X射线衍射强度
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讨论对象及主要结论: 讨论对象及主要结论:
I = FHKL ⋅ I e
2
这里引入了FHKL — —结构因子 结构因子是定量表征原子排布以及原子种 类对衍射强度影响规律的参数,即晶体结构对 衍射强度的影响因子。
推导过程: 推导过程:
假设该晶胞由n种原子组成,各原子的散射因子 为:f1 、f2 、f3 ...fn; 那么散射振幅为:f1 Ae 、f2 Ae 、f3Ae ...fn Ae ; 各原子与O原子之间的散射波光程差为:Φ1 、 Φ2 、Φ3 ... Φn ;
e4 1+ cos2 2θ I p = I0 ⋅ 2 4 4 ⋅ mC R 2
公式讨论: 公式讨论:
1. 散射X射线的强度很弱。 假定R=1cm,2θ=0处 Ie/I0=7.94×10-23 2. 散射X射线的强度与电子到观测点之间的距 离的平方成反比。这是时很容易理解的。 3.不同方向上,即2θ不同时,散射强度不同。 平行入射X射线方向(2θ=0 或180°)散射线强度最大。 垂直入射X射线方向(2θ=90或270°)时,散射的强 度最弱。为平行方向的1/2。其余方向则散射线的强 度在二者之间。
2
2
{1 + cos π ( H + K ) + cos π ( H + L) + cos π ( K + L)}
2
当H、K、L为同性数时,H+K、H+L、K+L均 为偶数,则F2=f2(1+1+1+1)2=16f2; 当H、K、L为异性数时,H+K、H+L、K+L中 总有两项为奇数一项为偶数,则F2=f2(1-1+1-1)=0 即在面心点阵中,只有当H、K、L为同性数时才 能产生衍射。
(2) 体心立方晶胞的结构因子
111 体心立方晶胞内有两个同种原子,即000和 2 2 2 2 2 H K L F = f cos 0 + f cos 2π ( + + ) 2 2 2
+ f
H K L sin 0 + f sin 2π ( + + ) 2 2 2
第三章 X射线衍射强度
【教学内容】 教学内容】 1. X射线衍射强度理论 2. 影响衍射强度的因素 【教学目标】 教学目标】 1. 了解影响X射线衍射强度的主要因素。 2. 培养学生利用这些X射线衍射理论去指 导实际分析工作的能力。
【重点掌握内容】 重点掌握内容】 1. 结构因子,包括单个电子、单个原子和单个晶 胞对X射线的散射和消光规律等。 2. 多晶体对样品的衍射强度。包括多重性因子、 罗仑兹因子、吸收因子、温度因子以及粉末法中影响 X射线衍射强度的所有因素。 【教学难点】 教学难点】 1. 晶体的结构因素与衍射消光。 2. 德拜-谢乐公式推导。 【了解内容】 了解内容】 1. 结构因子的计算。 2. 积分强度的计算。
2. 产生衍射的充分条件: 产生衍射的充分条件: 满足布拉格方程且 FHKL≠0。 3. 系统消光 因原子在晶体中位置不同或原子种类不同而 引起的某些方向上衍射线消失(FHKL =0的现象, 称为系统消光。 根据系统消光结果以及通过测定X射线强度的 变化可以推断出原子在晶体中的位置。 它分为:点阵消光 结构消光
考虑到实际晶体结构与之的差别,乘 以一个因子:
1 ⋅ Vc sin 2θ
λ3
最后得到:
I晶粒 Vc = Ie ⋅ ⋅ 2 ⋅ FHKL sin 2θ V0
λ
源自文库
3
2
在理想状态下晶体 的衍射强度曲线应该是一 根线条,但实际晶体的衍 射强度曲线是一个峰,如 右图。这是基于两方面的 原因: X射线:不是绝对平行的, 存在较小的发散角;不是 纯粹的单色光; 晶体:实际晶体由许多位 相差很小的亚晶块组成, 使X射线在θ±ε范围都产 生衍射。
菱方、六方
H00 0K0 00L HHH HH0 HK0 0KL H0L HHL HKL
P 6 6 4 2 2 2 4 2 2 2 8 12 6 4 8 4 2 24 12 8 24 48 24 16 8 4 2
正方 斜方 单斜 三斜
每个衍射圆环中实际参加衍射的晶粒总 数为: cos θ ∆Q = P∆q = Pq dα
2
2
= f 2 {1 + cos π ( H + K + L)}
– 当H+K+L为偶数时,F2=4f2; – 当H+K+L为奇数时,F2=0,衍射线被消 光。
(3) 面心立方晶胞的结构因子
11 1 1 11 0, 0 , 0 晶胞内有四个同种原子,分别位于晶胞中 000, 22 2 2 22
F = f
晶胞的结构因子推导
则该晶胞的散射振幅为这n种原子叠加:
Ab = Ae ∑ f j ⋅ e
j =1
n
i ⋅φ j
引入结构参数 : FHKL
n Ab i⋅φ j = = ∑ f j ⋅e Ae j =1
可知晶胞中(H K L)晶面的衍射强度:
I b = FHKL
2
⋅ Ie
(四) 结构因子的讨论 四
实际晶体的衍射强度曲线(a)和理 想状态下衍射强度曲线(b)的比较
(二)粉末多晶体的 二 粉末多晶体的 粉末多晶体的HKL衍射强度 衍射强度
根据厄尔瓦德图可知参加HKL晶面衍射的晶粒 分布于一个环带上,参加衍射晶粒的百分数:
∆q ∆S 2π r ∗ Sin(90 − θ )r ∗ dα Cosθ = = = dα ∗ 2 q S 4π (r ) 2
多重性因子
在多晶体衍射中同一晶面族{HKL}各 等同晶面的面间距相等,根据布拉格方程 这些晶面的衍射角2θ都相同,因此,等同 晶面族的反射强度都重叠在一个衍射圆环 上。把同族晶面{HKL}的等同晶面数P称为 衍射强度的多重因子。各晶系中的各晶面 族的多重因子列于表中。
各晶面族的多重因子列表
指数 晶系 立方
λ 温度因子又称德拜—瓦洛因子。
2
M =π u
2
2
sin θ
2
吸收因子
试样对入射线及衍射线的吸收会对衍射 线强度产生影响。但对衍射仪法而言, 若用的是平板状试样,而且试样足够厚, 则吸收因子是一个与衍射角无关的常数:
1 A(θ ) = 2µ
角因子
1 + cos 2 2θ 角因子 2 sin θ cos θ
粉末试样衍射几何
引入温度因子和吸收因子:
1 e λ 1 + cos 2θ −2 M 2 I= I 0 2 4 2 VFHKL P 2 e A(θ ) 32π R m c V0 sin θ cos θ
4 3 2
温度因子
由于原子热振动使点阵中原子排列的周期性受 到部分破坏,因此晶体的衍射条件也受到部分 破坏,从而使衍射线强度减弱。以指数的形式 e-2M来表示这种强度的衰减,其中M与原子偏 离其平衡位置的均方位移 u 2有关:
结构因子
结构因子计算式 结构因子计算例
产生衍射的充分条件及系统消光
系统消光 消光规律
1. 结构因子: 结构因子:
因为:ϕ j = 2π HX j + KY j + LZ j
(
)
其中:Xj、Yj、Zj是j原子的阵点坐标; H K L是发生衍射的晶面。 所以有:
2
FHKL
n
= ∑ f j cos 2π ( HX j + KY j + LZ j ) j =1
在实际工作中主要是比较衍射强度的相对变 化,则在同一衍射花样中,e、m、c为物理常 数,I0、λ、R、V0、V对各衍射线均相等。其 衍射相对强度为:
1 + cos 2 2θ −2 M 2 I 相 = FHKL P 2 e A(θ ) sin θ cos θ
多晶粉末法的相对强度
德拜法的衍射相对强度
1 + cos 2θ I相 = P F 2 sin θ cos θ
是表征衍射强度直接与衍射角有关
的部分,它包括:
1 + cos 2 2θ 偏振因子 2
,它表明散射强度在空间各个方
向是不一样的,与散射角有关; 洛伦兹因子
1 sin 2 θ cos θ
,是由衍射几何特征而引入的,
不同衍射方法的角因子表达式不同;
角因子与角θ 角因子与角θ的关系图
(三) 衍射相对强度 三
2
粉末多晶体衍射圆环的总强度为:
cos θ I 环 = I晶粒 ⋅ Pq dα 2 4 2 3 e 1 + cos 2θ cos θ λ 2 I环 = I0 2 4 FHKL PqVc 2 2 V0 m c 2sin 2θ
被X射线照射的粉末试样体积 V = qVc
e 4 λ 3 1 + cos 2 2θ 2 I环 = I 0 2 4 2 FHKL PV m c V0 8sin θ
一个原子包含Z个电子,那么可看成Z个电 子散射的叠加。 (1) 若不存在电子散射位相差:
I a = ( Z ⋅ Ae ) = Z ⋅ I e
2 2
其中Ae为一个电子散射的振幅。
(2) 实际上,存在位相差,引入原子散射 因子: 即
Aa f = Ae
Aa = fAe
其中f与θ有关、与λ有关。 散射强度:
n 2
2
+ ∑ f j sin 2π ( HX j + KY j + LX j ) j =1
(1) 简单晶胞的结构因子 简单晶胞中只有一个原子,000
F = f 2 cos 0 + f 2 sin 0 = f 2
2
可见,F2与hkl无关,对所有的反射具有 相同的值,即不存在点阵消光现象。
结构因子( 二. 结构因子(structure factor) )
(一) 一个电子对 射线的散射 一 一个电子对X射线的散射
讨论对象及结论: 讨论对象及结论: 一 束 X 射 线 沿 OX 方向传播,O点碰到电 O 子发生散射,那么距O 点 距离 OP=R、 OX 与 OP夹角为2θ的P点的散 射强度为:
一. 引言
布拉格方程解决了衍射方向问题,它反映了晶胞的大小 及形状。但晶体种类不仅取决于晶格常数,更重要的是取决 于原子种类及原子在晶胞中的位置,而原子种类及原子在晶 胞中的位置不同反映到衍射结果上,表现为衍射线(反射线) 的有无或强度大小,即衍射强度。 X射线衍射强度在衍射仪花样上反映的是衍射峰的高低 (或衍射峰所包围的面积);在照相底片上反映为衍射线 (点)的黑度。一般用相对强度来表示。 影响衍射强度的因素很多,讨论这一问题必须一步步进 行:一个电子 一个原子 一个晶胞 粉末多 晶体。
I a = Aa = f ⋅ I e
2 2
f是以一个电子散射波的振幅为度量单位的 一个原子散射波的振幅。因此也称原子散射波 振幅。它表示一个原子在某一方向上散射波的 振幅是一个电子在相同条件下散射波振幅的f倍。 它反映了原子将X射线向某一个方向散射时的 散射效率。
(三) 一个单胞对 射线的散射 三 一个单胞对X射线的散射
三. 多晶体的衍射强度
一个小晶体对X射线的散射 粉末多晶体的HKL衍射强度 衍射相对强度
(一)一个小晶体对 射线的散射 一 一个小晶体对X射线的散射 一个小晶体对
认为:小晶体(晶粒)
由亚晶块组成
由N个晶胞组成
已知一个晶胞的衍射强度(HKL晶面)为:
I HKL = FHKL ⋅ I e
2
若亚晶块的体积为VC,晶胞体积为V0,则: Vc N= V0 这N个晶胞的HKL晶面衍射的叠加强度为: 2 Vc 2 I e ⋅ FHKL V0
(二) 一个原子对 射线的散射 二 一个原子对X射线的散射
讨论对象及结论: 讨论对象及结论:
一个原子散射波应该是原子中各个电子散 射波合成的结果。 一个电子对X射线散射后空间某点强度可 用Ie表示,那么一个原子对X射线散射后该点的 强度:
Ia = f ⋅ Ie
2
这里引入了f——原子散射因子
推导过程: 推导过程:
四种基本点阵的消光规律
布拉菲点阵 简单点阵 底心点阵 体心点阵 面心点阵 出现的反射 全部 H、K全为奇数或全为偶数 H+K+L为偶数 H、K、L全为奇数或全为偶数 消失的反射 无 H、K奇偶混杂 H+K+L为奇数 H、K、L奇偶混杂
根据系统消光结果以及通过测定X射线强度的 变化可以推断出原子在晶体中的位置。
实际工作中测量的不是整个衍射圆环的积分强度, 而是衍射圆环单位长度上的积分强度。设衍射圆 环到试样的距离为R,则衍射圆环的半径为 Rsin2θ,衍射圆环的周长为2π Rsin2θ(如图)。 强度为:
I环 I= 2π R sin 2θ 1 e4 λ 3 1 + cos 2 2θ 2 = I 0 2 4 2 VFHKL P 2 32π R m c V0 sin θ cos θ
I = FHKL ⋅ I e
2
这里引入了FHKL — —结构因子 结构因子是定量表征原子排布以及原子种 类对衍射强度影响规律的参数,即晶体结构对 衍射强度的影响因子。
推导过程: 推导过程:
假设该晶胞由n种原子组成,各原子的散射因子 为:f1 、f2 、f3 ...fn; 那么散射振幅为:f1 Ae 、f2 Ae 、f3Ae ...fn Ae ; 各原子与O原子之间的散射波光程差为:Φ1 、 Φ2 、Φ3 ... Φn ;
e4 1+ cos2 2θ I p = I0 ⋅ 2 4 4 ⋅ mC R 2
公式讨论: 公式讨论:
1. 散射X射线的强度很弱。 假定R=1cm,2θ=0处 Ie/I0=7.94×10-23 2. 散射X射线的强度与电子到观测点之间的距 离的平方成反比。这是时很容易理解的。 3.不同方向上,即2θ不同时,散射强度不同。 平行入射X射线方向(2θ=0 或180°)散射线强度最大。 垂直入射X射线方向(2θ=90或270°)时,散射的强 度最弱。为平行方向的1/2。其余方向则散射线的强 度在二者之间。
2
2
{1 + cos π ( H + K ) + cos π ( H + L) + cos π ( K + L)}
2
当H、K、L为同性数时,H+K、H+L、K+L均 为偶数,则F2=f2(1+1+1+1)2=16f2; 当H、K、L为异性数时,H+K、H+L、K+L中 总有两项为奇数一项为偶数,则F2=f2(1-1+1-1)=0 即在面心点阵中,只有当H、K、L为同性数时才 能产生衍射。
(2) 体心立方晶胞的结构因子
111 体心立方晶胞内有两个同种原子,即000和 2 2 2 2 2 H K L F = f cos 0 + f cos 2π ( + + ) 2 2 2
+ f
H K L sin 0 + f sin 2π ( + + ) 2 2 2
第三章 X射线衍射强度
【教学内容】 教学内容】 1. X射线衍射强度理论 2. 影响衍射强度的因素 【教学目标】 教学目标】 1. 了解影响X射线衍射强度的主要因素。 2. 培养学生利用这些X射线衍射理论去指 导实际分析工作的能力。
【重点掌握内容】 重点掌握内容】 1. 结构因子,包括单个电子、单个原子和单个晶 胞对X射线的散射和消光规律等。 2. 多晶体对样品的衍射强度。包括多重性因子、 罗仑兹因子、吸收因子、温度因子以及粉末法中影响 X射线衍射强度的所有因素。 【教学难点】 教学难点】 1. 晶体的结构因素与衍射消光。 2. 德拜-谢乐公式推导。 【了解内容】 了解内容】 1. 结构因子的计算。 2. 积分强度的计算。
2. 产生衍射的充分条件: 产生衍射的充分条件: 满足布拉格方程且 FHKL≠0。 3. 系统消光 因原子在晶体中位置不同或原子种类不同而 引起的某些方向上衍射线消失(FHKL =0的现象, 称为系统消光。 根据系统消光结果以及通过测定X射线强度的 变化可以推断出原子在晶体中的位置。 它分为:点阵消光 结构消光
考虑到实际晶体结构与之的差别,乘 以一个因子:
1 ⋅ Vc sin 2θ
λ3
最后得到:
I晶粒 Vc = Ie ⋅ ⋅ 2 ⋅ FHKL sin 2θ V0
λ
源自文库
3
2
在理想状态下晶体 的衍射强度曲线应该是一 根线条,但实际晶体的衍 射强度曲线是一个峰,如 右图。这是基于两方面的 原因: X射线:不是绝对平行的, 存在较小的发散角;不是 纯粹的单色光; 晶体:实际晶体由许多位 相差很小的亚晶块组成, 使X射线在θ±ε范围都产 生衍射。
菱方、六方
H00 0K0 00L HHH HH0 HK0 0KL H0L HHL HKL
P 6 6 4 2 2 2 4 2 2 2 8 12 6 4 8 4 2 24 12 8 24 48 24 16 8 4 2
正方 斜方 单斜 三斜
每个衍射圆环中实际参加衍射的晶粒总 数为: cos θ ∆Q = P∆q = Pq dα
2
2
= f 2 {1 + cos π ( H + K + L)}
– 当H+K+L为偶数时,F2=4f2; – 当H+K+L为奇数时,F2=0,衍射线被消 光。
(3) 面心立方晶胞的结构因子
11 1 1 11 0, 0 , 0 晶胞内有四个同种原子,分别位于晶胞中 000, 22 2 2 22
F = f
晶胞的结构因子推导
则该晶胞的散射振幅为这n种原子叠加:
Ab = Ae ∑ f j ⋅ e
j =1
n
i ⋅φ j
引入结构参数 : FHKL
n Ab i⋅φ j = = ∑ f j ⋅e Ae j =1
可知晶胞中(H K L)晶面的衍射强度:
I b = FHKL
2
⋅ Ie
(四) 结构因子的讨论 四
实际晶体的衍射强度曲线(a)和理 想状态下衍射强度曲线(b)的比较
(二)粉末多晶体的 二 粉末多晶体的 粉末多晶体的HKL衍射强度 衍射强度
根据厄尔瓦德图可知参加HKL晶面衍射的晶粒 分布于一个环带上,参加衍射晶粒的百分数:
∆q ∆S 2π r ∗ Sin(90 − θ )r ∗ dα Cosθ = = = dα ∗ 2 q S 4π (r ) 2
多重性因子
在多晶体衍射中同一晶面族{HKL}各 等同晶面的面间距相等,根据布拉格方程 这些晶面的衍射角2θ都相同,因此,等同 晶面族的反射强度都重叠在一个衍射圆环 上。把同族晶面{HKL}的等同晶面数P称为 衍射强度的多重因子。各晶系中的各晶面 族的多重因子列于表中。
各晶面族的多重因子列表
指数 晶系 立方
λ 温度因子又称德拜—瓦洛因子。
2
M =π u
2
2
sin θ
2
吸收因子
试样对入射线及衍射线的吸收会对衍射 线强度产生影响。但对衍射仪法而言, 若用的是平板状试样,而且试样足够厚, 则吸收因子是一个与衍射角无关的常数:
1 A(θ ) = 2µ
角因子
1 + cos 2 2θ 角因子 2 sin θ cos θ
粉末试样衍射几何
引入温度因子和吸收因子:
1 e λ 1 + cos 2θ −2 M 2 I= I 0 2 4 2 VFHKL P 2 e A(θ ) 32π R m c V0 sin θ cos θ
4 3 2
温度因子
由于原子热振动使点阵中原子排列的周期性受 到部分破坏,因此晶体的衍射条件也受到部分 破坏,从而使衍射线强度减弱。以指数的形式 e-2M来表示这种强度的衰减,其中M与原子偏 离其平衡位置的均方位移 u 2有关:
结构因子
结构因子计算式 结构因子计算例
产生衍射的充分条件及系统消光
系统消光 消光规律
1. 结构因子: 结构因子:
因为:ϕ j = 2π HX j + KY j + LZ j
(
)
其中:Xj、Yj、Zj是j原子的阵点坐标; H K L是发生衍射的晶面。 所以有:
2
FHKL
n
= ∑ f j cos 2π ( HX j + KY j + LZ j ) j =1
在实际工作中主要是比较衍射强度的相对变 化,则在同一衍射花样中,e、m、c为物理常 数,I0、λ、R、V0、V对各衍射线均相等。其 衍射相对强度为:
1 + cos 2 2θ −2 M 2 I 相 = FHKL P 2 e A(θ ) sin θ cos θ
多晶粉末法的相对强度
德拜法的衍射相对强度
1 + cos 2θ I相 = P F 2 sin θ cos θ
是表征衍射强度直接与衍射角有关
的部分,它包括:
1 + cos 2 2θ 偏振因子 2
,它表明散射强度在空间各个方
向是不一样的,与散射角有关; 洛伦兹因子
1 sin 2 θ cos θ
,是由衍射几何特征而引入的,
不同衍射方法的角因子表达式不同;
角因子与角θ 角因子与角θ的关系图
(三) 衍射相对强度 三
2
粉末多晶体衍射圆环的总强度为:
cos θ I 环 = I晶粒 ⋅ Pq dα 2 4 2 3 e 1 + cos 2θ cos θ λ 2 I环 = I0 2 4 FHKL PqVc 2 2 V0 m c 2sin 2θ
被X射线照射的粉末试样体积 V = qVc
e 4 λ 3 1 + cos 2 2θ 2 I环 = I 0 2 4 2 FHKL PV m c V0 8sin θ
一个原子包含Z个电子,那么可看成Z个电 子散射的叠加。 (1) 若不存在电子散射位相差:
I a = ( Z ⋅ Ae ) = Z ⋅ I e
2 2
其中Ae为一个电子散射的振幅。
(2) 实际上,存在位相差,引入原子散射 因子: 即
Aa f = Ae
Aa = fAe
其中f与θ有关、与λ有关。 散射强度:
n 2
2
+ ∑ f j sin 2π ( HX j + KY j + LX j ) j =1
(1) 简单晶胞的结构因子 简单晶胞中只有一个原子,000
F = f 2 cos 0 + f 2 sin 0 = f 2
2
可见,F2与hkl无关,对所有的反射具有 相同的值,即不存在点阵消光现象。
结构因子( 二. 结构因子(structure factor) )
(一) 一个电子对 射线的散射 一 一个电子对X射线的散射
讨论对象及结论: 讨论对象及结论: 一 束 X 射 线 沿 OX 方向传播,O点碰到电 O 子发生散射,那么距O 点 距离 OP=R、 OX 与 OP夹角为2θ的P点的散 射强度为:
一. 引言
布拉格方程解决了衍射方向问题,它反映了晶胞的大小 及形状。但晶体种类不仅取决于晶格常数,更重要的是取决 于原子种类及原子在晶胞中的位置,而原子种类及原子在晶 胞中的位置不同反映到衍射结果上,表现为衍射线(反射线) 的有无或强度大小,即衍射强度。 X射线衍射强度在衍射仪花样上反映的是衍射峰的高低 (或衍射峰所包围的面积);在照相底片上反映为衍射线 (点)的黑度。一般用相对强度来表示。 影响衍射强度的因素很多,讨论这一问题必须一步步进 行:一个电子 一个原子 一个晶胞 粉末多 晶体。
I a = Aa = f ⋅ I e
2 2
f是以一个电子散射波的振幅为度量单位的 一个原子散射波的振幅。因此也称原子散射波 振幅。它表示一个原子在某一方向上散射波的 振幅是一个电子在相同条件下散射波振幅的f倍。 它反映了原子将X射线向某一个方向散射时的 散射效率。
(三) 一个单胞对 射线的散射 三 一个单胞对X射线的散射
三. 多晶体的衍射强度
一个小晶体对X射线的散射 粉末多晶体的HKL衍射强度 衍射相对强度
(一)一个小晶体对 射线的散射 一 一个小晶体对X射线的散射 一个小晶体对
认为:小晶体(晶粒)
由亚晶块组成
由N个晶胞组成
已知一个晶胞的衍射强度(HKL晶面)为:
I HKL = FHKL ⋅ I e
2
若亚晶块的体积为VC,晶胞体积为V0,则: Vc N= V0 这N个晶胞的HKL晶面衍射的叠加强度为: 2 Vc 2 I e ⋅ FHKL V0
(二) 一个原子对 射线的散射 二 一个原子对X射线的散射
讨论对象及结论: 讨论对象及结论:
一个原子散射波应该是原子中各个电子散 射波合成的结果。 一个电子对X射线散射后空间某点强度可 用Ie表示,那么一个原子对X射线散射后该点的 强度:
Ia = f ⋅ Ie
2
这里引入了f——原子散射因子
推导过程: 推导过程:
四种基本点阵的消光规律
布拉菲点阵 简单点阵 底心点阵 体心点阵 面心点阵 出现的反射 全部 H、K全为奇数或全为偶数 H+K+L为偶数 H、K、L全为奇数或全为偶数 消失的反射 无 H、K奇偶混杂 H+K+L为奇数 H、K、L奇偶混杂
根据系统消光结果以及通过测定X射线强度的 变化可以推断出原子在晶体中的位置。
实际工作中测量的不是整个衍射圆环的积分强度, 而是衍射圆环单位长度上的积分强度。设衍射圆 环到试样的距离为R,则衍射圆环的半径为 Rsin2θ,衍射圆环的周长为2π Rsin2θ(如图)。 强度为:
I环 I= 2π R sin 2θ 1 e4 λ 3 1 + cos 2 2θ 2 = I 0 2 4 2 VFHKL P 2 32π R m c V0 sin θ cos θ