材料性能学 10.电学性能

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材料性能----电学性能

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(3) 能带理论 能带理论: ----导体、绝缘体、 ----导体、绝缘体、半导体能带结构特点 导体
电子 很难 跃迁
满带 上面 相邻 较宽 禁带
电子易发生能级跃迁
允带 之间 互相 重叠 允带 之间 没有 禁带 允带 能级 未被 填满
t=
n ef e 2
nef 单位体积内参与导电电子数, 称为有效自由电子数;
t
p
两次反射之间的平均时间;
单位时间内散射的次数,称 为散射几率。
解释了金属导电本质 但是离子所产生的势场是均匀的,与实际情况相悖。 但是离子所产生的势场是均匀的,与实际情况相悖。
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(3) 能带理论 能带理论: 能带发生分裂, 能带发生分裂,即有某些能态是电子不能取值的
允带 能隙, 能隙,禁带 允带 能隙, 能隙,禁带 允带
∆ E1
∆E 2
允 带 和 禁 带 交 替 结 构
SIT
二 、导电机理
2 无机非金属导电机理 玻璃的导电机理: 玻璃的导电机理:
高温
ρ↓ ↓
原因:某些离子在结构中的可动性(在空位之间跳跃)所导致的。 原因:某些离子在结构中的可动性(在空位之间跳跃)所导致的。 玻璃的组成对玻璃的电阻影响很大
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材料物理性能学之材料的电性能

材料物理性能学之材料的电性能

材料物理性能学之材料的电性能引言材料的电性能是材料物理性能学的一个重要研究分支,它研究的是材料在电场、电流和电磁波等电学环境下的行为和性能。

材料的电性能对于材料的应用具有关键影响,比方在电子学、能源转换和传感器等领域中起着重要作用。

本文将探讨材料的电性能的根本概念、测试方法和常见的应用。

1. 电导率电导率是材料的一个根本电学性能参数,表示材料导电能力的强弱。

它常用符号σ表示,单位为S/m〔西门子/米〕。

电导率的量值越大,材料越好的导电性能。

电导率可以通过测量材料的电阻率来计算。

2. 电阻率电阻率是材料对电流流动的阻碍能力的度量,常用符号ρ表示,单位为Ω·m。

电阻率和电导率是一对相互关联的物理量,它们之间的关系可以用以下公式表示:ρ = 1/σ。

电阻率可以通过测量材料的电阻来得到。

3. 介电性能除了导电性能,材料还具有介电性能。

介电性能是材料对电场的响应能力的度量。

具有良好介电性能的材料可以阻止电流的流动,并被广泛应用于电容器、绝缘材料和电子设备等领域。

介电性能可以通过测量材料的介电常数来评估。

4. 介电常数介电常数是材料在电场中响应的能力的度量,常用符号ε表示。

介电常数可分为静电介电常数和动态介电常数。

静电介电常数表示在静电场中材料的响应能力,而动态介电常数那么表示在交变电场中材料的响应能力。

介电常数越大,材料对电场的响应能力越强。

5. 半导体材料的特性半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料,它具有特殊的电性能。

半导体材料的电导率较低,但随着温度的升高会逐渐增大。

半导体材料的导电性能可以通过添加杂质来调控,从而实现半导体器件的制造。

6. 材料的应用材料的电性能对于众多领域的应用至关重要。

在电子学领域中,导电性能好的材料可以用于制造电路和导线等电子元器件。

在能源转换领域中,材料的电性能对太阳能电池和燃料电池等能源转换器件的效率和稳定性有重要影响。

在传感器领域中,材料的电性能可以用于制造压力传感器、温度传感器和湿度传感器等。

第十章材料的电学性能

第十章材料的电学性能
此外,电磁波在传播过程中被离子点阵散射,相 互干涉而形成电阻
实际金属内部存在的缺陷和杂质产生的静态 点阵畸变和热振动引起的动态点阵畸变,对电磁 波产生散射.
材料性能学
Materials Properties
量子自由电子理论较好地解释了金属导电 的本质,但它假定金属中的离子所产生的势 场是均匀的,显然这与实际情况有一定差异.
材料性能学
三个临界参数的关系
Materials Properties
要使超导体处于超导状态,必须将它置于三 个临界值Tc、Hc、Ic之下。三者缺一不可,任 何一个条件遭到破坏,超导状态随即消失
材料性能学
Materials Properties
BCS理论
超导电性来源于电子间通过声子作媒介所产生的 相互吸引作用。当这种作用超过电子间的库仑排 斥作用时,电子会形成束缚对(即库柏对)
材料性能学
Materials Properties
n型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半
导体,也称为(电子半导体)
p 型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导
体,也称为(空穴半导体)
本征半导体和杂质半导体的电导率与温 度的关系:
0 exp( Eg / 2kT)
材料性能学
Materials Properties
材料性能学
Materials Properties
第一类超导体:在临界磁场以下显示超导性,超 过临界磁场便立即转变为正常态的超导体
第二类超导体:有两个临界磁场, 下临界磁场Hc1,上临界磁场Hc2. Hc1比Hc2低一个数量级.外磁场 小于Hc1,处于完全抗磁状态.介 于Hc1与Hc2之间时,处于超导态 与正常态的混合状态,磁场部分 地穿透到超导体内部,电流在超 导体内部分流动.等于Hc2,超导 部分消失,转变为正常态.

第十章 材料的电学性能

第十章 材料的电学性能

第四节
介质极化与介电性能
一 极化的基本概念
1 介质极化的基本概念 (1)电介质 (2 )介质极化
2 电介质分类 (1)非极性介质 无外电场作用时.正负电荷中 心重合 电偶极矩 外电性能
(2)极性介质 分子存在固有电偶极矩 电偶极矩转向外电场方向 外电场越强,电极化的程度越高 3 极化率 表征材料的极化能力 只与材料的性质有关 4 极化强度 线性极化 表征介质在电场作用下极化程度
第一节
在外加电场的作用下,从 而使正反向运动的电子数 不等,使金属导电 只有处于较高能态的自由 电子参与导电 缺陷和杂质产生的静态点 阵畸变和热振动引起的动 态点阵畸变,对电磁波造 成散射,形成电阻 超导现象 一价金属比二、三价金属 导电性较好
导电性能
第一节
导电性能
(3)能带理论 能带 金属中的价电子是公有化和 能量是量子化 金属中由离子所造成的势场 不是均匀的 价电子在金属中的运动要受 到周期场的作用 能带发生分裂,即有某些能 态是电子不能取值的 禁带 允带
第十章 材料的电学性能
第一节 第二节 第三节 第四节 第五节 第六节 导电性能 热电性能 半导体导电性的敏感效应 介质极化与介电性能 电介质的介质损耗 绝缘材料的抗电强度
第一节

导电性能
电阻与导电的基本概念
1 导电 当在材料的两端施加电压时,材料中 有电流流过 欧姆定律 2 电阻 与材料的性质有关,还与材料的长度 及截面积有关 3 电阻率 只与材料本性有关,而与导体的几何 尺寸无关 评定导电性的基本参数
2 热击穿 (1)热击穿的过程 损耗→部分电能转变成热能→ 热量的不平衡状态→击穿 (2)影响热击穿的因素 材料性质 绝缘结构 电压种类 环境温度
电子和空穴导电 B表示材料的电导活化能 应用 热敏温度计、电路温度补偿器

材料性能学第十章 材料的导电性能

材料性能学第十章 材料的导电性能

材料性能第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
和禁带。

材料性能第十章材料的导电性能。

当外电场ε加上之后,各电第十章材料的导电性能
材料性能第十章材料的导电性能
1
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能
的加强使有效电子数减少,也会造成电阻率的增长。

材料性能第十章材料的导电性能
Cu
3Au合金
l一无序(淬火态);2一有序(退火态)
第十章材料的导电性能
(a)连续固溶体;(b)多相合金;(c)正常价化合物;(d)间隙相
电阻率与状态图关系示意图
材料性能第十章材料的导电性能
4
2213
211R I R I R I R I R R N X --=分别为标准电阻与待

测量原理如图所示。

各样品内侧两电极间的电压为,电极间距离为l,样品截面为S
过的电流为I。

则其电导率为
σ=
在室温下测量电导率通常采用简单的四探针法
线排列,并以一定的载荷压附于样品表面。

若流经1,4探针间的电流为
电阻法测定Mg—Mn合金的溶解极限
材料性能第十章材料的导电性能
第十章
第十章材料的导电性能
第十章材料的导电性能。

(整理)南昌大学材料性能学重点 材料电学性能.

(整理)南昌大学材料性能学重点 材料电学性能.

第二章材料电学性能内容概要:本章介绍金属的导电机理,以及影响金属导电的因素,导电率的测量方法及其它材料的电学性质。

具体内容和学时安排如下:第一节导电性能及本质要求学生掌握导电的三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

这三大理论的成功或不足点。

理解自由电子、能级和能带、周期性势场、能带密度、K空间的概念。

第二节金属导电性能影响因素理解温度、相变、应力和热处理(淬火和退火)对材料导电性能的影响。

第三节合金的导电性能理解固溶体和化合物的导电性第四节电阻率的测量电阻率的测量方法有单电桥法;双电桥法;电子四探针法。

重点要求掌握单电桥法。

第五节电阻分析应用根据电阻率与温度的线性关系,可来研究材料的相变,材料的组织结构变化。

第六节超导电性掌握超导的两大性能:完全导电性和完全抗磁性。

掌握超导态转变为正常态的三个条件:临界温度;临界电流;临界磁场。

超导的本质-BCS理论。

第七节材料的热电性能了解三大热电现象:第一热导效应、第二热电效应、第三热电效应。

第八节半导体导电性的敏感效应了解半导体能带结构特点;半导体导电有本征导电和杂质导电;实现导电的条件。

第九节介电极化与介电性能掌握电介质极化机理和介电常数的本质第十节电介质的介电损耗了解电介质的能量损耗。

(共12个学时)第一节导电性能及本质材料的电学性能是指材料的导电性能,与材料的结构、组织、成分等因素有关。

一、电阻与导电的概念R=U/I R 不仅与材料的性质有关,还与材料的几何形状有关 。

SL R ρ= L 与材料的长度,s与材料的横截面积,ρ为电阻率,单位为 m Ω∙ρσ1=值越小,a 值越大。

ρ 值愈小,σ值愈大。

纯金属:e 为10-8~10-7合金: 10-7~10-5半导体:10-3~109 绝缘体:﹥109 导电性能最好的金属是银、铜、金,其电阻率分别为1.5×10-8Ω⋅m 、1.73×10-8Ω⋅m 、等二、导电机理及能带理论关于材料的导电机理有三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

第十章材料的电学性能

第十章材料的电学性能

上节回顾
1、掌握铁磁性的本质,铁磁体的两大特征, 磁畴结构的大小,磁化曲线和磁滞回线,铁 磁材料的性能指标。
2、利用能带结构分析材料的导电性差异。
3、熟悉超导体的概念,掌握超导体的两个特征和 三个性能指标。
第十八页,共87页
四、影响材料导电性的因素
温度
冷塑性变形和应力 化学成分
……
第十九页,共87页
能带。
允带与禁带相互交替,形成了材料
的能带结构。
第八页,共87页
(3)能带理论 空能级指允带中未被电子填满的能级。
导带:具有空能级的允带中的电子是自由的,在外 电场作用下参与导电,这样的允带称为导带。
满带:一个允带所有的能级都被电子填满的能带。
第九页,共87页
导体:允带内的能级未被填满,允带之间没有禁带或允带相 互重叠,图a、b、c;在外电场的作用下电子很容易从一个能级
(1)经典电子理论 金属晶体中,自由电子定向运动时,要不断与正离子
发生碰撞,使电子受阻,这是产生电阻的原因。
(2)量子自由电子理论 金属中每个原子的内层电子保持着单个原子时的能量状
态,而所有价电子按量子化规律具有不同的能量状态,即 具有不同的能级。
第五页,共87页
(3)能带理论 能带理论能很好地解释金属、绝缘体、半导体等的
第二页,共87页
10.1 导电性能
一、电阻与导电的基本概念 导电:在材料两端施加电压时,有电流流过的现象。
欧姆定律:I=V/R
电阻R:与材料的性质、尺寸有关。 R L
S RS
L 电阻率ρ:表示单位长度和单位面积上导电体的电
阻值;只与材料本性有关,而与导体的几何尺寸无
关;是评定导电性的基本参数;单位:Ω·m。

材料性能学第十章--材料的电学性能

材料性能学第十章--材料的电学性能

+4
+4
+4
+4
电子和空穴在外电场的作用下都将作 定向运动,这种作定向运动电子和空 穴(载流子)参与导电,形成本征半 导体中的电流。
当温度升高时,有更多的电子能够跳到下一个能带去。这有两个结果:在上面的导带 中少数电子所起的作用和它们在金属中所起的作用相同;而价带中留下的空态即空穴 起着类似的作用,不过它们好象是正的电子,因此,它们有来自导带中的激发电子和 来自价带中的空穴的导电性;温度升高时,由于有更多的电子被激发到导带, 所以 电导率随温度而迅速增加。
第一节 导电性能
量子力学证明,对于一个绝对纯的理想的完整晶体,0 K时,电子波 的传播不受阻碍,形成无阻传播,电阻为零,导致所谓的超导现象。
二、导电机理
1、金属及半导体的导电机理
第一节 导电性能
实际金属内部存在着缺陷和杂质。缺陷和杂质产生的静态点阵畸 变和热振动引起的动态点阵畸变,对电磁波造成散射,这是金属 产生电阻的原因。由此导出的电导率为:
合金为:
10-7-
-5 10 Ω.m
半导体材料:ρ=10-2-109Ω.m
绝缘体材料:ρ>1010Ω.m
各种材料在室温的电导率
金属和合金
-1 -1 (Ω .m )
银 铜,工业纯 金 铝, 工业纯 Al-1.2%,Mn 合金 钠 钨, 工业纯 黄铜(70%Cu-30%Zn 镍,工业纯 纯铁,工业纯 钛,工业纯 不锈钢,301型 镍铬合金 (80%Ni-20%Cr)
第一节 导电性能
一、电阻与导电的基本概念
欧姆定律:当在材料的两端施加电压时,材料 中有电流流过
电阻与材料的性质有关,还与材料的长度 及截面积有关
电阻率只与材料本性有关,而与导体的几何 尺寸是无关,作为评定导电性的基本参数

材料性能学课件第十章 材料的电学性能 - 2

材料性能学课件第十章  材料的电学性能 - 2
松弛极化与热运动有关,完成这种极化需要一 定的时间,属于非弹性极化,极化过程需要消 耗一定的能量,电子松弛极化和离子松弛极化 属于这种类型。
1、位移极化 电子位移极化:在外电场作用下原子外围电子云 相对于原子核发生位移,电子极化率依赖于频率、 与温度无关。 离子位移极化:离子在电场作用下偏移平衡位置
第四节 介质极化与介电性能
一、极化的基本概念
介质在电场作用下产生感应电荷的现象 称为介质的极化,这类材料称为电介质。
无极分子:无极分子在没有外电场时,分子正、负电荷中心重合。
但在外电场作用下,分子正、负电荷中心产生位移,形成取向外电 场方向的分子电偶极矩,使介质表面出现极化电荷(束缚电荷)。 极化电荷产生的附加电场方向与外电场方向相反。
二、介质的损耗形式
1、电导(或漏导)损耗 弱联系带电粒子(或空位)引起。
2、极化损耗 松弛极化所造成的介质损耗比较大。 造成损耗原因:松弛极化建立的时间较长,电 矩滞后于外加电场引起。 低频率,不产生极化损耗;高频率, 产生极化 损耗。
二、介质的损耗形式
3、电离损耗 由气体电离吸收能量所引起。 在正常条件下气体的耐受电压能力一般比固态 绝缘物的低。气体电离产生电介质损耗发热膨 胀,可能导致整个固态绝缘物的热破坏和造成 老化,尽量减少介质中的气孔。 4、结构损耗 与温度关系不大,随频率升高而增大(杂质) 5、宏观结构不均匀的介质损耗 工程介质材料大多数是不均匀介质。
三、影响抗电强度的因素
材料的组成与结构 1、温度的影响 (1)对电击穿影响不大 (2)对热击穿影响较大 (3)对化学击穿加快 2、频率的影响
频率影响介质损耗,进而对热击穿影响很大, 击穿场强与频率的平方根成反比。 另外,器件的大小和形状、散热条件都 对击穿有很大的影响。

材料的电学性能课件

材料的电学性能课件

电介质的损耗
电介质损耗
电介质在电场作用下,由于电导和极化的原因,将电能转换为热 能的现象。
损耗与电介质性能的关系
损耗的大小反映了电介质的导电和极化能力,是评估电介质性能的 重要参数。
损耗的测量方法
通过测量电介质在交流电场下的功率损耗或相位角来计算。
电介质的击穿
01
02
03
击穿
当电场强度足够高时,电 介质丧失其绝缘性能的现 象。
热电材料的应用
温差发电
利用热电材料将热能转 化为电能。
温度传感器
利用热电材料对温度的 敏感性,检测温度变化

热电制冷
利用热电材料的皮尔兹 效应实现制冷效果。
航天器热控
利用热电材料调节航天 器内部温度。
热电材料的发展趋势
高性能热电材料研究
提高热电材料的转换效率,降 低成本。
多功能化
开发具有多种功能的热电材料 ,如导热、导电、发光等。
材料的电学性能研究历史与现状
材料的电学性能研究始于19世纪初, 随着电子学的兴起和发展,逐渐成为 一门独立的学科。
随着新材料和新技术的发展,材料的 电学性能研究将不断深入,为电子器 件和集成电路的发展提供更多的理论 和技术支持。
目前,材料的电学性能研究已经取得 了长足的进展,涉及的研究领域不断 扩大,研究手段和方法也日益丰富和 先进。
材料的电学性能课件
目录
CONTENTS
• 引言 • 材料的导电性能 • 材料的介电性能 • 材料的磁学性能 • 材料的铁电性能 • 材料的热电性能
01 引言
材料的电学性能定义
材料的电学性能是指材料在电场 作用下的各种物理性质,包括导 电性、电阻、电导率、电场效应

南昌大学材料性能学重点 材料电学性能

南昌大学材料性能学重点 材料电学性能

第二章材料电学性能内容概要:本章介绍金属的导电机理,以及影响金属导电的因素,导电率的测量方法及其它材料的电学性质。

具体内容和学时安排如下:第一节导电性能及本质要求学生掌握导电的三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

这三大理论的成功或不足点。

理解自由电子、能级和能带、周期性势场、能带密度、K空间的概念。

第二节金属导电性能影响因素理解温度、相变、应力和热处理(淬火和退火)对材料导电性能的影响。

第三节合金的导电性能理解固溶体和化合物的导电性第四节电阻率的测量电阻率的测量方法有单电桥法;双电桥法;电子四探针法。

重点要求掌握单电桥法。

第五节电阻分析应用根据电阻率与温度的线性关系,可来研究材料的相变,材料的组织结构变化。

第六节超导电性掌握超导的两大性能:完全导电性和完全抗磁性。

掌握超导态转变为正常态的三个条件:临界温度;临界电流;临界磁场。

超导的本质-BCS理论。

第七节材料的热电性能了解三大热电现象:第一热导效应、第二热电效应、第三热电效应。

第八节半导体导电性的敏感效应了解半导体能带结构特点;半导体导电有本征导电和杂质导电;实现导电的条件。

第九节介电极化与介电性能掌握电介质极化机理和介电常数的本质第十节电介质的介电损耗了解电介质的能量损耗。

(共12个学时)第一节 导电性能及本质材料的电学性能是指材料的导电性能,与材料的结构、组织、成分等因素有关。

一、电阻与导电的概念R=U/I R 不仅与材料的性质有关,还与材料的几何形状有关 。

SL R ρ=L 与材料的长度,s与材料的横截面积,ρ为电阻率,单位为 m Ω∙ρσ1=值越小,a 值越大。

ρ 值愈小,σ值愈大。

纯金属:e 为10-8~10-7合金: 10-7~10-5半导体:10-3~109绝缘体:﹥109导电性能最好的金属是银、铜、金,其电阻率分别为1.5×10-8Ω⋅m 、1.73×10-8Ω⋅m 、等 二、导电机理及能带理论关于材料的导电机理有三大理论:经典电子理论;电子的量子理论;能带理论。

材料性能学——精选推荐

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材料性能学材料性能学第⼀章材料单向静拉伸的⼒学性能1.屈服是材料由弹性变形向弹-塑性变形过度的明显标志。

2.低碳钢单向静拉伸曲线特征及形变过程在低碳钢的单向静拉伸试验中,整个拉伸过程中的变形可分为弹性变形、屈服变形、均匀塑性变形以及不均匀集中塑性变形4个阶段3.真应⼒/应变与⼯程应⼒/应变的换算4.弹性变形的本质:构成材料的原⼦(离⼦)或分⼦⾃平衡位置产⽣可逆位移的反映。

5.弹性模量的影响因素答:键合⽅式和原⼦结构、晶体结构、化学成分、微观组织、温度、加载条件和负荷持续时间6.滞弹性:是指材料在快速加载或卸载后,随时间的延长⽽产⽣的附加弹性应变的性能。

7.包申格效应:⾦属材料经预先加载产⽣少量塑性变形,⽽后同向加载,规定残余伸长应⼒增加,反向加载,规定残余拉伸应⼒降低的现象。

(包申格效应可以通过热处理来消除。

)8.弹性滞后环:在⾮理想弹性的情况下,由于应⼒和应变不同步,使加载线与卸载线不重合⽽形成⼀封闭回线,这个封闭回线称为弹性滞后环。

9.内耗:在⾮理想弹性的情况下,由于应⼒和应变不同步,使加载线与卸载线不重合⽽形成⼀封闭回线,这个封闭回线称为弹性滞后环。

存在弹性滞后环的现象说明加载时材料吸收的变形功⼤于卸载时材料释放的变形功,有⼀部分加载变形功被材料吸收。

这部分在变形过程中被材料吸收的功称为材料的内耗。

10.⽆机⾮⾦属材料的塑性特点论述⼤多数⽆机⾮⾦属材料在常温下不能产⽣塑性形变的原因【答案】⽆机⾮⾦属材料滑移系统少,不易产⽣塑性形变,主要原因有:(1)离⼦键或共价键,具有明显的⽅向性。

(2)同号离⼦相遇,斥⼒极⼤,只有个别滑移系统能满⾜位错运动的⼏何条件和静电作⽤条件。

(3)晶体结构愈复杂,满⾜这种条件就愈困难。

陶瓷材料⼀般呈多晶状态,⽽且还存在⽓孔、微裂纹、玻璃相等。

其晶粒在空间随机分布,不同⽅向的晶粒,其滑移⾯上的剪应⼒差别很⼤。

即使个别晶粒已达到临界剪应⼒⽽发⽣滑移,也会受到周围晶粒的制约,使滑移受到阻碍⽽终⽌,所以多晶材料更不容易产⽣滑移。

部分 (第十章)材料的电学性能PPT课件

部分 (第十章)材料的电学性能PPT课件

黑格
7
麦克迪尔米德
二、绝缘材料
陶瓷系列插座
电工绝缘胶带
导热绝缘材料
8
三、半导体材料
CPU (Central Processing Unit)
9
1.2 导电机理 △
1.2.1 金属及半导体的导电机理
1.2.1.1 经典电子理论
1900年特鲁德(P.Drude)首先提出用金属中 自由电子的运动来解释金属导电性问题,以后洛伦 兹进一步发展了特鲁德的概来自,建立了金属的经典 电子理论。
❖ 大量自由电子的统计平均,就是以平均定向漂移速度 v
逆着电场线漂移。 13
4.从金属的电子理论导出欧姆定律的微分形式
设导体a 内 的F 恒/ m 定e 场 强 为e E E/ m ,e 则电子的加速度为 电度子为两vv 0,次 则碰v 0 撞 的e E 时 t 间/m 间e 隔为t ,上次碰撞后的初速 统计平v 均 后 ,e E 初t速/m 度e 的平均值为零,则
21
4. 量子自由电子理论导出的电导率
电导率为: nef e 2 t nef e 2
2m 2mp nef 为单位体积内参与导电 的电子数, 称为有效自由电子数。 不同材料 nef 不同。 一价金属的比二、三价 金属多,因此 导电性好。 t是两次反射之间的平均 时间。 p是单位时间内散射的次 数(散射几率)。
曲线对称分布:沿 正、反方向运动的 电子数量相同,没 有电流产生。
19
2.电场对E-K关系曲线的影响
外电场使向着其正向运动的 电子能量降低,反向运动的 电子能量升高。由于能量变 化,使部分能量较高的电子 转向电场正向运动的能级, 从而使正反向运动的电子数 不等,使金属导电。
也就是说,不是所有的电子 都参与导电,而是只有处于 较高能级的电子参与导电。 20

材料的电学性能

材料的电学性能

材料的电学性能材料的电学性能是指材料在电场作用下的响应特性,包括导电性、介电性、磁电性等。

这些性能对于材料在电子器件、电力设备、通信技术等领域的应用具有重要意义。

本文将就材料的电学性能进行详细介绍,以便更好地理解和应用这些性能。

首先,导电性是材料的一种重要电学性能。

导电性好的材料能够快速传导电流,常见的导电材料包括金属、导电聚合物等。

金属具有良好的导电性,是电子器件中常用的材料。

而导电聚合物则是一种新型的导电材料,具有轻质、柔韧等特点,适用于柔性电子器件的制备。

导电性的大小取决于材料内部自由电子的数量和迁移率,因此在材料设计和制备过程中需要考虑材料的电子结构和晶格结构。

其次,介电性是材料的另一重要电学性能。

介电性好的材料能够在电场作用下产生极化现象,常用于电容器、绝缘材料等领域。

常见的介电材料包括氧化物、聚合物、玻璃等。

这些材料具有不同的介电常数和介质损耗,适用于不同的电子器件和电力设备。

在实际应用中,需要根据具体的工作条件选择合适的介电材料,以确保设备的稳定性和可靠性。

最后,磁电性是材料的另一重要电学性能。

磁电材料能够在外加电场下产生磁化现象,常用于传感器、存储器件等领域。

常见的磁电材料包括铁电体、铁磁体等。

这些材料具有不同的铁电极化和磁化强度,适用于不同的磁电器件和磁存储器件。

磁电性的大小取决于材料内部的磁矩和电偶极矩,因此在材料设计和制备过程中需要考虑材料的晶体结构和磁电耦合效应。

综上所述,材料的电学性能是材料科学和电子技术领域的重要研究内容。

通过对导电性、介电性、磁电性等性能的深入理解,可以更好地设计和制备新型的电子器件和电力设备,推动电子技术的发展和应用。

希望本文能够为相关领域的研究人员和工程师提供一定的参考和帮助,促进材料的电学性能在实际应用中的进一步发展和创新。

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3)能带导电理论 ----电子能量与波矢的关系
金属导电理论
晶体电子的能量E与波矢K的关系曲线就是能带图。 晶体电子的状态是用波函数和能量本征值来确定的, 可采用波矢K来表征;即一个K就代表了一种状态( 一种波函数和相应的能量)
3)能带导电理论
(1)基本概念
由于晶体中电子能级的 间隙很小,故能级的分布可 视为准连续的,称为能带。
基本假设:
• 自由电子(价电子)公有 化,能量量子化;
• 离子势场不均匀,呈周期 变化;
允带 禁带
3)能带导电理论
3)能带导电理论
半导体能带中的几个概念: 价带,导带,导带底,价带顶,禁带宽度
(2)三种典型材料的能带结构
空带
价带
导 带
重 叠 区
禁带宽度
导 带
价带与空带重叠, 无禁带
价带半满
金属导体
ⅡA族-Be, Mg, Ca, Sr(锶), Ba, Ra(镭)
电子结构特征:最外 s 壳层 均有 2 个电子。
能带结构特征:最外s 带为 满带。
导电性:
表面上:应导电能力不佳,
实际上:导电能力高于ⅠA族。
Mg
原 因:最外s 带与最外 p 带重叠,构成导带
ⅢA族-B, Al, Ga, In, Tl(铊)
第八章 材料的电学性能
第八 章 材料的电学性能
• 导电性 • 介电性
重点介绍
• 铁电性 • 压电性 • 热释电性 • 磁电性 • 光电性
最后一节课即6-12部分内容, 学生讲,2个学生,每人选一 个内容,讲15分钟左右, 简单介绍 PPT已有
(考试不考)
第一节 导电性
一、电阻与导电的基本概念
导电现象:在材料两端施加电压时,材料中有电流通过。
2、无机非金属导电机理-离子电导
1)离子晶体导电机理
(1)固有离子电导(本征离子电导)
离子电导源于晶体点阵中基本离子的运动。载流子由晶体本身热缺陷提供。
离子自身随热振动加剧而离开晶格结点,形成间隙离子及空位(热缺陷),在电 场作用下作定向运动,形成电流。热缺陷的浓度随温度升高而增大,因此离子本 征电导率也随温度升高而加大:
电子结构特征:
最外 p 壳层只有 1 个电 子。
能带结构特征:
最外 p 带为少量填充、 大部为空带,且与同主壳层 s 带部分重叠。
Al
导电性:
较高。
ⅢB~ⅧB-过渡族金属
元素:Sc(钪)、 Ti、V、Cr、Mn、Fe、 Co、Ni 电子结构特征:
最外 s 壳层有 1 或 2 个电子; d 或 f 壳层未填满。
能带结构特征:
最外 s 带填满或未填满; 次
外 d 带或 f 带未填满; 最外 s 带与
次外 d 带或 f 带部分重叠;形成较
Fe
少空能级导带。
导电性:一般(较差)
ⅠB族-Cu、Ag、Au
电子结构特征: 最外 s 壳层只有 1 个电
子。 能带结构特征:
类似于碱金属,无重叠 能带;价带半空。
Cu
导电性: 很高。
• 每个碳原子还有一个价电子(pz 轨道),它在分子键中形成π电子。
导电聚合物教学视频
三、影响材料导电性的因素
1、温度
T 0 1T T 2 T 3
式中,ρ0 -0℃时电阻率;α-电阻温度系数;β、γ-高次项系数;
T
T2
T5
总体来说,随 T 升高,ρ增大。 但在不同温度区间,有不同规律。 • 极低温下:电子-电子散射 • 较高温度:电子-声子散射
双碱效应和压碱效应降低玻璃的电导率
双碱效应:当玻璃中碱金属离子总浓度较大 ,若碱离子总浓度不变,含两种碱离子的玻 璃的电导率比只含一种碱离子的玻璃的电导 率要小。 压碱效应:含碱玻璃中加入二价(碱土)金 属氧化物,特别是重金属氧化物,玻璃导电 性降低。
3、高分子聚合物导电机理
导电聚合物(Conducting Polymers)分为两大类: • 复合型:在非导电性聚合物基体中添加导电相(实质是复合材料); • 结构型:高分子本身结构或经掺杂后可导电。
半导体
Eg ≈ 0.2~3.5eV 例如: Si: Eg=1.1eV Ge:Eg=0.71eV
绝缘体
Ed>3.5eV 例如: 金刚石 Eg=6.0eV
ⅠA族(碱金属)
元素:Li、Na、K、Rb(铷)、Cs(铯)、Fr(钫) 电子结构特征:最外壳层只有一个电子 例如,Na:1s22s22p63s1
能带结构特征:3s 价带半 填充 导电性:较高
一些材料电导率排序
二、导电机理
电流是电荷在空间的定向流动。任何物质,只要存
在带电荷的自由粒子-载流子,就可以在电场作用下产
生电流。 • 金属中,载流子是自由电子,故称电子电导; • 无机材料中,载流子有两类:
– 离子(正、负离子、空位),故称离子电导; – 电子(负电子、空穴); • 高分子聚合物中,载流子是孤子; • 超导材料中,载流子是双电子库柏对。
2、冷塑性变形的影响
冷加工将使材料内部点 阵畸变加大,因此使电阻率 增高: • Fe、Cu、Al、Mg等,可 增加 2~6%; • W、Mo、Sn等,可增加 15~90%。
再结晶退火可以使电阻 率恢复到冷变形前的状态。
冷 加 99.8% 工 变 形 量 97.8% 93.5% 80% 44%
3、合金化的影响
压力对非导体导电性的影响
高压力往往能导致物质的金属化,引起导电类型的变化, 而且有助于从绝缘体→半导体→金属→超导体的某种转变。
某些半导体和电介质பைடு நூலகம்变为金属态所需的临界压力
元素 S Se Si Ge I
P临 /MPa
40,000 12,500 16,000 12,000 22,000
ρ/(μΩ.cm) 元素
1 l3
l1
1 l2
l2
1 l3
I 2lV
五、超导电性
– T<ΘD时,ρ∝T5; – T> ΘD时,ρ∝T
一般在高于室温的情况下,有: 0 1T
电阻温度系数α
平均电阻温度系数: T 0
0T
真电阻温度系数:
T
1
T
d
dT
• 除过渡族金属以外,所有纯金属的α≈4×10-3。
• 过渡族金属,特别是铁磁性金属,具有较高的α值,例如 铁的α= 6 ×10-3。
ne2l ne2 t
2mv 2m
l -电子平均自由程;m -电子质量; v -电子平均运动速度;e -电子电荷; t -两次碰撞之间的平均时间; n -单位体积内的自由电子数;
由上式可见,金属的导电性取决于自由电子数量、平均自由程 和平均运动速度。
电子波干涉
电子波在传播过程中,被下列因素干扰而产生
载流子的迁移率
导电微观本质:载流子的定向迁移。 μ为载流子的迁移率,含义是 单位电场下载流子的 平均漂移速度。
电导率
σ=nq μ
n单位体积内载流子数目 q每一载流子携带的电荷量 决定材料导电性好坏的本质因素: 一是载流子浓度,二是载流子迁移率。
导电机理
1、金属导电机理-电子电导
1)经典电子理论
1977年,日本的白川和美国的Mac Diamid等人用 I2 或AsF5 掺杂聚乙 炔,发现聚乙炔的电导率从10-9 S/cm提高到103S/cm量级,聚乙炔掺杂后 作为第一个导电高分子以引起了广泛兴趣。从此,在世界范围内开展了对 导电高分子的系统研究。迄今,导电高分子已研究的有: • 共轭高聚物; • 高分子传荷(CT)复合物; • 共盐聚合物; • 金属高聚物; • 非碳高聚物,等。

H

金刚石

P
- AgO
500

P临 /MPa
200,000 60,000 20,000 20,000

ρ/(μΩ.cm)
- - 60±20 70±20 -
四、导电性(电阻)测量及应用
1、电阻测量
1)双电桥法
调整电流以及四个可变
电阻,使桥路中 f 点和 c 点 的电位相等(检流计指 0), 电桥处于平衡状态,则有:
2)有序合金的电阻率
固溶体有序化后,
• 合金组元化学作用加强, 电
子的结合强,使导电电子数减少 而剩余电阻增加;
• 晶体离子势场更对称,使电子
散射几率大大降低, 使剩余电 阻率减小;
由于第二个因素占优势,故 合金有序化后, 电阻率降低。
3)化合物、中间相和多相合金电阻
• 化合物、中间相电阻率较高,部分结合方式由
ⅣA族-C, Si, Ge, Sn, Pb
电子结构特征:最外 p 壳层 2 个电子。 能带结构特征:p 带未满。 导电性: 表面上:应导电能力很好 实际上:导电能力很差(半导或绝缘) 原 因:共价键结合造成 sp杂化轨道, 使 2s 电子也参与共价结合(价电子 为 4 ),形成 2 个杂化能带,其中一 个填满、另一个为空,但两杂化能带 间隔着一个禁带。
规律:欧姆定律 电阻: R L
S
I V R
电阻率
(resivisity):
RS L
电导率(electric conductivity):
根据导电性能的高低,常把材料分为三大类: • 导 体: ρ<10-5 Ω.m;
1
• 半导体: ρ=10-5 ~ 109 Ω.m;
• 绝缘体: ρ>109 Ω.m;
散射,这就是产生电阻的原因。
• 被离子点阵散射; • 被缺陷或杂质产生的静态点阵畸变散射; • 被热振动引起的动态点阵畸变散射。
nef e2 t nef e2
2m 2mp
2m nef e2
1 t
2m nef e2
p
量子自由电子导电理论的不足在于假设离子产生的
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