在电源与负载间接入了多个结构相同的基本斩波电路,使得输入电源电流和输出负载电流的脉动次数增加、脉动幅度减小，对输入和输出电流滤波更容易，滤波电感减小。
此外，多相多重斩波电路还具有备用功能，各斩波单元之间互为备用，总体可靠性提高.4．交交变频电路的最高输出频率是多少？制约输出频率提高的因素是什么？答：一般来讲，构成交交变频电路的两组变流电路的脉波数越多，最高输出频率就越高。
当交交变频电路中采用常用的6脉波三相桥式整流电路时，最高输出频率不应高于电网频率的1/3～1/2错误!未找到引用源。
当电网频率为50Hz时，交交变频电路输出的上限频率为20Hz左右。
当输出频率增高时,输出电压一周期所包含的电网电压段数减少，波形畸变严重，电压波形畸变和由此引起的电流波形畸变以及电动机的转矩脉动是限制输出频率提高的主要因素。
5．试说明PWM控制的基本原理。
答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术.即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中有一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
上述原理称为面积等效原理6.1什么是异步调制？主要特点答：载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制.在异步调制方式中，通常保持载波频率f c 固定不变，因而当信号波频率f r变化时，载波比N是变化的.异步调制的主要特点是：在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。
电力电子考试题库 (含答案)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、选择题1. 电力电子技术中的“电力”二字指的是：A. 电力系统B. 电力设备C. 电力变换D. 电力传输答案：C2. 以下哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 继电器D. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）答案：C二、填空题1. 电力电子技术主要研究_______和_______的变换技术。
答案：电能；信息2. 电力电子装置中常用的PWM控制方式是指_______。
答案：脉冲宽度调制三、简答题1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中主要起到电能的高效转换和控制作用，包括电能的生成、传输、分配和利用等各个环节，能够提高电能的使用效率，减少能源损耗，实现电能的智能化管理。
2. 列举至少三种常见的电力电子变换器，并简述其主要功能。
答案：常见的电力电子变换器包括：- AC/DC变换器：将交流电转换为直流电。
- DC/AC变换器：将直流电转换为交流电。
- DC/DC变换器：在直流电系统中实现不同电压等级的转换。
四、计算题1. 已知一个理想整流电路，输入电压为正弦波形，其峰值为100V，求整流后的直流电压有效值。
答案：理想整流电路的输出直流电压有效值V_DC = (2/π) *V_peak = (2/π) * 100V ≈ 63.66V2. 假设有一个PWM控制的DC/DC变换器，其开关频率为10kHz，占空比为0.5，求输出电压的平均值。
答案：对于PWM控制的DC/DC变换器，输出电压的平均值 V_out = D * V_in，其中D为占空比，V_in为输入电压。
假设输入电压为100V，则 V_out = 0.5 * 100V = 50V。
五、论述题1. 论述电力电子技术在新能源领域的应用及其发展趋势。
答案：电力电子技术在新能源领域的应用主要包括太阳能光伏发电、风力发电等可再生能源的电能转换与控制。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
电力电子技术试题填空
电力电子技术试题填空1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
5、型号为KS100-8的元件表示晶闸管、它的额定电压为伏、额定有效电流为安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经、而不流经的电流。
环流可在电路中加来限制。
为了减小环流一般采用控制角αβ的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有、、、。
〔写出四种即可〕10、双向晶闸管的触发方式有、、、、四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接电压，第二阳极T2接电压；门极G 接电压，T2接电压。
I- 触发：第一阳极T1接电压，第二阳极T2接电压；门极G接电压，T2接电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接电压，第二阳极T2接电压,门极G接电压，T2接电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接电压，第二阳极T2接电压；门极G接电压，T2接电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有换流和换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK；200表示表示，9表示。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是脉冲；主要用于驱动功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为脉冲；可以触发功率的晶闸管。
16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为；晶闸管的额定电流可选为。
电力电子技术
填空1、电力电子电路中能实现电能变换的半导体电子器件称为电力电子器件。
2、电力电子器件按器件的开关控制特性可分为：（1）不可控器件（电力二极管）（2）半控型器件（晶闸管及其大部分派生器件）（3）全控型器件（门极可关断晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管等）。
3、电力电子器件按控制信号的性质不同分类：（1）电流控制型器件（晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT 等）（2）电压控制型半导体器件（MOSFET 管和IGBT 管）4、简写：电力二极管（SR ）晶闸管（SCR ）可关断晶闸管（GTO ）电力晶体管（GTR ）电力场效晶体管（MOSFET ）绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）5、电流波形系数电流平均值电流有效值 f K 6、在I g =0时，依靠增大阳极电压而强迫晶闸管导通的方式称为硬开通。
7.、规定从晶闸管的门极获得触发信号时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间称为延时时间t d ；阳极电流从10%上升在稳态值的90%所需的时间称为上升时间t r ，以上两者之和就是晶闸管的开通时间t gt 。
8、关断时间是由反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间组成。
9、在室温下，门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为维持电流I H 。
维持电流与元件容量、结温等因素有关。
当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流I t 。
10、电力电子器件的换流方式可分为：（1）器件换流（2）电网换流（3）负载换流（4）脉冲换流。
11、散热系统一般有三种冷却方式：（1）自然冷却；只是用与小功率应用场合（2）风扇冷却：适用于中等功率应用场合，如IGBT 应用电路（3）水冷却：适用于大功率应用场合，如大功率GTO ，IGCT ，SCR 等应用电路。
12、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H 会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
电力电子技术填空题
1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
3、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
7、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。
10、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ I H。
11、电力变换通常可分为：、、和。
12、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；___和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
14、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
15、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方是。
电力电子技术填空题
1、电子技术包括____微电子电力_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。
当器件的工作频率较高时，____开关_____损耗会成为主要的损耗。
4、面积等效原理指的是，__冲量_______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET________，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是__IGBT_________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为_VD1_______；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为____VD2___；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为___V2____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为__VD1_____；一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、____GTR_____存在二次击穿现象，___IGBT_________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
6、在下图中，_ V1______和___ VD1_____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；____ V2___和__ VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于__第2__象限。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
【电力电子技术期末考试】填空题
填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC—DC）、②直流变交流（DC—AC）、③直流变直流（DC—DC）、④交流变交流（AC—AC）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
（电源相电压为U1）。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2.45U212、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。
14、直流—直流变流电路，包括直接直流变流电路电路和间接直流变流电路。
电力电子填空题
第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
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1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在__开关_______状态。
当器件的工作频率较高时，_开关______损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为___载波比__________，当它为常数时的调制方式称为_同步________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为__分段同步调制__________调制。
3、面积等效原理指的是，_冲量________相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_______，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___IGBT________。
5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即根号6 ，其承受的最大正向电压为根号2 。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为有源逆变逆变，如果接到负载，则称为无源逆变。
7、___GTR______存在二次击穿现象，____IGBT________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是均压_措施。
10、同一晶闸管，维持电流IH 与掣住电流IL在数值大小上有IL_（2~4）IH。
11、电力变换通常可分为：AC-DC 、AC-AC 、DC-DC和DC-AC 。
12、在下图中，_V1______和__VD1______构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；V2___和__VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于_第2___象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
14、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
15、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方是串专用均流电抗器。
16、在电流源型逆变器中，电机负载，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为矩形波波。
17、三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行，称为_______°导电型18、当温度降低时，晶闸管的触发电流会减小、正反向漏电流会；19、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T（A V），如果I T=100安培，则它允许的有效电流为安培。
通常在选择晶闸管时还要留（A V）出倍的裕量。
20、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。
每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。
要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。
21、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。
22、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。
23、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围。
24、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。
25、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。
26、晶闸管的导通条件是。
27、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSM小于U BO。
28、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。
29、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。
30、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。
31、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
33、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。
34、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。
35、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。
36、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必须保证与直流电源电势E d的极性成相连，且满足|U d|<|E d|。
38、载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。
设正弦调制波的频率为f r，三角波的频率为f c，则载波比表达式为K= 。
39、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
40、斩波器的时间比控制方式分为、、三种方式。
41、晶闸管的内部结构具有端、层、个PN结。
42、在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是极。
43、晶闸管的关断条件是。
44、额定电流为100A的晶闸管，流过单向正弦全波时的最大可能平均电流是。
45、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极为何种极性触发电压，管子都将工作在状态。
46、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为。
47、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差。
48、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
51、三相半波可控整流电路，供电变压器每相漏感折合到次级的ＬB为100μH，直流负载电流I d＝150A，则换相压降△Ｕγ= 。
52、将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电直接输出到的过程称为无源逆变。
53、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，当a>π/2时，电流主要是依靠电动势E d来维持的，所以总的能量是电动机回馈给。
55、在无源逆变与直接斩波电路中，都必须设置换流，强迫导通的晶闸管可靠关断。
56、晶闸管元件并联时，要保证每一路元件所分担的电流。
58、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和极。
59、晶闸管的额定电流是用在一定条件下的电流来标定。
60、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的电压。
61、同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L的数值大小上有I L I H。
62、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示，5表示。
63、从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为。
64、为了保证三相全控桥电路能启动工作，触发脉冲必须采用或。
65、三相半波整流电路有和两种接法。
66、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在半周触发共阴极组的各晶闸管。
67、电阻性负载三相桥式可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于，设U2为相电压有效值。
68、在单相全控桥式变流器控制直流电动机卷扬机拖动系统中，若使变流器工作于有源逆变状态时，需使控制角a>π/2，同时|E d| |U d|。
70、电压型逆变器其中间直流环节以贮能。
71、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是措施。
72、晶闸管的三个电极分别是、、。
73、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大倍，使其有一定的电压裕量。
74、当晶闸管加上正向后，门极加上适当的电压，使晶闸管导通的过程，称为触发。
75、晶闸管和负载Ｒ串联，接在正弦交流电源上，晶闸管的额定电流为100A，如果导电角为900,允许通过的最大电流平均值是。
76、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的。
77、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U TM等于（设U2为相电压有效值）。
78、在三相可控整流电路中，α＝00的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为。
79、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角时，电流连续。
80、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值。
81、逆变器可分为无源逆变器和逆变器两大类。
82、在晶闸管有源逆变电路中，绝对不允许两个电源势相连。
83、变流器换流的方式有和两种。
84、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是措施。
85晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。
但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。
对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。
86、在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为__________调制和_______调制，______调制方法克服了以上二者的缺点。
87、设DC/DC变换器的Boost电路中，E=10V，α=0.5，则U o=________。
88、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、_____ _、。
89、换流的方式有____________、_____________、____________、____________，全控型器件用_______________方式换流90、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有：、、。
91、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。
92、电力电子器件的主要类型有，。
93、晶闸管导通必须同时具备的两个条件，在晶闸管阳极与阴极加足够，控制极加适当的正向电压作为晶闸管导通的。
94、通态平均电流平均值也称。
95、KP600-20G表示额定电流为，管压降为0.9V的。
96、单相可控整流电路中，把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电度角称为。
97、三相半波整流电路电阻负载时的a移相范围为。
98、三相全控是整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组，才能保证有效的电流通路，其导通顺序为。
99、在晶闸管单相可控整流电路中“逆变”的含义是。
100、在可控整流电路中，最小逆变角的范围是。
101、晶闸管触发电路中，脉冲具有足够的移相范围，三相全控桥式整流电路电阻负载要求移相范围，电感性负载（电流连续），三相桥式可逆变线路在反电势负载下，要求移相范围为。
102、在半控型器件和全控型器件中，IGBT ，各代表的什么器件的晶体管。
103、逆变失败的原因有：触发电路工作不可靠，不能适时准确的发出触发脉冲；；晶闸管质量不高或参数裕量不足；。
104、在晶闸管的电流额定中，通态平均电流I Ta= ，I T= 。
105.三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围0º-150º，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围0º-120º，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0º-150o。