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计算机存储器的种类与工作原理

计算机存储器的种类与工作原理

计算机存储器的种类与工作原理在现代计算机系统中,存储器扮演着至关重要的角色。

它是用于存储和提取数据的设备,可以被看作是计算机的脑部。

存储器根据其工作原理和特征可以被分为多种类型。

本文将介绍几种常见的计算机存储器的种类与工作原理。

一、RAM (随机存取存储器)RAM是计算机中最常见的存储器之一。

它被用于存储当前的运行程序、临时数据以及操作系统所需的信息。

RAM具有易读易写的特点,可以在短时间内进行大量数据的读写操作。

它采用的工作原理是通过电流在内部的存储单元(或称为存储体)中进行数据的存储和读取。

在RAM中,每个存储单元都由一个电容和一个晶体管组成。

当电流通过晶体管时,电容的充放电状态代表了二进制数据的0或1。

由于RAM是易失性存储器,一旦计算机断电,其中的数据将会丢失。

因此,RAM通常被用作临时存储器。

二、ROM(只读存储器)ROM是一种只能被读取而不能被修改的存储器。

它用于存储计算机系统启动时所需的最基本的指令和数据。

ROM中的信息是由芯片制造商预先烧录的,用户无法修改其内容。

由于ROM是非易失性存储器,断电后其中的数据依然存在。

常见的ROM类型包括PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)。

EPROM和EEPROM可以通过特殊的操作进行擦除和重写,从而使得ROM的内容可以更新。

三、Cache (高速缓存)Cache是位于计算机处理器和主内存之间的一层高速存储器。

其作用是加快对数据的访问速度,以提高计算机系统的整体性能。

Cache采用了一种被称为缓存命中的机制,即将常用的数据和指令存储在离处理器更近的高速缓存中,从而减少了对主内存的访问次数。

Cache的工作原理可简单描述为以下几个步骤:当计算机需要访问数据时,首先会检查Cache中是否包含所需的数据。

如果存在,即发生了缓存命中,数据会被快速提取。

如果Cache中没有需要的数据,则需要从主内存中获取,并存储到Cache中,以便下次访问时可以更快地获取到。

计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM

计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM

计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM计算机基础知识:认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM计算机存储器是指计算机系统中用于存储数据和指令的设备,其中EPROM和EEPROM是两种常见的非易失性存储器类型。

本文将介绍EPROM和EEPROM的定义、特点以及它们在计算机系统中的应用。

一、EPROM的定义和特点EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) 是一种可以被擦除和重新编程的只读存储器。

它的主要特点如下:1. 非易失性:EPROM的数据可以在断电后长期保存,不会因为断电而丢失。

这使得EPROM非常适合存储那些需要长期保留的数据和指令。

2. 可擦除性:EPROM中的数据可以通过使用紫外线照射来擦除,也可以使用专门的擦除器进行擦除。

擦除之后,EPROM可以被重新编程。

擦除和重新编程的过程可以多次进行,但是每个EPROM只能进行有限次数的擦除和重新编程。

3. 只读性:在未擦除和重新编程之前,EPROM中的数据是只读的,无法进行修改。

这使得EPROM更加安全可靠,适用于存储那些需要保护而不希望被修改的数据和指令。

4. 容量较小:EPROM的存储容量相对较小,通常在几KB到几MB 的范围内。

这限制了EPROM在存储大量数据方面的应用。

二、EPROM的应用由于EPROM具有非易失性和只读的特点,它在某些应用中得到了广泛的应用。

以下是一些EPROM的常见应用:1. 系统固件:EPROM常用于存储计算机系统的固件,如BIOS (Basic Input Output System)。

这些固件在计算机启动时被加载,负责初始化硬件和提供基本的输入输出功能。

2. 音视频存储:EPROM可以用于存储音频和视频文件,如音乐合成器中的音乐数据、游戏机中的游戏数据等。

3. 电子设备配置:EPROM可以存储电子设备的配置信息和参数,如路由器、交换机等网络设备的配置信息。

ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别

ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别

ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中。

ROM内部的资料是在ROM的制造⼯序中,在⼯⼚⾥⽤特殊的⽅法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,⼀旦烧录进去,⽤ 户只能验证写⼊的资料是否正确,不能再作任何修改。

如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不⽤,重新订做⼀份。

ROM是在⽣产线上⽣产的,由于成本⾼,⼀般 只⽤在⼤批量应⽤的场合。

由于ROM制造和升级的不便,后来⼈们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。

最初从⼯⼚中制作完成的PROM内部并没有资料,⽤户可以⽤专⽤的编程器将⾃⼰的资料写⼊,但是这种机会只有⼀次,⼀旦写⼊后也 ⽆法修改,若是出了错误,已写⼊的芯⽚只能报废。

PROM的特性和ROM相同,但是其成本⽐ROM⾼,⽽且写⼊资料的速度⽐ROM的量产速度要慢,⼀般只 适⽤于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯⽚可重复擦除和写⼊,解决了PROM芯⽚只能写⼊⼀次的弊端。

EPROM芯⽚有⼀个很明显的特征,在其正⾯的陶瓷封装上,开有⼀个玻璃窗⼝,透过该窗⼝,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯⽚就可以擦除其内的数据,完成芯⽚擦除的操作要⽤到EPROM擦除器。

EPROM内资料的写⼊要⽤专⽤的编程器,并且往芯⽚中写内容时必须要加⼀定的编程电压(VPP=12—24V,随不同的芯⽚型号⽽定)。

EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是⼀⽚2M Bits容量的EPROM芯⽚。

EPROM芯⽚在写⼊资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗⼝封住,以免受到周围的紫外线照射⽽使资料受损。

鉴于EPROM操作的不便,后来出的主板上的BIOS ROM芯⽚⼤部分都采⽤EPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么?

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么?

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么?ROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺,一次性制造,其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉),不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的,优点是成本低、非常低,但是其风险比较大,在产品设计时,如果调试不彻底,很容易造成几千片的费片,行内话叫“掩砸了”!PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。

PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能,擦除后即可进行再编程,但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别,其封装中包含有“石英玻璃窗”,一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住,以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理

寄存器、RAM、ROM、Flash相关概念区别整理

寄存器寄存器是中央处理器内的组成部份。

它跟CPU有关。

寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令、数据和位址。

在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC)。

在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC)。

存储器存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴。

你所说的寄存器,内存,都是存储器里面的一种。

凡是有存储能力的硬件,都可以称之为存储器,这是自然,硬盘更加明显了,它归入外存储器行列,由此可见——。

内存内存既专业名上的内存储器,它不是个什么神秘的东西,它也只是存储器中的沧海一粟,它包涵的范围也很大,一般分为只读存储器和随即存储器,以及最强悍的高速缓冲存储器(CACHE),只读存储器应用广泛,它通常是一块在硬件上集成的可读芯片,作用是识别与控制硬件,它的特点是只可读取,不能写入。

随机存储器的特点是可读可写,断电后一切数据都消失,我们所说的内存条就是指它了。

CACHECACHE是在CPU中速度非常块,而容量却很小的一种存储器,它是计算机存储器中最强悍的存储器。

由于技术限制,容量很难提升,一般都不过兆。

ROM、RAM的区别:ROM(只读存储器或者固化存储器)RAM(随机存取存储器)ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),当数据被存入其中后不会消失。

SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了。

当这个SRAM 单元被赋予0 或者1 的状态之后,它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。

但是存储1bit 的信息需要4-6 只晶体管。

因此它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用

什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用

一、什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用什么是ROM,有什么作用简称:ROM 标准:Read Only Memory 中文:只读存储器只读存储器,这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变,计算机与使用者只能读取保存在这里的指令,和使用储存在ROM的数据,但不能变更或存入资料。

ROM被储存在一个非挥发性芯片上,也就是说,即使.Yco688 { display:none; } 简称:ROM标准:Read Only Memory中文:只读存储器只读存储器,这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变,计算机与使用者只能读取保存在这里的指令,和使用储存在ROM的数据,但不能变更或存入资料。

ROM被储存在一个非挥发性芯片上,也就是说,即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存,所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。

ROM储存用来激活计算机的指令,开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试,在最初的测试中,检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。

此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

什么是RAM,有什么作用简称:RAM标准:Random Access Memory中文:随机存储器随机存取内存,是内存(Memory)的一种,由计算机CPU控制,是计算机主要的储存区域,指令和资料暂时存在这里。

RAM是可读可写的内存,它帮助中央处理器 (CPU ) 工作,从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令,帮助CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ,以便日后仍可取用,也能主动把资料送到输出装置,例如打印机、显示器。

RAM的大小会影响计算的速度,RAM越大,所能容纳的资料越多,CPU读取的速度越快。

半导体存储器介绍

半导体存储器介绍

04
价格竞争: 各厂商通过 调整产品价 格来争夺市
场份额
05
市场趋势: 随着市场需 求的扩大, 市场竞争将
更加激烈
发展趋势
01
市场规模不断扩大,需 求持续增长
03
市场竞争激烈,企业并 购和整合频繁
05
政策支持,推动半导体 存储器产业发展
02
技术进步,存储密度和 速度不断提高
04
应用领域不断拓展,如 人工智能、物联网等
存储速度:半导体存储器的存储速度取 决于其内部电路的运行速度和数据传输 速度。
存储技术:半导体存储器有多种存储技术, 如DRAM、SRAM、Flash等,每种技术 都有其独特的存储容量和速度特点。
发展趋势:随着技术的进步,半导体存 储器的存储容量和速度也在不断提高, 以满足不断增长的数据存储需求。
半导体存储器市场
0 3 存储单元:由晶体管和电容器组 成,用于存储数据
0 4 存储方式:分为随机存取存储器 (RAM)和只读存储器(ROM)
0 5 存储容量:取决于存储单元的数 量和每个单元的存储能力
0 6 存储速度:取决于存储单元的访 问速度和数据传输速度
存储容量和速度
存储容量:半导体存储器的存储容量取 决于其内部存储单元的数量和每个存储 单元的存储容量。
数据不丢失
EEPROM(电可擦除
4
可编程只读存储器):
可擦除和重新编程,断
电后数据不丢失,速度
较慢
Flash Memory(闪
5
存):可擦除和重新编
程,断电后数据不丢失,
速度快,广泛应用于U
盘、SD卡等设备
半导体存储器特点
01
存储速度快:半导 体存储器的读写速 度远高于磁性存储

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍
1.基本存储电路
可擦除可编程的ROM又称为EPROM。它的基本存储单元的结构和工作原理如图4-12所示。
与普通的P沟道增强型MOS电路相似,这种EPROM电路在N型的基片上扩展了两个高浓度的P型区,分别引出源极(S)和漏极(D),在源极与漏极之间有一个由多晶硅做成的栅极,但它是浮空图图4-12 P沟道EPROM结构示意图的,被绝缘物SiO2所包围。在芯片制作完成时,每个单元的浮动栅极上都没有电荷,所以管子内没有导电沟道,源极与漏极之间不导电,其相应的等效电路如图4-12(b)所示,此时表示该存储单元保存的信息为“1”。
2.EPROM芯片Intel2716
Intel2716是一种2K×8的EPROM存储器芯片,双列直插式封装,24个引脚,其最基本的存储单元,就是采用如上所述的带有浮动栅的MOS管,其它的典型芯片有Ietel 2732/27128/27512等。
(1).芯片的内部结构
Intel2716存储器芯片的内部结构框图如图4-13(b)所示,其主要组成部分包括:
向该单元写入信息“0”:在漏极和源极(即S)之间加上十25v的电压,同时加上编程脉冲信号(宽度约为50ns),所选中的单元在这个电压的作用下,漏极与源极之间被瞬时击穿,就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。在高压电源去除之后,因为浮动栅被SiO2绝缘层包围,所以注入的电子无泄漏通道,浮动栅为负,就形成了导电沟道,从而使相应单元导通,此时说明将0写入该单元。
除此之外,还有一种熔丝式PROM,用户编程时,靠专用写入电路产生脉冲电流,来烧断指定的熔丝,以达到写入“1”的目的。
对PROM来讲,这个写入的过程称之为固化程序。由于击穿的二极管不能再正常工作,烧断后的熔丝不能再接上,所以这种ROM器件只能固化一次程序,数据写入后,就不能再改变了。

存储器介绍

存储器介绍

存储器介绍【字体:大中小】浏览量:14 我要评论(0)存储器具有记忆功能,计算机中的所有信息包括原始的输入信息,经过加工的中间数据,以及最后完成的结果都放在存储器中,在计算机中运行的各种程序也都存放在存储器中。

存储器作为计算机的重要组成部分,按照其用途可分为主存储器(Main Memory)和辅助存储器(Auxiliary Memory),其中主存有称为内存储器,辅助存储器又称为外存储器。

外存通常是磁性介质或光盘,能长期保存信息,并且不依赖电来保存信息。

1、内存储器。

内存储器是一组或多组具备数据输出和数据存储功能的集成电路。

按存储信息的功能可分为只读存储器ROM(Read Only Memory)和随机存储器(Random Access Memory)。

ROM中的信息只能被读出,而不能被操作者修改或者删除,所以一般用于存放固定的程序,如监控程序,BIOS等。

ROM分为PROM(可编程只读存储器)、EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)等几类。

目前ROM在日常生活中不经常被使用,早起被经常使用的是闪存。

RAM是通常所说的内存,主要用来存放各种现场的输入、输出数据,中间计算结果,以及与外存交换信息用。

RAM的信息可以输出也可以写入。

由于RAM由半导体器件组成,所以只能用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源,其中的数据便会丢失。

RAM分为SRAM (静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)两大类。

DRAM集成度高,SRAM存取速度快。

SRAM的存取速度比DRAM快,所以被用作CPU内部的高速缓存(Cache)。

2、外存储器。

目前,计算机使用的外存储器主要是硬盘(固定在计算机内部的本地磁盘、可移动的移动硬盘)、软盘(目前不常用)、优盘、光盘(CD-ROM、CD-R、CD-RW、\DVD-R、DVD-RW等)、磁带等存储器,这些外存可以长期脱机保存程序和数据,当需要用计算机处理外存信息时,必须先将该部分信息调入内存,然后才能进行处理。

2716芯片

2716芯片

2716芯片2716芯片是一种经典的EPROM(可擦除可编程只读存储器)芯片,它具有容量高、可编程性强等特点。

本文将对2716芯片进行详细介绍,并探讨其在计算机领域中的应用。

2716芯片是一种16K位的EPROM芯片,它具有16个数据输入线(D0-D15)、11个地址输入线(A0-A10)、一个片选输入线(CE)、一个读写控制输入线(OE)和一个擦除控制输入线(Vpp)。

它的存储容量为16*1024位,即2KB。

2716芯片的可编程性非常高,可以通过外部编程设备对其进行编程。

编程时,需要在芯片的特定地址上输入相应的电压(通常为12V或21V)来擦除或编程数据位。

编程操作完成后,芯片的数据将被固化在内部的晶体管中,不会因为断电或其他因素而丢失。

这使得2716芯片在存储不变的数据方面非常有用。

由于2716芯片的存储容量较大,它通常被用在计算机系统的存储器单元中。

例如,早期的微型计算机往往使用2716芯片作为其主板上的BIOS(基本输入输出系统)芯片。

BIOS是计算机系统的一部分,它包含了系统启动的程序和固件,可以在计算机开机时加载并执行。

通过将BIOS固化在2716芯片中,系统可以在断电或重启后快速启动。

此外,2716芯片还可以用于存储一些静态的配置数据或常量。

在一些嵌入式系统中,芯片中存储的一些配置参数或固定数值可以被系统直接读取和使用,这在系统设计和调试中非常方便。

虽然2716芯片在计算机领域中的应用已经不如现代的闪存和EEPROM芯片广泛,但它仍然是一种值得关注的存储器技术。

它的可编程性和容量优势使得它在某些特定场景下仍然具有一定的应用价值。

总而言之,2716芯片是一种经典的EPROM芯片,具有16K位的存储容量和强大的可编程性。

它在计算机系统中的应用广泛,例如作为主板上的BIOS芯片和嵌入式系统中的配置存储器。

尽管现代存储器技术的发展使其地位有所下降,但2716芯片仍然是一种重要的存储器器件。

rom详细解释

rom详细解释

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM 通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

---------------------------------------------------------------------------------------------ROMROM指的是“只读存储器”,即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路,通过掩模工艺,一次性制造,其中的代码与数据将永久保存,不能进行修改。

在微机的发展初期,BIOS都存放在ROM(Read Only Memory,只读存储器)中。

如果发现内部数据有错,则只有舍弃不用,重新订做一份。

PROMPROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。

PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。

PROM一旦写入后无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废。

EPROMEPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory。

ROM(只读存储器)是一种非易失性存储器存储着计算机的固化程序和数据断电时数据不会丢失

ROM(只读存储器)是一种非易失性存储器存储着计算机的固化程序和数据断电时数据不会丢失

ROM(只读存储器)是一种非易失性存储器存储着计算机的固化程序和数据断电时数据不会丢失ROM(只读存储器)是一种非易失性存储器,它用于存储计算机的固化程序和数据,即一旦存储在ROM中的信息,在断电的情况下也不会丢失。

ROM在计算机系统中起着非常重要的作用,本文将详细介绍ROM的定义、分类、特点以及应用领域。

一、ROM的定义ROM(Read-Only Memory),即只读存储器,是一种存储计算机程序和数据的电子器件,其中的数据在断电或重新启动后仍能保持。

与随机存取存储器(RAM)不同,ROM只能读取其中存储的数据,不能进行写入或修改操作。

二、ROM的分类根据存储方式和工作性质,ROM可分为以下几种不同的类型:1. Mask ROM(掩膜只读存储器)Mask ROM是制造过程中在芯片上预先编程的ROM,其中的程序和数据是通过在制造过程中使用掩膜进行固化。

由于程序和数据是在制造过程中设定的,因此无法改变其中的内容。

2. PROM(可编程只读存储器)PROM是一种用户可编程的ROM,用户可以使用特殊的设备将数据和程序编程到ROM芯片中,并且这些数据和程序在更改前是可擦除的。

PROM通常是一次性编程的,一旦编程完成,就无法再次擦除或修改其中的内容。

3. EPROM(可擦写可编程只读存储器)EPROM是一种用户可擦除的ROM,它使用特殊的设备将数据和程序编程到ROM芯片中,然后在需要修改时,可以使用紫外线照射来擦除原有的内容,再重新编程新的内容。

EPROM的擦除和编程过程需要专门的设备和操作,因此一般用户无法在家中完成。

4. EEPROM(电可擦可编程只读存储器)EEPROM与EPROM类似,但它使用电子信号来擦除和编程,而不需要紫外线。

EEPROM可以在计算机系统内部进行擦除和编程,因此更加方便。

EEPROM可以被多次擦写和编程,但其速度较慢,相对较小容量,价格也较高。

5. Flash ROMFlash ROM是一种擦写可编程的存储器,它是EEPROM和SRAM 的结合体,具有较大的存储容量和较快的读写速度。

存储器-RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH

存储器-RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH

存储器-RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH1. RAMRAM: Random Access Memroy,随机访问存储器,典型代表:内存条。

特点:要是做运⾏时数据存储器,在掉电之后丢失数据。

分类:SRAM,DRAM.2. ROMROM: Read-Only Memory, 只读存储器特点:ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取,断电之后仍保存数据。

往ROM中注⼊数据需要另外的编译器,PC上⾯没有这个功能,⼀般在ROM出⼚前注⼊信息,依次写⼊,永久保存,不能进⾏修改。

在微机发展初期,BIOS都存放在ROM中。

3.PROMPROM: Programmable Read-Only Memory 可编程只读存储器PROM只允许写⼊⼀次,所以也被称为:“⼀次可编程只读存储器”,出⼚时存储器的内容全为1,⽤户可以⾃⼰往⾥写数据,但只能写⼊⼀次,写错了也就废了。

4. EPROMEPROM: Erasable Programmable Read-Only Memroy 可擦写可编程只读存储器⽤户可以⾃⼰往⾥写数据,写错了可以可擦除然后重新写⼊。

但是写⼊⽐较费劲,需要使⽤紫外线照射⼀段时间。

5. EEPROMEEPROM: Electricall Erasable Programmable Read-Only Memory 带电可擦除可编程只读存储器最⼤的优点是直接⽤电信号擦除,写⼊⽅便,写⼊时以byte为最⼩修改单位,也不必全部擦除重写。

6. Flash ROM具备 RAM 和 ROM 的优点,⼜称闪存,是在EEPROM基础上的改进产品,与EEPROM不同的是,最⼩修改单位不是byte,⽽是块(block),block⼤⼩是⼚家定的。

近些年已逐步取代EEPROM,⼴泛⽤于主板的BIOS ROM。

另外还主要⽤于U盘,MP3等需要⼤容量且断电后不丢失数据的设备。

分类:Nor Flash,Nand Flash.NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是⼀样,⽤户可以直接运⾏装载在NOR FLASH ⾥⾯的代码,这样可以减少SRAM 的容量从⽽节约了成本。

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASh

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASh

什么是ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLAShROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。

另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。

这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势,事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。

在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

内存工作原理:内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的"动态",指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍

ROM存储器内涵EPROM2716存储器的介绍

课 堂 教 学 实 施 方 案授 课 时 间:课 题:只读存储器ROM 、主存储器的设计5.3 只读存储器ROM指在微机系统的在线运行过程中,只能对其进行读操作,而不能进行写操作的一类存储器,在不断发展变化的过程中,ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。

一、掩模ROM如图4-11所示,是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列,采用单译码方式。

这时,有两位地址输入,经译码后,输出四条字选择线,每条字选择线选中一个字,此时位线的输出即为这个字的每一位。

此时,若有管子与其相连(如位线1和位线4),则相应的MOS 管就导通,这些位线的输出就是低电表平,表示逻辑“0”;而没有管子与其相连的位线(如位线2和位线3),则输出就是高电平,表示逻辑“1”。

二、可编程的ROM掩模ROM 的存储单元在生产完成之后,其所保存的信息就已经固定下来了,这给使用者带来了不便。

为了解决这个矛盾,设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM 器件,即可编程的ROM ,又称为PROM 。

PROM 的类型有多种,我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。

这种PROM 存储器在出厂时,存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结,字线与位线之间不导通,此时,意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。

如果用户需要写入程序,则要通过专门的PROM 写入电路,产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿,造成这个PN 结短路,只剩下顺向的二极管跨连字线和位线,这时,此位就意味着写入了“1”。

读出的操作同掩模ROM 。

除此之外,还有一种熔丝式PROM ,用户编程时,靠专用写入电路产生脉冲电流,来烧断P +P +A lS i O 2SD浮空多晶硅栅N 基体字线EPROM(a)(b)位线。

存储器概述

存储器概述
微型计算机基本原理与接口技术
存储器概述
微机原理
一、存储器分类
存储器
内存储器
(半导体 存储器)
外存储器 (外设)
随机存储器RAM
只读存储器ROM
硬盘 软盘 光盘 磁带 闪存
静态存储器(SRAM) 动态存储器(DRAM)
掩膜ROM PROM EPROM EEPROM
微型计算机系统中的存储器分级组成

微机原理
③不需要接口直接与CPU总线相连
2. RAM与ROM
RAM—读/写存储器,掉电内容丢失,用于存放正在运行的数据
ROM—只读,掉电内容不丢失,用于存放固定程序
二 、存储器的性能指标
微机原理
1. 存储器容量:地址单元*位数
地址单元——取决于存储器地址线的根数
位数——取决于存储器数据线根数
例如 1KB(10根地址线,8根数据线,有1024个地址,每个地址存放1个字节)
2Kb (11根地址线,1根数据线,有2048个地址,每个地址存放1位)
32KB(15根地址线,8根数据线,有32K个地址,每个地址存放1个字节)
2. 存取时间
从CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读/写操作,到该 操作完成所经历的时间
3. 存取周期 连续启动两次独立的存储器读/写操作所需的最小间隔时间
在CPU内部的通用寄存器
集成度小的 静态RAM
寄存器组 高速缓存Cache
系统主存储器 硬盘Cache
简称内存,用 于存放运行的 程序和数据
磁盘存储器
磁带存储设备
光盘存储设备
红区为半导体存储器
绿区其它介质存储器
1. 内存储器特点:
微机原理
①存放正在运行的程序和数据

rom中的信息是

rom中的信息是

rom中的信息是标题:ROM中的信息:了解与应用引言:随着科技的快速发展和智能设备的普及,ROM中的信息存储成为了一个备受关注的话题。

ROM(只读存储器)是一种可以存储数据的硬件设备,本文将介绍ROM的基本信息、不同类型以及在各行各业中的应用。

一、ROM的基本信息ROM是一种存储媒介,主要用于将数据和计算机程序永久地储存在电子设备中。

和RAM(随机存储器)相比,ROM的数据无法在通电情况下进行修改和删除,因此被称为只读存储器。

ROM通常由硅片和金属导线构成,其内部有着大量微小的晶体管。

二、不同类型的ROM1. PROM(可编程只读存储器):PROM的数据只能够在制造过程中进行编程,用户无法在日常使用中修改数据。

这种ROM适用于对数据内容较为稳定的场合。

2. EPROM(可擦除可编程只读存储器):EPROM的数据内容可以通过特定操作擦除,并进行重新编程。

这种ROM可以多次擦除和编程,但每次操作都需要暴露在紫外线下进行。

EPROM广泛应用于计算机和电子设备的开发和测试过程中。

3. EEPROM(电可擦除可编程只读存储器):EEPROM是EPROM的改进版本,它可以通过电子操作进行擦除和编程。

EEPROM在数据存储上具有更高的可靠性和灵活性,常用于数据保存和系统配置等场景。

4. Flash存储器:Flash存储器是一种特殊类型的EEPROM,它能够以块的形式进行操作,具有更高的读写速度和较长的使用寿命。

Flash存储器已经广泛应用于智能手机、数码相机和移动存储设备等领域。

三、ROM的应用领域1. 操作系统:各类操作系统都需要ROM来存储启动程序和系统内核等重要数据,以确保系统正常运行。

ROM能够保证这些数据在断电后依然保存,以便下次开机时能够顺利加载。

2. 游戏机和游戏卡带:ROM在游戏机和游戏卡带中起着关键的作用。

它们将游戏的程序和数据存储在ROM中,通过游戏机的处理器读取并执行,使得玩家能够畅玩游戏。

ROM存储器内涵EPROM2716存储器地介绍

ROM存储器内涵EPROM2716存储器地介绍

课 堂 教 学 实 施 方 案课 题:只读存储器ROM 、主存储器的设计5.3 只读存储器ROM指在微机系统的在线运行过程中,只能对其进行读操作,而不能进行写操作的一类存储器,在不断发展变化的过程中,ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。

一、掩模ROM如图4-11所示,是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列,采用单译码方式。

这时,有两位地址输入,经译码后,输出四条字选择线,每条字选择线选中一个字,此时位线的输出即为这个字的每一位。

此时,若有管子与其相连(如位线1和位线4),则相应的MOS 管就导通,这些位线的输出就是低电表平,表示逻辑“0”;而没有管子与其相连的位线(如位线2和位线3),则输出就是高电平,表示逻辑“1”。

二、可编程的ROM掩模ROM 的存储单元在生产完成之后,其所保存的信息就已经固定下来了,这给使用者带来了不便。

为了解决这个矛盾,设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件,即可编程的ROM ,又称为PROM 。

PROM 的类型有多种,我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。

这种PROM 存储器在出厂时,存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结,字线与位线之间不导通,此时,意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。

如果用户需要写入程序,则要通过专门的PROM 写入电路,产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿,造成这个PN 结短路,只剩下顺向的二极管跨连字线和位线,这时,此位就意味着写入了“1”。

读出的操作同掩模ROM 。

除此之外,还有一种熔丝式PROM ,用户编程时,靠专用写入电路产生脉冲电流,来烧断指P +P +A lS i O 2SD浮空多晶硅栅N 基体字线EPROM(a)(b)位线实用标准文档文案大全。

常见存储器芯片资料简版

常见存储器芯片资料简版

27162716指的是Intel2716芯片,Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装:双列直插式封装,24个引脚基本结构:带有浮动栅的MOS管封装:直插24脚,引脚功能:Al0~A0:地址信号O7~O0:双向数据信号输入输出引脚;CE:片选OE:数据输出允许;Vcc:+5v电源,VPP:+25v电源;GND:地2716读时序:2732相较于2716:Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成,共可保存4K×8位二进制信息封装:直插24脚引脚功能:A0~A11地址E片选G/VPP输出允许/+25v电源DQ0~7数据双向VSS地VCC+5v电源2732读时序2764、27128、27256、27512等与之类似27020存储空间:256kx8读写时间:55/70ns封装:直插/贴片32脚引脚功能:A0~A17地址线I/O0~7数据输入输出CE片选OE输出允许PGM编程选通VCC+5v电源VPP+25v电源GND地27020读时序:27040与之类似RAM--61166116是2K8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,封装:24线双列直插式封装.引脚功能:A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.操作方式:CE OE WE 方式D0-D7H -- -- 未选中高阻L L H 读DoutL H L 写DinL L L 写Din RAM—62646264是8K8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,封装:直插式28脚引脚功能:A0~A12:地址线WE写允许OE读允许CS片选NC—No connectionI/O1~I/O8数据输入输出操作模式模式CS1 CS2 OE WE I/O1~8备用H X X X 高阻X L X X 高阻禁止输出L H H H 高阻读L H L H DOUT 写L H X L DIN常见存储器型号规格。

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课 堂 教 学 实 施 方 案
课 题:只读存储器ROM 、主存储器的设计
5.3 只读存储器ROM
指在微机系统的在线运行过程中,只能对其进行读操作,而不能进行写操作的一类存储器,在不断发展变化的过程中,ROM 器件也产生了掩模ROM 、PROM 、EPROM 、EEPROM 等各种不同类型。

一、掩模ROM
如图4-11所示,是一个简单的4×4位的MOS ROM 存储阵列,采用单译码方式。

这时,有两位地址输入,经译码后,输出四条字选择线,每条字选择线选中一个字,此时位线的输出即为这个字的每一位。

此时,若有管子与其相连(如位线1和位线4),则相应的MOS 管就导通,这些位线的输出就是低电表平,表示逻辑“0”;而没有管子与其相连的位线(如位线2和位线3),则输出就是高电平,表示逻辑“1”。

二、可编程的ROM
掩模ROM 的存储单元在生产完成之后,其所保存的信息就已经固定下来了,这给使用者带来了不便。

为了解决这个矛盾,设计制造了一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM
器件,即可编程的ROM ,又称为PROM 。

PROM 的类型有多种,我们以二极管破坏型PROM 为例来说明其存储原理。

这种PROM 存储器在出厂时,存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN 结,字线与位线之间不导通,此时,意味着该存储器中所有的存储内容均为“1”。

如果用户需要写入程序,则要通过专门的PROM 写入电路,产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿,造成这个PN 结短路,只剩下顺向的二极管跨连字线和位线,这时,此位就意味着写入了“1”。

读出的操作同掩模ROM 。

除此之外,还有一种熔丝式PROM ,用户编程时,靠专用写入电路产生脉冲电流,来烧断指
P +
P +
A l
S i O 2S
D
浮空多
晶硅栅
N 基体
字线
EPROM
(a)
(b)
位线
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