哈工大物理实验报告——霍尔效应
大学物理实验报告系列之霍尔效应-大物霍尔效应实验报告
【实验名称】霍尔效应之答禄夫天创作【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对资料要求的知识。
2．学习用“对称丈量法”消除付效应的影响，丈量试样的VH—IS；和VH—IM曲线。
3．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】霍尔效应从实质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体资料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上发生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。
对于图1（a）所示的N型半导体试样，若在X方向通以电流1s，在Z方向加磁场B，试样中载流子（电子）将受洛仑兹力FB = e v B （1）则在Y方向即试样A、A 电极两侧就开始聚积异号电荷而发生相应的附加电场一霍尔电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有：Is (X)、 B (Z) EH (Y) <0 (N型)EH (Y) >0 (P型)显然，该电场是阻止载流子继续向正面偏移，当载流子所受的横向电场力HeE与洛仑兹力eVB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有H eE = B v e （2）其中H E 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则bd v ne Is = （3）由（2）、（3）两式可得dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1 （4）即霍尔电压H V （A 、A ' 电极之间的电压）与IsB 乘积成正比与试样厚度成反比。
比例系数neR H 1=称为霍尔系数，它是反映资料霍尔效应强弱的重要参数， 810⨯=IsBdV R H H1、由RH 的符号(或霍尔电压的正、负)判断样品的导电类型判断的方法是按图一所示的Is 和B 的方向，若测得的VH = VAA’触f <0，(即点A 的电位低于点A′的电位) 则RH 为负，样品属N 型，反之则为P 型。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
大物霍尔效应实验报告（共8篇）
大物霍尔效应实验报告(共8篇)大学物理实验报告系列之霍尔效应大学物理实验报告)篇二：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的VH?Is，VH?IM曲线了解霍尔电势差VH与霍尔元件控制（工作）电流Is、励磁电流IM之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场B位于Z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（N型半导体材料），它沿着与电流Is相反的X负向运动。
由于洛伦兹力fL的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负方向的B侧偏转，并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fE的作用。
随着电荷积累量的增加，fE增大，当两力大小相等（方向相反）时，fL=-fE，则电子积累便达到动态平衡。
这时在A、B两端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势差称为霍尔电压VH。
设电子按均一速度向图示的X负方向运动，在磁场B作用下，所受洛伦兹力为fL=-eB式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，B为磁感应强度。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
哈工大物理实验报告——霍尔效应
哈工大物理实验报告——霍尔效应一、实验目的1. 了解霍尔元件的制作工艺和特性；2. 掌握霍尔效应的实验方法和测量原理；3. 了解霍尔效应在电磁学和半导体中的应用；4. 熟练掌握霍尔实验数据处理方法。
二、实验原理1.霍尔元件霍尔元件是由半导体材料做成的，包括霍尔片和两个接触点。
霍尔片所在的面被接上电，霍尔面受到一个磁场时，霍尔电位差就会出现。
霍尔电势是电势与电场的乘积，由负载电流和输入电压维持。
霍尔电势大小与霍尔电导有直接关系。
2. 霍尔效应当载有电流的导体在外磁场中移动时，如果该导体的厚度很小，就会出现霍尔效应。
这种效应被称为霍尔效应。
霍尔效应的物理原理亦非常简单。
电子顺着磁场方向受到洛伦兹力作用，其中洛伦兹力垂直于电子的往复运动，同时导致电子在垂直磁场方向上移动，此时电子内的电荷聚集在两边，形成了一个激活电动势，即霍尔电势。
3. 实验装置富血红相机，霍尔电场电源，数字万能表，霍尔元件，霍尔效应试验样品块，两个高强度永久磁铁。
实验过程1. 实验样品块与样品固定块相连，将该样品块放置在磁铁之间，并旋转磁铁，使其磁场与样品块同轴。
此时，在样品块上加上霍尔电极的电压。
2. 将电压表安装在霍尔电极的两端，并将其任意保持一个方向。
记录下当前电压。
3. 开关功率源，并将电流带到霍尔元件上。
4. 测量电路中的电压，可以得到霍尔电势。
5. 重复测量，直到获得清晰的数据，为在提供数据做铺垫。
6. 测量结束后，关闭电源和电压表。
7. 计算不同电流、不同磁场下的霍尔电势。
8.分析相关数据。
三、实验数据I（mA）B（T）VH（mV）1.01 0.3666 0.8251.51 0.5466 1.2252.02 0.7266 1.632.52 0.9066 2.0423.03 1.0866 2.4453.53 1.2666 2.864.04 1.44 3.248四、数据处理1. 作出I-B、I-VH关系图。
2. 求出样品块的霍尔系数，即Kh=VH/IB。
大物实验报告霍尔效应
大物实验报告霍尔效应
《大物实验报告：霍尔效应》
霍尔效应是指在导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会产生电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的发现和研究对于理解电磁现象和应用于各种电子设备中具有重要意义。
在本次实验中，我们将探究霍尔效应的基本原理和应用。
实验步骤：
1. 准备实验装置：实验装置包括导体样品、电源、磁场源和电压测量仪器。
2. 施加电流：将电流通过导体样品，观察电压测量仪器的读数。
3. 施加磁场：在导体样品周围施加磁场，再次观察电压测量仪器的读数。
4. 记录数据：记录不同电流和磁场下的电压测量值。
实验结果：
通过实验数据的记录和分析，我们发现在施加磁场后，电压测量仪器的读数发生了变化。
这表明在导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会产生电势差，即霍尔效应的存在。
实验结果与霍尔效应的基本原理相符合。
实验结论：
霍尔效应是一种重要的电磁现象，它在各种电子设备中具有广泛的应用。
例如在传感器中，霍尔效应可以用来测量磁场强度；在电子仪器中，霍尔效应可以用来控制电流和电压。
因此，对霍尔效应的研究和应用具有重要的意义。
总结：
通过本次实验，我们深入了解了霍尔效应的基本原理和应用。
霍尔效应的发现和研究对于电磁现象的理解和电子设备的应用具有重要意义。
我们将继续深入
研究霍尔效应，并探索其在各种领域的应用潜力。
霍尔效应实验报告
霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应测量磁场的方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压、霍尔电流等物理量。
二、实验原理当电流 I 沿垂直于外磁场 B 的方向通过半导体薄片时，在薄片的垂直于电流和磁场方向的两侧面 a、b 之间会产生一个电势差 UH，这一现象称为霍尔效应。
UH 称为霍尔电压。
霍尔效应是由于运动电荷在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生的。
设半导体薄片的厚度为 d，宽度为 b，载流子浓度为 n，载流子的电荷量为 q，它们定向移动的速度为 v，则有：洛伦兹力 F ＝ qvB当载流子受到的洛伦兹力与电场力平衡时，有：qE ＝ qvB其中 E 为电场强度，由于电场强度 E ＝ UH ／ b，所以：UH ＝ vBb又因为电流 I ＝ nqbdv，所以：v ＝ I ／（nqbd)将 v 代入 UH ＝ vBb 中，可得：UH ＝ BI ／（nqd)上式表明，霍尔电压 UH 与电流 I 和磁感应强度 B 成正比，与薄片的厚度 d 和载流子浓度 n 成反比。
通过测量霍尔电压 UH、电流 I 和磁感应强度 B，可以计算出霍尔系数 RH ＝ 1 ／（nq)，从而确定载流子的浓度 n。
三、实验仪器霍尔效应实验仪、特斯拉计、直流电源、数字电压表等。
四、实验步骤1、连接实验仪器按照实验电路图连接好霍尔效应实验仪、直流电源、数字电压表等仪器。
确保连接正确无误，接触良好。
2、调整仪器参数打开直流电源，调节电流输出为一定值，例如 5mA。
同时，使用特斯拉计测量磁场强度，并记录下来。
3、测量霍尔电压将霍尔元件放入磁场中，分别测量不同磁场强度下的霍尔电压。
改变磁场方向，再次测量霍尔电压，以消除副效应的影响。
4、改变电流方向改变电流的方向，重新测量霍尔电压，进一步减小测量误差。
5、数据记录与处理将测量得到的数据记录在表格中，包括电流 I、磁场强度 B、霍尔电压 UH 等。
根据实验数据，计算霍尔系数 RH 和载流子浓度 n。
霍尔效应实验报告步骤(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解霍尔效应的基本原理。
2. 学习使用霍尔效应实验仪测量磁场。
3. 掌握霍尔效应实验的数据记录和处理方法。
4. 通过实验确定材料的导电类型和载流子浓度。
二、实验原理霍尔效应是当电流通过一个导体或半导体时，若导体或半导体处于垂直于电流方向的磁场中，则会在导体或半导体的侧面产生电压，这个电压称为霍尔电压。
霍尔电压的大小与磁感应强度、电流强度以及导体或半导体的厚度有关。
三、实验仪器1. 霍尔效应实验仪2. 直流稳流电源3. 毫伏电压表4. 霍尔元件5. 导线6. 螺线管7. 磁铁四、实验步骤1. 仪器连接与调整- 将霍尔元件放置在实验仪的样品支架上，确保霍尔元件处于隙缝的中间位置。
- 按照实验仪的接线图连接电路，包括直流稳流电源、霍尔元件、螺线管和毫伏电压表。
- 调节稳流电源，使霍尔元件的工作电流保持在安全范围内（一般不超过10mA）。
- 使用调零旋钮调整毫伏电压表，确保在零磁场下电压读数为零。
2. 测量不等位电压- 在零磁场下，测量霍尔元件的不等位电压，记录数据。
3. 测量霍尔电流与霍尔电压的关系- 保持励磁电流不变，逐渐调节霍尔电流，从1.00mA开始，每隔1.0mA改变一次，记录每次霍尔电流对应的霍尔电压值。
- 改变霍尔电流的方向，重复上述步骤，记录数据。
4. 测量励磁电流与霍尔电压的关系- 保持霍尔电流不变，逐渐调节励磁电流，从100.0mA开始，每隔100.0mA改变一次，记录每次励磁电流对应的霍尔电压值。
- 改变励磁电流的方向，重复上述步骤，记录数据。
5. 绘制曲线- 根据实验数据，绘制霍尔电流与霍尔电压的关系曲线和励磁电流与霍尔电压的关系曲线。
6. 数据处理与分析- 根据霍尔效应的原理，计算霍尔系数和载流子浓度。
- 分析实验结果，确定材料的导电类型。
五、注意事项1. 操作过程中，注意安全，避免触电和电火花。
2. 霍尔元件的工作电流不应超过10mA，以保护元件。
3. 在调节电流和磁场时，注意观察毫伏电压表的读数变化，避免超出量程。
霍尔效应实验报告(共8篇)
篇一：霍尔效应实验报告大学本(专)科实验报告课程名称：姓名：学院：系：专业：年级：学号：指导教师：成绩：年月日（实验报告目录）实验名称一、实验目的和要求二、实验原理三、主要实验仪器四、实验内容及实验数据记录五、实验数据处理与分析六、质疑、建议霍尔效应实验一．实验目的和要求：1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的vh?is，vh?im曲线了解霍尔电势差vh与霍尔元件控制（工作）电流is、励磁电流im之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度b及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
二．实验原理：1、霍尔效应霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应，从本质上讲，霍尔效应是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场b位于z的正向，与之垂直的半导体薄片上沿x正向通以电流is（称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（n型半导体材料），它沿着与电流is相反的x负向运动。
由于洛伦兹力fl的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的b侧偏转，并使b侧形成电子积累，而相对的a侧形成正电荷积累。
与此同时运动的电子还受到由于两种积累的异种电荷形成的反向电场力fe的作用。
随着电荷积累量的增加，fe增大，当两力大小相等（方向相反）时，fl=-fe，则电子积累便达到动态平衡。
这时在a、b两端面之间建立的电场称为霍尔电场eh，相应的电势差称为霍尔电压vh。
设电子按均一速度向图示的x负方向运动，在磁场b作用下，所受洛伦兹力为fl=-eb式中e为电子电量，为电子漂移平均速度，b为磁感应强度。
同时，电场作用于电子的力为 fe??eeh??evh/l 式中eh为霍尔电场强度，vh为霍尔电压，l为霍尔元件宽度当达到动态平衡时，fl??fe ?vh/l （1）设霍尔元件宽度为l，厚度为d，载流子浓度为n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 is?ne （2）由（1），（2）两式可得 vh?ehl?ib1isbrhs （3）nedd即霍尔电压vh（a、b间电压）与is、b的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比例系数rh?1称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导ne率σ=neμ的关系，还可以得到：rh??/ （4）式中?为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即单位电场下载流子的运动速度，一般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用n型半导体材料。
【实验报告】霍尔效应实验报告
【实验报告】霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压和电流等相关物理量。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象就是霍尔效应。
假设在一块矩形半导体薄片（通常为 N 型半导体）上沿 X 方向通以电流 I，在 Z 方向加上磁场 B，那么在 Y 方向上就会产生电势差 UH，这个电势差称为霍尔电压。
霍尔电压 UH 的大小与电流 I、磁感应强度 B 以及半导体薄片的厚度 d 等因素有关，其关系式为：UH ＝ KHIB/d ，其中 KH 称为霍尔系数。
三、实验仪器1、霍尔效应实验仪：包括霍尔元件、励磁线圈、测量电路等。
2、直流电源：提供稳定的电流和电压输出。
3、数字电压表：用于测量霍尔电压和励磁电流等。
四、实验步骤1、连接实验仪器将霍尔元件安装在实验仪的相应位置，并连接好测量电路。
接通直流电源，确保电源输出稳定。
2、测量霍尔电压调节励磁电流 IM，使其达到一定的值。
改变工作电流 IS 的大小和方向，分别测量相应的霍尔电压 UH 。
3、测量励磁电流与磁感应强度的关系保持工作电流 IS 不变，逐步增大励磁电流 IM ，测量不同 IM 对应的霍尔电压 UH 。
4、数据记录与处理将测量得到的数据记录在表格中。
根据实验数据，绘制 UH IS 曲线和 UH IM 曲线。
五、实验数据及处理以下是实验中测量得到的数据记录表格：｜工作电流 IS（mA）｜霍尔电压 UH（mV）（＋IS）｜霍尔电压 UH（mV）（IS）｜平均霍尔电压 UH（mV）｜｜：：｜：：｜：：｜：：｜｜ 100 ｜ 256 ｜－258 ｜ 257 ｜｜ 200 ｜ 512 ｜－510 ｜ 511 ｜｜ 300 ｜ 768 ｜－770 ｜ 769 ｜｜ 400 ｜ 1024 ｜－1026 ｜ 1025 ｜｜励磁电流 IM（A）｜霍尔电压 UH（mV）｜｜：：｜：：｜｜ 020 ｜ 128 ｜｜ 040 ｜ 256 ｜｜ 060 ｜ 384 ｜｜ 080 ｜ 512 ｜根据上述数据，绘制 UH IS 曲线和 UH IM 曲线。
霍尔效应实验报告
霍尔效应实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪器，测量霍尔电压和励磁电流等物理量。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片），当有电流通过时，电子在磁场中受到洛伦兹力的作用而发生偏转。
在薄片的一侧会聚集电子，另一侧会聚集正电荷，从而在薄片的两侧产生电势差，这种现象称为霍尔效应。
所产生的电势差称为霍尔电压。
2、霍尔电压的表达式设半导体薄片的厚度为 d，载流子浓度为 n，电流为 I，磁感应强度为 B，则霍尔电压＄U_{H}＄的表达式为：＄U_{H} ＝＼frac{IB}｛ned}＄其中，e 为电子电荷量。
3、用霍尔效应测量磁场若已知霍尔元件的灵敏度＄K_{H} ＝＼frac{1}｛ned}＄，通过测量霍尔电压＄U_{H}＄和电流 I，就可以计算出磁感应强度 B：＄B ＝＼frac{U_{H}｝｛K_{H}I}＄三、实验仪器霍尔效应实验仪，包括霍尔元件、励磁线圈、直流电源、毫安表、伏特表等。
四、实验步骤1、连接电路按照实验仪器的说明书，将霍尔元件、励磁线圈、电源、毫安表、伏特表等正确连接成实验电路。
2、调整仪器打开电源，预热一段时间，调节励磁电流和工作电流到合适的数值。
3、测量霍尔电压（1）保持励磁电流不变，改变工作电流，测量不同工作电流下的霍尔电压。
（2）保持工作电流不变，改变励磁电流，测量不同励磁电流下的霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的数据记录在表格中，包括工作电流、励磁电流、霍尔电压等。
五、实验数据及处理1、数据记录表格｜工作电流 I（mA）｜励磁电流 IM（A）｜霍尔电压 UH（mV）｜｜｜｜｜｜＿____|＿____|＿____|｜＿____|＿____|＿____|｜＿____|＿____|＿____|｜｜｜｜2、数据处理（1）根据实验数据，绘制霍尔电压＄U_{H}＄与工作电流 I 的关系曲线，分析其线性关系。
霍尔效应物理实验报告
霍尔效应物理实验报告霍尔效应物理实验报告摘要：本实验旨在通过测量霍尔效应，研究材料的电导率和载流子的性质。
通过在磁场中施加电场，观察材料中垂直于电场和磁场方向的霍尔电压的变化，可以获得材料的电导率和载流子浓度。
实验结果表明，霍尔电压与电流、磁场及材料性质等因素密切相关。
引言：霍尔效应是一种基于洛伦兹力的物理现象，它描述了在一个电流通过的导体中，当该导体处于垂直于磁场的情况下，会在导体的侧面产生一种电压差。
这种现象在电子学和材料科学中具有重要应用。
本实验将通过测量霍尔电压来研究材料的电导率和载流子的性质。
实验步骤：1. 准备实验装置：将一块导电材料样品固定在霍尔效应装置上，确保样品与电极接触良好。
2. 施加磁场：将磁铁放置在霍尔效应装置的两侧，使磁场垂直于样品的平面。
3. 施加电场：通过在电极上施加电压，使电流通过样品。
4. 测量霍尔电压：使用电压计测量样品两侧产生的霍尔电压。
5. 改变电流和磁场：在一定范围内改变电流和磁场的大小，并记录相应的霍尔电压值。
6. 数据处理：根据实验数据计算电导率和载流子浓度。
实验结果：通过实验测量得到的数据，我们可以绘制出电流和霍尔电压的关系曲线。
根据这些数据，我们可以计算出材料的电导率和载流子浓度。
实验结果显示，电导率与载流子浓度成正比，而与材料的尺寸和形状无关。
这表明电导率是材料内部载流子的运动能力的度量。
讨论：本实验中测得的霍尔电压与电流和磁场的关系符合理论预期。
根据霍尔效应的原理，当电流通过材料时，由于洛伦兹力的作用，载流子会偏转，导致在材料的侧面产生电势差。
这种现象可以被用来测量材料的电导率和载流子浓度。
在实际应用中，霍尔效应被广泛应用于传感器技术和电子设备中。
例如，霍尔传感器可以用来测量磁场的强度和方向，被广泛应用于导航系统和电动机控制中。
此外，霍尔效应还可以用来研究材料的导电性能，为材料科学的发展做出贡献。
结论：通过本实验，我们成功地测量了霍尔电压，并计算出了材料的电导率和载流子浓度。
霍尔效应实验报告(附带实验结论)
霍尔效应实验报告(附带实验结论)
霍尔效应实验是研究磁场穿过电路时电流的结果，它由瑞典物理学家弗里德里克•霍
尔创造并命名于1879年，以他揭示磁场中线圈电流方向的发现而获得了诺贝尔物理学奖。
它可以证明磁性作用和电流之间的关系，用于显示物体的磁性特性而被广泛应用到有无线
电电子设备研究中。
本次实验是以霍尔效应量测磁场强度（脉冲电压）的发生情况，以及
它们相互之间的关系，从而测量磁场的方向。
本次实验的目的是测试霍尔效应并且量测磁场强度和方向。
此外，实验综合使用计算
机科学和物理学，电子技术等方法，采用标准实验设备建立实验系统，对磁场和脉冲电压
进行测量，具体实验过程如下。
1.设置实验材料：仪器、电源、低阻抗负载和校正磁场线圈;
2.设定测量参数：动圈圈特征电阻、容性和无源性串联电阻；
3.将被测物体放置在磁场线圈中;
4.将阻抗电源的输出电压调整至0.5V；
6.检查阻抗电源的输出参数以确保它不超出安全容量；
7.用电路模拟器测量脉冲电压，记录和分析测量结果；
8.根据实验结果制定结论。
实验结果表明，该实验可以有效的测量磁场的强度（脉冲电压）和方向，而且它可以
有效地检测磁场的变化。
根据实验结果，得出实验结论:当磁场穿过电路时，会出现脉冲
电压，这也证明了磁性作用和电流之间的关系。
总之，本次实验圆满成功。
我们测出脉冲电压，研究了磁场强度和方向与脉冲电压之
间的关系，从而明确了霍尔效应的物理原理。
实验结果可以为智能电子元件、磁性感应装
置和电机设计等方面的应用提供有效的参考依据。
大学物理实验报告霍尔效应
大学物理实验报告霍尔效应第一篇：大学物理实验报告霍尔效应大学物理实验报告霍尔效应一、实验名称：霍尔效应原理及其应用二、实验目的：1、了解霍尔效应产生原理；2、测量霍尔元件的、曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流、直螺线管的励磁电流间的关系；3、学习用霍尔元件测量磁感应强度的原理和方法，测量长直螺旋管轴向磁感应强度及分布；4、学习用对称交换测量法(异号法)消除负效应产生的系统误差。
三、仪器用具：YX-04 型霍尔效应实验仪(仪器资产编号)四、实验原理：1、霍尔效应现象及物理解释霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1 所示。
半导体样品，若在x 方向通以电流，在z 方向加磁场，则在y 方向即样品A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的电场，电场的指向取决于样品的导电类型。
显然，当载流子所受的横向电场力时电荷不断聚积，电场不断加强，直到样品两侧电荷的积累就达到平衡，即样品A、A′间形成了稳定的电势差(霍尔电压)。
设为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度；样品的宽度为，厚度为，载流子浓度为，则有：(1-1)因为，又根据，则(1-2)其中称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出、以及知道和，可按下式计算：(1-3)(1-4)为霍尔元件灵敏度。
根据RH 可进一步确定以下参数。
(1)由的符号(霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1 所示的和的方向(即测量中的+，+)，若测得的 <0(即A′的电位低于A 的电位)，则样品属N 型，反之为P 型。
(2)由求载流子浓度，即。
应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的。
严格一点，考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
霍尔效应及其应用实验报告
课程名称：大学物理实验（二）实验名称：霍尔效应及其应用二、实验原理2.1霍尔效应1.霍尔效应洛伦兹力：f m=qv×B(1)静电场力：f e=qE=q V Hl(2)I=nqvdl（3）由二力平衡得V H=K H IB=IBnqd =R H Bd(4)其中：V H为霍尔电动势K H为霍尔器件的灵敏度I为工作电流R H=1nq为材料的霍尔系数l为材料的宽度B为所加磁场的磁感应强度n为载流子数密度q为单个载流子的电荷量d为霍尔器件厚度2.样品的导电类型N型：在图2.1条件下，A点高于B点P型：在图2.2条件下，B点高于A点图2.1 霍尔效应原理示意图2.2霍尔器件的输出特性测量1.控制变量法由4式知：（1）控制B不变，研究V H和工作电流I的关系（2）控制工作电流I不变，研究V H和磁感应强度B的关系2.附加电动势电热（爱廷豪森效应）温差（能斯特效应里纪勒杜克效应）不等电位差（零位误差）图2.2 霍尔器件示意图3.对称测量法消除附加电动势，然后通过改变磁场的方向或改变霍尔电流的方向，即分别测量四组不同方向的I S和B组合的VAA’求平均。
V H=V1−V2+V3−V4(5)4例如：能斯特（Nernst）效应引起的V N的方向仅与B 的方向有关。
+I S′+B：V1=V H+V N(6)−I S′+B：V2=−V H+V N(7)V H=V1−V2(8)22.3霍尔器件的应用1.测量螺线管的磁场分布图2.3 测量螺线管磁场分布示意图B=1μnI(cosβ1−cosβ2)(9)2图2.4 螺线管磁场分布图三、实验仪器：3.1霍尔器件输出特性测量仪器图3.1 霍尔器件输出特性测量仪器示意图图3.2 霍尔器件输出特性测量仪器实物图图3.3 霍尔器件输出特性测量仪器实物图3.2仪器操作注意事项1、测试仪开关机前将I S和I M旋钮逆时针转到底，防止输出电流过大；2、I S和I M接线不可颠倒，以防烧坏霍尔片；3、式样应置于螺旋线圈/铁芯气隙内磁场均匀处（即尽量处于中心）。
霍尔效应的研究实验报告
霍尔效应的研究实验报告《霍尔效应的研究实验报告》摘要：霍尔效应是指在有磁场存在时，当电流通过导体时，在导体两侧会产生垂直于电流方向和磁场方向的电势差，这一现象被称为霍尔效应。
本实验旨在通过测量不同条件下的霍尔电压，研究霍尔效应的基本原理，并探究其与导体性质以及外部条件的关系。
前言：霍尔效应是电磁学中重要的现象之一，广泛应用于传感器、磁导航、电子学等领域。
本实验将通过使用霍尔效应芯片、电流源和磁场产生装置等仪器，对霍尔效应进行研究。
实验步骤：（1）搭建实验电路：连接霍尔效应芯片、电流源和磁场产生装置，保证电流和磁场不发生干扰。
（2）确定测量点：选择适当位置，将准直器调整到样品表面垂直，并使用刻度尺测量距离，以确保测量准确。
（3）给定电流值：调整电流源的电流大小，以便于观察和记录实验现象。
（4）记录霍尔电压：使用电压表测量在不同条件下的霍尔电压值，并记录数据。
（5）改变磁场：调整磁场产生装置的磁场大小和方向，观察并记录相应的霍尔电压变化。
（6）改变导体材料：使用不同材料的导体样品进行实验，观察并记录霍尔电压的变化。
（7）数据处理与分析：根据实验数据，绘制霍尔电压与电流、磁场、导体材料等因素的关系图，并进行相应的数据分析。
实验结果：根据实验数据，我们得到了不同条件下的霍尔电压数值，并观察到以下现象：1. 霍尔电压随电流大小的变化呈线性关系。
2. 霍尔电压随磁场大小和方向的变化呈非线性关系。
3. 不同材料的导体在相同条件下具有不同的霍尔电压响应。
讨论与结论：根据实验结果，我们可以得出以下结论：1. 霍尔效应符合洛伦兹力定律的推论，电流和磁场对霍尔电压具有影响。
2. 磁场的大小和方向对霍尔电压具有显著影响，大的磁场会增大霍尔电压。
3. 不同材料的导体具有不同的霍尔电压响应，这可能与导体的载流子类型和浓度有关。
实验中可能存在的误差源包括仪器误差、环境干扰等，应尽量减小这些误差对实验结果的影响。
此外，还有待进一步研究和深入理解霍尔效应在各个领域的应用和发展。
物理实验1 霍尔效应原理实验报告
霍尔效应实验报告一、 实验目的与要求1．了解产生霍尔效应的物理过程及其测量磁场的原理和方法； 2．验证霍尔电流与霍尔电压的线性关系； 3．测定励磁电流与霍尔电压线性关系的范围.二、 实验仪器和用具LH-A 型霍尔效应实验仪器一台、HF-CF 型测试仪一台、导线若干.三、 实验原理及内容和方法1. 实验原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦磁力的作用引起的偏转。
将半导体置于图1所示的电场中。
半导体长度为l ，宽度为b ，厚度为d ，外磁场B沿z 轴方向，若半导体中通有电流I ，沿x 轴方向，垂直于B ，则现在B和I 方向，即沿y 方向，出现一个横向电位差HU ，这一现象称霍尔效应，其横向电压HU 称霍尔电压.设有横向均匀磁场B 作用在一束以速度为v 的电子流上，运动电荷受到洛伦磁力为： ()f e v B =-⨯………………………………………………… (1)其方向沿y 轴负方向，造成电子流发生偏转，被推向半导体的下侧（M 面），在M 上形成负电荷积累，而相对上侧（N 面）形成正电荷积累，使M,N 面之间建立了电场H E ，其方向沿y 轴方向，两侧的霍尔电压H H U E b =；电子在霍尔电场H E 中受到一个静电场力：H E f eE =-…………………………………………………… (2)沿y 轴正方向，它将阻碍电子相M 面积聚。
随着电荷的增加，电场不断增强，直到E B f f =-达到平衡，这时候有：H H UevB eE e b==H U vBb =………………………………………………………..….. (3) 设半导体薄片中电子浓度为n ，则有：S I nevbd =所以霍尔电压为：1H H s S H S R U I B I B K I B=== (4)应的重要参数可以知道/()H H S R d U I B =⨯⨯/()mV mA T ⋅.对于选定的霍尔片，保持通过它的工作电流S I 值不变，霍尔电压H U 与被测的电磁感应强度B 成正比：HH SU B K I ＝……………………………………………………….........(5)2. 实验内容和方法(1) 测绘H S U I -曲线，保持500.0M I mA =不变，调节霍尔元件位置使电压表值最大，调节 1.002.0010.0S I mA = 、并依次改变励磁电流M I 和霍尔电流S I 的方向，将霍尔电压记录在表中。
霍尔效应的研究实验报告
霍尔效应的研究实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应测量磁场的方法。
3、学会使用霍尔效应实验仪测量霍尔电压、霍尔电流等物理量。
二、实验原理当电流 I 沿垂直于磁场 B 的方向通过半导体薄片时，在薄片的垂直于电流和磁场方向的两侧 a、b 之间会产生一个电位差 UH，这一现象称为霍尔效应。
霍尔电压 UH 的大小与电流 I、磁感应强度 B 以及薄片的厚度 d 有关，它们之间的关系为：UH ＝ KHIB （1）其中 KH 称为霍尔元件的灵敏度，它是一个与材料性质和几何尺寸有关的常数。
假设霍尔元件为一个矩形，其长为 l，宽为 w，厚度为 d，则霍尔元件的灵敏度 KH 可以表示为：KH ＝ 1 ／（ned) （2）其中 n 为载流子浓度，e 为电子电荷量。
由（1）式可知，如果已知霍尔元件的灵敏度 KH，通过测量霍尔电压 UH 和电流 I，就可以计算出磁感应强度 B。
三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计、霍尔元件等。
四、实验步骤1、连接实验仪器按照实验电路图连接好霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表等仪器。
确保连接正确无误，避免短路或断路。
2、调节磁场打开特斯拉计，调节磁场强度到所需的值。
在调节过程中，注意观察磁场强度的变化，确保其稳定在设定值附近。
3、测量霍尔电压接通直流电源，调节电流 I 到一定值。
然后，使用伏特表测量霍尔元件两侧的霍尔电压 UH。
改变电流 I 的方向和磁场 B 的方向，分别测量相应的霍尔电压，并记录数据。
4、改变电流和磁场分别改变电流 I 和磁场 B 的大小，重复步骤 3，测量多组数据。
5、数据处理根据测量得到的数据，计算出不同电流和磁场条件下的霍尔电压UH，并利用公式（1）计算出相应的磁感应强度 B。
绘制 B I 曲线，分析实验结果。
五、实验数据记录与处理｜电流 I（mA）｜磁场 B（T）｜霍尔电压 UH（mV）（＋I，＋B）｜霍尔电压 UH（mV）（I，＋B）｜霍尔电压 UH（mV）（＋I，B）｜霍尔电压 UH（mV）（I，B）｜平均霍尔电压 UH （mV）｜｜｜｜｜｜｜｜｜｜ 100 ｜ 010 ｜ 250 ｜－248 ｜－252 ｜ 250 ｜ 250 ｜｜ 100 ｜ 020 ｜ 502 ｜－498 ｜－500 ｜ 500 ｜ 500 ｜｜ 100 ｜ 030 ｜ 750 ｜－745 ｜－752 ｜ 750 ｜ 750 ｜｜ 200 ｜ 010 ｜ 500 ｜－495 ｜－505 ｜ 500 ｜ 500 ｜｜ 200 ｜ 020 ｜ 1000 ｜－990 ｜－1010 ｜ 1000 ｜ 1000 ｜｜ 200 ｜ 030 ｜ 1500 ｜－1485 ｜－1515 ｜ 1500 ｜ 1500 ｜根据实验数据，计算出不同条件下的平均霍尔电压 UH，并利用公式 UH ＝ KHIB 计算出相应的磁感应强度 B。
霍尔效应实验报告(附带实验结论)
《霍尔效应》参考实验报告附带结论实验目的1.了解霍尔效应实验原理。
2.测量霍尔电流与霍尔电压之间的关系。
3.测量励磁电流与霍尔电压之间的关系。
4.学会用“对称测量法”消除负效应的影响。
实验仪器霍尔效应实验仪。
实验步骤1.正确连接电路，调节霍尔元件处于隙缝的中间位置。
2.测量不等位电势。
令励磁电流I=0mA，霍尔电流H I=1.00mA，M2.00mA，…，10.00mA，测量霍尔元件的不等位电势随霍尔电流的对应关系。
2.测量霍尔电流I与霍尔电压H U的关系。
令励磁电流M I=400mA,调节H霍尔电流I=1.00mA，2.00mA，…，10.00mA（每隔1.0mA改变一次），H分别改变励磁电流和霍尔电流的方向，记录对应的霍尔电压。
3.测量励磁电流I与霍尔电压H U的关系。
令霍尔电流H I=8.00mA，调M节励磁电流I=100.0mA，200.0mA，…，1000.0mA（每隔100.0mA改M变一次），分别改变励磁电流和霍尔电流的方向，记录对应的霍尔电压。
实验数据记录及处理（2）测量霍尔电流和霍尔电压的关系(M I =400mA)（3）测量励磁电流和霍尔电压的关系(H I =8.00mA)实验结论1、当励磁电流M I=0时，霍尔电压不为0，且随着霍尔电流的增加而增加，通过作图发现二者满足线性关系。
说明在霍尔元件内存在一不等位电压，这是由于测量霍尔电压的两条接线没有在同一个等势面上造成的。
2、当励磁电流保持恒定，改变霍尔电流时，测量得到的霍尔电压随霍尔电流的增加而增加，通过作图发现二者之间满足线性关系。
3、当霍尔电压保持恒定，改变励磁电流时，测量得到的霍尔电压随励磁电流的增加而增加，通过作图发现二者之间也满足线性关系。
注意事项：1.不要带电接线，中间改变电路时，一定要先关闭电源，再连接电路。
2.实验完成后要整理实验仪器，先关闭电源，再将电线拆下，捋好后放在实验仪器的右侧。
3.仪器开机前应将I、H I调节旋钮逆时针方向旋到底，使其输出电M流趋于最小，然后再开机。