电容器规格型号的标注

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电容大小规格定义

电容大小规格定义

电容器标称电容值E24 E12 E6 E24 E12 E61.0 1.0 1.0 3.3 3.3 3.31.1 3.61.2 1.2 3.9 3.91.3 4.31.5 1.5 1.5 4.7 4.7 4.71.6 5.11.8 1.8 5.6 5.62.0 6.22.2 2.2 2.2 6.8 6.8 6.82.4 7.52.7 2.7 8.2 8.23.0 9.1注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。

主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。

他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。

现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法,前两位数字表示乘系数,后一位表示乘指数,单位为pF。

其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列,后一位数字表示乘指数10 n。

当Y= 9时,对应前述n = -1;当Y= 8时,对应前述n = -2;当Y= 0,1,2,3,4,5,6,7时,Y就等于n。

示例如下:0.5pF容值代码表示为508; 68pF容值代码表示为680;1 pF容值代码表示为109; 120pF容值代码表示为121;4.7pF容值代码表示为479;2200pF容值代码表示为222;10pF容值代码表示为100;100000pF容值代码表示为104(0.1μF);47μF容值代码表示为476; 330μF容值代码表示为337//--------------------------------------------------【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P470 P 560 P 620 P680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 3339 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2贴片电容,SMD贴片电容,无铅贴片电容的如何命名?SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理摘自南山半导体有限公司网站贴片电容的命名,国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。

电容器规格详细介绍

电容器规格详细介绍

电容器规格详细介绍电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容,电解质芯片电容,塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1.电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2.电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 4.陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型,Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5.陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000.(Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中,电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异,即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围:需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制:传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值:较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.D. 低漏电流量特性:用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性:用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性:用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性:用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器,而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL 无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C.需注意100 pF-680 pF范围内,Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4.以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性,可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C.聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D.金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性,可适用于一般脉波电路工作.代号MEF者,亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.//**************************************************************//认清电容显卡选购完全手册之电容篇作者:火乌鸦转贴自:ZOL希望对那些还不了解电容的会员们有用电容爆裂事件的背后最近2年来电容爆裂、漏液、失效这样的事件在主板、显卡领域时有发生,不过正因为这样的事件,促进消费者对显卡上电容的认识度。

电容器主要参数的标注方法

电容器主要参数的标注方法

色标电容器各种颜色所对应的数值及含义
1n表示1 000 pF; 2μ2表示 2.2 μF; 9999 ≥有效数字 ≥1时, 容量单位为pF ; 有效数字<1 时容量单位为μF。
如: 1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF 0.1、 0.22、0.47、0.01、 0.022、0.047等容量单位均为μF 允许偏差: 普通电容:±5%(I,J)、±10%(II,k)、 ±20%(III,M) 精密电容:±2%(G)、±1%(F)、±0.5%(D)、±0.25%(C)、 ±0.1%(B)、±0.05%(W)
色标法
色标法:在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。
四环色标法:第一、二环表示有效数值,第三环表示倍乘数, 第四环表示允许偏差(普通电容器)。
五环色标法:第一、二、三环表示有效数值,第四环表示倍乘数, 第五环表示允许偏差(精密电容器)。
如: 棕、黑、橙、金 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±5% 棕、黑、黑、红、棕 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏为±1%
102 103 104 223 474 159 表示:10 ×101 = 100 pF 表示:10 ×102 = 1 000 pF 表示:10 ×103 = 0. 01μF 表示:10 ×104 = 0.1μF 表示:22 ×103 = 0. 022μF 表示:47 ×104 = 0. 47μF 表示:15 ×10–1 = 1. 5 pF
额定电压: 6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、 100V、160V、250V、400V、 450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。

lm电容命名规则

lm电容命名规则

lm电容命名规则
LM电容的命名规则主要取决于其制造厂商和规格参数。

电容器的命名一般由四部分组成,例如艾华Aishi LM系列 450v120uf 22×30。

1. 第一部分是制造厂商名称或者是注册商标。

2. 第二部分是电容器材料,如铝电解电容器的“A”表示铝电解电容器,无极性电容器的“C”表示无极性电容器。

3. 第三部分是容量,如120uf表示容量为120μF。

4. 第四部分是尺寸和封装形式,如22×30表示长度为22mm,宽度为
30mm。

此外,还有一部分是电容器的额定电压,如450v表示额定电压为450V。

以上信息仅供参考,如需了解更多信息,建议咨询电容行业专业人士。

电容规格的详细介绍

电容规格的详细介绍

电容器规格详细介绍电容器种类:依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容,及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度),迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型,迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜,及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C.Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格:1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF,测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF,测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF,测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF,测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%,塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF(10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定,为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下.陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/Ctype其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数) )4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值,一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm,UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type(Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格,一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Lowleakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压,需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃,特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃.陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器:1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件.尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大,虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm,超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型+/-20%.D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时.(相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路,需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路,需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路,用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型(即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型(例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型(例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路,不需考虑温度影响).4+4-/B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低,但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用.其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS 材质为1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高,适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证,一般称为X2电容.C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号.D. 金MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低,可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 安规电容器X Cap及 Y Cap 附加说明:1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 forAC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF.small to limit AC leakage current. Y1 for doubleinsulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basicinsulation impulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor dischargetest ensures that if an ac plug is abruptlyremoved from its receptacle, the voltage acrossthe line and neutral terminals will not exceed asafe level. Per UL 1950, voltage across acapacitance greater than 0.1 μF must decay to 37%of the ac-input peak voltage in 1 second for typeA equipment and 10 seconds for typeB equipment.IEC 61010-1 requires that the pins not behazardous (live) at 5 seconds after disconnectionfrom the supply.各类电容器参考规格:电解质电容 Electrolytic Capacitor种类 (Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm(Ultra-Mini) 5mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf0.1-220uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.03 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm(Mini / Low leakage) 7mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf0.47-100uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA<=0.002CV或0.4uA <=0.002CV或0.4uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24<=0.1--0.24种类 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm(Low ESR)额定电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差 (120Hz) M M M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃-40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或3 uA损失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor种类 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.)Electrolytic (Non-polar) Tantalun Chip电容值范围 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf额定电压范围 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V容值误差范围 M M M K / M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或3 uA 0.01 CV 或 5 uA损失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类 Polyester 聚乙烯 Metallized PolyesterPolystrene 聚乙脂电容值范围 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V50/100/125/250/500V容值误差范围 J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No /MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类 Polypropylene 聚丙烯 Metallized PolypropyleneMetallized Polypropylene 金属化聚丙烯电容值范围 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V250/275VAC容值误差范围 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V /1Sec. DC 2000V / 1Sec.Inductive / 代号 No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MPNo / MPX (X2 Cap.)Across the line cap.陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号 0402 0603 0805 1206尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W0.12L*0.06W额定电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V25/50/100/200/500V温度系数 COG (NPO) X7R Y5V容值范围 <=220pf温度范围 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃容值误差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 MD值 (1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容 Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120)SL (+350/_1000)容值范围 <=680pf <=680pf <=680pf温度范围 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃容值误差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值 (1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C<=30pf Q>=400+20C>30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55%F(Z5V) +30/-80%容值范围 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 50/63/100/500/630/1KVD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55%F(Y5V) +30/-80%容值范围 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 16/25/50/63VD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05钽电解电容器作为电解电容器中的一类。

国巨电容命名规则

国巨电容命名规则

国巨电容命名规则
国巨电容的命名规则通常遵循以下几个规则:
1. 电容器型号一般由字母和数字组成。

其中,字母代表电容器
的一些特性,比如温度系数、容量稳定度等;数字则表示电容量大小,单位为微法(μF)。

2. 电容器型号的第一个字母通常代表电容器的材料种类。

例如:
- C:钽电容器(tantalum capacitor)
- E:铝电解电容器(aluminum electrolytic capacitor)
- K:多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor)
- P:聚酯薄膜电容器(polyester film capacitor)
- N:聚酰亚胺薄膜电容器(polyimide film capacitor)
- S:固体电解电容器(solid electrolytic capacitor)
3. 电容器型号中的其他字母和数字则有可能代表其他一些特性,比如电压、封装规格等。

例如:
- 104:表示电容量为100nF(10的4次方)
- 25V:表示电容器的额定电压为25V
- A/B/C:表示封装规格,不同的字母代表不同的封装方式。

总之,国巨电容的型号中字母和数字的组合代表了电容器的各种
特性,可以根据需要选择合适的型号。

电容器的型号与参数

电容器的型号与参数

电容器的型号与参数电容器的型号与参数一、电容器的主要参数1、容量1.直标法:直标法是指在电容器的表面直接用数字或字母标注出标称容量、额定电压等参数的标注方法。

2. 字母与数字的混合标注法①该种标注法的具体内容是:用2~4位数字和一个字母混合后表示电容器的容量大小。

其中数字表示有效数值,字母表示数值的量级。

常用的字母有m、μ、n、p等。

字母m表示毫法,μ表示微法、n表示毫微法、p表示微微法。

如:100m表示标称容量为100mF=100000μF、10μ 表示标称容量为10μF、10n 表示标称容量为10nF=10000pF、10p 表示标称容量为10pF。

②字母有时也表示小数点如:3μ3表示标称容量为3.3μF、3F32表示标称容量为3.32F、2p2 表示标称容量为2.2pF。

③有的是在数字前面加R或P等字母时,表示零点几微法。

如:R22表示标称容量为0.22μF、P50 表示标称容量为0.5pF。

3. 三位数字的表示法三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。

如:102表示标称容量为1000pF、221表示标称容量为220pF。

在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10-1来表示容量大小。

如:229表示标称容量为22× 10-1pF=2.2pF。

4. 四位数字的表示法四位数字的表示法也称不标单位的直接表示法。

这种标注方法是用1~4位数字表示电容器电容量,其容量单位为pF。

如用零点零几或零点几表示容量时,其单位为μF。

如:3300表示标称容量为3300pF;680表示标称容量为680pF;7表示标称容量为7pF。

在电路图中电容器容量单位的标注规则当电容器容量大于100pF,而又小于1μF时,一般不标注单位,没有小数点时其单位是pF,有小数点时其单位是μF。

电容器主要参数的标注方法

电容器主要参数的标注方法
电容器主要参数的标注方法
直标法 数码标注法 色标法
直标法
电解电容器或体积较大的无极性电容器: 标称容量、额定电压及允许偏差。
体积较小的无极性电容器: 容量单位: 标称容量、额定电压及允许偏差。
1p2表示1.2 pF ; 10n表示0.01 μF; 简略方式 (不标注容量单位):
1n表示1 000 pF; 2μ2表示 2.2 μF; 9999 ≥有效数字 ≥1时, 容量单位为pF ; 有效数字<1 时容量单位为μF。
如: 1.2、10、100、1000、3300、6800等容量单位均为pF 0.1、 0.22、0.47、0.01、 0.022、0.047等容量单位均为μF 允许偏差: 普通电容:±5%(I,J)、±10%(II,k)、 ±20%(III,M) 精密电容:±2%(G)、±1%(F)、±0.5%(D)、±0.25%(C)、 ±0.1%(B)、±0.05%(W)
色标法
色标法:在电容器上标注色环或色点来表示电容量及允许偏差。
四环色标法:第一、二环表示有效数值,第三环表示倍乘数, 第四环表示允许偏差(普通电容器)。
五环色标法:第一、二、三环表示有效数值,第四环表示倍乘数, 第五环表示允许偏差(精密电容器)。
如: 棕、黑、橙、金 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±5% 棕、黑、黑、红、棕 表示其电容量为 0.01 μF,允许偏差为±1%
额定电压: 6.3V、10V、16V、25V、32V、50V、63V、 100V、160V、250V、400V、 450V、500V、630V、1000V、1200V、1500V、1600V、1800V、2000V等。
数码标注法
数码标注法一般为三位数码表示电容器的容量,单位pF 。 其中前两位数码为电容量的有效数字,第三位为倍乘数,但 第三位倍乘数是9时表示×10 1。 如: 101

【转载】电容器、电阻器的计量单位及标注方法

【转载】电容器、电阻器的计量单位及标注方法

【转载】电容器、电阻器的计量单位及标注方法一、电容器的单位及标注方法电容器的标称电容量和允许误差一般都标在其外壳上。

在电路图上通常只标出电容器的标称值,如果电路对电容器的耐压有所要求,还会标出电容的耐压。

电容器的标称电容量和允许误差的标示方法有四种,即字母数字混合标示法(又称为文字符号法)、直接标示法、色码标示法和数码标示法。

1.字母数字混合标示法这是国际电工委员会推荐的标注方法,也称为文字符号法。

这种方法是用阿拉伯数字和文字符号(单位字母)的组合来表示标称电容量。

其中数字表示电容量的有效数值,字母表示数值的单位(量级)。

在文字符号(单位字母)前面的数字表示整数值,后面的数字表示小数值。

电容器标称值的单位标志符号见下表所示字母有时既表示单位也表示小数点。

例如:·33m表示33mF(33mF=33 000uF)。

·2m2表示2.2mF(2.2mF=2 200uF)。

·3u3表示3.3uF。

·u22表示0.22uF。

·ul0表示0.1uF。

·47n表示47nF(47nF一0.047uF)。

·5nl表示5.1nF(5.1nF=5 100pF)。

·2p2表示2.2pF。

·1p0表示lpF。

2.数字直接标示法这种方法是用1~4位数字表示电容量,不标注单位。

(1)当数字部分大于l时,其单位为pF(皮法)。

例如:·3 300表示3 300pF。

·680表示680pF。

.7表示7pF。

(2)当数字部分大于0小于l时,其单位为uF(微法)。

例如:·0.056表示0.056uF。

·0.1表示0.1uF。

3.数码标示法这种方法一般用3位数字表示电容量的大小。

3位数字中的前面2位数字为电容器标称容量的有效数字,第3位数字表示10的n次方(即有效数字后面零的个数)。

它们的单位是pF。

注意:在n=0~7时是表示l0的n次方,特殊情况是当n=9时,不表示l0的9次方,而表示为10的一l次方(10_1=0·1),n=8时是l0的一2次方(10-2=0.01)。

电容器型号规格

电容器型号规格

电容器型号规格装置能在1.1倍额定电压的稳态过电压下长期运行;装置能在方均根值不超过1.3倍电容器组额定电流的过电流下连续运行;装置采用无重击穿的高压断路器,并装有氧化锌避雷器,以限制投切电容器组时产生的操作过电压;6kV、10kV装置选用真空负荷开关、真空断路器或SF6型断路器来作电容器组的投切开关。

对于小电容量的电容器组,且需分组投切的采用真空接触器,对于大电容量的电容器组应采用真空断路器或SF6型开关;装置选用干式空心电抗器接装置电源侧或干式铁芯电抗器接装置中性点侧,用以限制合闸涌流,抑制高次谐波,改善网络电压波形。

额定电抗率为0.5-1,的电抗器用于限制合闸涌流;额定电抗率为5,6,电抗器用于抑制5次及以上谐波和限制合闸涌流。

额定电抗率为12,13,者用于抑制3次及以上谐波和限制合闸涌流;装置选用FD型放电线圈,可在5s内将电容器组的剩余电压自额定电压峰值降至0.1倍额定电压以下;根据系统及用户的需要,装置可采用就地控制或主控制室,集中控制,或自动控制等方式;装置采用单台电容器熔断保护为主保护,开口三角电压、电压差动、中线不平衡电流保护作为后备保护,此外装置还设有过流、过压、失压保护。

这些保护的实现也可以选用较好性能的微机电容器保护监控装置,以实现对电容器继电保护的要求。

结构6~10kV装置由高压开关柜(包括断路器、高压隔离开关、电流互感器、继电保护、测量仪表)、串联电抗器、放电线圈、氧化锌避雷器、接地开关、单台电容器保护用熔断器、并联电容器及连接母线和钢构架组成。

双星形者还包括中线不平衡电流保护用电流互感器。

6~10kV装置高压开关柜装在开关室内,电容器器组和串联电抗器等设备的布置分为: 户内柜式、框架式、集合式三种。

a、户内柜式电容器组按不同容量规格,由一台进线柜和数台电容器柜组合而成。

进线柜内装设放电线圈、接地开关及氧化锌避雷器。

电容器柜内包括并联电容器、单台电容器保护用熔断器,门板上带透明观察窗。

电容器规格型号的标注

电容器规格型号的标注

电容器规格型号的标注1 引言电容器的型号和规格一般应按国家有关标准来标注。

根据目前市场供应情况也有按国外型号标注的,在标注顺序上略有不同。

本公司按下述方法标注。

2 电容器规格型号的标注2.1 标注顺序电容器一般按下述顺序标注“型号 -(尺寸代号)-(温度系数或特性)- 额定电压 - 标称容量 - 允许偏差 -(其他)”其中有些项可能省略。

国外电容器的标注顺序各不相同,例如额定电压在允许偏差后面。

2.2型号国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。

例如——CC4表示1类多层(独石)瓷介电容器——CT4表示2类多层(独石)瓷介电容器——CC41表示片状1类多层(独石)瓷介电容器——CT41表示片状2类多层(独石)瓷介电容器——CA45表示片状固体钽电解电容器电容器的具体型号和技术参数可参考有关手册。

注意,不同厂家生产的同型号电容器在尺寸和性能指标略有差别。

若有影响,需加限制条件。

市场上有国外型号的电容器,若要选用需说明其所属的国家和厂家。

2.3 尺寸代号片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示,这是按英寸(0.01in)计的表示法,片状瓷介电容器用此法表示。

还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示,这是按毫米(0.1mm)计的表示法,片状钽电解电容器用此法表示。

绘制印制板图时应注意它们尺寸的区别。

带引出线的电容器的尺寸代号不同的厂家不统一,不好标注。

一种办法是按生产厂手册标注,但必须同时注明生产厂。

另一种办法是不标注尺寸代号,适用于对外型尺寸无严格要求场合,若有要求可以在“其他”项标注对外形尺寸的限制要求,例如限高、限引线间距等。

2.4 温度系数或特性瓷介电容器和云母电容器要标注温度系数或特性,因为瓷介电容器和云母电容器有多种的温度特性。

其他电容器的电容量不用标注温度系数或特性。

本公司基本不用云母电容器,其温度特性表示方法请参考有关手册。

电容规格介绍

电容规格介绍

电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型 (10 5℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 08 05, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000u F, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KH z. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-2 0%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF 以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5 V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF 电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+8 5℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.2楼D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型 (即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D. 金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低, 可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.安规电容器X Cap及 Y Cap 附加说明1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3 phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 for AC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF. small to limit AC leakage current. Y1 for double insulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basic insulation im pulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removed from its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level. Per UL 1950, voltage across a capac itance greater than 0.1 μF must decay to 37% of the ac-input peak voltage i n 1 second for type A equipment and 10 seconds for type B equipment. IEC 6 1010-1 requires that the pins not be hazardous (live) at 5 seconds after discon nection from the supply.各类电容器参考规格电解质电容 Electrolytic Capacitor种类 (Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm (Ultra-Mini) 5mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf 0.1-220uf∙2007-6-24 20:40∙回复3楼容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <= 0.01 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24种类 (High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm (Mini / Low leakage) 7 mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.002CV或0.4uA < =0.002CV或0.4uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24种类 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm (Low ESR)额定电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差 (120Hz) M M M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃ -40℃--+10 5℃漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor种类 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.) Electrolytic (Non-polar) Tant alun Chip电容值范围 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf额定电压范围 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V容值误差范围 M M M K / M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA 0.01 CV 或 5 uA损失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类 Polyester 聚乙烯 Metallized Polyester Polystrene 聚乙脂电容值范围 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V 容值误差范围 J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No / MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类 Polypropylene 聚丙烯 Metallized Polypropylene Metallized Polypropylen e 金属化聚丙烯电容值范围 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC容值误差范围 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec. DC 2000V / 1Sec. Inductive / 代号 No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MP No / MPX (X2 Cap.)Acros s the line cap.陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号 0402 0603 0805 1206尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W额定电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V温度系数 COG (NPO) X7R Y5V容值范围 <=220pf温度范围 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃容值误差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 MD值 (1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容 Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120) SL (+350/_1000)容值范围 <=680pf <=680pf <=680pf温度范围 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃容值误差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值 (1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C >30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55% F(Z5V) +30/-80%容值范围 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 50/63/100/500/630/1KVD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55% F(Y5V) +30/-80%容值范围 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 16/25/50/63VD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05。

电容的标识和容量

电容的标识和容量

瓷片电容的容量标识是这样的:它用三位数字表示,三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是p F;例如102就是10×100pF其中的100就是指10的2次方在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10-110的负1次方来表示容量大小;如:229表示标称容量为22x10-1pF=2.2pF101就是100PF还可以表示为0.1nf或0.0001UF102就是1000PF151---150PF---0.15nf---0.00015UF561---560p682---6800PF--6n2----0.0062UF103---10000PF---10n---0.01UF104---100000PF---100n---0.1UF105---1000000PF---1000n---1UF525---5200000PF---5200n---5.2UF一、简介电容既不产生也不消耗能量,是储能元件;在电路里,电容跟电阻一样的常用;常见的电容按制造材料的不同可以分为:瓷价电容、涤纶电容、电解电容、钽电容,还有先进的聚丙希电容等等,它们各有不同的用途;例如,瓷价常用于高频,电解用于电源滤波等;上图举出了一些例子;其中,电解电容有正负之分,其他都没有;电容的容量单位为:法F、微法uf,皮法pf;一般我们不用法做单位,因为它太大了;各单位之间的换算关系为:1F=1000000uf1uf=1000000pf 在使用中,还经常见到单位:nf;1uf=1000nf1nf=1000pf二、电容的容量标识的几种方法1、直接标识:如上图的电解电容,容量47uf,电容耐压25v;2、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即4.7nf,转换为pf即为4700pf;还有的例如:10n,即0.01uf;33n,即0.033uf;后面的63是指电容耐压63v.3、数学计数法:如上图瓷介电容,标值104,容量就是:10X10000pf=0.1uf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf;后面的4、3,都表示10的多少次方;又如:332=33X100pf=3300pf;电容的使用,都应该在指定的耐压下工作;现在的好多质量不高的产品,就因为使用了耐压不足的电容而引起故障常见电容爆裂;电容器耐压值标示方法:电容耐压等极:16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,630V,1000V,1250V,2000V,3000V到更高耐压,实际的电容有的电容器耐压值只写上"1250"不写1250V;下面竖外公司电容器耐压表示识别方法:注:字符代码说明英文字母表示有效数;英文字母前的阿拉伯数字表示数量级;1表示101即10,2表示10即100,3表示10即1000;例:2J222J含意是耐压630V容量2200P精度±5%在如:2G473K含意是耐压400V电容器的容量0.047μf精度±10%.电容量标注象电阻那样有一个规律,通常是10,22,33,47,56,68,82,100进级,就凭这点很容易与耐压值区分开;1名称:聚酯涤纶电容CL符号:电容量:40p--4u额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路2名称:聚苯乙烯电容CB符号:电容量:10p--1u额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路3名称:聚丙烯电容CBB符号:电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路4名称:云母电容CY符号:电容量:10p--0;1u额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路5名称:高频瓷介电容CC符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路6名称:低频瓷介电容CT符号:电容量:10p--4;7u额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路7名称:玻璃釉电容CI符号:电容量:10p--0;1u额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温200度应用:脉冲、耦合、旁路等电路8名称:铝电解电容符号:电容量:0;47--10000u额定电压:6;3--450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等9名称:钽电解电容CA铌电解电容CN符号:电容量:0;1--1000u额定电压:6;3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容10名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等11名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等12名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿13名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0;3--22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路14名称:独石电容电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等;应用范围:广泛应用于电子精密仪器;各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路;容量范围:0.5PF--1UF 耐压:二倍额定电压;独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0;2U,另一种II型,容量大,但性能一般;独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.15安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全.安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级IEC664X1>2.5kV≤4.0kVⅢX2≤2.5kVⅡX3≤1.2kV——16安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围Y1双重绝缘或加强绝缘≥250VY2基本绝缘或附加绝缘≥150V≤250VY3基本绝缘或附加绝缘≥150V≤250VY4基本绝缘或附加绝缘<150VY电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的;GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF;Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象,Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义安规电容的参数选择X电容,聚苯乙烯薄膜乙烯电容,从上面的贴子里也可以看到,聚苯乙烯的耐电压较高,适合EMI电路的高压脉冲吸收作用;2.容量计算:一般两级X电容,前一级用0.47uF,第二基用0.1uF;单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法;电容容量的大小和电源的功率无直接关系①铝电解电容与钽电解电容铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感;它适用于温度变化不大、工作频率不高不高于25kHz的场合,可用于低频滤波;铝电解电容具有极性,安装时必须保证正确的极性,否则有爆炸的危险;与铝电解电容相比,钽电解电容在串联电阻、感抗、对温度的稳定性等方面都有明显的优势;但是,它的工作电压较低;②纸介电容和聚酯薄膜电容其容体比较小,串联电阻小,感抗值较大;它适用于电容量不大、工作频率不高如1MHz以下的场合,可用于低频滤波和旁路;使用管型纸介电容器或聚酯薄膜电容器时,可把其外壳与参考地相连,以使其外壳能起到屏蔽的作用而减少电场耦合的影响;③云母和陶瓷电容其容体比很小,串联电阻小,电感值小,频率/容量特性稳定;它适用于电容量小、工作频率高频率可达500MHz的场合,用于高频滤波、旁路、去耦;但这类电容承受瞬态高压脉冲能力较弱,因此不能将它随便跨接在低阻电源线上,除非是特殊设计的;④聚苯乙烯电容器其串联电阻小,电感值小,电容量相对时间、温度、电压很稳定;它适用于要求频率稳定性高的场合,可用于高频滤波、旁路、去耦;就温漂而言:独石为正温系数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.电容的型号命名1各国电容器的型号命名很不统一,国产电容器的命名由四部分组成:第一部分:用字母表示名称,电容器为C;第二部分:用字母表示材料;第三部分:用数字表示分类;第四部分:用数字表示序号;2电容的标识方法:1直标法:用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上;2文字符号法:用数字、文字符号有规律的组合来表示容量;文字符号表示其电容量的单位:P、N、u、m、F等;和电阻的表示方法相同;标称允许偏差也和电阻的表示方法相同;小于10pF的电容,其允许偏差用字母代替:B——±0.1pF,C——±0.2pF,D——±0.5pF,F——±1pF;3色标法:和电阻的表示方法相同,单位一般为pF;小型电解电容器的耐压也有用色标法的,位置靠近正极引出线的根部,所表示的意义如下表所示:颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V4进口电容器的标识方法:进口电容器一般有6项组成;第一项:用字母表示类别:第二项:用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系;第三项:温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差1A金+100R黄-2202B灰+30S绿-3303C黑0T蓝-4704G±30U紫-7505H棕-30±60V-10006J±120W-15007K±250X-22008L红-80±500Y-33009M±1000Z-470010N±2500SL+350~-100011P橙-150YN-800~-5800备注:温度系数的单位10e-6/℃;允许偏差是%;第四项:用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂;第五项:标称容量,用三位数字表示,前两位为有效数值,第三为是10的幂;当有小数时,用R或P表示;普通电容器的单位是pF,电解电容器的单位是uF;第六项:允许偏差;用一个字母表示,意义和国产电容器的相同;也有用色标法的,意义和国产电容器的标志方法相同;3.电容的主要特性参数:1容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围;一般分为3级:I 级±5%,II级±10%,III级±20%;在有些情况下,还有0级,误差为±20%;精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级;常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同;用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I 级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%;2额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压;对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大;3温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值;温度系数越小越好;4绝缘电阻:用来表明漏电大小的;一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆;电解电容的绝缘电阻一般较小;相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小;5损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量;这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗;通常用损耗角正切值来表示;6频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质;在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小;损耗也随频率的升高而增加;另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能;所有这些,使得电容器的使用频率受到限制;不同品种的电容器,最高使用频率不同;小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ逆程电容一种常用的电容器,一般用铝箔和聚苯乙烯俗称涤纶卷成,然後用特殊的蜡烧结,并引出引线,耐压很高,击穿电压有的高达15KV,在电视机、阴极射线管中有广泛应用,日光灯启辉器里的电容器也是逆程电容;与整流高压矽堆一种二极管,能耐受极高的反向电压结合,把用升压变压器提供的高压交流整流为显像管能接受的高压直流;国产电容器的型号一般由四部分组成不适用於压敏、可变、真空电容器;依次分别代表名称、材料、分类和序号;第一部分:名称,用字母表示,电容器用C;第二部分:材料,用字母表示;第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示;第四部分:序号,用数字表示;用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。

引线型铝电解电容器产品型号的表示方法

引线型铝电解电容器产品型号的表示方法
此次,新追加规定了端子加工代码 (BD),以明确判 断端子弯曲方向。 请根据使用条件选择合适的端子加工代码后发行订单。
分类
形状・内容
代码
直线类型
LL
CC (3.5mm)
C3
端 子 加 工
︵ 散 装 品 ︶
CC (5.0mm)
C5
FC 切割类型
IJ
爪式类型φD=5~8
FM
爪式类型φD=10~18 MC
BC 横置类型
BD
直线类型
TD

平缓弯曲

直线类型 (1孔)
TE
弯曲 (F=5.0mm)
TC
端子加工、编带规格请阅览「产品指南」。
●端子加工代码:MC (爪式类型) 适用尺寸φD=10~18
引线长度
A
φD
A・B
φd
P
10~12.5 3.2±0.5
0.6
5.0±0.5
14.5~18 3.2±0.5
0.8
7.5±0.5
φd P±0.5
φd
φD
P±0.5
φD
4.5+ー10.0 2max.
●端子加工代码:BC (横置类型)(注1) 适用尺寸φD=10~18
引线型鋁电解电容器产品型号的表示方法
(例:KMQ系列 450V100μF φ18×40L 散装长脚品)
分类 代码 有极性 双极性
系列名 KMQ KY
代码 KMQ KY-
形状 引线型
代码 E
容许差 (%) ±20
-10~+20
代码 M V
套管材质 端子镀层材质 代码
PET
Sn-Bi
D
Sn
S

瓷片电容上标注的数字、字母含义

瓷片电容上标注的数字、字母含义

瓷片电容上标注的数字、字母含义江苏省泗阳县李口中学沈正中瓷片电容有高压瓷片电容和普通瓷片电容,普通瓷片电容耐压过去标准是50V,现为63V,高压瓷片电容器有几百伏的,有几千伏的,一般在容值下面标出。

如:0.022j250V瓷片电容是0.022uF,容量误差5%,250V。

普通瓷片电容,标有如“224j”的是容量和误差,224是220000pF,即0.22μF,j代表容量误差为5%。

容量误差有:F级±1%,G级±2%,J级±5%,K级±10%,M级±20%。

电容耐压值是用1位数字和1个字母表示的,如:2G472J,头两位2G是表示耐压400V,后面的表示容量与误差,可对照下表查阅:电容器耐压的标注有两种常见方法,一种是把耐压值直接印在电容器上,另一种是采用一个数字和一个字母组合而成,数字n表示×10n的幂指数,字母表示数值,单位是V。

如: 1J代表6.3×101=63V;2F代表3.15×102=315V;3A代表1.0×103=1000V;1K代表8.0×101=80V;数字最大为4,如4Z代表9×104 V。

如图示的电容2A103J是100V10000PF,即100V0.01μF、2A103J是100V100000PF,即100V0.1μF、3A152J是3000V1500PF,即3000V1500P。

只标有容量未标出耐压的,默认耐压为63V,举列如104K,就是100000PF/63V;274K 200就是270000PF/200V ;MPPS392J2000V 这是在电容上直接标出那么我们只看392J就是3900PF/2000V,前面的MPP是电容的规格说明他的种类,再如CBB12.200. 180nJ,我们只看180n就是18nf即18纳法,耐压200V,CBB12是型号。

cctc电容规格

cctc电容规格
cctc电容规格
CCTC(Ceramic Chip Capacitor)电容是一种常见的电子元件,常用于电路中的电容器 。其规格通常包括以下几个方面:
1. 容值(Capacitance):电容的容量大小,单位为法拉(F)。常见的CCTC电容容值范 围从几皮法拉(pF)到数微法拉(μF)不等。
2. 额定电压(Rated Voltage):电容器所能承受的最大电压值,单位为伏特(V)。额 定电压应大于或等于电路中的工作电压,以确保电容器的正常使用。

cctc电容规格
3. 尺寸(Size):CCTC电容的外形尺寸,通常以长度(L)、宽度(W)和高度(H)来 表示,单位为毫米(mm)。
4. 极间距离(Lead Spacing):引线间的距离,即引线的间距。极间距离影响着电容器 的安装和焊接方式。
5. 允许偏差(Tolerance):电容值的允许误差范围。例如,如果电容值为10μF,允许偏 差为±10%,则实际电容值可在9μF至11μF之间。
cctc电容规格
6. 工作温度范围(Operating Temperature Range):电容器能够正常工作的温度范围 。常见的工作温度范围为-40°C至+85°C或-55°C至+125°C。
以上是一些常见的CCTC电容规格,具体的规格参数可能因不同的电容器型号和制造商而有 所变化。在选择CCTC电容时,需要根据具体的电路设计要求和应用场景来确定合适的规格。

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法:1.直标法指在电容器的表面直接用数字和单位符号或字母标注出标称容量和耐压等。

例某电容器上标CD—1、2200μF、35V,表示这是一个铝电解电容器,标称容量为2200μF,耐压为35V。

某电容器上标CA1—1、2.2±5%、DC63V,表示这是一个钽电解电容器,标称容量为2.2μF,允许误差为±5%,直流耐压为63V。

2.数字加字母标注法指用数字和字母有规律的组合来表示容量,字母既表示小数点,又表示后缀单位。

例 p10表示0.1pF 1p0表示1pF 6P8表示6.8pF2μ2表示2.2μF 7p5表示7.5 pF 2n2表示2.2nF8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μF G1表示100μF 3.数码标注法数码标注法多用于非电解电容器的标注,它采用三位数标注和四位数标注:1)三位数标注法采用三位数标注的电容器,前两位数字表示标称值的有效数字,第三位表示有效数字后缀零的个数,它们的单位是pF。

这种标注法中有一个特殊的,就是当第三位数字是9时,它表示有效数字乘以10-1。

例102表示标称容量是1000pF,即1nF;473表示标称容量是47000pF,即47nF。

479表示标称容量是4.7pF。

2) 四位数标注法采用四位数标注的电容器不标注单位。

这种标注方法是用1~4位数字表示电容量,其容量单位是pF;若用0.0X或0.X时,其单位为μF。

例 47表示标称容量是47 pF ;0.56表示标称容量是0.56μF 。

采用数码标注的,有些后面带的还有字母,它表示允许误差。

识别方法:D——±0.5% F——±1% G——±2%J——±5% K——±10% M——±20%例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。

4.电容器容量允许误差的标注方法电容器容量允许误差的标注方法主要有三种:1)用字母表误差识别方法:B——±0.1% C——±0.25% D——±0.5%F——±1% G——±2% J——±5%K——±10% M——±20% N——±30%例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。

钽电容227a

钽电容227a

钽电容227A是一种规格型号的钽电容器,通常用于电子电路中的滤波、耦合、绕组和存储电容等应用。

该规格表示钽电容器的参数和特性,具体解释如下:
227:表示电容器的容量,单位为μF(微法拉)。

在这种情况下,容量为227 μF,即227微法拉。

A:表示电容器的公差等级或尺寸规格。

这里的"A"具体指的可能是一种电容器的尺寸和构造规格,通常在不同制造商之间可能存在差异。

钽电容器由钽金属作为电极材料,带有一层绝缘层和电解质,并封装于外壳中。

它具有较高的电容密度、低ESR(等效串联电阻)和低漏电流,适用于需要高电容量和高稳定性的应用。

使用钽电容227A时,需要注意其额定电压和工作温度范围,以确保电容器在正常条件下工作。

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电容器规格型号的标注1 引言电容器的型号和规格一般应按国家有关标准来标注。

根据目前市场供应情况也有按国外型号标注的,在标注顺序上略有不同。

本公司按下述方法标注。

2 电容器规格型号的标注2.1 标注顺序电容器一般按下述顺序标注“型号 -(尺寸代号)-(温度系数或特性)- 额定电压 - 标称容量 - 允许偏差 -(其他)”其中有些项可能省略。

国外电容器的标注顺序各不相同,例如额定电压在允许偏差后面。

2.2型号国产电容器的型号命名按“GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法”规定。

例如——CC4表示1类多层(独石)瓷介电容器——CT4表示2类多层(独石)瓷介电容器——CC41表示片状1类多层(独石)瓷介电容器——CT41表示片状2类多层(独石)瓷介电容器——CA45表示片状固体钽电解电容器电容器的具体型号和技术参数可参考有关手册。

注意,不同厂家生产的同型号电容器在尺寸和性能指标略有差别。

若有影响,需加限制条件。

市场上有国外型号的电容器,若要选用需说明其所属的国家和厂家。

2.3 尺寸代号片状电容器的尺寸代号常用“0603”、“0805”、“1206”等表示,这是按英寸(0.01in)计的表示法,片状瓷介电容器用此法表示。

还有用EIA代码如“2012”、“3216”等表示,这是按毫米(0.1mm)计的表示法,片状钽电解电容器用此法表示。

绘制印制板图时应注意它们尺寸的区别。

带引出线的电容器的尺寸代号不同的厂家不统一,不好标注。

一种办法是按生产厂手册标注,但必须同时注明生产厂。

另一种办法是不标注尺寸代号,适用于对外型尺寸无严格要求场合,若有要求可以在“其他”项标注对外形尺寸的限制要求,例如限高、限引线间距等。

2.4 温度系数或特性瓷介电容器和云母电容器要标注温度系数或特性,因为瓷介电容器和云母电容器有多种的温度特性。

其他电容器的电容量不用标注温度系数或特性。

本公司基本不用云母电容器,其温度特性表示方法请参考有关手册。

瓷介电容器的温度特性有多种表示方法,目前比较多采用美国电子工业协会(EIA)标准。

其中1类瓷介电容器(高频瓷介电容器)用温度系数表示,2类瓷介电容器(中频或低频瓷介电容器)用温度特性表示。

2.4.1 电容量的温度系数1类瓷介电容器电容量的温度系数是在规定温度范围内测得的电容量随温度的变化率。

以10-6/℃为单位,比较常用的写为ppm/℃。

2.4.1.1 EIA标准用“字母—数字—字母”这种代码形式来表示1类瓷介电容器的温度系数,如下表:a b c d e f温度系数的有效数字ppm/℃a列的代码a列的乘数c列的代码误差范围ppm/℃e列的代码0.01.01.52.23.34.7 7.5 CMPRSTU-1-10-100-1000-10000+1+10+100+1000+10000123456789±30±60±120±250±500±1000±2500GHJKLMN例如用“C0G”,表示温度系数为-0ppm/℃±30ppm/℃,也就是MIL标准中的“NP0”(负—正—零)。

2.4.1.2 “代码1-代码2”代码形式,如下表:标称温度系数允许偏差代码1 温度系数ppm/℃代码2偏差ppm/℃C P S T U SL UM-0-150-330-470-750-1000~+140-1750~+140GHJK±30±60±120±250例如代码“CG”,表示温度系数为-0ppm/℃±30ppm/℃,也就是EIA的“C0G”。

2.4.1.3 下表是国内曾规定过的高频瓷介电容器电容温度系数系列和颜色标记,本公司未见使用,仅供参考。

电容温度系数10-6/℃+120 ±30+30 ±300 ±30-33 ±30-47 ±30-75 ±30-150 ±40 -220 ±?代码 A U O K Q B D N 颜色标记兰灰黑褐浅兰白橙底白色黄电容温度系数10-6/℃-330 ±?-470 ±?-750 ±?-1500±?-2200±400 -4700±800 不规定代码J I H L Z R C 颜色标记绿底黄色青红绿??橙2.4.2 电容量的温度特性二类瓷介电容器用温度特性表示在规定范围内所出现的电容量最大可逆变化。

通常以20℃或25℃为基准温度的电容量的百分比表示。

2.4.2.1 EIA标准用“字母—数字—字母”这种代码形式来表示2类瓷介电容器的温度特性如下表:a b c d e f下限工作温度℃a列的代码上限工作温度℃c列的代码最大容量变化率±%ΔCe列的代码+10 -30 -55 ZYX+45+65+85+105+125+1502456781.01.52.23.34.77.5101522+22~-23+22~-56+22~-82GHJKLMPRSTUVX7R——表示-55℃~+125℃内ΔC最大值±15%Y5V——表示-30℃~+85℃内ΔC最大值+22~-82%Z5U——表示+10℃~+85℃内ΔC最大值+22~-56%也有将X7R称为2类瓷介电容器,或称为中频瓷介电容器;将Y5V和Z5U称为3类瓷介电容器,或称为低频瓷介电容器。

选择2类瓷介电容器时要考虑其工作温度和容量变化,特别是低温时的特性。

必要时可以从手册上查特性曲线后再判断。

一般情况下不要采用Z5U系列(Z5U系列工作温度+10℃~+85℃)。

2.4.2.2 “代码1-代码2”代码形式,如下表:代码1最大允许变化代码2温度范围℃不加U R加U R2C 2D 2E 2F 2R 2X±20%+20%~-30%+22%~-56%+30%~-80%±15%±15%+20%~-30%+20%~-40%+22%~-70%+30%~-90%+15%~-40%+15%~-25%12345-55~+125-55~+85-40~+85-25~+85+10~+85例如代码“2X1”,表示表示-55℃~+125℃内最大允许变化±15%,相当于EIA的“X7R”。

2.4.3 介质材料有些手册用介质材料代号代替温度特性代码。

有如下对应关系介质材料代号CG或N X或B Y或F Z或E温度特性代码C0G或NP0 X7R Y5V Z5U2.5 额定电压额定电压采用直标法。

如:16V、50V、63V、100V等。

也有采用代码法的,用字母或数字表示。

2.5.1 瓷介电容器额定电压不同表示方法。

额定电压Edc直标法三位数表示代码(日本)太阳诱电KEMET4V 4R0 0G A6.3V 6R3 0J J 910V 100 1A L 816V 160 1C E 425V 250 1E T 335V 350 1V G50V 500 1H U 5100V 101 2A H 1200V 201 2D 2250V 251 2E Q300V 301 YD500V 501 2H C630V 631 2J S1kV 102 3A D2kV 202 3D G代码法不如直标法直观,本公司采用直标法。

2.5.2 CA45片状钽电解电容器额定电压的代码CA45片状钽电解电容器上有两个主要标记:电容量代码和额定电压。

额定电压可能直标,也可能标代码。

下表供判断实物时参考。

额定电压4V 6.3V 10V 16V 20V 25V 35V 50V 代码G J A C D E V H2.6 标称值2.6.1 标称值(以pF计)表示办法有几种表示法,例如:三位数字表示法102、直标法1000pF。

本公司推荐三位数字表示法:──用三位数字表示,前两位表示有效数字,第三位表示零的个数。

──小数点用p表示。

例:1000pF,表示为“102”;100pF,表示为“101”;10pF,表示为“10p”;1pF,表示为“1p0”;0.5pF,表示为“0p5”。

2.6.2电容量有效数字的优先数系列(标称阻值系列)如下:E24 E12 E6 E24 E12 E6 E24 E12 E61.0 1.1 1.2 1.3 1.5 1.61.82.0 1.01.21.51.81.01.52.22.42.73.03.33.63.94.32.22.73.33.92.23.34.75.15.66.26.87.58.29.14.75.66.88.24.76.82.7 允许偏差电容量的允许偏差用字母代码表示。

还有其他的表示办法,例如直标法:±5%、±10%等。

本公司采用字母代码法。

不填写允许偏差,默认为小于或等于该产品的可能的最大偏差。

按“GB/T2691-94电阻器和电容器的标志代码4.1”,有下列规定。

2.7.1对称百分数的允许偏差电容量的允许偏差应用下列字母表示:允许偏差%字母代码允许偏差%字母代码±0.005 E±0.01L ±1 F±0.02P ±2G±0.05W ±5J±0.1 B ±10K±0.25 C ±20M±0.5 D ±30N 这些字母代码应放在电容量的后面(下同)。

注意:电容量在10pF以下的允许偏差另有规定(见2.7.3)。

2.7.2非对称百分数的允许偏差电容量的非对称允许偏差应采用下列字母:允许偏差%字母代码允许偏差%字母代码-10 +30 Q -20 +50 S-10 +50 T -20 +80 Z2.7.3 用对称固定值表示的允许偏差电容量在10pF以下的允许偏差应采用下列字母:允许偏差pF 字母代码允许偏差pF 字母代码±0.1 B ±1 F±0.25 C ±2G±0.5 D2.8 其他项若有需要可以在其他项补充。

例如:包装要求,对外形尺寸的限制要求,如限高、引线式样或引线间距等。

2009.4.21。

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