BAT54WS贴片肖特基二极管规格书
BAT54AT贴片三极管规格书
Value
30
21 0.2 600 150 667 125 -55~+150Fra bibliotekUnit
V V A mA mW ℃/W ℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Reverse voltage Reverse current
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-523 Plastic-Encapsulate Diodes
BAT54T/AT/CT/ST SCHOTTKY BARRIER DIODE
Ctot
VR=1V,f=1MHz
trr
IF= IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω
10
pF
5
ns
C,Mar,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
Typical Characteristics
BAT54T/AT/CT/ST
Symbol V(BR) IR
Test conditions IR=100μA VR=25V IF=1mA
Min Typ Max Unit
30
V
2
μA
0.32
Forward voltage
IF=10mA VF
IF=30mA
0.4 V
0.5
IF=100mA
1
Total capacitance Reverse recovery time
BAT54S BAT54肖特基二极管参数
℃
TJ
Operating Junction Temperature工作结温
-55 to +150
℃
电气特性：
符号
Parameter参数
Conditions测试条件
最小
最大
单位
VR
Breakdown Voltage击穿电压
IR30-Fra bibliotekVVF
Forward Voltage正向电压
IF = 0.1mA
IF = IR = 10mA, IRR = 1.0mA,
RL = 100Ω
-
5.0
nS
BAT54封装外型及引脚图
BAT54
BAT54A
BAT54C
BAT54S
BAT54FILM
BAT54AFILM
BAT54CFILM
BAT54SFILM
BAT54S BAT54肖特基二极管参数
来源：|时间：2010年05月02日
三端贴片肖特基二极管BAT54/BAT54A/BAT54C/BAT54S
特点：
极小传导损耗
开关损耗可以忽略不计
低正向压降
表面贴装器件
肖特基势垒二极管封装采用SOT-23
绝对最大额定值：
Symbol符号
Parameter参数
Value数值
Unit单位
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage最大重复反向电压
30
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current平均正向电流整流
200
mA
IFSM
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管是一种常用的小型的二极管，它们在电子行业中的应用非常
普遍，它们的封装形式相对于普通的二极管更加紧凑，可以节省空间。
下面我们来看看贴片肖特基二极管一些常见型号。
首先，BJT系列贴片肖特基二极管，它们紧凑型的设计具有象芯片一样的封装，使其具有良好的耐热性及耐腐蚀性，具有较高的耐电压能力，经常用于控制电源。
常见型号有BC547、BC548和BC549，它们具有良好的导通性和抗干扰能力。
其次，PNP系列贴片肖特基二极管，它具有高可靠性和良好的稳定性，可以用
于模拟信号处理和放大，它们的信号噪声及纹波电压也比较低。
常见型号是2SB54、2SB55、2SB56，它们可以用于模拟视频信号的输入和处理，同时可以兼容CMOS芯片。
最后，NMOSFET系列贴片肖特基二极管，它具有良好的高压和热稳定性，经常
用于高速电路中。
常见型号有IRF 4905、IRF5305和IRF 5705，它们可以用于频
繁转换的输出电路和高速电路中，同时还具有良好的功率效率。
总之，贴片肖特基二极管具有高效性、稳定性及耐热性等特点，有其独特的优势。
不同类型的贴片肖特基二极管都用在各种电子设备中，发挥着不可替代的作用。
DIODES SOT523肖特基二极管BAT54T选型手册
May 2018
© Diodes Incorporated
CT, TOTAL CAPACITANCE (pF) PD, POWER DISSIPATION (mW)
12 10
8
6 4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
VR, DC REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
Solderable per MIL-STD-202, Method 208 Lead-Free Plating Polarity: See Diagrams Below Weight: 0.002 grams (Approximate)
Top View
BAT54T
BAT54AT
BAT54CT
BAT54ST
Ordering Information (Note 4)
Notes:
Part Number
Case
Packaging
BAT54T-7-F
SOT523
3,000/Tape & Reel
BAT54AT-7-F
SOT523
3,000/Tape & Reel
BAT54CT-7-F
SOT523
1
100
IF, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
10 0.1
1 0.01
0.1
0.001 0.01
0.0001 0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
BAT54ST贴片三极管规格书
Ctot
VR=1V,f=1MHz
trr
IF= IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω
10
pF
5
ns
C,Mar,2013
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
Typical Characteristics
BAT54T/AT/CT/ST
MARKING:L3
MARKING:L4
MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
VRRM
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRWM VR(RMS)
IO IFSM PD RΘJA Tj Tstg
Working Peak Reverse Voltage RMS Reverse Voltage Average Rectified Output Current Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t≤1s Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature
Value
30
21 0.2 600 150 667 125 -55~+150
Unit
V V A mA mW ℃/W ℃ ℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter Reverse voltage Reverse current
肖特基二极管规格书
以下是一个典型的肖特基二极管规格书包含的信息：
产品名称和型号：如1N5817等。
电气特性：
正向电压（VF）：指二极管在正向工作时的电压，通常在0.2至1.5伏之间。
反向电压（VR）：指二极管在反向工作时的最大电压，通常在20至200伏之间。
正向电流（IF）：指二极管在正向工作时的最大电流，通常在1至10安培之间。
反向漏电流（IR）：指二极管在反向工作时的最大漏电流，通常在数微安至数毫安之间。
瞬态响应时间：指二极管在电压或电流瞬间变化时从低电平到高电平的响应时间，通常在数纳秒至数微秒之间。
封装类型：肖特基二极管常见的封装类型有DO-41、TO-220等。
温度特性：二极管的电气特性会受到温度的影响，因此规格书中会标明温度特性，如最大工作温度等。
应用范围：肖特基二极管常用于开关电源、电机驱动、逆变器等电路中，规格书中会标明适用的应用范围。
TBAT54,LM(T肖特基二极管东芝最新资料
3
2016-05-12 Rev.1.0
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
Package Dimensions
Unit: mm
Weight: 0.0125 g (typ.)
Package Name(s) TOSHIBA: 2-3AB1A Nickname: SOT23
©2016 Toshiba Corporation
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
TBAT54,TBAT54A,TBAT54C,TBAT54S
1. Applications
• Ultra-High-Speed Switching
2. Packaging
5. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )
Characteristics Peak reverse voltage Reverse voltage Average rectified current Peak forward current Non-repetitive peak forward surge current Power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VR IO IFM IFSM PD Tj Tstg (Note 3) (Note 3) (Note 1), (Note 3) (Note 2), (Note 3) Note Rating 35 30 200 300 1 320 150 -55 to 150 A mW mA Unit V
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装If/A Vrrm/V最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 900.6510MQ100N IR SMA 0.77 1000.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 300.3910BQ040 IR SMB 1.00 400.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 400.6010BQ060 IR SMB 1.00 600.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 400.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 600.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 501.00MBR160 ON 轴向 1.00 601.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 400.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.85 1N5821 ON 轴向 3.00 30 0.38 1N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 601.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 350.84MBR745 GS TO220 7.50 450.84MBR745 IR TO220 7.50 450.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 350.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 350.84MBR1045 ON TO220 10.00 450.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85 <P style="TEXT-INDE。
肖特基二极管手册
肖特基二极管手册肖特基二极管手册是一本介绍肖特基二极管的基础知识、特点、应用等方面的工具书，对于电子工程师和研究人员来说，是一本必不可少的参考书。
以下是本文对肖特基二极管手册内容进行的简要介绍。
第一部分：基础知识在这一部分中，手册介绍了肖特基二极管的基本原理，即该器件利用了金属-半导体接触的本质非对称性质，实现了非常优秀的整流效果。
手册中详细描述了金属-半导体界面的特殊结构和电学性质，以及该结构所带来的整流特性。
同时，肖特基二极管与传统的 P-N 结二极管相比，有着极高的速度和响应时间，以及低的噪声水平。
手册详细分析了这些特殊的性质，并且提供了实验数据和例子，以便读者更好地理解这些特点。
第二部分：特点和规格这一部分介绍了肖特基二极管的主要特征和规格参数。
手册详细解释了器件的最大可承受电压、额定电流和最大功率等特点，同时还介绍了其内部的各种特殊设计。
手册提供了非常详细和全面的指导和介绍，帮助读者了解如何选择和应用不同类型的肖特基二极管。
第三部分：应用在应用部分，手册介绍了肖特基二极管的实际应用和使用场景。
以 DC/DC 变换器、交流/直流转换器、折叠、调制和开关电源等器件为例，手册提供了一些不同应用领域的例子，说明了如何在特定的应用中选择和使用肖特基二极管。
同时，手册还介绍了一些实验和测试技术，以便读者更好地理解和掌握器件的特性和表现。
手册提供了多种实验方案和测试数据，帮助读者进行自己的实验和测试。
总结肖特基二极管手册是一本权威、全面、实用的工具书。
其中包含了肖特基二极管的基本知识、主要特点和规格、应用和实验方案等方面的信息，是一本值得电子工程师和研究人员深入阅读和掌握的参考书。
BAT54SW二极管原厂规格书
回访记录
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□已建议执行 日期：
□未发送但已下单 日期：
□已发送样品 日期：
□客户已签收 日期：
第1页共1页
BAT54W/AW/CW/SW
Forward Characteristics
200
100
T
=100℃
a
10
=25℃
T a
1
Reverse Characteristics
100
10
Ta=100℃
1
0.1
Ta=25℃
REVERSE CURRENT IR (uA)
FORWARD CURRENT IF (mA)
Reverse voltage Forward current Forward power dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Junction temperature Storage temperature
VR IF PD RθJA Tj Tstg
FEATURES Extremely fast switching speed Low forward voltage
SOT-323
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Symbol
Limit
Min Typ 30
Unit V mA mW
℃/W ℃ ℃
Max
2 0.24 0.32 0.4 0.5
1 10
Unit V uA V V V V V pF
5
ns
(整理)常用肖特基二极管参数
常用肖特基二极管参数型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.140 0.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 40.32BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.5010MQ060N IR SMA 0.7790 0.6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9610BQ015 IR SMB 1.0015 0.34SS12 GS DO214 1.0020 0.50MBRS130LT3 ON - 1.0030 0.3910BQ040 IR SMB 1.0040 0.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.0040 0.5MBRS140T3 ON - 1.0040 0.10BQ060 IR SMB 1.0060 0.57SS16 GS DO214 1.0060 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.7040 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 450.4530BQ015 IR SMC 3.0015 0.3530BQ040 IR SMC 3.0040 0.5130BQ060 IR SMC 3.0060 0.5830BQ100 IR SMC 3.00100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 4 0 0.84MBRS340T3 ON - 3.0040 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 400.45MBRS360T3 ON - 3.0060 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAKpr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00 MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.00 11DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.0020 3.00SS34 GS DO214 3.0040 0.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.0040 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.0080 0.728TQ100 TO220 8.00 100 0.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 3 5 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.0045 0.57MBR1035 GS TO220 10.0035 0.84MBR1045 ON TO220 10.00STPS1045F ON ISO220 10.00 450.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85MBR1060 ON TO220 10.0060 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 10 0 0.7010TQ040 IR TO220 10.0040 0.57MBR1045 IR TO220 10.0045 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 15 0 0.7340L15CTS IR D2pak 10.0085CNQ015A IR D61 80.0015 0.32150K40A IR D08 150.00400 1.3312CTQ040 IR TO220 12.00 450.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.0060 0.7516CTQ080 IR TO220pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 1000.7218TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 12003.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 450.6319CTQ015 IR TO220 19.00 150.3620CTQ045 IR TO220pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.0045 0.57MBR2045CT IR TO220pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220pr 20.00 90 0.80MBR20100CT IR TO220pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 1000.80MBR2080CT IR TO220AB 20.00 800.85MBR2545CT IR TO220AB 30.00 450.82MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220pr 30.00 30 0.4932CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 300.4930CPQ060 IR TO220pr 30.00 60 0.6230CPQ080 IR TO247AC 30.00 800.8630CPQ100 IR TO247pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247pr 40.00 40 0.4940CPQ045 IR TO247pr 40.00 45 0.4940CPQ050 IR TO247AA 40.00 500.5340CPQ100 IR TO247pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 150.5347CTQ020 IR TO220 40.00 200.3448CTQ060 IR TO220 40.00 600.5840L15CW IR TO247 40.0015 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 300.3840CTQ045 IR TO220 40.00 450.6840L45CW IR TO247 40.0045 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 600.68MBR4045WT IR TO247 40.00 450.59MBR4060WT IR TO247 40.00 600.7743CTQ100 IR TO220 40.00 10 0 0.9852CPQ030 IR TO247 50.0030 0.38MBR6045WT IR TO247pr 60.00 450.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 450.8465PQ015 IR TO247 65.0015 0.5072CPQ030 IR TO247AC 70.00 300.5185CNQ015 IR D61 80.0015 0.3283CNQ100 IR D61 80.00100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.0020 0.3282CNQ030A IR D61 80.0030 0.3782CNQ045A IR D61 80.0045 0.4783CNQ100A IR D61 80.00100 0.67120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.0015 0.33122NQ030 IR D67 120.0030 0.41STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 450.95182NQ030 IR D67 180.0030 0.41200CNQ040 IR TO244AB 200.00 400.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 450.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 300.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 450.91203CMQ080 IR TO244 200.00 8 0 1.03240NQ045 IR HALFPAK 240.00 450.55301CNQ045 IR TO244 300.00 4 5 0.59403CNQ100 IR TO244AB 400.00 1000.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 300.41。
代码W5贴片肖特基二极管规格书
UNITS A A
mW C C V
Electrical ratings @TA=25C PARAMETER
Forward voltage
Reverse current Capacitance between terminals
SYMBOLS Min. VF
IR CT
Typ.
Max. 300 380 500 600 15 25 30
10 2
10 -1 10 -2
125 C 85 C
10 -3
25 C
10 -4
-40 C
/Fmax/ /FDC
D=0
0.005
10 1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10 -5
0
0.1
0.2 0.3 0.4
0.5 0.6 V
0.8
VF
0
10 10-6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
MECHANICAL DATA
.177(.007) .089(.003)
0.4(0.016) .25(0.010)
1.00(.040) 0.80(.031)
0.1(0.004) MIN
.08(.003) MIN
Dimensions in millimeters and (inches)
.305(0.012) .295(0.010)
Power dissipation
Tc=25C
Junction temperature
Storage temperature
Non-Repetitive peak reverse voltage
肖特基二极管 BAT54W-D 数据表说明书
BAT54WSchottky Barrier DiodeThese Schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications where space is limited.Features•Extremely Fast Switching Speed•Extremely Low Forward V oltage − 0.35 V (Typ) @ I F = 10 mAdc •NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC −Q101Qualified and PPAP Capable•These Devices are Pb −Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*MAXIMUM RATINGS (T J = 125°C unless otherwise noted)RatingSymbol ValueUnit Reverse VoltageV R 30V Forward Power Dissipation @ T A = 25°CDerate above 25°C P F2001.6mW mW/°CForward Current (DC)I F 200 MaxmA Non −Repetitive Peak Forward Current,t p < 10 msecI FSM600mARepetitive Peak Forward Current Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%I FRM300mAThermal Resistance, Junction −to −Ambient 10 mm 2 pad, 1 oz. Cu 100 mm 2 pad, 1 oz. Cu R qJA285216°C/WJunction Temperature T J −55 to 125°C Storage Temperature RangeT stg−55 to +150°CStresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.3130 VOLTSCHOTTKY BARRIER DETECTOR AND SWITCHINGDIODE†For information on tape and reel specifications,including part orientation and tape sizes, please refer to our T ape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D.Device Package Shipping †ORDERING INFORMATIONBAT54WT1G SOT −323(Pb −Free)3,000 / Tape & Reel SOT −323CASE 419STYLE 2MARKING DIAGRAMB4M G GB4= Device Code M = Date Code*G= Pb −Free Package(Note: Microdot may be in either location)*Date Code orientation may vary depending up-on manufacturing location.1NSVBAT54WT1GSOT −323(Pb −Free)3,000 / Tape & ReelELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)CharacteristicSymbol Min Typ Max Unit Reverse Breakdown Voltage (I R = 10 m A)V (BR)R 30−−V Total Capacitance(V R = 1.0 V, f = 1.0 MHz)C T −7.610pF Reverse Leakage (V R = 25 V)I R −0.5 2.0m Adc Forward Voltage (I F = 0.1 mA)(I F = 1.0 mA)(IF = 10 mA)(I F = 30 mA)(I F = 100 mA)V F−−−−−0.220.290.350.410.520.240.320.400.500.80VReverse Recovery Time(I F = I R = 10 mAdc, I R(REC) = 1.0 mAdc, Figure 1)t rr−−5.0nsNotes: 1. A 2.0 k W variable resistor adjusted for a Forward Current (I F ) of 10 mA.2. Input pulse is adjusted so I R(peak) is equal to 10 mA.3. t p » t rrV Rt r10%90%I I OUTPUT PULSE(I F = I R = 10 mA; measuredat i R(REC) = 1 mA)INPUT SIGNALFigure 1. Recovery Time Equivalent Test CircuitC T , T O T A L C A P A C I T A N C E (p F )100V F , FORWARD VOLTAGE (VOLTS)101.00.110V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)1.00.10.010.001V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)5101530Figure 2. Forward VoltageFigure 3. Leakage CurrentFigure 4. Total Capacitance10010002520I R , R E V E R S E C U R R E N T (m A )I F , F O R W A R D C U R R E N T (m A )14121086420SC −70 (SOT −323)CASE 419ISSUE PDATE 07 OCT 2021SCALE 4:1STYLE 3:PIN 1.BASE2.EMITTER3.COLLECTOR STYLE 4:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.ANODE STYLE 2:PIN 1.ANODE2.N.C.3.CATHODE STYLE 1:CANCELLEDSTYLE 5:PIN 1.ANODE 2.ANODE 3.CATHODE STYLE 6:PIN 1.EMITTER 2.BASE3.COLLECTORSTYLE 7:PIN 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTORSTYLE 8:PIN 1.GATE 2.SOURCE 3.DRAINSTYLE 9:PIN 1.ANODE 2.CATHODE3.CATHODE-ANODESTYLE 10:PIN 1.CATHODE 2.ANODE3.ANODE-CATHODEXX M G G XX = Specific Device Code M = Date CodeG= Pb −Free PackageGENERICMARKING DIAGRAM1STYLE 11:PIN 1.CATHODE2.CATHODE3.CATHODE*This information is generic. Please refer to device data sheet for actual part marking.Pb −Free indicator, “G” or microdot “G ”, may or may not be present. Some products maynot follow the Generic Marking.MECHANICAL CASE OUTLINEPACKAGE DIMENSIONSPUBLICATION ORDERING INFORMATIONTECHNICAL SUPPORTNorth American Technical Support:Voice Mail: 1 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Phone: 011 421 33 790 2910LITERATURE FULFILLMENT :Email Requests to:*******************onsemi Website: Europe, Middle East and Africa Technical Support:Phone: 00421 33 790 2910For additional information, please contact your local Sales Representative。
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种具有快速开关特性和低电压损耗的二极管。
其工作原理是通过形成金属和半导体之间的肖特基势垒来导电。
以下是一些常见的肖特基整流二极管型号及其参数介绍：
1.BAT54C：
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
2.BAT46W：
-最大正向电流：150mA
-最大反向电压：100V
-正向压降：0.4V（I=0.1A）
- 导通时间：5ns
3.BAT41：
-最大正向电流：100mA
-最大反向电压：40V
-正向压降：0.45V（I=0.1A）
- 导通时间：8ns
4.BAT54S：
-最大正向电流：300mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.26V（I=0.2A）
- 导通时间：6ns
5.BAT54:
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.41V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
6.BAT85:
-最大正向电流：1A
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：1ns
以上只是一些常用的肖特基整流二极管型号，实际上市场上还有很多其他型号的肖特基整流二极管。
不同型号的肖特基整流二极管具有不同的正向电流、反向电压、正向压降和导通时间等参数，可以根据具体应用需求选择合适的型号。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。
下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。
1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。
2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。
该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。
3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。
该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。
4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。
5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。
该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。
6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。
以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。
在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。
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2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
MECHANICAL DATA
0.4(0.016) .25(0.010) .177(.007) .089(.003) 1.00(.040) 0.80(.031) 0.1(0.004) MIN .305(0.012) .295(0.010)
.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Marking: L9
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT-IF(A)
FIG. 1- MAX.FORWARD VOLTAGE DROP CHARACTERISTICS(PER LEG)
1 1
FIG. 2-TYPICAL VALUES OF REVERSE CURRENT VS REVERSE VOLTAGE (PER LEG)
SYMBOLS SYMBOLS
LIMITS 21 100 200 300 600 200 625 125 -65 to +150 30
UNITS V mA mA mA mA mW K/W C C V
VR IO IFM IFRM IFSM Pd RΘJA Tj TSTG VRM
Min. 30
Typ.
Max. 240 320 400 500 1000 2.0 10 5.0
FORWARD VOLTAGE DROP-VFM(V)
REVERSE VOLTAGE VR (V)
FIG. 3- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10 0.4
FIG. 4- FORWARD POWER LOSS CHARACTERISTICS
JUNCTION CAPACITANCE-CT(pF)
V(BR)R VF1 VF2 VF3 VF4 VF5 IR CT trr
uA pF ns
R
LING JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BAT54WS
AVERAGE PWER LOSS (Watts)
0.3
Tj=25 C
RMS Limit 0.2 D=0.2 D=-0.25 0.1 D=0.33 DC D=0.75 D=0.50
1 0 5 10 15 20 25 30
0
0
0.1
0.2
0.3
REVERSE VOLTAGE-VR(V)
AVERAGE FORWARD CURRENT-IF(AV)(A)
0.1 0 100 1000ION-tP(MICROSEC)
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
R
LING JIE
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
|样品申请单模板
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【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
BAT54WS
SCHOTTKY DIODE
SOD-323
1.35(0.053) 1.15(0.045) 1.26(.050) 1.24(.048)
FEATURES
Low forward voltage drop Fast switching time Surface mount package ideally suited for automatic insertion
NON-REPETITIVE SURGE CURRENT-IFSM(A)
FIG. 5- MAX NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
10
1
At any rated load condition and with rated vrrm applied following surge
Dimensions in millimeters and (inches)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25C PARAMETER DC Blocking voltage Average rectified output current Forward continuous current Repetitive peak forward current Forward surge current Power dissipation Termal resistance,junction to ambient air Junction temperature Storage temperature Non-Repetitive peak reverse voltage Electrical ratings @TA=25C PARAMETER Reverse breakdomn voltage
Tj=150 C Tj=125 C 0.1 Tj=100 C
0.1 Tj=150 C
REVERSE CURRENT-IR(mA)
Tj=125 C 0.01
0.01
Tj=75 C Tj=50 C
0.001 Tj=25 C Tj=25 C 0.0001
0.001
Tj=25 C
0 0
0.00001 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 5 10 15 20 25 30 35 40
Unit V mV mV mV mV mV
Conditions IR=100uA IF=0.1mA IF=1.0mA IF=10mA IF=30mA IF=100mA VR=25V VR=0,f=1.0MHz IF=10mA,IR=10mA to 1mA RL=100
Forward voltage
Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time