基本半桥逆变电路分析

节能灯产品节能灯产品基本半桥逆变电路分析基本半桥逆变电路分析

一、各元件的作用

FUSE 保险电阻：过电流和短路电流保护元件，抑制浪涌电流；

L1，C1，C2：组成π型EMI 滤波器，减轻高频逆变电路产生的电磁干扰； D1，D2，D3，D4：组成桥式整流电路，将输入的交流变为直流；

C3 滤波电容：将整流出的电压进行平滑滤波，使其接近直流电压；

R1，C5：RC 积分电路，滤波后的电压经过R1对C5进行充电，提供DB3导通电压；

DB3双向触发二极管：当 C5上的电压高于DB3的导通电压时，DB3导通，

向Q2的基极注入电流，使T2导通，电路起振后，

DB3不再导通；

D5：隔离启动电路和振荡电路，使振荡电流不会经过C5到地；

R2，C4：C4为续流电容，R2为C4提供放电网络。当Q1和Q2在交替开关

的同时截止阶段，使灯丝有电流流过，C4通常为1000~3300pF ；

R2，C4组成的放电网络同时避免两个三极管电流重叠，提供一个

死区时间。、

积分电容在启动时为触发管提供导通电压，电源电压经过R1对其进行充电,充电达到DB3的28V导通电压，下管导通.

移相电容，在上下管轮流导通工作过程当中，存在一个管子截止而另一个管子尚未导通的现象，而流过灯管的电流需要是连续的，利用电容电流可以突变的特性，把这一缺陷弥补上!

移相电容比较好!电容减小时电流滞后电压,三极管关断功耗加大,三极管打开时功耗减小,所谓电路呈感性;电容增加时电流超前电压,三极管关

断功耗减小,三极管打开时功耗增加,所谓电路呈容性.T5灯管管压

略高,启辉电容略小电路本身就接近中性,如果还是将移相电容容量

增加大会超成三极管滞后打开,三极管在因导通时有较高电压而产

生功耗!如T8T9灯管管压略低启辉电容略高,电路容易呈感性,如果

还是将移相电容容量减小会超成三极管超前打开,三极管在因关闭

时有较高电压而产生功耗!可能有朋友要说了,那我后面灯管的管压

和启辉电容选一定参数达到一定呈中性时就不是可以不用这个电

容了吗?那不行!我们这里讲的感容性是基波电流相对于矩形波电压

而言,矩形波内的高次谐波无法通过选频网络,经电感反势迭加到三

极管上,这样三极管有可能瞬态导通和关断时被硬性击穿!有时象

T5灯管不加移相电容时也没事,是因为管压过高时,高次谐波电流经

过高的管压强度大大减弱,三极管反而安全了!所以加一定容量的电

容也吸收了这些谐波,所以一定要加! 补充一点具体操作方法:用示

波器观看三极管的电流波形,调节该电容和磁环的参数就能使三极

管工作在最佳工作状态,这一点我认为是调试电子镇流器最精,也是

最基础的技术,现在有很多的技术人员都是靠测量三极管的温升来

调试的,不会调电流波形根本做不出好的镇流器,会这一点后镇流器

真的简单了在下管续流二极管中靠近地线端串一个小电阻1R,用示

波器看电阻上电压波形,越小约好,但不能没有!原因我不讲了,自己

分析为什么!一个输出波形有三部分组成:流过三极管电流,经这个

电容的电流,还有经过续流二极管的电流,组成完整的输出波.

注意整个电压范围啊,一般在高压为大一点,低压为小一点）

D6，D7续流二极管：与三极管并联在磁环线圈的两端，保护三极管，防止

三极管反向击穿，反向电动势会通过二极管释放；

Q1，Q2开关三极管：构成推挽电路，两管交替导通，在Q1的发射极和Q2

的集电极中间产生近似方波脉冲；

R4，R6：稳定电路工作点，负反馈作用，抬高晶体管发射极电位，控制发

射机和基极之间的电压；

R3，R5：控制晶体管的基极电流，同时隔离晶体管的基极电压与磁环绕组

的感应电动势；

N1，N2，N3磁环绕组（脉冲变压器）：利用互感耦合，以及磁芯的饱和特

性，控制Q1与Q2的交替开关；

L2，C6：LC串联谐振电路，在C6两端为灯提供启动电压，同时对方波脉冲进行滤波，使灯丝电流近似正弦波；L2的Q值和C6的决定提

供启动电压的大小；

C7，C8：隔直电容，为灯丝电流提供交流通路。

二、 各元件参数估算要求

FUSE保险电阻：一般选择4.7~47欧；

L1，C1，C2：高阻低通滤波器设计；使用安规电容；

D1，D2，D3，D4：整流二极管，二极管反向耐压和热稳定性，反向耐压一般为输入电压的1.25倍；

C4滤波电容：充放电的时间常数以及耐压值，充放电时间常数数交流周期的3~5倍，耐压值高于峰值电压的1.25倍；

R1，R2：一般，R1=R2，两者相近，一般控制R1流过的电流在0.5~1mA；C5：C5的耐压要高于DB3的导通电压1.25倍以上，R1、C5的时间常数一般应为开关管导通时间的5%左右，要求有足够大的电流经过DB3注入Q2基极，使Q2导通；

D5：普通整流二极管；

C4续流电容：Q1和Q2截止时，C4会产生脉冲电流，Q1、Q4交替导通截止，使C4上产生正负交替的高频脉冲，因此C4要选择高频损耗小的电容，避免发热损坏；

D6，D7续流二极管：续流二极管D选择要考虑导通、截止和转换三部分损耗，所以用正向压降小，反向电流小和存储时间短的开关二极管，一般选用肖特基二极管；

Q1，Q2开关三极管：晶体管的耐压大于滤波后的线路电压；

集电极电流依据灯丝峰值电流确定，通过集电极的峰值电流是通过L2的峰值电

流，因此集电极电流参数应远大于此值；

晶体管的开关速度主要受存储时间影响，存储时间应低于开关周期的20%，开

关周期可用镇流器的开关频率计算；

直流电流增益要大，一般要求大于5，这样较小的基极电流就可以获得较高的集

电极电流，减小晶体管的导通损耗；

R4，R6：反馈电阻，通过发射极电流变化影响晶体管发射极电压，进而控制发射极和基极之间的电压的变化，依据晶体管工作点的稳定要求取值；

R3，R5：依据开关三极管的集电极电流和直流增益，确定基极电流，结合N1，N2的感应电动势确定；R3，R5与N1，N2的匝数相关（由晶体管基极电流的峰值决定）；

N1，N2，N3磁环绕组：绕组的匝数由磁环的饱和磁场强度，有效磁路长度，以及流过绕组的峰值电流大小决定，绕组匝数=（有效磁路长度*饱和磁场强度）/峰值电流；绕组电

压= -（磁导率*匝数平方*截面积/有效磁路长度）*电流变化率

L2，C6：C6的耐压是灯的启动电压的1.25倍，LC振荡电路的谐振频率与晶体管开关频率相近（开关频率不能小于谐振频率，谐振电路构成的负载应该呈感性或阻性，但不能呈容性）：