MOS管知识大全
MOS管基础知识
ＭＯＳ管基础知识MOS管场效应管知识要点：场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。
有N沟道器件和P沟道器件。
有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。
IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。
1.11.1.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。
场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
增强型MOS(EMOS)场效应管根据图3-1，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。
P 型半导体称为衬底，用符号B表示。
图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意一、工作原理1．沟道形成原理当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。
耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
MOS管(新)总结
vDS /V
iD K n [2 (v G S V T )v D S v D 2 S ]iD
其中 KnK 2n ' .W LnC 2OX(W L)
本征导电因子 Kn' nCOX n 为反型层中电子迁移率 C O X 为栅极氧化层单位面积电容
vDS /V
在特性曲线原点四周 iD 2 K n (v G S V T )v D S
第五章 场效应管放大电路
场效应管是一种利用电场效应来把握电流的一种半导体器 件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的 载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为 载流子的P沟道器件。
场效应管：
结型
N沟道 P沟道
增强型
MOS型
N沟道 P沟道
耗尽型 增强型 耗尽型
§5.1 金属-氧化物-半导体〔MOS〕场效应管
在VDS作用下无iD。
耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下iD。
§5.1.1 N沟道增加型MOSFET
1. 构造和符号
N沟道增加型MOSFET构 造左右对称，是在一块浓 度较低的P型硅上生成一层 SiO2 薄膜绝缘层，然后用 光刻工艺集中两个高掺杂 的N型区，从N型区引出电 极作为D和S,在绝缘层上镀 一层金属铝并引出一个电 极作为G
〔1〕 直流通路
Rg1
VGS= VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) 假设NMOS工作于饱和区，则 IDKn(VGSVT)2
＋Cb2V＋G g
vi Rg2
－
VDD
Rd
＋Cb2
d iIdD
＋
B
v0
s
VS
－
VDS= VDD－IDRd
场效应管知识点
场效应管知识点场效应管是一种重要的电子器件，广泛应用于各个领域，如通信、计算机、电子设备等。
它的工作原理是基于电场的调控作用，通过电场的控制来控制电流的流动，实现信号放大、开关控制等功能。
本文将从场效应管的基本结构、工作原理和应用等方面进行详细介绍。
一、场效应管的基本结构场效应管由栅极、漏极、源极和沟道四部分组成。
其中栅极是控制电流的输入端，漏极是电流的输出端，源极是电流的输入端，而沟道则连接源极和漏极。
栅极与源极之间的电压可以控制沟道中的电场分布，从而控制电流的流动。
栅极与漏极之间的电压被称为栅极电压，而漏极与源极之间的电压被称为漏极电压。
二、场效应管的工作原理1. N沟道MOSFETN沟道MOSFET是一种常见的场效应管，其沟道为N型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有电子流动，处于截止状态；当栅极电压为正值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的N型材料中的电子被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
2. P沟道MOSFETP沟道MOSFET是另一种常见的场效应管，其沟道为P型材料。
当栅极电压为0V时，沟道中没有空穴流动，处于截止状态；当栅极电压为负值时，形成栅极-沟道电场，使沟道中的P型材料中的空穴被推向漏极，形成漏-源电流，处于导通状态。
三、场效应管的应用场效应管具有很多优点，如高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、速度快等，因此在电子电路设计中有着广泛的应用。
以下是场效应管的几个常见应用场景。
1. 信号放大器场效应管可以通过控制栅极电压来调节漏极电流，从而实现信号的放大。
在放大器电路中，场效应管常常作为前置放大器，将输入信号放大后再输出给后续电路。
2. 开关控制场效应管可以作为开关来控制电流的通断。
当栅极电压为高电平时，场效应管处于导通状态，电流可以通过；当栅极电压为低电平时，场效应管处于截止状态，电流无法通过。
因此，场效应管常用于各种开关电路中。
3. 数字逻辑电路由于场效应管的特性，它可以作为数字逻辑门电路的基本单元。
MOS管学习简介
（4）转移特征 漏源电压Vds一定旳条件下，栅源电压Vgs对漏极电流id旳控制特征。
可根据输出特征曲线作出移特征曲线。 例：作Vds =10V旳一条转移特征曲线
i D (mA)
4 3
2 1
uGS=6V
uGS =5V uGS =4V uGS=3V
10V
i D (mA)
4
3
2
1
u
DS
(V)
UT
2 46
开关管导通时，驱动电路应能提供足够大旳充电电流使栅源电压上升 到需要值，确保开关管迅速开通且不存在上升沿旳高频震荡。
开关管导通期间驱动电路能确保MOSFET栅源间电压保持稳定使其可 靠导通。
关断瞬间驱动电路能提供一种低阻抗通路供MOSFET栅源间电压迅速 泻放，确保开关管能迅速关断。
关断期间驱动电路能够提供一定旳负电压防止受到干扰产生误导通。 驱动电路构造尽量简朴，最佳有隔离 。
形成导电沟道，MOS管处于截止状态。
N+
N+
（2） Vgs≥ VGS(th） ，出现N沟道
栅源之间加正向电压 由栅极指向P型衬 底旳电场 将接近栅极下方旳空穴向下排 斥 形成耗尽层
再增长Vgs 纵向电场
P衬底
b
将P区少子（电子）汇集到P区表面
形成源漏极间旳N型导电沟道 假如此时加有漏源电压，就能够形成漏 极电流id
Qgs：栅源充电电量。
Qgd：栅漏充电电量。
Ciss：输入电容，将漏源短接，用交流信号测得旳栅极和源极之间旳电容 。Ciss= CGD + CGS 。对器件旳开启和关断延时有直接旳影响。
Coss：输出电容，将栅源短接，用交流信号测得旳漏极和源极之间旳电容 。Coss = CDS +CGD 。
场效应管基础知识很全
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108W～109W）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D 是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。
MOS管培训-20160304
200V以上 龙腾
MOS管的分类
• 按照特性区分： • 平面MOS，也叫普通MOS。VDMOS 如华晶，士
兰 • 超结MOS，也叫coolMOS。SJMOS 如龙腾，英飞
凌
MOS管的参数对比
低压MOS
MOS管的Байду номын сангаас数对比
• 华晶MOS
MOS管的参数对比
• 龙腾MOS
MOS管的分类
• MOSFET管是FET的一种（另一种 是JFET）， 可以被
制造成增强型或耗尽 型， P沟道或N沟道共4种类型， 但实际应 用的只有增强型的N沟道MOS管 和 增 强型 的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的 就是这两种。 • 按沟道分类： • 可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的 箭头方向不一样）
CoolMOS原理
• 针对VDMOS导通电阻大的缺点，人们提出了 CoolMOS结构，下图为其剖面图
CoolMOS原理
两个P井之间垂直高掺杂N+扩散区为电子提供了低 阻通道，从而降低了导通阻抗。当Vgs<0时，N型 导电通道消失，MOS处于截止态；当Vgs>Vth时，N 型导电通道建立，电子从N+导电通道通过，从而 降低了导通时的Rdson。
MOS主要参数
• 6. 导通电阻RON 导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某
一点切线的斜率的倒数 在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，
一般在几十千欧到几百千欧之间 由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0
的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来 近似
• 2. 直流输入电阻RGS 即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管是一种常用的电力器件，广泛应用于电子电路和电源装置中。
本文将介绍MOS管的主要参数及使用注意事项。
1.MOS管的主要参数(1) 导通电阻（Rds(on)）：即MOS管导通时的电阻，也称为开态电阻。
导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越小。
(2) 饱和电压（Vgs(sat)）：指MOS管在饱和区时，栅极与源极间的电压差。
饱和电压越小，MOS管的导通能力越好。
(3) 压降（Vds）：即栅极与源极间的电压差。
对于负载电路，要保证MOS管的压降在一定范围内，以避免过压损坏MOS管。
(4) 最大耐压（Vds(max)）：指MOS管能够承受的最大电压。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大耐压能够满足应用需求。
(5) 最大电流（Id(max)）：指MOS管能够承受的最大电流。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大电流能够满足应用需求。
(6) 开关速度（tf/td）：指MOS管从关态到开态或从开态到关态的时间。
开关速度越快，MOS管的响应时间越短，适用于高频应用。
(1)静电防护：MOS管对静电敏感，由于静电的高压可能导致器件损坏。
在操作MOS管时，应采取防静电措施，如穿戴静电消除器或接地腕带，以保护MOS管的正常工作。
(2)温度控制：MOS管的工作温度范围一般在-55℃至150℃之间。
当环境温度超过此范围时，应采取散热措施，如加散热片或风扇，以防止MOS管过热损坏。
(3)电流限制：在设计电路时，应根据MOS管的最大电流参数选择合适的负载电阻，以确保MOS管工作在安全电流范围内。
同时，在开关MOS 管时，要注意控制电流斜率，以减小MOS管的开关损耗。
(4) 输入电压（Vgs）控制：应根据具体的MOS管型号和应用需求，选择合适的输入电压（Vgs）范围，以保证MOS管正常开关。
(5)输出负载：要在MOS管的输出端加入合适的负载电路，以防止过压、过流等情况对MOS管造成损坏。
(6) 压降控制：在设计电源装置时，要合理选择MOS管的导通电阻，并确保输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的压降在规定范围内，以保证电路的稳定工作。
MOS管知识最全收录技术参数详解!MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS 管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图
从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理
1N沟道增强型场效应管原理。
MOS管基本认识(快速入门)
MOS管基本认识（快速入门）1、三个极的判定：G极(gate)—栅极，不用说比较好认。
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。
D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。
2. N沟道与P沟道判别:箭头指向G极的是N沟道；箭头背向G极的是P沟道。
3. 寄生二极管方向判定:不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S。
4. MOS开关实现的功能1>信号切换；2>电压通断。
5. MOS管用作开关时在电路中的连接方法关键点:1>确定那一极连接输入端，那一极连接输出端2>控制极电平为？V 时MOS管导通3>控制极电平为？V 时MOS管截止NMOS：D极接输入，S极接输出PMOS：S极接输入，D极接输出反证法加强理解NMOS假如：S接输入，D接输出由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。
PMOS假如：D接输入，S接输出同样失去了开关的作用。
6. MOS管的开关条件N沟道—导通时Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通P沟道—导通时Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|7. 相关概念BJT :Bipolar Junction Transistor 双极性晶体管，BJT是电流控制器件；FET :Field Effect Transistor 场效应晶体管，FET是电压控制器件. 按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应。
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构
MOS管知识最全收录技术参数详解！MOS管的种类及结构MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。
MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
图表1 MOS管的4种类型每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。
接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
图表2 MOS管内部结构图从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。
场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）控制，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器件有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
MOS管工作原理1N沟道增强型场效应管原理N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。
由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，所以NMOS又被称为绝缘栅型场效应管。
MOS管的基础知识，你还记得几个？
MOS管的基础知识，你还记得几个？
一、MOS管
在场效应管家族中可以分支成三类成员，第一类是比较常用的一类，它的大名叫“绝缘栅型场效应管”（MOSFET），它的小名叫“MOS”管，也就是题目所讲的MOS管；第二类学名叫“结型场效应管”（FET）；第三类与前两个分支又有所不同，从“血缘”关系来说，这类应该属于“混血儿”，它是由MOS管和三极管组合而成的复合管，我们叫它绝缘栅双极性晶体管(IGBT)，它有着自己的独特性格，这种管子非常重要，比如在变频器中是必须的一种功率控制器件，在家用电磁炉里也有，甚至在高铁的控制电路中都会用到的，遍布我们生边的各个电器中。
看下面的图请回答：
1、哪个是脚是S（源极）？
2、哪个脚是D（漏极）？
3、哪个脚是G（漏极）呢？
4、是P沟道还是N沟道MOS？
这些基础知识你还记得吗？那下面这张呢？
二、MOS管极性的判断
MOS管符号上的三个引脚的辨认要抓住关键地方
G极，不用说比较好认。
S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；
D极，不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那是。
三、N沟道还是P沟道？
N沟道MOSFET：箭头指向G极的是N沟道。
P沟道MOSFET：箭头背向G极的是P沟道。
你答对了吗？。
微安级电流的mos管
微安级电流的mos管【实用版】目录1.MOS 管的基本概念2.微安级电流 MOS 管的特点3.微安级电流 MOS 管的应用领域4.市场前景及发展趋势正文一、MOS 管的基本概念MOS 管，全称为金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），是一种常见的半导体器件。
它具有三个端子，分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
根据栅极电压的不同，MOS 管可以分为 N 沟道和 P 沟道两种类型。
MOS 管具有高输入阻抗、低噪声和低功耗等特点，在集成电路中得到了广泛应用。
二、微安级电流 MOS 管的特点微安级电流 MOS 管是一种具有微小电流特性的 MOS 管，其漏电流在微安级别。
相较于传统 MOS 管，微安级电流 MOS 管具有以下特点：1.更低的漏电流：微安级电流 MOS 管的漏电流比传统 MOS 管更低，可以有效降低电路的功耗。
2.更高的输入阻抗：微安级电流 MOS 管的输入阻抗比传统 MOS 管更高，可以减小信号传输过程中的损耗。
3.更好的噪声性能：微安级电流 MOS 管具有更好的噪声性能，可以提高电路的稳定性。
4.更小的尺寸：微安级电流 MOS 管采用更先进的制程技术，可以实现更小的尺寸，有利于集成电路的微型化。
三、微安级电流 MOS 管的应用领域微安级电流 MOS 管在诸多领域均有广泛应用，如：1.通信领域：微安级电流 MOS 管可应用于无线通信、有线通信等通信设备，提高通信系统的性能。
2.计算机领域：微安级电流 MOS 管在计算机处理器、存储器等设备中发挥着重要作用，有助于提高计算机性能。
3.消费电子领域：微安级电流 MOS 管在智能手机、电视、音响等消费电子产品中得到了广泛应用，提升了产品的性能和用户体验。
4.汽车电子领域：微安级电流 MOS 管在汽车电子设备中发挥着重要作用，有助于提高汽车的安全性能和舒适度。
mos管知识(由UTC代理商深圳粤嘉鸿电子提供)
Mos管
MOS管是一个用电压来控制电流的功率器件。
MOS管有三个极，G，D,S。
分别是栅极，漏极，源极。
MOS的几个特性，输出特性，跨导，转移特性，频率特性，噪音特性。
VDS：耐压，是D和S极间允许加载的正常工作的电压。
ID：D和S极之间允许通过正常工作的电流。
IDM耐冲击电流（脉冲宽带一般不超过300ms）
RDS是MOS的内部阻抗，是程动态的。
和GDS有关系。
理想的MOS管在导通的状态时时没有阻抗。
跨导：在不饱和状态下VDS和ID的比值，控制的是精确度。
TJ；节点温度，一般在150度（摄氏度）以下都不影响性能，可是在超过150度时会严重影响MOS的寿命。
结电容：MOS的电容性为三个极分别相加，对跨导和MOS发热有很大的影响。
MOS的寿命和变压器有很大的关系，变压器蓄能，对MOS的VDS和IDS有考验。
沟槽工艺比平面工艺更有价格优势，对高频的响应更好。
耗尽型与增强型都属于MOS（绝缘栅型场效应管）。
耗尽型在栅极不加电压时D和S不能导通，而增强型在栅极不加电压D和S可以导通。
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(完整word版)MOS管概述
基本电子电路系列——MOS管MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），属于绝缘栅型。
本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。
其结构示意图：解释1：沟道上面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。
因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。
栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。
因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。
由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。
耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。
但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。
所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。
解释4：左右对称图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。
但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管。
非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。
MOS管全参数详解及驱动电阻选择
MOS管全参数详解及驱动电阻选择MOS管（MOSFET）是一种常见的场效应管，常用于功率放大、开关控制、电路保护等领域。
要正常使用MOS管，了解其全参数很重要，同时选择合适的驱动电阻也是必要的。
首先，我们来详细了解一下MOS管的全参数。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指在控制栅源电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
不同类型的MOS管有不同的阈值电压，通常在数据手册中给出。
2. 最大漏极-源极电源（Vdsmax）：最大漏极-源极电源是指MOS管可以承受的最大电压。
超过此电压时，MOS管可能会损坏。
3.额定电流（Id）：额定电流是指MOS管在正常工作条件下可以承受的最大电流。
超过这个电流时，MOS管可能会过载。
4. 静态电阻（Rds(on)）：静态电阻是指MOS管在导通状态下的漏源电阻。
静态电阻越小，MOS管的导通能力越好。
5. 输出电容（Coss）：输出电容是指MOS管的漏源电容。
较大的输出电容意味着需要更大的驱动电流来改变MOS管的导通状态，从而影响转换速度。
根据以上参数，我们可以选择合适的驱动电阻。
驱动电阻的主要目的是提供适当的驱动电流使MOS管工作在合适的电压和电流范围内。
驱动电阻的选择要根据MOS管的参数和应用要求来确定。
选择驱动电阻时，需要考虑以下几个因素：1. 驱动电流（Idrive）：驱动电流应该足够大，以确保MOS管能够迅速地开关。
通常建议驱动电流至少是MOS管额定电流的2倍。
2. 驱动电压（Vdrive）：驱动电压应该高于MOS管的阈值电压。
通常建议驱动电压不小于5倍的阈值电压。
3.功耗（Pd）：驱动电阻会通过消耗一定的功耗，因此需要合理选择驱动电阻的功耗。
综合考虑以上因素，可以使用以下公式计算驱动电阻的阻值：Rdrive = (Vdrive - Vth) / (Idrive - Id)其中，Rdrive为驱动电阻的阻值，Vdrive为驱动电压，Vth为MOS管的阈值电压，Idrive为驱动电流，Id为MOS管的额定电流。
MOS管知识
• (2) 输出特性
• 表述：当栅源电压uGS
一定的情况下，漏极 电流 iD 与漏源电压uDS 之间的关系曲线，称 为输出特性。
• 表达式：
iD f(uDS)uGS常 数
输出特性曲线见图3.3(b)
Ⅰ区 Ⅱ区
Ⅲ区
(b) 输出特性
图3.3 (b) N沟道增强型 绝缘栅场效应管
的特性曲线
• 4. 主要参数
增强型：场效应管在外加栅极电压超过一定时，才 有导电沟道。
3.1 绝缘栅型场效应管
• 一. N 沟道增强型绝缘场效应管 • 1. 基本结构
图3.1是N 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构示意 图。
D
B G
图3.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (a) 基本结构 (b)表示符号
S (b)
• 2. 工作原理
3.2 场效应管放大电路 • 一.放大电路的组成
利用栅源电压uGS的大小，来改变半导体表面感生 电荷的多少，从而控制漏极电流 iD的大小。
• 分析：主要讨论 uGS 对iD 的控制作用。
(1)当uGS = 0 时(见图3. 2a),不论所加电压uDS 的极性 如何，其中总有一个PN 结是反向偏置的，反向电 阻很高，则漏极电流iD≈0。
(2) 当栅源极之间加正向电压uGS (见图3.2b) ，
MOS管截止， UGS值称为夹断电压。
• 3. 特性曲线 如图3.6所示
图3.6 N沟道耗尽型绝缘栅场效 应管的转移特性和输出特性
• 三. 场效应管的微变等效电路 • (1) 输入端:
由于场效应管是利用场效应原理工作的，不 向信号源取用电流，故输入端呈开路状态。
• (2) 输出端: 由伏安特性可知
模拟电子技术基础
15.MOS管知识点梳理，它凭什么成为现代电力电子的主角
15.MOS管知识点梳理，它凭什么成为现代电力电子的主角场效应晶体管（FET）是利用电场效应来控制晶体管电流的半导体器件，因此叫场效应管。
它是一种用输入电压控制型的半导体器件。
按基本结构分为结型场效应管和金属-氧化物-半导体场效应管（又叫绝缘栅型场效应管）。
场效应管家族分类场效应管的特点：输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。
由于市面上见到和工作中使用的主要是增强型MOSFET，下面内容以此讨论。
1.MOS管的基础知识MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管（N沟道应用更加广泛）。
MOS管的三个极分别为：栅极G、漏极D、源极S。
N沟道MOS管和P沟道MOS管电路符号N-MOS与P-MOS区别MOS管实物图（TO-220封装）注：MOS管制造工艺会造成内部D极与S极之间存在一个寄生二极管，其作用：一是电路有反向电压时，为反向电压提供续流，避免反向电压击穿MOS管；二是当DS两级电压过高时，体二极管会先被击穿，进而保护MOS；对于高速开关场合，寄生二极管由于开通速度慢，导致反向后无法迅速开通，进而损坏MOS，因此需要在外部并联一个快恢复或肖特基二极管。
2.MOS管的主要参数IRF3205规格书IRF3205规格书①漏源电流ID：是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。
此参数会随结温的上升而有所降低。
②漏源击穿电压VDSS：是指栅源电压VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 VDSS 。
③导通漏源电阻RDS（on）：在特定的结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。
它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。
此参数一般会随结温的上升而有所增大。
故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
④开启电压VT：是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时（规定ID值）的栅极电压。
MOS管基础
MOS管基础该内容转载自机器之瞳MOS管参数1.极限参数（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过ID。
此参数会随结温度的上升而有所减额；（2）IDM，最大脉冲漏源电流，此参数会随结温度的上升而有所减额；（3）PDSM，最大耗散功率，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
此参数一般会随结温度的上升有所减额；（4）VGS，最大栅源电压，栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
结型MOS管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象；（5）Tj，最大工作结温，通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量；（6）TSTG，存储温度范围。
除以上参数外，还有极间电容（MOS管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好）、高频参数等其他参数。
2.静态参数（1）V（BR）DSS，漏源击穿电压，是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V（BR）DSS。
它具有正温度特性。
故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。
△V（BR）DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃；（2）RDS（on），在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOS管导通时漏源间的最大阻抗。
它是一个非常重要的参数，决定了MOS管导通时的消耗功率。
此参数一般会随结温度的上升而有所增大。
故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算；（3）VGS（th），开启电压（阀值电压）。
当外加栅极控制电压VGS超过VGS（th）时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。
此参数一般会随结温度的上升而有所降低；（4）IDSS，饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流，一般在微安级。