2020年国家开放大学电大《模拟电路》历年考试试题汇总
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模电
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一、填空(本题共20分,每空1分):
1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。
2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。
3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。
4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。
6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。
8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。
9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。
二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):
1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。
2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。
5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。
7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。
8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。
9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。
三、选择(本题共20分,每个选择2分):
1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是()
A. NPN型硅管;
B. NPN型锗管;
C. PNP型硅管;
D. PNP型锗管;
2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
3.典型的差分放大电路中Re()。
A. 对差模信号起抑制作用
B. 对共模信号起抑制作用
C. 对差模信号和共模信号均无作用
4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。
A. 40V
B. 20V
C. 10V
D. 5V
5.电流源的特点是()。
A . 交流电阻大,直流电阻小;
B . 交流电阻小,直流电阻大;
C. 交流电阻大,直流电阻大;
D. 交流电阻小,直流电阻小。
6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。
A. 耦合电容和旁路电容的存在;
B. 放大电路的静态工作点不合适;
C. 半导体管的非线性特性;
D. 半导体管极间电容和分布电容的存在;
7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。
A.输入阻抗为零,输出阻抗也为零;B.输入信号为零时,输出处于零电位;
C.频带宽度从零到无穷大;D.开环电压放大倍数无穷大
8.有T1 、T2和T3三只晶体管,T1的β=200,I CEO=200μA;T2的β=100,I CEO=10μA;T3的β=10,I CEO=100μA,其它参数基本相同,则实用中应选()
A. T1管;
B. T2管;
C. T3管
9.交流反馈是指()
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈;B.变压器耦合电路中的负反馈;
C.交流通路中的负反馈;D.放大正弦信号时才有的负反馈;
10.RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即RC串并联选频网络和()
A. 基本共射放大电路;
B. 基本共集放大电路;
C. 反相比例运算电路;
D. 同相比例运算电路;
四、分析与计算(本题共50分):
1.(本小题10分) 电路如图2所示,通过分析判断反馈组态,并近似计算其闭环电压增益A usf。
2.(本小题10分) 电路如图3所示,u2=10V,在下列情况下,测得输出电压平均值U o的数值各为多少?(1)正常情况时;(2)电容
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虚焊时;(3)R L 开路时;(4)一只整流管和电容C 同时开路时。
3.(本小题12分) 如图4所示电路中,A 为理想运放,Vcc =16V ,R L =8Ω,R 1=10k Ω,R 2=100k Ω,三极管的饱和管压降U CES =0V ,U
o =-10V 。(1)合理连接反馈电阻
R 2;(2)设A 输出电压幅值足够大,估算最大输出功率P om ;(3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率P CM 值。
4.(本小题18分) 电路图5中,C 1、C 3和C E 的容量足够大,晶体管的β=50,r bb ’=200Ω,V BEQ =0.7V ,R S =2k Ω,R
B1=25k Ω,R B2=5k Ω,R C =5k Ω,R L =5k Ω,R E1=1.7k Ω,R E2=300Ω,V CC =12V 。计算:(1)电路的静态工作点;(2)电压放大倍数A uS 、输入电阻R i 和输出电阻R O 。
图1 图2
图3 图4
图5 试卷编号 02
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一、填空(本题共18分,每空1分):
1.本征半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在P 型半导体中,自由电子浓度________空穴浓度;在N 型半导体中,自由电