大学物理实验教案-霍尔效应 (1)
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪测量霍尔电压、电流等物理量。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片平面），当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电场，这种现象称为霍尔效应。
2、霍尔电压产生的横向电场导致薄片两侧出现电势差，这个电势差称为霍尔电压＄U_H$ 。
霍尔电压的大小与通过薄片的电流＄I$、磁场的磁感应强度＄B$ 以及薄片的厚度＄d$ 等因素有关，其关系式为：＄U_H ＝＼frac{R_H IB}｛d}＄其中，＄R_H$ 称为霍尔系数，它与半导体材料的性质有关。
3、磁场的测量若已知霍尔系数＄R_H$ 、通过的电流＄I$ 以及霍尔电压＄U_H$ ，则可以计算出磁感应强度＄B$ ：＄B ＝＼frac{d U_H}｛R_H I}＄三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验内容与步骤1、仪器连接将霍尔效应实验仪的各部分按照说明书正确连接，确保线路接触良好。
2、调节参数（1）调节励磁电流，使磁场达到一定强度。
（2）调节工作电流，使其在合适的范围内。
3、测量霍尔电压（1）保持励磁电流不变，改变工作电流，测量不同工作电流下的霍尔电压。
（2）保持工作电流不变，改变励磁电流，测量不同励磁电流下的霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的电流、霍尔电压等数据准确记录在表格中。
五、实验数据记录与处理1、数据记录表格｜工作电流 I （mA) ｜励磁电流 IM （A) ｜霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜ 100 ｜ 050 ｜ 250 ｜｜ 150 ｜ 050 ｜ 375 ｜｜ 200 ｜ 050 ｜ 500 ｜｜ 250 ｜ 050 ｜ 625 ｜｜ 100 ｜ 100 ｜ 500 ｜｜ 100 ｜ 150 ｜ 750 ｜｜ 100 ｜ 200 ｜ 1000 ｜2、数据处理（1）根据实验数据，绘制霍尔电压＄U_H$ 与工作电流＄I$ 的关系曲线，分析其线性关系。
《霍尔效应》教案[精选五篇]
![《霍尔效应》教案[精选五篇]](https://img.taocdn.com/s3/m/955d3f0066ec102de2bd960590c69ec3d5bbdb67.png)
《霍尔效应》教案[精选五篇]第一篇：《霍尔效应》教案《霍尔效应》教案一、教学目标【知识与技能】知道霍尔效应的原理，了解霍尔效应在生活中的应用。
【过程与方法】通过观察实物，思考交流，分析霍尔效应的原理，了解物理学科在生活中的应用。
【情感态度与价值观】增加对物理学科的学习兴趣，体会物理学在生活中无处不在的特点，养成科学思考的学习习惯和态度。
二、教学重难点【重点】霍尔效应的产生过程。
【难点】霍尔效应的应用。
三、教学方法观察法、讨论法、问答法、多媒体展示等。
四、教学过程环节一：新课导入展示霍尔元件的实物，并介绍他的作用：能够精确测量出磁场的变化，在很多领域中都发挥着很大的作用，例如电机中测定转子转速，录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等。
教师提问：这个元件是怎样工作的呢?今天我们就一起来做个课题研究——霍尔效应。
环节二：新课探究展示多媒体：动画模拟产生霍尔效应的过程，请学生找到条件并进行总结。
回答：有一个矩形导体，并且有电流，加载与电流方向垂直的磁场，发现矩形导体上会出现电势差。
补充回答：电势差的方向是上下的，说明与电流和磁场构成的面垂直。
点评总结，归纳出霍尔效应的原理。
教师展示一些霍尔元件的例子说明探测磁场大小的作用。
问题：为什么霍尔元件能探测磁感应强度大小呢?回答：应该是产生的电势差发生变化，也就是说霍尔效应中，磁感应强度变化，能导致电势差的变化。
问题：很对，电势差大小还与什么有关呢?结合教材互相交流一下。
回答：还应该与电流大小、矩形导体厚度有关系。
环节三：应用提升向学生介绍霍尔传感器的原理和作用：霍尔传感器分为线型霍尔传感器和开关型霍尔传感器两种。
开关型霍尔传感器由稳压器、霍尔元件、差分放大器，斯密特触发器和输出级组成，它输出数字量。
开关型霍尔传感器还有一种特殊的形式，称为锁键型霍尔传感器。
线性型霍尔传感器由霍尔元件、线性放大器和射极跟随器组成，它输出模拟量。
线性霍尔传感器又可分为开环式和闭环式。
闭环式霍尔传感器又称零磁通霍尔传感器。
霍尔效应实验探究教案
霍尔效应实验探究教案标题：霍尔效应实验探究教案一、引言霍尔效应是电磁学中一种重要的现象，指的是在导体中有电流通过时，如果垂直于电流方向施加一个磁场，将会产生电势差。
这一效应不仅在理论上有重要的意义，也在实际应用中有广泛的用途。
为了帮助学生深入了解和掌握霍尔效应的原理和实验方法，本教案将针对霍尔效应实验进行探究。
二、实验目的本实验的主要目的是通过观察和测量霍尔效应，理解其原理，并学会使用霍尔效应测量磁场强度的方法。
三、实验器材1. 直流电源2. 多用途电表3. 磁场强度测量仪器4. 导线5. 霍尔元件和测试电路四、实验步骤1. 将实验器材准备齐全，并按照实验电路图进行连接。
2. 在实验过程中，注意安全操作，遵守实验守则。
五、实验原理霍尔效应是由美国物理学家霍尔在1857年首次发现并描述的。
当导体中有电流通过时，如果垂直于电流方向产生一个磁场，磁场将对流体中的载流子施加一个力，导致电子在导体中聚集，形成一个带正电荷和带负电荷的区域，从而引起导体横向的电势差。
这种电势差就是霍尔电势。
六、实验过程1. 按照实验步骤进行实验器材和电路的连接。
2. 将导线连接到直流电源和霍尔元件上，并将多用途电表连接到霍尔元件的输出端。
3. 调节实验电路，使得电流和磁场强度保持在一定范围内。
4. 分别测量不同电流和磁场强度条件下的霍尔电势差。
5. 记录实验数据，并进行数据分析。
七、实验结果分析根据实验所得数据，可以绘制电流与霍尔电势差的曲线图，进一步分析它们之间的关系。
可以观察到，当电流和磁场强度发生变化时，霍尔电势差也会随之变化。
同时，可以利用实验数据计算、验证霍尔系数的大小。
八、实验结论通过本实验，我们深入了解了霍尔效应的原理，并学会了使用霍尔效应测量磁场强度的方法。
实验结果表明，电流和磁场强度对霍尔电势差有重要影响，并且可以通过实验数据计算出霍尔系数的值。
九、教学反思本实验设计合理、步骤简单，有助于学生理解霍尔效应的原理和实验方法。
大物实验报告霍尔效应
大物实验报告霍尔效应
《大物实验报告：霍尔效应》
霍尔效应是指在导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会产生电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的发现和研究对于理解电磁现象和应用于各种电子设备中具有重要意义。
在本次实验中，我们将探究霍尔效应的基本原理和应用。
实验步骤：
1. 准备实验装置：实验装置包括导体样品、电源、磁场源和电压测量仪器。
2. 施加电流：将电流通过导体样品，观察电压测量仪器的读数。
3. 施加磁场：在导体样品周围施加磁场，再次观察电压测量仪器的读数。
4. 记录数据：记录不同电流和磁场下的电压测量值。
实验结果：
通过实验数据的记录和分析，我们发现在施加磁场后，电压测量仪器的读数发生了变化。
这表明在导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会产生电势差，即霍尔效应的存在。
实验结果与霍尔效应的基本原理相符合。
实验结论：
霍尔效应是一种重要的电磁现象，它在各种电子设备中具有广泛的应用。
例如在传感器中，霍尔效应可以用来测量磁场强度；在电子仪器中，霍尔效应可以用来控制电流和电压。
因此，对霍尔效应的研究和应用具有重要的意义。
总结：
通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的基本原理和应用。
霍尔效应的发现和研究对于电磁现象的理解和电子设备的应用具有重要意义。
我们将继续深入
研究霍尔效应，并探索其在各种领域的应用潜力。
大学物理实验报告系列之霍尔效应-大物霍尔效应实验报告
【实验名称】霍尔效应（一）【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除付效应的影响，测量试样的VH—IS；和VH—IM曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图1（a）所示的N型半导体试样，若在X方向通以电流1s，在Z方向加磁场B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力FB = e v B （1）则在Y方向即试样A、A '电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场一霍尔电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P 型试样则沿Y方向，有：Is (X)、B (Z) EH (Y) <0 (N型)EH (Y) >0 (P型)显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力HeE与洛仑兹力eVB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有HeE= B v e（2）其中HE为霍尔电场，v是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n，则bdvneIs=（3）由（2）、（3）两式可得dBIRdBInebEV SHSHH===1（4）即霍尔电压HV（A、A'电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度成反比。
比例系数neRH1=称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，810⨯=IsBdVR HH1、由RH的符号(或霍尔电压的正、负)判断样品的导电类型判断的方法是按图一所示的Is和B的方向，若测得的VH = VAA’触f <0，(即点A的电位低于点A′的电位) 则RH为负，样品属N型，反之则为P型。
霍尔效应教案设计
霍尔效应教案设计教学目的：1.使学生理解掌握霍尔效应的内容；2.通过霍尔效应的教学过程，使学生初步了解科学研究的方法；3.尝试将教学过程变成师生互动，共同探索，再现科学研究的过程；4.介绍创新思维的重要方法之一：批判性思维方法。
教学过程：一、引入问题前面我们讨论了带电粒子在电场和磁场中运动时受力的情况。
那么，在通电导体上同时加上磁场时将发生怎样的情况？如图所示，将一块长为a宽为b、厚为d的载流导体薄片置于磁场中，由于洛仑兹力的作用，会在与磁场和电流二者垂直的方向上出现横向电势差，这一现象就叫做霍尔效应。
这个电势差叫做霍尔电压。
如果撤去磁场，那么霍尔电压也就随之消失。
接下来的问题是，霍尔效应有那些规律？下面我们从理论上进行分析。
二、霍尔效应设导体薄片中的电流是由自由电子定向移动产生的，当薄片中通以电流I时，电子运动的方向与电流的方向相反。
如果在电流方向的垂直方向上加以磁感强度为B的磁场后，薄片中运动的电子e将受到洛仑兹力的作用。
设电子定向运动的平均速度为v，则洛仑兹力f的大小为f=eBv，方向为垂直纸面向里。
因此，在里侧表面上积累有负电荷，外侧表面上积累有正电荷。
随着电荷的积累，在两侧表面之间出现了电场强度为E的匀强电场，使电子e受到一个与洛仑兹力方向相反的电场力Fe的作用。
电荷在侧面上不断积累，电场力也不断增大。
当电场力增大到正好等于洛仑兹力时，就达到了动态平衡。
动态平衡时薄片两侧面积累的电荷所产生的电场叫做霍尔电场，用EH表示；两侧面间的霍尔电压用UH表示。
霍尔电场对电子的作用力的大小为：Fe=eEH，它与洛仑兹力在数值上相等，即eEH=eBv,于是有EH=Bv。
由于霍尔电场是匀强电场，所以EH=UH/b，则上式可写为上式给出了霍尔电压UH、磁场感强度B以及电子运动速度v之间的关系，但实际上易于测量的是电流I，而不是电子运动速度v，因此有必要对上式进行变换。
设导体内单位体积内电荷数为n（电荷密度），电子电量为e，定向运动的平均速度为v，则导体中的电流I=nebdvv=I/( nebd )代入上式UH=Bbv=BbI/( ned )=BI/(ned )由此可见，UH与I、B成正比，与n、d、e成反比，而与b 无关。
大学物理实验-霍尔效应
实验结论与意义
根据实验结果和讨论，总结实验 结论，并阐述实验在物理学科中 的意义和应用价值。
05 结论
实验结论总结
霍尔效应的发现
通过实验，我们成功观察到了霍尔效应，即在磁场的作用下，导 体中产生横向电势差的现象。
霍尔系数与载流子类型
实验中，我们通过测量霍尔系数，推断出导体中的载流子类型为负 电荷。
拓展应用领域
霍尔效应不仅在基础研究中具有重要意义，还可以应用于 实际生产和生活领域。未来可以进一步拓展其应用范围， 如磁场传感器、磁记录技术等。
06 参考文献
参考文献
01
总结词：深入理解
02
详细描述：霍尔效应的原理是当电流在磁场中流动时，会在导体中产生一个横 向的电位差，这种现象被称为霍尔效应。这个原理是大学物理实验中非常重要 的知识点，有助于深入理解电磁场和电流的相互作用。
磁场对霍尔效应的影响
实验结果显示，随着磁场强度的增加，霍尔电势差也相应增大，表 明磁场对霍尔效应具有显著影响。
实验对理论的意义
验证霍尔效应理论
通过实验，我们验证了霍尔效应理论的正确性，即当磁场作用在导 体上时，导体中会产生横向电势差。
加深对载流子理解
实验结果有助于我们进一步理解载流子的行为和性质，以及它们在 导体中的运动规律。
包括电源、电流表、电压表、 霍尔元件等。
磁场发生器
提供恒定磁场，用于观察霍尔 效应。
测量支架
固定和调整霍尔元件位置。
实验导线
连接电源、测量仪表和实验元 件。
实验操作流程
安装霍尔元件
将霍尔元件放置在测量支架上， 调整位置使其与磁场发生器平 行。
开始实验
开启电源，调整磁场发生器， 观察霍尔元件在不同磁场强度 下的表现。
大学物理实验霍尔效应
大学物理实验报告姓名学号专业班级实验名称霍尔法测磁场实验日期[实验目的]1.了解产生霍尔效应的机制；2.掌握霍尔效应实验中各种副效应的产生原因及消除方法；3.学会使用霍尔效应实验装置；4.学会利用霍尔效应测量磁场的基本方法。
[实验原理]霍尔效应装置如图1和图2所示。
将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B 的方向沿z轴方向)，当沿y方向的电极、上施加电流I时，薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力F B的作用。
无论载流子是负电荷还是正电荷，F B的方向均沿着x方向，在洛伦兹力的作用下，载流子发生偏移，产生电荷积累，从而在薄片、两侧产生一个电位差,,形成一个电场E。
电场使载流子又受到一个与方向相反的电场力，其中b为薄片宽度，F E随着电荷累积而增大，当达到稳定状态时＝，即这时在、两侧建立的电场称为霍尔电场，相应的电压称为霍尔电压，电极、称为霍尔电极。
另一方面，设载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为：可得到令则称为霍尔系数，它体现了材料的霍尔效应大小。
根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。
在应用中，常以如下形式出现：(7)式中称为霍尔元件灵敏度，I称为控制电流。
只要测出霍尔电压，即可算出磁场B的大小；并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子，P 型半导体多数载流子为空穴),则由的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。
由于霍尔效应建立所需时间很短(10-12~10-14s),因此霍尔元件使用交流电或者直流电都可。
霍尔效应的副效应：1．不等位电势差当电流流过霍尔元件时，由于霍尔元件在实际制备过程中很难做到两个霍尔电极P与S位于同一个等势面上，因而无论有无磁场，P、S之间总存在一个电势差，称为不等位电势差(U。
)。
在测量霍尔电势差时，U。
总会叠加在其上。
U仅与工作电流I的方向有关，与磁场B的方向无关。
2．厄廷好森效应：厄廷好森发现半导体中载流子的速率不同，对速率大的载流子，洛伦兹力起主要作用；对速率小的载流子，霍尔电场力起主要作用。
霍尔效应教案
霍尔效应教案教案标题：霍尔效应教案教案概述：本教案旨在通过引入霍尔效应这一物理现象，帮助学生理解电流和磁场之间的关系，并探索霍尔效应在实际应用中的意义。
通过实验和讨论，学生将能够掌握霍尔效应的基本原理、计算方法以及应用领域。
教学目标：1. 理解霍尔效应的基本原理，即电流通过导体时会在垂直于电流方向的磁场中产生电势差。
2. 掌握计算霍尔电压和霍尔系数的方法。
3. 了解霍尔效应在实际应用中的意义，例如磁场测量和电流传感器等。
4. 培养学生的实验设计和数据分析能力。
教学准备：1. 教师准备：熟悉霍尔效应的基本原理和计算方法，准备相关实验仪器和材料。
2. 学生准备：预习相关的电流和磁场知识，了解霍尔效应的基本概念。
教学过程：引入（5分钟）：1. 向学生介绍霍尔效应的概念，并简要解释电流和磁场之间的关系。
2. 引导学生思考霍尔效应在实际生活中的应用，例如磁场测量和电流传感器等。
理论讲解（15分钟）：1. 介绍霍尔效应的基本原理和公式：VH = B × I × RH，其中VH为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流，RH为霍尔系数。
2. 解释霍尔系数RH的物理意义和计算方法。
3. 提供示意图和实例，帮助学生理解霍尔效应的工作原理和计算过程。
实验操作（30分钟）：1. 将学生分成小组，每组配备霍尔效应实验器材和电源。
2. 指导学生进行实验操作，测量不同电流下的霍尔电压。
3. 让学生记录实验数据，并根据实验结果计算霍尔系数。
实验结果分析（15分钟）：1. 引导学生分析实验数据，观察电流和霍尔电压的关系。
2. 讨论实验结果，帮助学生理解霍尔效应的特点和应用。
3. 引导学生思考如何利用霍尔效应进行磁场测量或电流传感器设计等实际问题。
拓展应用（10分钟）：1. 向学生介绍霍尔效应在电流传感器、磁场测量仪器等领域的应用。
2. 分组讨论，让学生探索其他可能的应用领域，并展示他们的研究成果。
总结（5分钟）：1. 总结本节课的重点内容，强调霍尔效应的基本原理和计算方法。
霍尔效应教案
霍尔效应教案【篇一：霍尔式传感器教案】教案用纸附页教案用纸附页教案用纸附页教案用纸附页教案用纸附页【篇二：利用霍尔效应测量磁场教案】利用霍尔效应测量磁场【教学目的】1.使学生了解霍尔电压产生的机制；2.使学生学会用霍尔元件测量磁场的基本方法【重点与难点】重点：霍尔效应产生的原理;难点：1、霍尔电压的产生机制；2、消除附加效应的方法【实验内容】1．霍尔元件输出特性测量（测绘vh-is曲线。
vh-im曲线）2．测绘螺线管轴线上磁感应强度的分布曲线【教学方法】口头讲述、板书、实验演示【教学过程设计】1、内容的引入：提问：（1）、电荷在磁场中作切割磁力线的运动会受到什么力的作用？这个力会使电荷的运动发生怎样的变化？（洛伦兹力；圆周运动）（2）、什么是霍尔效应？霍尔电压是怎样产生的？（见实验原理）2、重点讲解（一）、实验原理（1）霍尔效应霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如图所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛仑兹力f l作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力 f e的作用。
随着电荷积累的增加，f e增大，当两力大小相等（方向相反）时， f l=－f e，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电势uh。
设电子按均一速度v，向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛仑兹力为：f l=－evb式中：e 为电子电量，v为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应第一篇：大学物理实验报告霍尔效应大学物理实验报告霍尔效应一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1 所示。
半导体样品，若在x 方向通以电流，在z 方向加磁场，则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。
设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)因为，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH 可进一步确定以下参数。
(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位)，则样品属N 型，反之为P 型。
(2)由求载流子浓度，即。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
物理实验霍尔效应实验教案
1．霍尔效应的产生机理
2．怎样消除影响测量准确性的附加效应
教
学
过
程
的
设
计
课前的准备：
1.仪器设备的检查，注意要校准砝码。
2.实验的预做（采集三组以上数据进行处理）。
3.作出数据表格设计的参考。
课上教学的设计：
一、课上的常规检查（预习报告、数据表格的设计等）。(5分钟)
二、讲解的设计(30分钟)
1、引言
五、检查实验的结果,签字
六、实验小结
1、验中有哪些影响测量准确度的因素？
2、用作图法处理实验数据时，是如何利用多次测量来减小测量不确定度的？
3、拓展题目完成的意义。
时间的掌握：留由5分钟机动的时间。
讲作图法
课
后
思
考
题
1．分析本实验主要误差来源，计算磁场B的合成不确定度。
2．以简图示意，用霍尔效应法判断霍尔片上磁场方向。
原则
实验原理
霍尔效应实质上是运动电荷在磁场中受到洛仑磁力的作用后发生偏转而产生的，当霍尔电场力与洛仑磁力平衡时，霍尔片中载流子不在迁移，这样就在霍尔片的上下两个平面间形成了恒定的电位差——霍尔电位差UH，实验测定
系数RH=1/ne称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，载流子浓度n越小,则RH越大，UH也越大，所以只有当半导体(n比金属的小得多)出现以后，霍尔效应的应用才得以发展。对于特定的霍尔元件，其厚度d确定，定义霍尔灵敏度KH=RH/d，KH与霍尔片的材料性质、几何尺寸有关，对于一定的霍尔片，其为常数。这样
2、了解霍尔效应产生的原理
3、学习和掌握了用霍尔效应的方法测量磁场
4、学习霍尔效应研究半导体材料的性能的方法以及消除副效应影响的方法
大学物理实验报告 霍尔效应
霍尔效应的研究钱瑞杰，13级物理系一、引言近年来，在科研和工业中，霍尔效应被广泛应用于磁场测量。
本实验通过使用霍尔传感器了解半导体的霍耳效应，研究霍耳电压与磁场强度、电流之间的关系，了解霍耳效应的各种副效应并学习根据需要抑制或增强各种副效应的方法。
二、实验原理1、霍尔效应如图1所示，当电流I 流过厚度为d 的半导体薄片，因磁场B 垂直作用于该半导体，则电子流方向会因洛伦兹力作用而发生改变，正电荷向a 侧聚集，负电荷向b 侧聚集，从而在a 、b 之间形成霍尔电势差H U ，HH H R U IB K IB d ⎛⎫== ⎪⎝⎭（1） 其中，H K 为霍尔元件灵敏度，I 、B 分别为电流强度和磁场强度。
2、霍尔效应中的副效应（1）不等位电势差U σ：由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及由于工艺制作时，很难保证将霍尔片的电压输出电极焊接在同一等势面上，因此当电流流过样品时，即使已不加磁场，在电压输出电极之间也会产生一电势差U σ，U Ir σ=，只与电流有关，与磁场无关。
（2）厄廷豪森效应： 霍尔片内部的快慢载流子向不同方向偏转，动能转化为热能，使x 方向两侧产生温度差，因此霍尔电极和样品间形成热电偶，在电极间产生温差电动势E U 。
E U IB ∝，其正负、大小与I 、B 的大小和方向有关。
（3）能斯托效应：由于两个电流电极与霍尔样品的接触电阻不同，样品电流在电极处产生不同的焦耳热，引起两电极间的温差电动势，此电动势又产生温差电流（又称热电流）Q ，热电流在磁场的作用下将发生偏转，结果在y 方向产生附加的电势差N U ，且N U QB ∝，N U 的正、负只与B 的方向有关，这一效应称为能斯托效应。
（4）里纪─勒杜克效应：以上谈到的热流Q 在磁场作用下，除了在y 方向产生电势差外，还由于热流中的载流子的迁移率不同，将在y 方向引起样品两侧的温差，此温差在y 方向上产生附加温差电动势R U QB ∝，R U 只和B 有关，和I 无关。
大学物理实验霍尔效应
霍尔效应（Hall Effect）霍尔效应是1879年由年仅24岁，尚在读研究生的霍尔在研究载流导体在磁场中的受力性质时发现的，它被广泛应用于科学和工程技术研究中对磁场、功率以及位移等参数的测量。
由于半导体中的霍尔效应比金属导体要强的多，随着半导体工业的发展，霍尔效应被越来越多地用来确定半导体材料的导电类型、载流子浓度以及禁带宽度等参数。
近年来，霍尔效应又得到了重大发展，冯·克利青在极强磁场和极低温度下发现了量子霍尔效应，它的应用大大提高了有关基本常数的准确性，冯也因此获得了诺贝尔物理学奖。
一、实验原理在一块长方形金属薄片或半导体薄片的某一方向上通电流，在其垂直方向加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电位差，这就是霍尔效应，称为霍尔电压。
霍尔效应可用洛伦磁力来解释，如图1所示的半导体薄片（霍尔片）位于磁场B中，电流沿X 轴正方向通过半导体薄片，设薄片中的载流子（自由电子）以平均速度沿X轴负方向运动，则电子受洛伦磁力为，自由电子受力发生偏转，在面Ⅰ上积聚，同时在面Ⅱ上积聚同样数量的正电荷，这样沿Y方向形成一电场，电场形成的电场力将阻碍电荷的继续积聚，设电场强度为E，则，当电场力和洛伦磁力相等时达到稳定状态，即：，有。
根据电流强度的定义有，代入上式有：,这就是霍尔电压的计算公式。
记其中为霍尔系数，为霍尔元件灵敏度。
由此可知，霍尔电压和磁感应强度以及电流强度成正比，和元件厚度成反比,为了提高霍尔元件的灵敏度，一般霍尔元件的厚度都在0.2 左右。
二、实验仪器TH-S型螺线管磁场实验仪、测试仪三、实验内容及步骤1，正确连接线路，对电源进行调零、校准；2，确定励磁电流的大小，改变霍尔元件工作电流的大小，测绘工作电流和霍尔电压的关系曲线；3，确定工作电流大小，改变励磁电流的大小，测绘励磁电流和霍尔电压的关系曲线；4，确定工作电流和励磁电流的大小，测绘并计算螺线管轴线上磁感应强度分布曲线；5，掌握采用对称测量法（改变磁场和工作电流的方向）来消除测量中的副效应（如不等位效应、埃廷豪森效应等）的方法。
大学物理实验报告系列之霍尔效应-大物霍尔效应实验报告
大学物理实验报告【实验名称】霍尔效应之宇文皓月创作【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对资料要求的知识。
2．学习用“对称丈量法”消除付效应的影响，丈量试样的VH—IS；和VH—IM曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】是反映资料霍尔效应强弱的重要参数，810⨯=IsBdV R H H 1、由R H 的符号(或霍尔电压的正、负)判断样品的导电类型判断的方法是按图一所示的Is 和B 的方向，若测得的V H = V AA ’触f <0，(即点A 的电位低于点A ′的电位) 则R H 为负，样品属N 型，反之则为P 型。
2、由R H 求载流子浓度n 即 eR n H 1=。
应该指出，这个关系式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入83π的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。
3、结合电导率的丈量，求载流子的迁移率 。
电导率 与载流子浓度n 以及迁移率 之间有如下关系：μσne =（6）即σμH R =，通过实验测出 值即可求出 。
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率 高、电阻率 亦较高）的资料。
因μρ=HR ，就金属导体而言，和 均很低，而不良导体 虽高，但μ极小， nedK H 1=（7）来暗示器件的灵敏度，HK 称为霍尔灵敏度【实验内容】1、测绘HV -I s 曲线。
将实验仪的“HV 、σV ”切换开关投向HV 侧，测试仪的“功能切换”置HV 。
坚持MI 值不变（取MI =0.6A ）,测绘HV -I s 曲线，2、测绘HV -MI 曲线。
实验仪及测试仪各开关位置同上。
坚持I s 值不变（I s =3.00mA ）,测绘HV -MI 曲线，3、丈量σV 值量结果有何影响？磁场只有部分分量有作用，也就是实际磁场小于通电电流应发生的磁场。
霍尔效应教案设计
霍尔效应教案设计第一部分：导入在教学中，我们常常需要通过导入引起学生的兴趣并预备新知识的学习。
为了让学生对霍尔效应产生兴趣，我们可以通过以下导入方式进行：1. 视频引入：播放霍尔效应的实验视频，让学生观察实验现象，并提出他们对于实验现象的猜想。
2. 故事情境引入：给学生讲述一个有关霍尔效应的故事，让学生通过故事情境了解霍尔效应的应用背景和重要性。
第二部分：知识讲解在这部分中，我们将详细介绍霍尔效应的概念和原理，以及其中的数学推导过程。
为了使学生更好地理解，我们可以采用以下教学方法：1. 概念解释：向学生简单地介绍霍尔效应的概念，即当导体中通过的电流受到磁场的影响时，会在导体两侧产生电势差。
2. 实验演示：通过实验演示来展示霍尔效应的实际效果，例如使用霍尔元件进行测量，观察电势差的产生情况。
3. 数学推导：以数学方式对霍尔效应进行推导，介绍霍尔系数、磁通密度和电流强度的关系，并通过示意图和公式进行解释。
第三部分：实践探究在这一部分，学生将有机会亲自实践和探究霍尔效应。
以下是一些实践活动的建议：1. 设计实验：让学生自行设计一个实验来验证霍尔效应。
他们可以选择适当的电路和材料，并记录实验数据。
2. 数据分析：学生根据实验数据，计算霍尔系数，并分析不同因素对霍尔系数的影响。
3. 实际应用：让学生调查和探究霍尔效应在实际生活中的应用，例如霍尔传感器和霍尔开关等。
第四部分：拓展延伸为了充实学生的知识和满足他们的好奇心，我们可以提供一些拓展和延伸内容：1. 进一步研究：鼓励学生深入了解霍尔效应的研究领域，例如霍尔元件的类型和特点，以及磁场对霍尔效应的影响等。
2. 实验设计：让学生设计一个更复杂的实验，探索霍尔效应在不同条件下的表现。
3. 实例分析：引导学生分析和解决实际问题，如基于霍尔效应的测量仪器的性能改进等。
4. 名人故事：分享一些与霍尔效应相关的科学家的故事，激发学生对科学研究的兴趣。
第五部分：总结与回顾在这最后部分，我们会对整堂课进行总结与回顾，确保学生对霍尔效应有一个清晰的理解，并能够将所学的知识应用到实际生活中。
大学物理实验教案-霍尔效应
大学物理实验教案实验名称：霍尔效应实验目的：1、了解霍尔效应原理。
2、了解霍尔电势差VH 与霍尔元件工作电流sI之间的关系，了解霍尔电势差VH与励磁电流mI之间的关系。
3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
4、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B的原理和方法。
实验仪器：TH-H霍尔效应实验仪 TH-H霍尔效应测试磁场测试仪实验原理：一、霍尔效应原理若将通有电流的导体置于磁场B之中，磁场B（沿z轴）垂直于电流S I（沿x轴）的方向，如图所示，则在导体中垂直于B和S I的方向上出现一个横向电势差HU，这个现象称为霍尔效应。
这一效应对金属来说并不显著，但对半导体非常显著。
利用霍尔效应可以测定载流子浓度、载流子迁移率等重要参数，是判断材料的导电类型和研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率，以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。
用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
霍尔电势差产生的本质，是当电流SI通过霍尔元件（假设为P型，即导电的载流子是空穴。
）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力()B q =⨯F v B（1）式中q 为载流子电荷。
洛沦兹力使载流子产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E ，直到电场对载流子的作用力F E =q E 与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即()q q ⨯=v B E（2） 这时载流子在样品中流动时将不偏转地通过霍尔元件，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N 型样品，即导电的载流子是电子，则横向电场与前者相反，所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。
设P 型样品的载流子浓度为n ，宽度为b ，厚度为d 。
通过样品电流nevbd I S =，则空穴的速度nebdI v S=，代入（2）式有 n e b dBI S =⨯=B v E （3） 上式两边各乘以b ，便得到S S H H I B I BV Eb R ned d=== （4） 霍尔电压H V （ A 、A '之间电压）与S I 、B 的乘积成正比，与霍尔元件的厚度d 成反比，比例系数H R ，称为霍尔系数。
大学物理实验报告系列之霍尔效应-大物霍尔效应实验报告
大学物理实验报告【实验名称】霍尔效应之勘阻及广创作【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对资料要求的知识。
2．学习用“对称丈量法”消除付效应的影响，丈量试样的VH—IS；和VH—IM曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】810⨯=IsBdV R H H 1、由R H 的符号(或霍尔电压的正、负)判断样品的导电类型判断的方法是按图一所示的Is 和B 的方向，若测得的V H = V AA ’触f <0，(即点A 的电位低于点A ′的电位) 则R H 为负，样品属N 型，反之则为P 型。
2、由R H 求载流子浓度n 即 eR n H 1=。
应该指出，这个关系式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入83π的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。
3、结合电导率的丈量，求载流子的迁移率。
电导率 与载流子浓度n 以及迁移率之间有如下关系：μσne =（6）即σμH R =，通过实验测出值即可求出 。
根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率 高、电阻率 亦较高）的资料。
因μρ=H R ，就金属导体而言，和 均很低，而不良导体虽高，但μ极小，nedK H 1=（7）来暗示器件的灵敏度，H K 称为霍尔灵敏度 【实验内容】1、测绘H V -I s 曲线。
将实验仪的“H V 、σV ”切换开关投向H V 侧，测试仪的“功能切换”置H V 。
坚持M I 值不变（取MI =0.6A ）,测绘H V -I s 曲线，2、测绘H V -M I 曲线。
实验仪及测试仪各开关位置同上。
坚持I s 值不变（I s =3.00mA ）,测绘H V -M I 曲线， 3、丈量σV 值将“H V 、σV ”切换开关投向σV 侧，测试仪的“功能切换”置σV 。
在零磁场下，取S I =2.00mA ，丈量σV 。
霍尔效应教学设计
大学物理课堂教学方案授课课题：霍尔效应课程类型：专业基础课教学内容与进程（含板书）（设计思路： 要点复习 问题驱动原理分析应用讨论总结评价）一、内容导入 【研究前沿】（3min ）让学生观看量子反常霍尔效应的新闻报道，引入霍尔效应的发展历程，了解前沿知识，激发其学习兴趣。
二、主要内容设计 【要点复习】（2min ）回顾与霍尔效应相关的知识内容，即带电粒子受到电场和磁场对它的作用力)(B e f×= 洛【问题驱动】（10min ）1、引入霍尔效应的概念：放入磁场中的导电片，当通以与磁场方向垂直的电流时，会在垂直磁场和电流的方向上出现电势差。
由实验规律得到霍尔电势差，明确霍尔电势差电流强度、磁感应强度和导电片厚度的关系； 由霍尔元件的特点，引入2个疑问：a.霍尔元件材料为什么必须用薄片？ 用厚片可以么？b.霍尔元件材料为什么必须用半导体材料？ 用金属材料可以么？【原理分析】（15min）1、霍尔效应的微观机理通过动画演示导电片中电子的受力及运动情况，通过对电子的受力分析得到平衡时电场与磁场的关系；推导霍尔电势差的公式以及霍尔系数的表达式；要得到较大的霍尔电势差，回答霍尔元件做成薄片及采用半导体材料的原因。
【应用讨论】（10min）1、回应前面问题，介绍霍尔器件对材料的要求和常识。
2、实例应用:应用霍尔传感器的实例利用通过转动的齿轮和磁铁之间的磁力线的疏密变换可以得出齿轮的转速。
演示各类霍尔传感器应用图片3、根据原理公式讲解3种应用：测量磁场，测量载流子浓度，测量半导体类型。
N 型半导体 q<0 021<-V VP 型半导体 q>0 1V -02>V【总结评价】（5min ）回顾原理：首先回顾霍尔效应的基本原理，包括霍尔元件的工作原理、霍尔电压的测量方法。
强调重点：强调本节课的重点内容，例如霍尔效应的实验原理、霍尔传感器的应用、霍尔元件的灵敏度及其影响因素。
关联知识点：将本节课所学的知识点与其他相关知识点进行关联，例如霍尔效应与载流子迁移率的关系、霍尔效应在半导体器件中的应用等。
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大学物理实验教案
实验名称：霍尔效应实验目的：
1、了解霍尔效应原理。
2、了解霍尔电势差V
H 与霍尔元件工作电流
s
I之间的关系，了解霍尔电势差V
H
与励磁电流
m
I之
间的关系。
3、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
4、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B的原理和方法。
实验仪器：
TH-H霍尔效应实验仪 TH-H霍尔效应测试
实验原理：
一、霍尔效应原理
若将通有电流的导体置于磁场B之中，磁场B（沿z轴）垂直于电流S I（沿x轴）的方向，如图所示，则在导体中垂直于B和S I的方向上出现一个横向电势差H
U，这个现象称为霍尔效应。
这一效应对金属来说并不显著，但对半导体非常显著。
利用霍尔效应可以测定载流子浓度、载流子迁移率等重要参数，是判断材料的导电类型和研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率，以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。
用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
霍尔电势差产生的本质，是当电流
S
I通过霍尔元件（假设为P型，即导电的载流子是空穴。
）时，空穴有一定的漂移速度v，垂直磁场对运动电荷产生一个洛仑兹力
()B q =⨯F v B （1）
式中q 为载流子电荷。
洛沦兹力使载流子产生横向的偏转，由于样品有边界，所以有些偏转的载流子将在边界积累起来，产生一个横向电场E ，直到电场对载流子的作用力F E =q E 与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止，即
()q q ⨯=v B E （2）
这时载流子在样品中流动时将不偏转地通过霍尔元件，霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N 型样品，即导电的载流子是电子，则横向电场与前者相反，所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号，据此可以判断霍尔元件的导电类型。
设P 型样品的载流子浓度为n ，宽度为b ，厚度为d 。
通过样品电流nevbd I S =，则空穴的速度nebd
I v S
=
，代入（2）式有 nebd
B
I S =
⨯=B v E （3） 上式两边各乘以b ，便得到
S S H H I B I B
V Eb R ned d
==
= （4） 霍尔电压H V （ A 、A '之间电压）与S I 、B 的乘积成正比，与霍尔元件的厚度d 成反比，比例系数H R ，称为霍尔系数。
它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
H H S V d 1
R I B ne
=
= （5） 在应用中一般写成
H H S V K I B = （6）
比例系数ned
1
I R K S H H ==
，称为霍尔元件灵敏度，单位为mV/(mA ·T)。
一般要求H K 愈大愈好。
H K 与载流子浓度n 成反比，半导体内载流子浓度远比金属载流子浓度小，所以选用半导体材料作为霍尔元件。
H K 与片厚d 成反比，所以霍尔元件都做的很薄，一般只有0.2mm 厚。
由（4）式可以看出，知道了磁感应强度B ，只要分别测出传导电流S I 及霍尔电势差H V ，就可算出霍尔系数H R 和霍尔元件灵敏度H K 。
二、由H R 确定以下参数
（1）由H R 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。
判断的方法是按图所示的S I 和B 的方向，若测得的H V >0,（即电流流入端电势高于流出端的电势），则H R 为正，样品属P 型，反之则为N 型。
（2） 由H R 求载流子浓度n ，即e
R 1
n H =。
应该指出，这个关系是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的（严格一点，应考虑载流子的速度统计分布，在若磁场下应引入一个修正因子
38
π）。
三、霍耳元件副效应的影响及其消除
1．霍耳元件的副效应
在研究固体导电过程中，继霍耳效应之后不久又发现了厄廷豪森（Etinghausen ）、能斯特（Nernst ）和里纪—勒杜克（Righi-Ledue ）效应，它们都归属于热磁效应。
（1）厄廷豪森效应
1887年厄廷豪森发现，由于载流子的速度不相等，它们在磁场的作用下，速度大的受到洛仑兹力大，绕大圆轨道运动；速度小的则绕小圆轨道运动，这样导致霍耳元件的一端较另一端具有较多的能量而形成一个横向的温度梯度。
因而产生温差电效应，形成电势差，记为E U 。
其方向决定于H I 和磁场B 的方向，并可判断E V 与H V 始终同向
（2）能斯特效应
由于输入电流端引线的焊接点a 、b 处的电阻不相等，通电后发热程度不同，使a 和b 两端之间存在温度差，于是在a 和b 之间出现热扩散电流。
在磁场的作用下，在c 、e 两端出现了横向电场，由此产生附加电势差，记为N V 。
其方向与H I 无关，只随磁场方向而变。
（3）里纪—勒杜克效应
由于热扩散电流的载流子的迁移率不同，类似于厄廷豪森效应中载流子速度不同一样，也将形成一个横向的温度梯度，以产生附加电势差，记为RL V 。
其方向只与磁场方向有关，且与H V 同向。
2．不等势电势差
不等势电势差是由于霍耳元件的材料本身不均匀，以及电压输入端引线在制作时不可能
绝对对称地焊接在霍耳片的两侧所引起的，如图所示。
因此，当电流H I 流过霍耳元件时，在电极3、4之间也具有电势差，记为0V ，其方向只随H I 方向不同而改变，与磁场方向无关。
3．副效应的消除
根据以上副效应产生的机理和特点，除E V 外，其余的都可利用异号法消除其影响，因
图2 能斯特效应 图3 不等势电势差
而需要分别改变H I 和B 的方向，测量四组不同的电势差，然后作适当的数据处理，而得到
H V 。
取B +、H I +测得
10H E N RL V V V V V V =++++
取B +、H I -测得
20H E N RL V V V V V V =--++-
取B -、H I -测得
30H E N RL V V V V V V =+---
取B -、H I +测得
40H E N RL V V V V V V =----+
消去N V 、RL V 和0V 得
12341
()4
H E V V V V V V =-+--
因E H V V ，一般可忽略不计，所以
12341
()
4H V V V V V =-+-
（7） 本实验要利用霍尔效应测量长直螺线管轴线上的磁感应强度。
实验内容
1、 掌握仪器性能，连接测试仪与实验仪各组之间的连线
（1）开关机前，测试仪的“I S 调节”和“I M 调节”旋钮均置零位（即逆时针旋到底）。
（2）连接测试仪和实验仪之间各组的连线。
2、绘V H —I S 曲线
将测试仪的“功能切换”置V H ，取I M =0.600A ，分别取I S =0.50,1.00,1.50，2.00,2.50,3.00mA ，依次测量+I S , +B ；+I S ,－B ；－I S ,－B ；－I S , +B 相应的V H ,值。
3、测绘V H —I M 曲线
保持I S 值不变（取I S =2. 00mA ），分别取I M =0.100,0.200，0.300，0.400,0.500，0.600A ，依次测量+I S , +B ；+I S ,－B ；－I S ,－B ； －I S , +B 相应的V H 值。
实验数据处理
00.50 4.00 3.00d mm
b mm l mm
B ====
1、0.6000.600m m I A B I ===
以I 为横坐标，H V 为纵坐标作图，求斜率k 霍尔系数为
H kd R B
==
判断导电类型 载流子浓度
31
8H n R e
π=
=
2、 2.00s I mA =
以I 为横坐标，H V 为纵坐标作图，求斜率k 霍尔系数为
H kd R B
==
判断导电类型 载流子浓度
31
8H n R e
π=
=
结论与分析
1.实验材料的半导体类型及判定依据。
2. 实验中纯在的不足与改进（从偶尔误差和系统误差角度）。