黄光制程简介3
TP金属黄光制程简
9
TP金属黄光制程简介
二次压膜
Chemax
干膜要求： 附着力要好；
压膜条件： 温度：110+5 压力：3.5kg/cm210TP金属黄光制程简介
二次曝光
Chemax
曝光注意事项： 注意避免吸真空不良 曝光能量把握适度 注意对位准确，勿对偏 关注材料及底片是否涨缩 无线路可用散射光曝光机
11
TP金属黄光制程简介
1
TP金属黄光制程简介
Chemax
一次曝光
TP金属黄光流程
材料 一次压干膜
一次显影
一次蚀刻金属
一次蚀刻ITO
一次去膜
二次压干膜
二次曝光
二次显影
二次蚀刻金属
二次去膜
红线框内部分流程也可用印刷制程取代
2
TP金属黄光制程简介
材 料
Chemax
材
料：PET+ITO+金属
PET规格：厚度50~150um 金属类别： --Cu --Cu+NiCu -- Cu+NiCuTi --其他（NiCuNi、APC、Ag合金等） ITO类别： --非结晶ITO（方阻150~400Ω） --结晶ITO（方阻80~160Ω）
二次显影
Chemax
显影注意事项： 控制显影点40~60% 控制好显影液浓度及PH
12
TP金属黄光制程简介
二次蚀刻金属
Chemax
蚀刻金属注意事项： 控制好蚀刻药水浓度 关注视窗金属残留问题 关注ITO方阻变化
13
TP金属黄光制程简介
二次脱膜
Chemax
脱膜注意事项： 注意干膜反粘 控制好药液浓度 关注ITO方阻变化，不可攻击ITO
黄光制程_??????
黄光制程
黄光制程（also known as黄色光刻技术）是一种微电子制程中常用的制造技术，它广泛应用于芯片制造和半导体工业。
黄光制程利用光刻和影像传输来定义微电子设备中的图案和结构。
黄光制程包括以下几个步骤：
1. 制备底片：将待制造的芯片涂覆在一个平坦的基片（通常是硅片）上。
2. 涂覆光刻胶：将光刻胶均匀涂覆在芯片上。
光刻胶可以在曝光后形成所需的图案。
3. 曝光：使用光刻机将芯片暴露在特定的光源下，光刻胶将在所暴露的区域发生化学反应。
4. 显影：用显影剂将未暴露的部分光刻胶去除，形成所需的图案。
5. 蚀刻：使用化学或物理的腐蚀方法去除裸露的芯片表面材料，形成所需的结构。
6. 清洗和检验：将芯片清洗干净并进行质量检验，以确保芯片制造的质量与要求相符。
黄光制程是制造集成电路和其他微电子器件的核心技术之一，它可以实现高精度和高分辨率的图案定义。
随着微电子技术的不断发展，黄光制程也在不断改进和演进，以满足日益复杂和精细的设备制造需求。
黄光工艺流程
黄光工艺流程黄光工艺流程是指在半导体制造过程中，使用光照将光刻胶曝光到硅片或其他材料表面，然后通过化学处理和蚀刻来形成图形的一种工艺流程。
下面将详细介绍黄光工艺流程的步骤。
第一步是准备硅片。
将硅片清洗干净，并使用酸洗去除硅片表面的污染物。
然后，在硅片上涂覆一层光刻胶，通常是聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。
第二步是光刻胶的曝光。
将硅片放入光刻机中，然后使用遮罩或掩膜来控制光照的位置和形状。
光刻机会使用紫外线或其他光源照射光刻胶，使其在受到光的作用下发生化学反应。
在曝光后，光刻胶的部分区域会发生化学变化，变得溶解性或不溶解性。
第三步是光刻胶的显影。
将曝光后的硅片放入显影剂中，显影剂会溶解或去除未曝光的光刻胶，而曝光后的光刻胶会保留下来。
根据需要，可以使用不同的显影剂，如碱性显影剂或酸性显影剂。
第四步是光刻胶的固化。
为了保护曝光后的光刻胶不受到污染或损害，可以使用紫外线照射或热处理来固化光刻胶。
固化后的光刻胶会变得更加耐久和稳定。
第五步是蚀刻。
将固化后的光刻胶保护住的部分区域暴露在蚀刻剂中，蚀刻剂会溶解或去除这些区域下的材料。
根据需要，可以使用不同的蚀刻剂，如湿法蚀刻剂或干法蚀刻剂。
蚀刻剂的选择取决于要制作的图形和所使用的材料。
第六步是去除光刻胶。
在完成蚀刻后，需要将剩余的光刻胶从硅片上去除。
这可以通过使用溶剂或清洗剂来实现，将硅片浸泡在其中，以溶解光刻胶并清洗硅片表面。
通过以上步骤，黄光工艺流程可以在硅片或其他材料上形成期望的图形。
这些图形可以用于制造微芯片、光学元件、显微镜、传感器等。
黄光工艺流程的精度和重复性较高，成本较低，因此在电子、光电子学和半导体工业中得到广泛应用。
总之，黄光工艺流程是一种通过曝光、显影、固化和蚀刻等步骤来制造精密图形的工艺流程。
这种工艺流程在半导体制造和其他领域具有重要的应用价值，可以实现微米级甚至纳米级的结构制造。
黄光玻璃生产流程及制程
黄光玻璃生产流程及制程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!黄光玻璃，又称屏蔽紫外线玻璃，是一种在玻璃表面涂覆一层特殊材料以屏蔽紫外线的玻璃产品。
黄光工艺介绍
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力
耐酸印刷制程
制程规 耐酸印 格项目 刷制程
评判
线宽线 0.3*0.3
距
mm
一般
蚀刻痕 明显
一般
是否扩 散
产品设 计图形 复杂的
程度
精度
印刷容 易扩散
设计图 形简单
0.1mm
一般 一般 一般
黄光制程
制程规 黄光制 格项目 程
，容易扩散。 容易受ITO图案复杂性
影响
良率高不受其它影响
Remark： 黄光制程相对耐酸印刷制程良率较高。
黄光工艺介绍 Profile of Photo process
2012-12-29
1、黄光制程定义-核心技术及名称的来源
黄光工艺使用的技术 黄光使用的技术为微影 (Lithography) 技术，使用的材料为感光材料，这
种材料称之为光阻（PR,photo resistance)。PR具有独特的特性，在UV光的作 用下，会发生化学变化，变成易容与酸或者碱的新物质。
微影 (Lithography) 技术是将光罩 (Mask) 上的图案先转移至PR上，再以 溶剂浸泡将PR受光照射到的部份加以溶解或保留，形成和光罩完全相同或呈互 补的光阻图。
黄光制程名称的来源 由于微影制程的环境照明光源是黄光，而非一般摄影暗房的红光，所以这
一制程常被简称为“黄光”制程。 黄光制程线路精准度水平高，被广泛应用在电容式触摸屏sensor的加工。
Remark：黄光制程采用干膜代替耐酸制程能力进一步提升，可以提升产品层次。 镭雕工艺有效率和爆点的问题，复杂ITO图案产品的批量性低。
4.黄光制程与传统制程的优劣3—批量能力
黄光设备工作流程简介
黄光工艺触摸屏
黄光工艺触摸屏是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，当接触了屏幕上的图形按钮时，屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置，可用以取代机械式的按钮面板，并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果。
原理特征
利用压力感应进行控制触摸屏。
触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。
它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
黄光工艺
微影技术说起，即可略知一二。
微影技术是将光罩上的主要图案先转移至感光材料上，利用光线透过光罩照射在感光材料上，再以溶剂浸泡将感光材料受光照射到的部份加以溶解或保留，如此所形成的光阻图案会和光罩完全相同或呈互补。
由于微影制程的环境是采用黄光照明而非一般摄影暗房的红光，所以这一部份的制程常被简称为“黄光”。
微影制程很好地实现了黄光工艺触摸屏视觉上的精准度。
应用
主要应用于公共信息的查询、领导办公、工业控制、军事指挥、电子游戏、点歌点菜、多媒体教学、房地产预售等。
iphone5感应线路就是采用黄光工艺的触摸电容屏，此种电容屏有助于手机在超窄边框上面布线，使手机工艺如钟表般精细，更薄，身材更漂亮，更有利于超窄边款手机的散热，更是贴合技术的绝配。
触摸屏黄光制程介绍
触摸屏黄光制程介绍触摸屏黄光制程介绍高精度网印制版及印刷技术是触摸屏制程中的核心技术，随着触摸屏市场的迅猛发展，对触摸屏生产成本和技术的要求也越来越高，谁的成本低、技术精，谁就能抢先占领市场，这同时也给触摸屏厂家就选择什么制程更能符合公司长远发展提出了疑问，那么触摸屏厂家到底是选择黄光制程还是印刷制程呢？11. 51Touch：利满洋行主要从事滚筒印刷制程，是这方面的专家，请您就目前黄光制程和滚筒印刷制程的区别做一个详细的介绍吧。
利满洋行：黄光制程和滚筒印刷制程就印刷制程而言，在成本和工艺上还是有很大区别的，我这里有一个比较详细的描述与大家分享一下：一、TP厂 : 黄光制程 vs 印刷制程黄光制程 vs 印刷制程二、黄光制程与滚筒网印的投资评估比较.1.) 黄光制程设备投资成本昂贵.- 黄光制程投资额由RMB 20M-70M不等，如卷对卷制式更不止此数，- 上下游工序、材料均须另作配合，- 樱井滚筒机的投资额相对是小巫见大巫了。
2.) 黄光制程设备占地面积较大, 影响生产厂使用的灵活性.任何工厂需要生产安排的灵活性，纵使黄光制程有其优点，而优点往往从接“大单“中才能反映出来，因其制程必须使用一定的蚀刻用化学剂，TP工厂接单的“单头量”直接影响每件成本，而现今电子产品讲求多花样，推陈出新是生存之道，所以TP厂的灵活性不是任何先进生产方式可以代替的。
樱井滚筒机设备摆放也不需要特定的楼层/位置, 而生产时只需要换网板就能马上生产不同尺寸的型号机种了。
3.) 制程设备投资与长远使用性风险评估.黄光制程是30多年前由MEMS 开始在半导体业界采用，20多年前TFT LCD厂家也开始使用，后来应用面扩展到PV 和TP，相对于PV 和TFT , TP结构比较有多变的空间，尤其各品牌都追求薄和轻，这趋势都直接引伸出不同的工艺模式，高昂的黄光制程投资额使投资风险一直成为决策的最大障碍。
在国内TFT 用黄光也不到10年，TP就更不用说了，但网印在国内累积了大量经验和人材，而TP厂的网印技术与人才皆是公司的重要资产，企业投资在现成和累积的资产上，使它延伸及增值，对长线企业发展最为有利。
黄光制程工艺流程
黄光制程工艺流程黄光制程工艺是一种在半导体加工中常用的工艺流程，它主要用于芯片制造中的光刻步骤。
光刻是一种将芯片设计的图案转移到硅片表面的关键工序。
在黄光制程中，光刻胶和光罩的使用对于芯片的质量和性能起着至关重要的作用。
下面是关于详细的描述，以帮助读者更好地理解这个过程。
第一步：准备光罩首先，我们需要准备好用于光刻的光罩。
光罩是一种具有所需图案的透明薄片，其材料通常是玻璃或石英。
光罩上的图案由芯片设计师根据芯片功能需求制作。
光罩的制作通常使用电子束曝光或激光曝光等方法。
第二步：准备硅片准备好待加工的硅片。
这些硅片通常经过前期的清洗和抛光等处理。
在准备硅片时，必须确保其表面平整且干净，以便后续的光刻步骤可以获得最佳效果。
第三步：涂覆光刻胶将硅片放置在旋涂机上，然后将光刻胶均匀地涂覆在硅片表面。
光刻胶可以保护硅片表面不受氧化和污染物的侵蚀，并提供一个平坦的表面用于将图案转移到硅片上。
涂覆光刻胶后，通常使用烘烤等方法进行固化，以确保光刻胶的性能和稳定性。
第四步：对齐和曝光将准备好的光罩放置在光刻机上，并将其与涂覆了光刻胶的硅片对准。
通过微调光罩和硅片的位置，确保图案的精确对齐。
然后，使用紫外线或深紫外线等光源对光罩进行照射，以将图案转移到光刻胶上。
照射时间和强度的控制非常重要，可影响芯片的精度和分辨率。
第五步：显影曝光后，将硅片放入显影机中进行显影。
显影是使用显影液将未曝光的光刻胶部分溶解掉，从而暴露出硅片上的图案。
显影液的选择和浸泡时间需要根据光刻胶和芯片制造的要求进行优化。
第六步：清洗将经过显影的硅片进行清洗，去除残余的光刻胶和显影液。
清洗过程通常使用化学溶剂和超声波技术，以确保芯片表面的干净和平整。
第七步：检验和测量对清洗过的芯片进行检验和测量。
这可以包括检查图案的完整性和准确性，以及芯片上不同部分的厚度、尺寸和形状等参数的测量。
第八步：后续处理根据芯片的具体用途，可能需要进行一些附加的工艺步骤，如沉积金属层、刻蚀等等。
黄光工艺流程
黄光工艺流程
《黄光工艺流程》
黄光工艺是一种常用的光刻工艺，主要用于半导体器件制造。
它通过使用紫外线光源和光刻胶来将图案投射到硅片上，形成微米级别的结构。
黄光工艺的流程可以分为几个主要步骤。
首先，将硅片进行表面清洁处理，以确保光刻胶可以均匀地附着在硅片上。
接下来，将光刻胶涂覆在硅片表面，然后使用旋转涂覆机将光刻胶均匀地分布在整个表面。
一旦光刻胶涂覆完成，需要将硅片置于紫外线光源下。
通过光刻胶上的光掩模，紫外线光源可以将图案投射到硅片表面。
这个过程是非常精密的，精细的图案需要准确地投射到硅片上。
经过光刻曝光之后，硅片需要进行显影处理。
这一步是将硅片浸泡在显影液中，以去除未曝光的光刻胶。
这样就可以形成所需的图案结构。
最后，需要对硅片进行清洗、干燥和固化处理，以确保光刻胶牢固地附着在硅片上，并且形成微米级别的结构。
完成这些步骤之后，硅片就可以用于半导体器件的制造了。
总的来说，黄光工艺流程是一种复杂且精密的制造工艺，它为微电子器件的制造提供了重要的工艺支撑。
随着技术的不断发
展，黄光工艺也在不断地完善和创新，为半导体工业的发展做出了重要贡献。
黄光制程介绍
100
NA
NA
1000
7
NA
10000
70
NA 100000 700
我們的無塵室規格
❖落塵量 ：每一立方英尺的空間裡直 徑0.5微米的灰塵或顆粒 數目小於10000個. （10000級）
❖溫 度 ： 21℃－25℃ ❖溼 度 ： 相對溼度 50﹪－70﹪ ❖靜電限制： 低於100 伏特
10/22
干膜光阻
3/21
模版式 移印式 印刷式 黃光轉移
通過干膜的光照反 應、化學反應發生 分解，達成非接觸
式轉移圖形
制程簡介
表面清潔
4/22
壓膜 去膜
曝光 顯 影
蝕刻
黃光區域
黃光燈：由于感光性的原料，對紫外光或可見 光敏感，如果采用含紫外線的普通白光燈照明 ，結果是電阻圖形邊緣模糊，從而降低產品的 質量，所以必須使用防紫外線燈，目前我們使 用的燈波長是大于365nm.
Hale Waihona Puke 黃光制程介紹前言黃光制程是通對涂覆在物件表面的光敏 性物質（又稱光刻膠或光阻），經曝光、顯 影后留下的部份對底層起保護作用，然后進 行蝕刻去膜，最終獲得永久性圖形的過程。
1/22
目錄
❖ 制程簡介 ❖ 黃光區域 ❖ 無塵室 ❖ 干膜光阻
2/22
❖ 曝光 ❖ 顯影 ❖ 蝕刻 ❖ 去膜
制程簡介
圖 形 轉 移 技 術
2 表示正在品質驗證的阻值
MS生產設備
21/22
小結
黃光制程是一種產品制造技術，并不 限于生產一種產品，目前的認知是可以在 平面物件上做出圖形，可以將銅合金制作 成需要的形狀，各制程如有新品的試制可 以采用。
23 22/22
12/22
露光(黄光)制程介绍
正型光阻
Original
曝光 (照光處)
顯影
長鏈(強壯)
裂解
曝光處—洗掉光阻
負型光阻
短鏈(弱)
聚合(Cross Link)
曝光處—光阻留著
光阻 光罩/底片
光阻
正負光阻Pattern說明
基板
基板
紫外線
曝光
負光阻 正光阻
基板
顯影後
基板
正光阻優點：高解析(解析能力3um)、負光阻(乾膜解析約15 um) 負光阻優點：便宜
2.鄰接式曝光機(Proximity Mode) 備註：適用油墨曝光、感光銀膠曝光、RBM曝光
3.投影式曝光機(Stepper) 備註：半導體、LCD、超細線路、超高解析、高對
位精度 4.LDI曝光系統(Laser Direct Imaging)
備註：無需光罩、高對位精度
12
曝光波長
曝光機感光光譜
I-Line H-Line G-Line
G-line: 436 nm H-line: 405 nm I-line: 365 nm
乾膜感光光譜 適合感光光譜365nm
➢每支乾膜需確認其感光範圍，再確認該乾膜 是否可適用於該曝光機。
➢一般曝光機為I、H、G Line共存or單一波長 I Line為主。
接觸式曝光機(Contact Mode)
底片製作說明-----RD、繪圖必知
底片組成：PET+藥膜 底片製作流程： 快速記憶PET上正型光阻+曝光+顯影
PET塗藥膜(正型光阻)雷射繪片(曝光)顯影乾燥 正片
底片構造
藥膜 PET
YLO出圖
For 正型光阻、印刷製程
薄膜黄光蚀刻制程简介
W明o興rl光d C電la股s份s Q有u限al公ity司
.
CONFIDENTIAL
4
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
Touch panel ITO layer剖面圖
ITO film 200A
玻璃基板 (0.55 mm)
▪ ITO (Indium-Tin-Oxide) ▪ 透明導電膜 ▪ 高透過率
.
CONFIDENTIAL
8
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
ITO 製程腔室Chamber說明
陰極遮板
製程气体 (Ar, Ar+O2 ) 背板 靶材
絕緣板
冷卻水
磁 鐵
配合箱
真空計(MFC)
基板 Carrier
真空腔體
DC 直流電源供應
W明o興rl光d C電la股s份s Q有u限al公ity司
2
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
Sputter ITO技術介紹
W明o興rl光d C電la股s份s Q有u限al公ity司
.
CONFIDENTIAL
3
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
大綱
• 成膜製程 • ITO 靶材 • 品質異常處理
.
CONFIDENTIAL
9
電漿(Plasma)
真空幫浦
UnUiDniismpilcaryon NATIONAL QUALITY AWARD
ITO成膜特性介紹
ITO膜性質的決定因素: 1.基板溫度:高溫成膜可降低sheet抵抗值 2.成膜壓力:成膜壓力會影響ITO膜與基板間的密著性，
黄光流程了解及各站点的出现的异常描述
涂布模厚不均/显影不净/保 外观检耙标 护光阻回溅 用万用表30度角3CM(量程20K)以上量测 阻值,阻值显示1即为NG(显示值有跳动 为OK) 剥膜后外观检+2D整面全检
背面ITO被蚀刻
保护光阻没保护上
AL线间残留造成Short METAL
蚀刻液HAC浓度/显影不净/ 显影后风刀吹不干 涂布机刮伤/清洗机毛刷刮 伤
黄光流程了解及各站点的出现的异常描述
TPK Confidential and Proprietary Information
DITO(N系列)流程
清洗 IR/UV/CP 光阻涂布 软烤 曝光 显影
ADI检验
ITO流程（Front
& Back）
溅渡 Metal
剥膜 AEI检验
蚀刻
硬烤
保护涂布
ADI检验
7
TPK Confidential and Proprietary Information
3.涂布脏污(部分因来料脏污/未清洗干净/机台脏污等~所导致)
4.涂布箭影(部分因玻璃上粘有有机物/涂布机台异常/光阻粘度/风刀水未吹干等~所导致)
8
TPK Confidential and Proprietary Information
AL线间残留造成Short
剥膜后外观检+2D整面全检
涂布后刮伤 线路偏细/MetalJumper 偏细或无Jumper 硬烤后偏黄 PC405厚度超规格 硬烤后白雾 硬烤后凹点增多
涂布或显影后外观检验 异常品需选出返工 MFG漂白/硬烤前确认参数 显影后测量膜厚 请PE确认参数 请PE确认参数
23 .所有制程的偏移均需管控;且严禁MFG使用手动曝光;请检验人员在正常管控的条件下加强管控以上的各类 2.新制程所使用之PI/PC405/TORAY等留在产品上之光阻以RUN CARD上要求为主,有争议请找开RUN CARD的 TPK Confidential and Proprietary Information 进行确认,确认后再行生产;
黄光制程简介
俯视图
侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 4 步:涂胶(COATING), 把晶圆涂上一层光阻胶. E.B.R.(Edge Bead Removal)
光阻胶
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第5步: 预烘 (SOFTBAKE),用加热法把光阻中的溶 剂蒸发掉.
俯视图 侧面图
Litho
涂胶的步骤
第 6 步: 冷却(COOLING), 把晶圆冷却到室温.
俯视图
侧面图
Litho
曝光机的外形
Litho
曝光的作用
Light Reticle Lens Resist Wafer 俯视图 侧面图
Litho
曝光机的分类
• 按光源分类: DUV (波长=248) ; I-line (波长=365nm)
• 按运作分类: 扫描机(SCANNER); 步进机(STEPPER)
Litho
什么是光罩?
光罩是有很多图形(Pattern）的模板设计图形
+ +
Test Key Barcode Scribe Line
Fiducial Test Line
Main Pattern
+
+
Global Mark
QA Cell
检测 ADI
检测 CD SEM
检测 Overlay
冷却
Litho
1. 曝光机(Duv,I-line,g-line)
• ASML的Scanner:
Litho
Scanner
Stepper
Litho
曝光机的种类(Scanner ,Stepper) 工作方式区分： 1 .步进式曝光机：Stepper 主要机台： Cannon iZ01 2 .扫描式曝光机：Scanner 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /400 ,/750, /850,/1100 工作光源区分： 1 .I-Line 曝光机：365nm (Hg-Arc) 主要机台： Cannon iZ01 ,ASML /400, 2 . DUV 曝光机：248nm ,193nm (Laser) 主要机台： Cannon ES3 ,ASML /750, /850,/1100
黄光制程工艺流程
根据光敏材料的性质，选择合适的光 源波长和功率。
显影设备
显影设备
用于将光固化后的膜进行显影，去除未固化的材 料。
显影方式
可以采用浸泡显影、喷淋显影等方式。
显影剂选择
根据光敏材料的性质，选择合适的显影剂。
蚀刻设备
1 2
蚀刻设备
用于对硅片进行蚀刻处理，形成电路和图形。
蚀刻方式
可以采用化学蚀刻、物理蚀刻等方式。
技术挑战
光刻机精度要求高
黄光制程需要高精度的光刻机，以确保图案的精确复制和加工。
制程控制难度大
黄光制程涉及多种材料和复杂的化学反应，对制程参数和环境条件 要求极高，控制难度较大。
设备维护与升级成本高
黄光制程设备昂贵且维护成本高，同时随着技术更新换代，设备升 级也面临较大压力。
环境影响与可持续发展
特点
黄光制程具有高精度、高稳定性和高效率的特点。在微电子、精密机械、光学 等领域中，黄光制程广泛应用于表面处理、光刻、曝光等关键工艺环节。
黄光制程的重要性
提高产品质量
黄光制程能够有效地提高产品的质量和性能，降低不良率，提高 生产效率。
满足高精度需求
随着科技的发展，产品对精度的要求越来越高，黄光制程能够满足 高精度、高稳定性的制造需求。
03
聚酯
聚酯是一种常用的高分子材料，具有良好的透明性和机械性能，常用于
制造中低端光掩膜和光刻胶。
光敏材料
光敏材料
光敏材料是黄光制程中的核心材料之一，用于制造光掩膜和光刻胶。它们在受到特定波长 的光线照射后，会发生化学反应，从而产生交联或降解等变化。
光刻胶
光刻胶是光敏材料的一种，分为正性胶和负性胶两种类型。正性胶在受到光线照射后会变 得可溶，而负性胶则会变得不溶。它们在光刻工艺中起到关键的作用。
黄光制程工艺流程
总 流 程 图
2
Glass BM制程 ITO1制程 OC1制程 ITO2制程 MAM制程 OC2制程
黄光制程：通过对涂覆在玻璃表面的光敏性物 质(又称为光刻胶或光阻)，经曝光、显影后留 下的部分对底层起保护作用，然后进行蚀刻脱 膜并最终获得永久性图形的过程。
3
制 程 流 程
4
Glass Clean Sputter Clean IR/UV/CP
EXPO
Exposure
16
曝光波长：i线（365nm）， h线（405nm）， g线（436nm）。
Mask：也叫掩膜板。电路图即是通过曝光从 Mask上转移到玻璃上。
高压汞灯发光原理：在真空的石英管中加入 定量的高纯汞，通过对两端电极提供高电压 差，产生高热，将汞汽化，汞蒸气在高电位 差下，受激发而放电，从而产生紫外线辐射。 内部的卤素元素，就有催化及保护的功用。
13
BM&OC1用的是Inkjet印刷，而OC2用的是APR凸版 印刷。
Pre-bake
Pre-Bake
Pre-Bake ：也叫soft bake。将光阻中的大部 分有机溶剂烘烤到4%~7%，使原本液态的光 阻固化。
主要控制参数:烘烤时间，烘烤温度，烘烤 热板Pin高度。 主要品质异常：玻璃受热不均，使光阻局部 过烤或烘烤不足，造成后续的显影不净或显 影过显。
主要控制参数：Roller的前挤量及下压量，涂布速度，
抽泵频率，抽泵强度。
主要参考参数：膜层厚度(属过渡光阻,膜厚1.4~2.3um)，
膜层均匀性。
主要品质异常：涂布针孔、涂布箭影。
12
CT
Coating
Coater一般分为Roll Coater，Slit Coater，Spin
黄光工艺介绍-20121230
批附光阻
3
UV光源 光罩图案 PR 光阻 ITO film 基材
UV通过光罩上的图案，照射到 光阻膜上去，制出光阻图案 （PR被UV照射后，发生化学变 化，但是物理形态没有变化，所 以生成的光阻图案肉眼不可见） 碱性溶液中，在光阻膜上形成与 光罩图案相同或者互补的光阻图 案 酸性溶液中，未被光阻图案遮 挡住的ITO被溶解，形成ITO图 案 酸性溶液中清晰掉光阻图案， 保留ITO图案。Sensor制作完 成
曝 光
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光阻图案 ITO film 基材 光阻图案 5 ITO 图案 基材 ITO 图案 基材
显 影
蚀 刻
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褪光阻
4.黄光制程与传统制程的优劣1-流程
耐酸 印刷 制程
黄光 制程
镭雕 制程
Remark：黄光制程与耐酸制程工艺的对比主要是用干膜代替了耐酸印刷制程，后续工站相同。
4.黄光制程与传统制程的优劣2-流程工艺能力 耐酸印刷制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 是否扩 散 产品设 计图形 复杂的 程度 精度 耐酸印 刷制程 0.3*0.3 mm 明显 印刷容 易扩散 设计图 形简单 0.1mm 评判
黄光制程
制程规 格项目 线宽线 距 蚀刻痕 黄光制 程 40*4 0um 无 无 设计图 形可以 更复杂 ，性能 强大 40um 评判 好 好 较好
曝光前
Mask光罩
曝光后
PR 光阻 ITO film 未被mask遮挡的PR曝 光后变成不溶于碱的物 质，形成负性光阻图案 未被mask遮挡的PR曝 光后变成溶于碱的物 质，形成正性光阻图案
3、黄光制程的流程
1 2
ITO 基材 基材退火
ITO缩水 压干膜
PR 光阻 ITO 基材
CF制程特性与检测分析
BM工程 < 光阻涂布>
・均匀涂布光阻
基板洗浄 < 曝光 >
ＵＶ
光阻涂布
预烘烤 曝光 显影 烘烤
前 段
・通过mask光罩的 pattern进行照射
后 段
< 显影・烘烤 > Red
・显影 将未经曝光的光阻 去除以形成光阻图案 ・烘烤 加速光阻固化成型
依次RGB Red ,Blue ,Green依次 进行黄光制程，形成图案
二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（PS）
主要针对前段制程，光阻涂布 主要针对后段制程，曝光、显影
高度
Photo Spacer的高度 （即膜厚）
PS
CD Overlay
Photo Spacer的线宽 通过与BM test key的重叠 区域线宽来衡量曝光精度
x
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CSOT-CONFIDENTIAL
二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（RGB-CD & Overlay） R OL1 R OL2
BM
R CD
B CD
G CD
因为RGB是以BM mark为基准进行对位曝光，曝光的位置精度就通过 RGB与BM边框的重叠区域大小（Overlay）来衡量。
最佳值是：Overlay 1=Overlay 2
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二、CF制程的特性
2.CF制程黄光特性值（RGB-CD & Overlay）
OL
OL
Overlay偏移，一方面可能导致漏光，另一方面可能和其他色阻膜层造成重叠堆高
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CSOT-CONFIDENTIAL
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System CPU
Lens distortion & aberration Illumination
Stage stepping Alignment accuracy
PSM Registration errors
Exposure Tool
Reticle
Illustration of contrast for SEs and BSEs
– OAI, PSM, OPC…
• As CD size smaller, the process window is narrow, it make process control more difficult
Thank you for your attention !!!
CD Calibration of SEM
Top-down & xsection calibration
SEM proximity calibration
SEM Charging Effect
Before measurement
After 60 secs of imaging
Summary
• To shrink CD size→ Increase NA Equipment Decrease λ → RET is necessary • RET (Resolution Enhancement Technology)
Overlay Metrology Challenge
Overlay target after CMP
After target edge enhancement using coherence probe microscope
Express overlay errors by series expansion
CD Measurement
θ
Crossing section of featured: Threshold,
inflection points, maximum slope, linear approximation, minima or maxima.
(A) Interfield errors: ∆X=TX+EXX-RXY+higher order terms+eX, ∆Y=TY+EYY+RYX+higher order terms+eY, where T means the wafer translation factor, E the wafer scaling factor, R the wafer rotation factor. eX and eY represent the interfield residual errors. (B) Intrafield errors: δx=mxx-rxy+txxy+tyx2+ex, δy=myy+ryx+tyxy+txy2+ey, where m means the shot magnification factor, r the shot rotation factor, t the trapezoidal parameter. ex and ey represent the intrafield residual errors.
Translation
Rotation
Trapezoid
Magnification
Skew
The contributors of Overlay Error
Wafer process
Wafer processing Wafer deformation
Metrology
Image processing Target design