模拟电子技术习题集(四)
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。
对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
查丽斌电路与模拟电子技术基础习题及实验指导第四版选择题填空题答案
第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路；1.4.2 1-n ，)1(--n b ；1.4.3 不变；1.4.4 21W ，负载；1.4.5 Ω1.65A ， ；1.4.6 1A 3A ， ； 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=； 1.4.8 1A ；1.4.9 Ω4.0，A 5.12；1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；1.4.11 3A ；1.4.12 3A ；1.4.13 Ω2；1.4.14 15V ，Ω5.4；1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ； 1.4.17 B ； 1.4.18 D ； 1.4.19 A ；1.4.20 A ； 1.4.21 C ； 1.4.22 B ； 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路，开路；2.4.2 零输入响应；2.4.3 短路，开路；2.4.4 电容电压，电感电流；2.4.5 越慢；2.4.6 换路瞬间；2.4.7 三角波；2.4.8 s 05.0，k Ω25； 2.4.9 C R R R R 3232+； 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ； 2.4.12 D ； 2.4.13 B ；2.4.14 D ； 2.4.15 B ； 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10， ， ； 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ；3.4.3 容性， A 44；3.4.4 10V ，2V3.4.5 相同；3.4.6 V 30，20V ；3.4.7 A 44，W 7744；3.4.8 A 5；3.4.9 减小、不变、提高；3.4.10 F 7.87μ；3.4.11 20kVA ，12kvar -；3.4.12 带通，带阻3.4.13不变、增加、减少；3.4.14电阻性，电容性； 3.4.15 LC π21，阻抗，电流；3.4.16 1rad/s ，4；3.4.17 Ω10；3.4.18 P L U U =，P L 3I I =，︒-30； 3.4.19 P L 3U U =，P L I I =，超前。
电子技术基础(模拟部分)习题答案
一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds＞U GS（OFF）__，它的截止条件为__ u Gs≤U GS（OFF）__。
6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是抑制0点漂移。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入电压负反馈；若要稳定输出电流，应引入电流负反馈；若要增加输入电阻，应引入串联负反馈。
模拟电子技术期末试题及答案
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。
二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答
精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术习题及答案4
习题44.1 选择“同相”或“反相”填入下列各空内。
（1）比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
（2）比例运算电路的输入电流等于零，而比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。
（3）比例运算电路的输入电阻大，而比例运算电路的输入电阻小。
（4）比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
解：（1）同相，反相（2）同相，反（3）相同相，反相（4）反相，同相4.2填空：（1）运算电路可实现A v＜0的放大器。
（2）运算电路可实现A v＞1的放大器。
（3）运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
（4）运算电路可实现函数v o＝av i1＋bv i2＋cv i3，a、b和c均小于零。
（5）运算电路可实现函数v o＝av i1＋bv i2＋cv i3，a、b和c均大于零。
（6）运算电路可将三角波电压转换成方波电压。
解：（1）反相比例（2）同相比例（3）积分（4）反相求和（5）同相求和（6）微分4.3电路如题图4.3所示。
设集成运放输出电压的最大值为12V，输入电压v i如下表所示。
试将v的运算结果填入表中。
R f (a)o2(b)题图4.3解： 图（a ）增益为10101001-=-=v A 图（b ）的增益为111010011=+=v A 所以i i v o v v A v 1011-==v v A v 11==4.4电路如题图4.4所示，若要实现v o =-120 v i ，其它电阻值如图中标注，试求R 5。
解： 增益为：))(1(1256101R R R R v v v v v v A i o o i o v -+===Ω=-⨯=--=k R R A R R v20112010120180121654.5如题图4.5所示，试求输出电压v o 的表达式。
若R 1=R 2时，v o =？解：增益为：题图4.4题图4.5)1)(1(122111011R R R R v v v v v v A i o o i o v ++===当R 1=R 2时，v o =4 v i14.6 设计一个比例运算电路。
《模拟电子技术基础》拓展练习4及答案
22题图
解答
23.试用集成运放实现以下运算关系:
uo=5 (ui1 0.2ui2 3ui3 )dt ，并要求各路输入电阻至少为
100kΩ。请选择电路结构形式并确定电路参数值。 24.基本积分电路及输入波形uI如图(a)、(b)所示，其重复
周期T＝2s，幅度为 2V。当电阻电容分别为下列数值：
(a)
11题图
(b) 解答
12.电路如图所示，图中集成运放均为理想运放， 试分别求出它们的输出电压与输入电压的函数关系； 输入电阻；指出哪些符合“虚地”；指出哪些电路 对集成运放的共模抑制比要求不高。
12题图
解答
12题图
13.电路如图所示，集成运放均为理想集成运放， 试写出电路输出电压UO及UO1、UO2的表达式。
10.试根据下列要求，设计比例放大电路。 （1）设计一个电压放大倍数为－5，输入电阻为100 kΏ的放
大电路。（2）设计一个电压放大倍数为－20，输入电阻为2 kΏ的放大电路。（3）设计一个电压放大倍数为＋100，输入电 阻极大的放大电路。
解答
11.集成运放电路如图所示,它们均可将输入电流
转换为输出电压。试分别估算它们在Ii＝5μA时的输 出电压。
R4 R2
，求 uo的关系式 。
25题图
解答
26.电路如图所示，它为同相积分电路，证明：uo
2 RC
uI dt
1
27.同相积分电路如图所示，证明： uo RC uI dt
26题图
27题图
解答
28.简述以下几种滤波器的功能，并画出它们的理想特 性：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器。
习题
1.理想集成运放的Aod=___,rid=___, ro=___, IB=___,CMRR=_____。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础(第四版)答案
（2）估算 ：
（3）
（4） ，频率特性曲线略。
三、（1）60 103
（2）10 10
（3）
习题
5.1（1） ①①
（2） ①①①③
5.2
5.3
5.4（1）直接耦合；
（2）三级；
（3）当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o。
5.5
5.6（1）
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√
（9）√（10）×（11）×（12）√
二、（1）×（2）√（3）√（4）√（5）×
三、
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
（2）图略。
5.7
图略。
5.8（1）（a）（2）（c）（3）（c）
5.9
5.10（1）C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL），C1:C2＝5 : 1。
（2）
5.11 减小，因为在同样幅值的 作用下， 将减小， 随之减小， 必然减小。
fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
fH减小，因为 会因电压放大倍数数值的减小而减小。
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版
模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
模拟电子技术教程第4章习题答案
第4章习题1．概念题（1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级，零漂最大的一级是最后1级。
（2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与输出方式有关，与输入方式无关。
（3）集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路，所以低频性能好，其最大的问题是零漂大。
（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（B、D ）。
A：阻容耦合B：直接耦合C：变压器耦合D：光电耦合（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，R i=2kΩ，R o=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（B，20dB+12dB=32dB ）。
A：40 dB B：32 dB C：16 dB D：160dB（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。
A：增加输入阻抗B：减小零点漂移C：提高电压或电流放大倍数（7）一般情况下，我们用输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。
（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。
对吗？（不对）（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。
对吗？（对）（10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻R e可一概视为短路。
对吗？（对）（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
对吗？（不对）（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。
对吗？（对）（13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。
（14）在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。
（15）由于频率特性好且易于集成，光电耦合具有很广阔的前景。
2 .如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
解：（a）两级共射，阻容耦合（b）两级共射，直接耦合（c）共射-共集，直接耦合（d）共源-共射，阻容耦合（e）共射-共源-共射，阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路，并写出A u、R i及R o的表达式。
2016中级维修电工四级模拟练习题(4)电子技术与电气测量知识讲解
四、电子技术与电气测量1.测量电压时应将电压表（B）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入2.测量电流时应将电流表（A）电路。
A、串联接入B、并联接入C、并联接入或串联接入D、混联接入3.当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（D）变化。
A.正向电流B.正向电压C.电压D.反向电压4.点接触型二极管应用于（C ）。
A、整流B、稳压C、开关D、光敏5.点接触型二极管可工作于(A )电路。
A、高频B、低频C、中频D、全频6.三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（A）。
A、基区B、栅区C、集电区D、发射区7．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管(A)。
A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断8．2.0 级准确度的直流单臂电桥表示测量电阻的误差不超过(B )。
A、±0.2%B、±2%C、±20%D、±0.02%9.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“-”的方向偏转时，说明（C）A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻10.调节电桥平衡时，若检流计指针向标有“+”的方向偏转时，说明(A)。
A、通过检流计电流大、应增大比较臂的电阻B、通过检流计电流小、应增大比较臂的电阻C、通过检流计电流小、应减小比较臂的电阻D、通过检流计电流大、应减小比较臂的电阻11.直流双臂电桥的测量误差为（）A、B、C、D、12.直流单臂电桥测量几欧姆电阻时，比率应选为(A )。
A、0.001B、0.01C、0.1D、113.直流单臂电桥测量十几欧电阻时，比率应选为（B）A.0.001B.0.01C.0.1D.114.直流单臂电桥用于测量中值电阻，直流双臂电桥测量电阻在（B）欧以下A.10B.1C.20D.3015.直流单臂电桥测量小阻值电阻时，不能排除(A)，而直流双臂电桥则可以。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版习题解答
模拟电子技术基础第四版习题解答Document number：BGCG-0857-BTDO-0089-2022模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显GS变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC=15V，?=100，U BE=。
[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4章 集成运算放大电路[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4
![[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4章 集成运算放大电路[童诗白版]模拟电子技术 习题答案 第4](https://img.taocdn.com/s3/m/41c93c2cb14e852459fb5716.png)
第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数B . 可使温漂小C ．集成工艺难于制造大容量电容（2）通用型集成运放适用于放大 。
A ．高频信号B . 低频信号C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A . 指标参数准确B . 参数不受温度影响C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
A ．减小温漂 B . 增大放大倍数C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。
A ．共射放大电路 B . 共集放大电路C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
( )（2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
( )（3）运放的共模抑制比cd CMR A A K ( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( )解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3解：分析估算如下：100BE1BE2CC =--=R U U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
第九章 功率放大电路自 测 题一、选择合适的答案，填入空。
只需填入A 、B 或C 。
（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。
A ．交流功率B ．直流功率C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。
A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 （3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。
A ．1WB ．0.5WC ．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。
A ．β B ．I C M C ．I C B OD ．B U CE O E ．P C MF ．f T（5）若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。
A ．L2CES CC 2)(R U V - B ．L2CES CC )21(R U V -C ．L2CES CC 2)21(R U V -图T9.1解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C二、电路如图T9.2所示，已知T 1和T 2的饱和管压降│U C E S │＝2V ，直流功耗可忽略不计。
图T9.2回答下列问题：（1）R 3、R 4和T 3的作用是什么？（2）负载上可能获得的最大输出功率P o m 和电路的转换效率η各为多少？（3）设最大输入电压的有效值为1V 。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ，电阻R 6至少应取多少千欧？解：（1）消除交越失真。
（2）最大输出功率和效率分别为%8.694πW162)(CCCESCC L2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（3）电压放大倍数为3.1113.11216i omax ≈+=≈=R R A U U A uuR 1＝1k Ω，故R 5至少应取10.3 k Ω。
习 题9.1 分析下列说法是否正确，凡对者在括号打“√”，凡错者在括号打“×”。
（1）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（ ）（2）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）（3）当OCL 电路的最大输出功率为1W 时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W 。
（ ）（4）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是 1）都使输出电压大于输入电压；（ ） 2）都使输出电流大于输入电流；（ ）3）都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
（ ） （5）功率放大电路与电压放大电路的区别是 1）前者比后者电源电压高；（ ）2）前者比后者电压放大倍数数值大；（ ） 3）前者比后者效率高；（ ）4）在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（ ）（6）功率放大电路与电流放大电路的区别是 1）前者比后者电流放大倍数大；（ ） 2）前者比后者效率高；（ ）3）在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。
（ ） 解：（1）× （2）√ （3）× （4）× × √ （5）× × √ √ （6）× √ √9.2已知电路如图P9.2所示，T1和T2管的饱和管压降│U C E S│＝3V，V CC＝15V，R L＝8Ω，。
选择正确答案填入空。
图P9.2（1）电路中D1和D2管的作用是消除。
A．饱和失真B．截止失真C．交越失真（2）静态时，晶体管发射极电位U E Q。
A．＞0V B．＝0V C．＜0V （3）最大输出功率P O M。
A．≈28W B．＝18W C．＝9W（4）当输入为正弦波时，若R1虚焊，即开路，则输出电压。
A．为正弦波B．仅有正半波C．仅有负半波（5）若D1虚焊，则T1管。
A ．可能因功耗过大烧坏B ．始终饱和C ．始终截止解：（1）C （2）B （3）C （4）C （5）A9.3 在图P9.2所示电路中，已知V C C ＝16V ，R L ＝4Ω，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝2V ，输入电压足够大。
试问：（1）最大输出功率P o m 和效率η各为多少？ （2）晶体管的最大功耗P Tm a x 为多少？（3）为了使输出功率达到P o m ，输入电压的有效值约为多少？ 解：（1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW5.242)(CCCESCC L2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）晶体管的最大功耗 W 4.622.02.0L2CC oMTm ax =⨯=≈R V P P（3）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U9.4 在图P9.4所示电路中，已知二极管的导通电压U D ＝0.7V ，晶体管导通时的│U B E │＝0.7V ，T 2和T 4管发射极静态电位U E Q ＝0V 。
图P9.4试问：（1）T1、T3和T5管基极的静态电位各为多少？（2）设R2＝10kΩ，R3＝100Ω。
若T1和T3管基极的静态电流可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？静态时u I＝？（3）若静态时i B1＞i B3，则应调节哪个参数可使i B1＝i B2？如何调节？（4）电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？解：（1）T1、T3和T5管基极的静态电位分别为U B1＝1.4V U B3＝－0.7V U B5＝－17.3V （2）静态时T5管集电极电流和输入电压分别为V3. 17mA 66.1B5 I 2B1CC CQ-=≈=-≈u uRU VI（3）若静态时i B1＞i B3，则应增大R3。
（4）采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适，也可只用三只二极管。
这样一方面可使输出级晶体管工作在临界导通状态，可以消除交越失真；另一方面在交流通路中，D1和D2管之间的动态电阻又比较小，可忽略不计，从而减小交流信号的损失。
9.5在图P9.4所示电路中，已知T2和T4管的饱和管压降│U C E S │＝2V，静态时电源电流可忽略不计。
试问负载上可能获得的最大输出功率P o m和效率η各为多少？解：最大输出功率和效率分别为%8.694πW42)(CCCES CC L2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η9.6 为了稳定输出电压，减小非线性失真，请通过电阻R f 在图P9.4所示电路中引入合适的负反馈；并估算在电压放大倍数数值约为10的情况下，R F 的取值。
解：应引入电压并联负反馈，由输出端经反馈电阻R f 接T 5管基极，如解图P9.6所示。
R f解图P9.6在深度负反馈情况下，电压放大倍数10 f1f f ≈-≈u u A R R A R 1＝1 k Ω，所以R f ≈10 k Ω。
9.7 估算图P9.4所示电路T 2和T 4管的最大集电极电流、最大管压降和集电极最大功耗。
解：功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为W122.0V 342A5.0L2CCTmaxCES CC max CE LCESCC max C ≈⨯≈=-==-=R V P U V U R U V I9.8 在图P9.8所示电路中，已知V CC ＝15V ，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝2V ，输入电压足够大。
求解：（1）最大不失真输出电压的有效值； （2）负载电阻R L 上电流的最大值； （3）最大输出功率P o m 和效率η。
解：（1）最大不失真输出电压有效值V 65.82)(CES CC L4Lom ≈-⋅+=U V R R R U（2）负载电流最大值 A 53.1L4CESCC Lmax ≈+-=R R U V i图P 9.8 （3）最大输出功率和效率分别为%644πW 35.92CC4CES CC L2om om≈--⋅=≈=V U U V R U P R η9.9 在图P9.8所示电路中，R 4和R 5可起短路保护作用。
试问：当输出因故障而短路时，晶体管的最大集电极电流和功耗各为多少？解：当输出短路时，功放管的最大集电极电流和功耗分别为W46πA26422CCTmax4CESCCCmax≈=≈-=RVPRUVi9.10在图P9.10所示电路中，已知V CC＝15V，T1和T2管的饱和管压降│U C E S│＝1V，集成运放的最大输出电压幅值为±13V，二极管的导通电压为0.7V。
图P9.10（1）若输入电压幅值足够大，则电路的最大输出功率为多少？（2）为了提高输入电阻，稳定输出电压，且减小非线性失真，应引入哪种组态的交流负反馈？画出图来。
（3）若U i＝0.1V时，U o＝5V，则反馈网络中电阻的取值约为多少？解：（1）输出电压幅值和最大输出功率分别为W6.10)2(V13L2Om axomOm ax≈=≈RuPu（2）应引入电压串联负反馈，电路如解图P9.10所示。
解图P9.10（3）在深度负反馈条件下，电压放大倍数为501o1fo==+≈=iuiu UUARRUUAR1＝1 kΩ，所以R f≈49 kΩ。
9.11 OTL电路如图P9.11所示。
图P9.11（1）为了使得最大不失真输出电压幅值最大，静态时T 2和T 4管的发射极电位应为多少？若不合适，则一般应调节哪个元件参数？ （2）若T 2和T 4管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，输入电压足够大，则电路的最大输出功率P o m 和效率η各为多少？（3）T 2和T 4管的I C M 、U （B R ）C E O 和P C M 应如何选择？解：（1）射极电位U E ＝V CC /2＝12V ；若不合适，则应调节R 2。
（2）最大输出功率和效率分别为%9.5821214W06.52)21(CC CES CC L2CES CC om≈⋅-⋅⋅=≈-⋅=V U V R U V P πη（3）T 2和T 4管I C M 、U （B R ）C E O 和P C M 的选择原则分别为W82.1π)2(V24A 5.12L22CC CM CC (BR)CEO LCC CM ≈==R V P V U R V I ＞＞＞9.12 已知图P9.12所示电路中T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝2V ，导通时的│U B E │＝0.7V ，输入电压足够大。
图P9.12（1）A、B 、C 、D 点的静态电位各为多少？（2）为了保证T 2和T 4管工作在放大状态，管压降│U C E │≥3V ，电路的最大输出功率P o m 和效率η各为多少？解：（1）静态电位分别为U A ＝0.7V ，U B ＝9.3V ，U C ＝11.4V ，U D ＝10V（2）最大输出功率和效率分别为%5521214πW53.12)21(CC CESCC L2CES CC om≈⋅-⋅⋅=≈-⋅=V U V R U V P η9.13 图P9.13所示为两个带自举的功放电路。