陶瓷电容及其介质
陶瓷贴片电容各类电介质不同的区别
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陶瓷电容器分类分类原因:依据材料之介电特性及产品之温度系数 (Temperature coefficient of capacitance,TCC)特性所定分为三大类。
介质材料分类:1类 (Class Ⅰ)或稱溫度補償型(temperature compensation)2类(Class Ⅱ)3类(Class Ⅲ)或稱半導體陶瓷電容器产品使用分类:温度补偿型高Q值C0G高频C0G 中高压型低感抗型片式排容1类(Class Ⅰ): C0G或称温度补偿型(temperature compensation),产品低介电系数,无论时间和温度如何改变,其电容量是极稳定的;正常电容量下有低介电损失及较小公差。
1类产品应用于精密计时电路、高频杂讯虑波、阻抗匹配、ESD/EMI(回声探测仪或电磁干扰)的限制。
2类( Class Ⅱ): X7R/X5R具有较高的介电常数,容量比1类电容器高,具有较稳定的温度特性,应用于容量范围广,稳定性要求不高的电路中,如隔直流、耦合、旁路、鉴频等电路中。
2类(Class Ⅱ):Z5U其温度特性介于X7R和Y5V之间,容量稳定性差,对温度、电压等条件较敏感;应用于要求大容量,使用温度范围接近于室温的旁路、耦合、低直流偏压等电路中。
2类(Class Ⅱ):Y5V是所有电容器中介电常数最大的电容器,但其容量稳定性较差,对温度、电压等条件较敏感;应用于要求大容量、温度变化不大的电路中。
3类(ClassⅢ):或稱半導體陶瓷電容器其电容量变化相似于2类,然而此型别在客户应用上是属于非常等级。
高频类:此类介质材料的电容器为1类电容器,包括通用型高频C0G电容器和温度补偿型高频电容器,其中C0G电容器电性能最稳定,几乎不随温度、电压、时间和变化而变化。
应用于低损耗、稳定性要求高的高频电路,如虑波器,振动器和计时电路中。
温度补偿型:温度系数系列,此为1类电容器,电容量的变化与温度呈线性变化;应用于工作温度变化较大,要求高的谐振电路中,起到温度补偿之用,例电视机中的谐振器。
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
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陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器,我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展,使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现,给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。
英文名称:capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器(ceramiccapacitor;ceramiccondenser)就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡电路中,作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脉冲电压击穿,故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类:这四种是:Y5V,X5R,X7R,NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢?第一位表示低温,第二位表示高温,第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度,整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度,整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度,整个温度范围内偏差正负15%NPO(COG)是温度特性最稳定的电容器,电容温漂很小,整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大。
陶瓷电容的作用
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陶瓷电容的作用一、引言陶瓷电容是一种电子元器件,广泛应用于电子产品中。
它具有很多优点,如高频响应、低失真、稳定性好等特点。
本文将详细介绍陶瓷电容的作用。
二、陶瓷电容的基本结构及原理陶瓷电容是由两个金属板和介质层组成的。
介质层通常采用氧化铝或二氧化钛等材料制成。
当外加电压时,金属板上会形成正负极性,从而产生电场。
介质层是不导电的,因此它可以阻止金属板之间的直接接触,并使得电场能够储存下来。
三、陶瓷电容的主要作用1. 储存能量陶瓷电容可以储存能量,并在需要时释放出来。
这种能量储存机制被广泛应用于各种类型的设备中,例如音频放大器、计算机主板等。
2. 滤波陶瓷电容可以在信号传输过程中起到滤波作用。
信号通过陶瓷电容时,会被滤除掉高频噪声和杂音信号,从而提高信号的质量和稳定性。
3. 调节电流陶瓷电容可以调节电流,从而保护电路中的其他元器件。
例如,在高压条件下,陶瓷电容可以通过调节电流来保护晶体管等元器件不受损伤。
4. 稳定性陶瓷电容具有稳定性好的特点。
它可以在不同的工作条件下保持一致的性能,从而确保设备的正常运行。
5. 低失真由于陶瓷电容具有低失真的特点,因此它被广泛应用于音频放大器等需要高质量音频输出的设备中。
四、陶瓷电容的应用1. 通信设备陶瓷电容被广泛应用于通信设备中。
例如,手机、无线路由器等都需要使用到陶瓷电容来滤除掉杂音和干扰信号。
2. 汽车行业在汽车行业中,陶瓷电容被用于控制引擎温度、调节空调系统和防止火花产生等方面。
3. 家庭娱乐设备家庭娱乐设备中也广泛使用了陶瓷电容。
例如,音频放大器、电视机等都需要使用到陶瓷电容来提高音频和视频输出的质量。
4. 电子设备在各种类型的电子设备中,陶瓷电容都扮演着重要的角色。
例如,计算机主板、显示器等都需要使用到陶瓷电容来滤除掉杂音和干扰信号。
五、结论陶瓷电容是一种非常重要的电子元器件,它具有很多优点,如高频响应、低失真、稳定性好等特点。
它被广泛应用于各种类型的设备中,如通信设备、汽车行业、家庭娱乐设备和各种类型的电子设备中。
陶瓷电容的材料
![陶瓷电容的材料](https://img.taocdn.com/s3/m/54961a63905f804d2b160b4e767f5acfa1c783f1.png)
陶瓷电容的材料全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:陶瓷电容是一种常见的电子元件,用于在电路中储存和放出电荷。
它由陶瓷材料制成,具有高介电常数和低介电损耗,因此在高频电路和电源稳压器等领域有着广泛的应用。
下面我们将详细介绍陶瓷电容的材料及其特点。
一、陶瓷电容的材料种类1. 氧化铝陶瓷电容:氧化铝是一种硬质的陶瓷材料,具有优异的绝缘性能和高介电常数,因此被广泛应用于陶瓷电容中。
氧化铝陶瓷电容具有较高的电容密度和稳定性,可用于高频电路和高温环境下的应用。
2. 钛酸钡陶瓷电容:钛酸钡是一种具有极高介电常数和低介电损耗的陶瓷材料,被广泛用于陶瓷电容的制造。
钛酸钡陶瓷电容具有优异的频率特性和稳定性,适用于高频电路和天线等领域。
3. 陶瓷电容:除了氧化铝和钛酸钡外,还有其他种类的陶瓷材料被用于制造陶瓷电容,如氮化硅陶瓷、钛酸锶陶瓷等。
这些材料具有不同的介电性能和应用范围,可以根据具体的电路设计需求来选择适合的陶瓷材料。
二、陶瓷电容的特点1. 高介电常数:陶瓷材料具有相对较高的介电常数,使得陶瓷电容具有较大的电容密度,适合用于储存和放出电荷。
2. 低介电损耗:陶瓷电容具有较低的介电损耗,能够保持较高的电容稳定性和频率特性,适合用于高频电路和微波设备。
3. 耐高温性能:由于陶瓷材料具有较高的热稳定性,陶瓷电容具有良好的耐高温性能,可以在高温环境下长期稳定工作。
4. 耐湿气性能:陶瓷电容具有较高的绝缘性能和耐湿气性能,能够保持电容器的稳定性和可靠性,适合在潮湿环境中的应用。
5. 尺寸小巧:陶瓷电容的尺寸通常较小,便于在电路板上进行布置和安装,节省空间。
三、陶瓷电容的应用领域1. 通信设备:陶瓷电容广泛应用于通信设备中,用于天线匹配、滤波器和功率放大器等部件。
2. 电源稳压器:陶瓷电容在电源稳压器中起着重要作用,用于滤波器和去耦电容等功能。
3. 无线传感器:陶瓷电容也被广泛用于无线传感器中,用于信号调理和射频天线的匹配。
常用电容按介质区分有纸介电容
![常用电容按介质区分有纸介电容](https://img.taocdn.com/s3/m/518bdcd226fff705cc170aa9.png)
电容种类电容结构和特点纸介电容用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料(如火漆、陶瓷、玻璃釉等)壳中制成。
它的特点是体积较小,容量可以做得较大。
但是有固有电感和损耗都比较大,用于低频比较合适。
云母电容用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。
它的特点是介质损耗小,绝缘电阻大、温度系数小,适宜用于高频电路。
用陶瓷做介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜做极板制成。
它的特点是体积小,耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适宜用于高频电路。
铁电陶瓷电容容量较大,但是损耗和温度系数较大,适宜用于低频电路。
结构和纸介电容相同,介质是涤纶或者聚苯乙烯。
涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性较好,适宜做旁路电容。
聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路。
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
图1 电容的外形陶瓷电容薄膜电容2。
常用固±10%Ⅱ±20%Ⅲ(+20% -30%)Ⅳ(+50% -20%)Ⅴ(+100%-10%)Ⅵ电容类别允许误差容量范围标 称 容 量系 列±5%±10%±20% 1 2 4 6 8 1015 20 3050 60 801001.1 1.2 1.31.5 1.6 1.82.02.4 2.73.03.3 3.6 3.94.34.75.1 5.66.2 6.87.58.2 9.11.0 1.2 1.51.82.2 2.73.3 3.94.75.66.8 8.2±20%1.0 1.52.23.34.7 6.8±10%±20%-250-10001.64 6.3101625100125*160250300*4001.0 1.52.23.34.7 6.81uF-100uF 高频(无极性)有机薄膜介质电容、瓷介电容、玻璃釉电容、云母电容±5%±10%纸介电容、金属化纸介电容、纸膜复合介质电容、低频(有极性)有机薄膜介质电容100pF-1uF 铝、钽、铌、钛电解电容 1.0 1.5 2.23.3 4.7 6.8电容长期可靠地工作,它能承受的最大直流电压,就是电容的耐压,也叫做电容的直流工作电压。
瓷介电容和陶瓷电容
![瓷介电容和陶瓷电容](https://img.taocdn.com/s3/m/445311224b7302768e9951e79b89680203d86b82.png)
瓷介电容和陶瓷电容
瓷介电容和陶瓷电容是电子元件中常见的两种电容器。
二者的材料不同,但都具有优异的介电性能和稳定性能。
瓷介电容器的介质是瓷质材料,通常是氧化铝(A12O3)或氧化钛(TiO2)。
由于介质的高介电常数和低介质损耗,瓷介电容器具有高的电容值、稳定性和可靠性。
它们被广泛应用于计算机、通讯、航空航天等领域。
陶瓷电容器的介质是陶瓷质材料,通常是二氧化硅(SiO2)或硅酸钡(BaTiO3)。
陶瓷电容器的特点是稳定性好、频率响应范围宽、体积小、价格低廉。
它们被广泛应用于电源电路、滤波电路、振荡电路等领域。
在选择瓷介电容和陶瓷电容时,需要根据具体的应用场合和要求来进行选择。
而且,在使用电容器时,还需要注意其额定电压、容量、精度等参数,以确保电路的稳定性和可靠性。
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常用电容按介质区分
![常用电容按介质区分](https://img.taocdn.com/s3/m/91ec0626ccbff121dd368348.png)
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
图1 电容的外形
表1 常用电容的结构和特点
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。
电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。
常用固定电容允许误差的等级见表2。
常用固定电容的标称容量系列见表3。
表2 常用固定电容允许误差的等级
表3 常用固定电容的标称容量系列
电容长期可靠地工作,它能承受的最大直流电压,就是电容的耐压,也叫做电容的直流工作电压。
如果在交流电路中,要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。
有*的数值,只限电解电容用。
表4 常用固定电容的直流电压系列
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体,它的电阻不是无限大,而是一个有限的数值,一般在1000兆欧以上。
电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻,或者叫做漏电电阻。
漏电电阻越小,漏电越严重。
电容漏电会引起能量损耗,这种损耗不仅影响电容的寿命,而且会影响电路的工作。
因此,漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多,为了区别开来,也常用几个拉丁字母来表示电容的类别,如图2所示。
第一个字母C表示电容,第二个字母表示介质材料,第三个字母以后表示形状、结构等。
上面的是小型纸介电容,下面的是立式矩开密封纸介电容。
表5列出电容的类别和符号。
表6是常用电容的几项特性。
图2
表5 电容的类别和符号
表6 常用电容的几项特性
图表 1。
陶瓷电容材料
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陶瓷电容材料陶瓷电容材料是一种常见的电子元件材料,具有许多优异的性能和应用。
本文将从材料特性、制备工艺、应用领域等方面介绍陶瓷电容材料。
陶瓷电容材料具有良好的绝缘性能和稳定性。
其主要成分是氧化物,例如二氧化锆、二氧化铌等。
这些陶瓷材料由于晶格结构的特殊性,具有很高的阻抗和绝缘性能,能够有效地隔离电流,防止电子设备发生故障。
同时,陶瓷电容材料的化学稳定性也很高,能够在恶劣的环境条件下工作,如高温、高湿等。
陶瓷电容材料具有优异的电介质性能。
由于其晶格结构的特殊性,陶瓷电容材料的电介质常数相对较高,能够在电场作用下有效地储存和释放电能。
这使得陶瓷电容材料在电子元件中广泛应用,如滤波电路、耦合电路、存储电路等。
陶瓷电容材料的制备工艺主要包括粉末制备和成型两个步骤。
粉末制备是将所需氧化物材料按一定比例混合,然后经过球磨、干燥等工艺,最终得到细小均匀的陶瓷粉末。
成型工艺包括压制和烧结两个步骤。
压制是将陶瓷粉末放入模具中,经过一定压力的作用,使其成型。
烧结是将成型后的陶瓷坯体放入高温炉中,经过一定时间和温度的处理,使其烧结成致密的陶瓷电容材料。
陶瓷电容材料在电子工业中有广泛的应用。
首先,它们常用于储能装置中,如电子器件的电源、蓄电池等。
其次,陶瓷电容材料也广泛应用于通信设备中,如手机、电视、电脑等,用于滤波、耦合、存储等电路。
此外,陶瓷电容材料还被应用于医疗设备、航天器材、汽车电子等领域。
陶瓷电容材料的优点不仅在于其良好的绝缘性能和电介质性能,还包括较高的工作温度范围、较低的损耗因子和稳定的电容值等。
然而,陶瓷电容材料也存在一些缺点,如价格较高、尺寸较大、容量较小等。
因此,在实际应用中需要根据具体的需求来选择合适的电容材料。
陶瓷电容材料是一种具有良好绝缘性能和稳定性的电子元件材料,具有广泛的应用前景。
随着电子技术的不断发展,陶瓷电容材料在电子领域的应用将会越来越广泛。
希望本文能对读者对陶瓷电容材料有一个初步的了解,并对其在电子领域的应用有所启发。
陶瓷电容的材料
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陶瓷电容的材料
陶瓷电容器的主要材料包括:
1. 陶瓷介质材料:这是陶瓷电容的核心部分,通常选用的陶瓷介质有钛酸钡(BaTiO₃)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锶钡(SrBi₂Nb ₂O₉)等。
这些陶瓷材料经过精密配方设计和高温烧结后具有高介电常数、低损耗、稳定的电气性能以及良好的温度特性。
2. 金属电极材料:在陶瓷介质上涂覆的金属层作为电容器的两个导电极板,常用的金属材料包括镍、银、钯及其合金等,它们需要与陶瓷介质有良好的化学结合力,并且电阻率要低以降低接触电阻和提高电容器的效能。
3. 封装材料:为了保护内部结构不受外界环境影响,陶瓷电容器外部会采用环氧树脂、塑封料、陶瓷封装体等材料进行封装。
不同的应用领域和性能要求,会选择不同类型的陶瓷介质材料制作电容器,例如:
- NPO(Negative Temperature Coefficient of Capacitance)类陶瓷电容器使用的是温度系数非常低的高稳定型陶瓷介质。
- X7R和Y5V等类型则是利用了温度系数较高的铁电陶瓷,这类电容器在特定温度范围内电容量变化较大,适用于成本敏感且对容量稳定性要求相对较低的应用场合。
贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
![贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)](https://img.taocdn.com/s3/m/26d55c48cf84b9d528ea7ad4.png)
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5%左右,但选用这种材质只能做容量较小的,常规100PF以下,100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
真空陶瓷电容
![真空陶瓷电容](https://img.taocdn.com/s3/m/6405979aac51f01dc281e53a580216fc700a53f7.png)
真空陶瓷电容
真空陶瓷电容是指采用陶瓷材料作为介质,在真空环境中进行制造和封装的一种电容器。
它具有高绝缘性能、高稳定性、低损耗等特点,被广泛应用于电子、通讯、电力等领域。
真空陶瓷电容器的介质陶瓷材料具有高介电常数、高绝缘电阻、低损耗等特点,而且其电容结构简单、体积小、重量轻,可以承受高电压、大电流等特性,因此被广泛应用于各种电子设备中,如高频电子线路、脉冲功率系统、电源设备等。
在制造真空陶瓷电容器时,需要采用特殊的工艺技术,如陶瓷薄膜制备、金属化电极制备、真空封装等。
同时,由于陶瓷材料的脆性,制造过程中需要注意控制工艺参数和材料质量,以确保电容器的可靠性和稳定性。
总之,真空陶瓷电容器是一种重要的电子元件,具有广泛的应用前景和市场前景。
随着技术的不断发展和进步,相信未来还会有更多的新型陶瓷电容器问世。
104陶瓷电容
![104陶瓷电容](https://img.taocdn.com/s3/m/7234815b2379168884868762caaedd3382c4b561.png)
104陶瓷电容摘要:1.陶瓷电容的概述2.陶瓷电容的特性与优点3.陶瓷电容的分类4.陶瓷电容的应用领域5.陶瓷电容的发展前景正文:【陶瓷电容的概述】陶瓷电容,又称为陶瓷介质电容,是一种常见的电子元器件。
它是由陶瓷材料作为介质,并以金属作为电极的一种电容器。
陶瓷电容在我国的电子产业中有着广泛的应用,其性能稳定、工作温度范围宽、可靠性高等优点使其成为众多电子设备的重要组成部分。
【陶瓷电容的特性与优点】陶瓷电容具有许多优良的特性,这使得它在电子领域有着广泛的应用。
首先,陶瓷电容的工作温度范围很宽,一般可以达到-55℃至+125℃。
其次,陶瓷电容的稳定性能好,其电性能在长时间工作下不会发生明显的变化。
此外,陶瓷电容的抗干扰能力强,对于电磁干扰和射频干扰具有很好的抑制作用。
【陶瓷电容的分类】根据陶瓷材料的不同,陶瓷电容可以分为以下几种类型:1.钽电解电容:由钽作为阳极,以陶瓷作为阴极的电容器。
2.铌电解电容:由铌作为阳极,以陶瓷作为阴极的电容器。
3.氧化铝电容:由氧化铝作为介质的陶瓷电容。
4.氧化钛电容:由氧化钛作为介质的陶瓷电容。
5.氮化钽电容:由氮化钽作为介质的陶瓷电容。
【陶瓷电容的应用领域】陶瓷电容广泛应用于各种电子设备和电子产品中,如通信设备、计算机、家电、工业控制等领域。
陶瓷电容在这些领域中发挥着重要的作用,如存储电能、滤波、耦合、去耦等。
【陶瓷电容的发展前景】随着科技的不断发展,陶瓷电容也在不断地进行技术创新。
未来,陶瓷电容将会朝着微型化、高容量、高频率、低损耗等方向发展。
同时,新型陶瓷材料的研究与应用也将为陶瓷电容带来更多的发展空间。
电容中的介质层
![电容中的介质层](https://img.taocdn.com/s3/m/f0eee22626d3240c844769eae009581b6bd9bd8e.png)
电容中的介质层电容中的介质层是电容器内部的一层材料,它起到隔离和储存电荷的作用。
介质层的选择对电容器的性能有着重要影响。
本文将分别介绍几种常见的介质层及其特点。
一、空气介质层空气是最简单、最常见的介质层。
空气介质层的优点是电容器制造成本低,而且不易损坏。
空气介质层的缺点是介电常数较低,电容器的容量较小。
因此,空气介质层主要应用于需要小容量的电容器。
二、陶瓷介质层陶瓷是一种无机非金属材料,常用作电容器的介质层。
陶瓷介质层的优点是介电常数较高,电容器的容量较大。
此外,陶瓷具有良好的耐热性和耐腐蚀性,适用于高温和恶劣环境下的电容器。
然而,陶瓷介质层也有一些缺点,如机械强度较低、介电损耗较大等。
三、聚乙烯介质层聚乙烯是一种常用的塑料材料,也可用作电容器的介质层。
聚乙烯介质层的优点是机械强度较高,耐用性好。
此外,聚乙烯具有较低的介电损耗和较高的绝缘电阻,适用于高频电路和精密电子设备。
然而,聚乙烯介质层的缺点是容易吸湿,导致电容器性能下降。
四、聚丙烯介质层聚丙烯是一种热塑性塑料,也常用作电容器的介质层。
聚丙烯介质层的优点是介电常数较高,电容器的容量较大。
此外,聚丙烯具有良好的绝缘性能和较低的介电损耗,适用于高频电路和高容量的电容器。
然而,聚丙烯介质层的缺点是机械强度较低,容易受到机械应力的影响。
五、聚酯介质层聚酯是一种常见的合成纤维材料,也可用作电容器的介质层。
聚酯介质层的优点是机械强度较高,耐久性好。
此外,聚酯具有较低的介电损耗和较高的绝缘电阻,适用于高频电路和高温环境下的电容器。
然而,聚酯介质层的缺点是容易吸湿,导致电容器性能下降。
电容中的介质层是电容器内部的一层材料,它起到隔离和储存电荷的作用。
常见的介质层包括空气、陶瓷、聚乙烯、聚丙烯和聚酯等。
不同的介质层具有不同的特点和应用场合。
在选择介质层时,需要考虑电容器的容量、介电常数、机械强度、耐久性、耐热性等因素,以满足电容器在特定应用中的要求。
薄膜电容与陶瓷电容区别
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薄膜电容与陶瓷电容区别
薄膜电容与陶瓷电容区别
1、介质材料区别
陶瓷电容介质材料为陶瓷,薄膜电容是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状。
2、应用场合不同
陶瓷电容器容量小,高频特性好,使用温度可以达到几百上千度,价格不高。
一般用在旁路,滤波应用;薄膜电容器价格较高,稳定性较好,耐电压电流能力很突出,但容量一般不超过1mF,一般用来降压,耦合。
高压薄膜电容器与高压陶瓷电容器的区别。
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贴片电容贴片电容(单片陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封装DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封装DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
三Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。
对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下
Z5U电容器有最大的电容量。
但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。
尤其是在退耦电路的应用中。
下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围10℃--- 85℃
温度特性22% ---- -56%
介质损耗最大4%
四Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封装DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- 85℃
温度特性22% ---- -82%
介质损耗最大5%
贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。
不同的公司命名方法可能略有不同。