微观分析复杂电子衍射谱
复杂电子衍射花样(材料分析方法)
第五节复杂电子衍射花样一、多晶衍射花样的分析多晶体样品的电子衍射花样和X射线粉末照相法所得到的花样的几何特征非常相似,是由一系列不同半径的同心圆环所组成的。
这种环形花样的产生,是由于受到入射束幅照的样品区域内存在着大量取向杂乱的细小晶体颗粒,d值相同的同一{hkl}晶面族内符合衍射条件的晶面组所产生的衍射束,构成以入射束为轴、2θ为半顶角的圆锥面,它与照相底板的交线即为半径R=λL/d 的圆环(图1)。
实际上,属于同一{hkl} 晶面族、但取向杂乱的那些晶面组的倒易阵点,在空间构成以O*为中心、g=1/d为半径的球面,它与爱瓦尔德球面的交线是一个圆。
衍射花样中的圆环,就是这一交线的投影放大象。
d值不同的晶面族,将产生半径不同的圆环。
图1 多晶体样品电子衍射花样的产生多晶衍射花样的分析,其目的也不外乎两方面:一是利用已知晶体样品标定相机常数,二是鉴定大量弥散的抽取复型粒子或其他多晶粒子的物相。
多晶花样的分析,一般采用以下步骤:1、测量每个衍射环的半径R1、R2、R3、……。
为减少测量误差,通常测量衍射环的直径2R,然后计算得R;2、计算R,并分析R比值得递增规律,确定各衍射环得N值,并写出衍射环得指数{hkl};3、对于已知物质,也可根据d=λL/ R 计算各衍射环得晶面间距,对照ASTM卡片写出环的指数;对于未知物质,如果已知相机常数,可计算晶面间距d值,估计衍射环的相对强度,根据三强线的d值查ASTM索引,找出数据接近的几张卡片,仔细核对所有d值和相对强度,并参考已经掌握的其他资料,确定样品的物相。
二、复杂花样的分析除了简单花样的规则斑点以外,在单晶电子衍射花样中常常出现一些“额外的斑点”或其他图案,构成所谓的复杂花样。
复杂花样的种类较多,常见的有下列几种:1、因爱瓦尔德球的曲率半径有限,可能有不止一个晶带的晶面组参与衍射而出现的高阶劳厄带斑点;2、因晶体结构的变化如有序化固溶体产生的超点阵衍射斑点;3、因入射电子在样品晶体内受到多次散射而导致的双衍射和菊池衍射花样;4、孪晶花样;5、由于晶体的形状、尺寸、位向以及缺陷所引起的衍射斑点的变形和位移。
电子衍射6(复杂电子衍射花样)—雨课堂课件
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的产生机理 入射电子在晶体中遭受非弹性散射→散射强度随散射方向而变 →遭受非弹性散射的电子再次受到晶面的弹性散射(Bragg衍射) →Kikuchi 线
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
菊池线的几何特征 (1) hkl菊池线对与中心斑点到hkl衍射斑点的连线正交,而且菊
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
所谓孪晶,通常指按一定取向关系并排生长在一起的同一物 质的两个晶粒。
上图中图a和b是CaMgSi相中的(102)孪晶在不同位向下的孪晶花样,图c 是CaMgSi相中另外一种孪晶的电子衍射花样,其孪晶面是(011)面;图d是 镁中常见的(10-12)孪晶花样。
第三章 电子衍射
池线对的间距与上述两个斑点的距离相等。
(2) 一般情况下,菊池 线对的增强线在衍射 斑点附近,减弱线在 透射斑点附近。
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
(3) hkl菊池线对的中线对应于(hkl)面与荧光屏的截线。两条中 线的交点称为菊池极,为两晶面所属晶带轴与荧光屏的交点。
(4) 倾动晶体时,菊池 线好象与晶体固定在 一起一样发生明显的 移动。精度达0.1°
FHKL 2 [ f Au fCu fCu fCu ]2 [ f Au fCu ]2
都不消光
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
有序 无序
第三章 电子衍射
六、复杂电子衍射花样
2、高阶劳厄带 ✓ 所有与零层倒易面平行的倒易平面统称为高层倒易面
✓ 高层倒易面中的倒易阵点由于某些原因也有可能与倒易球 相交而形成附加的电子衍射斑点,这就是高阶劳埃斑。
得上下两层倒易面与零层倒易面同时与反射球相交的机会增加; 3)当电子衍射花样不正,使得零层倒易面倾斜时,增加了高层倒易阵
电子衍射谱的形成原理与标定方法
《高分辨电子显微学》读书报告题目:电子衍射谱的形成原理与标定方法学院:专业:姓名:学号:简单电子衍射花样的形成与标定方法现代科学技术的迅速发展,要求材料科学工作者能够及时提供具有良好力学性能的结构材料及具有各种物理化学性能的功能材料。
而材料的性能往往取决于它的微观结构及成分分布。
因此,为了研究新的材料或改善传统材料,必须以尽可能高的分辨能力观测和分析材料在制备、加工及使用条件下(包括相变过程中,外加应力及各种环境因素作用下等)微观结构和微区成分的变化,并进而揭示材料成分—工艺—微观结构—性能之间关系的规律,建立和发展材料科学的基本理论。
透射电子显微镜(TEM)正是这样一种能够达到原子尺度的分辨能力,同时提供物理分析和化学分析所需全部功能的仪器。
特别是选区电子衍射技术的应用,使得微区形貌与微区晶体结构分析结合起来,再配以能谱或波谱进行微区成份分析,得到全面的信息。
一、TEM的成像原理电子显微镜成像原理符合阿贝成像理论,如图1所示:平行于光轴的光通过如同一个衍射的物面后,受到衍射而形成向各个方向传播的平面波。
如物镜的孔径足够大,以至可以接受由物面衍射的所有光,这些衍射光在后焦面上形成夫琅禾费衍射图样,焦平面上每一点又可以看成是相干的次波源,它们的光强度正比于各点振幅的平方,由这些次波源发出的光在像面上叠加而形成了物面的像。
透镜的成像作用可以分为两个过程:第一个过程是平行电子束遭到物的散射作用而分裂成为各级衍射谱,即由物变换到衍射的过程;第二个过程是各级衍射谱经过干涉重新在像平面上会聚成诸像点,即由衍射重新变换到物(像是放大了的物)的过程。
透射电子显微镜不仅能观察图像,如图2(a)所示,而且可以作为一个高分辨的电子衍射仪使用,通过减弱中间镜电流来增大其物距,使其物平面与物镜的后焦面相重,这样就可以把物镜产生的衍射谱透到中间镜的像平面上,得到一次放大了的电子衍射谱,再经过投影镜的放大作用,最后在荧光屏上得到二次放大的电子衍射谱,如图2(b)所示。
电子衍射图谱解析
根据(010)*面上的h0l(h+l=2n+1)斑点的分布 特征,001,102,201等斑点未有消光,表明晶体 不存在n滑移面,可确定此绿辉石晶体为有序结 构P2。
由8张电子衍射图构造的 (010)*倒易面上的取向分布
23
多次电子衍射谱
晶体对电子的散射能力强,衍射束往往可视为晶体内新的入射束而产 生二次或多次Bragg反射。这种现象称为二次衍射或多次衍射效应。
8
电子衍射谱的标定
电子衍射谱的标定是确定材料显微结构的重要步骤。一般地,这 一过程应遵循如下原则:
二维倒易平面中的任意倒易矢量 g 均垂直于晶带轴[uvw]方向(电子束反方向)
[uvw]• g hkl = uh + vk + wl = 0
若已知两倒易矢量 g1,g2,则晶带轴方向为
[uvw] = g1 × g 2 = [k1h2 − h1k2 , h1l2 − l1k2 , l1 k2 − k1l2 ]
3
TEM电子衍射的特点:
电子能量高,波长短,衍射角小,因而单晶的电子衍射 斑点坐落在一个二维网格的格点上,相当于一个二维倒易点 阵平面的投影,非常直观地显示出晶体的几何特征,使晶体 几何关系的研究变得简单方便。
原子对电子散射能力强(比X射线散射强度高104倍)。 一方面,高的散射强度可以实现微小区域(几个纳
5
TEM成像原理和电子衍射的获得
物 物镜
(物镜光 阑)
一次像 中间镜
(焦平面)
衍射谱
(视场光 阑)
二次像
投影镜
三次像
电子显微图象
电子衍射花样
TEM成像过程符合Abbe成像原理
平行电子束入射到周期结构物样 时,便产生衍射现象。
电子衍射花样标定教程和电子衍射图谱解析
− β1 )
2
其中
∆α = α2 − α1
∆β = β2 − β1
近似处理为: cosθ ≈ cos ∆α cos ∆β
α、β分别为双倾台记录的试样倾转角
20
一个新的Bi基超导相的结构确定
在Bi系氧化物超导体的研究中,发现一个新的物相。经EDS成分 分析,该物相为Bi4(SrLa)8Cu5O7)。下面是在电镜中绕C*轴倾转晶体获 得的一套电子衍射图谱,其倾转角分别标在每张衍射谱左下端。
Miller指数的符号应满足右手螺旋法则,该法则决定了两基本矢量与晶带 轴之间的关系。
两个基本矢量的线性组合,一定能标出属于相同Laue区的所有衍射斑点 的指数。
9
多晶电子衍射谱标定
多晶电子衍射谱由一系列同心圆环 组成,每个环对应一组晶面。
根据 d = Lλ/R,可求得各衍射环
对应的晶面间距d。 与JCPDF卡(多晶粉末衍射卡)
测角74o基本相符。取(211)为B点指
数,按矢量叠加原理,标定如图。
4 晶带轴指数
[uvw] → [110] × [2 1 1] = [1 13]
晶带轴的计算:晶面法向与晶带轴垂直【110】*【uvw】=0
13
等价晶面的指数变换
采用d值比较法标定电子衍射谱,要使用JCPDS或JCPDF数据,但对等 价晶面只列出一个面指数,而如何确定其他等价晶面,标定电子衍射谱时 尤显重要。
另外,四指数h、k、i中可任选两个作为三指数的h、k, 于是变化规则可归纳为如下两点:
从四指数中的h、k、i中可任选两个作为三指数的h、k。 三指数中的h、k位置顺序可变动,符号可一起改变;l可任意改变符号,共有24种变换可能。
如(123)晶面的等价晶面共有24个, i = −(1+ 2) = 3
电子衍射花样标定教程和电子衍射图谱解析
两个基本矢量的线性组合,一定能标出属于相同Laue区的所有衍射斑点 的指数。
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多晶电子衍射谱标定
多晶电子衍射谱由一系列同心圆环 组成,每个环对应一组晶面。
根据 d = Lλ/R,可求得各衍射环
对应的晶面间距d。 与JCPDF卡(多晶粉末衍射卡)
变换规则:指数位置不能改变,三指数符号可一起变;k的符号可 单独变,共 4种 变换可能。
e 三斜
d公式复杂,略。
变换规则:h、k、l只能一起改变符号,2种 变换可能。
15
f 六方
d = 1 4 ( h 2 + hk + k 2 + l 2 )
3
a2
c2
由公式可见,h、k的次序可变,h、k的符号需同时改变;l的符号可随意改变。
测角74o基本相符。取(211)为B点指
数,按矢量叠加原理,标定如图。
4 晶带轴指数
[uvw] → [110] × [2 1 1] = [1 13]
晶带轴的计算:晶面法向与晶带轴垂直【110】*【uvw】=0
13
等价晶面的指数变换
采用d值比较法标定电子衍射谱,要使用JCPDS或JCPDF数据,但对等 价晶面只列出一个面指数,而如何确定其他等价晶面,标定电子衍射谱时 尤显重要。
像平面上的像经过中间镜组,投 影镜组再作二次放大投射到荧光 屏上,称为物的三级放大。
改变中间镜电流,即改变中间镜 焦距,使中间镜物平面移到物镜 后焦面,便可在荧光屏上看到像 变换成衍射谱的过程。
6
显微像和选区电子衍射花样
TEM一大优点是可以获得对应的显微图象和选区电子衍射(SAED)图样。在 200kv的加速电压下,改变选区光阑的直径,可以得到尺寸小到0.1微米样品的 TEM像和SAED图样。
电子显微分析3-电子衍射
目 录
• 电子衍射原理 • 电子衍射的应用 • 电子衍射实验技术 • 电子衍射在材料科学中的应用 • 电子衍射在纳米科技中的应用 • 电子衍射在考古学和文物鉴定中的应用
01
电子衍射原理
电子衍射与X射线衍射的异同
01
02
03
相同点
电子衍射和X射线衍射都 是通过测量衍射方向来分 析物质结构的方法。
05
电子衍射在纳米科技中 的应用
纳米颗粒的形貌和结构分析
形貌分析
电子衍射可以用于研究纳米颗粒的表 面形貌,通过分析衍射花样可以推断 出颗粒的形状、大小以及表面粗糙度 等信息。
结构分析
电子衍射可以揭示纳米颗粒的内部结 构,包括晶格常数、晶体取向、晶体 缺陷等,有助于理解材料的物理和化 学性质。
纳米薄膜的晶体结构和相组成
晶体结构分析
电子衍射可以用于研究纳米薄膜的晶体结构,包括晶格常数、晶面间距等,有助于了解材料的力学、电学和热学 等性能。
相组成分析
通过电子衍射可以确定纳米薄膜中存在的不同相的成分和分布,有助于优化材料性能和开发新材料。
纳米材料的应力分析
应变分析
电子衍射可以用于研究纳米材料在受力作用下的应变分布,有助于了解材料的力学行为 和稳定性。
花样性
通过电子衍射可以观察到晶体的 对称性,从而确定晶体的空间群。
测定晶格常数
电子衍射可以精确测定晶体的晶格 常数,了解晶体结构的基本单元。
观察晶体缺陷
电子衍射可以观察晶体中的缺陷和 错位,研究晶体缺陷对材料性能的 影响。
非晶体和准晶体的分析
确定非晶态结构
无机非金属材料
晶体结构和晶体缺
陷
电子衍射可以用于研究无机非金 属材料的晶体结构和晶体缺陷, 有助于了解材料的物理和化学性 质。
电子衍射图谱解析
70余年来,依托TEM的电子衍射实验, 为材料结构的研究发挥了难以估量的作用。 电子衍射与电子显微图象,以及成分分析结 合,对固体微观形貌、晶体结构以及化学组 成进行的研究,极大地丰富了固体物理、物 体化学、材料科学、地质矿物等学科的相关 知识,有力地促进了这些学科深入发展。
米)的衍射花样的观测,适合于微晶、表面和薄膜的晶体结 构研究;
另一方面,强衍射束在晶体内易产生二次衍射,甚 至多次衍射,导致衍射强度分析困难。在电子衍射图谱的分 析中也往往要考虑二次衍射效应。
4
新型TEM主体结构
为了获得更高的性能,目前 生产的新型TEM的结构更加复 杂,如透镜有:聚光镜两个、汇 聚小透镜、物镜、物镜小透镜、 三个中间镜、投影镜等。这样的 结构可以在很大范围内改变像的 放大倍数,并被用来实现扫描透 射成像(需要利用偏转线圈)、 微衍射和微分析(加上X射线能 谱仪)
电子衍射图谱解析
1
内容提要
TEM成像原理 电子衍射谱的标定 未知结构的衍射分析 多次衍射效应 孪晶的电子衍射谱
孪晶面与电子束平行 任意取向的孪晶电子衍射 孪晶的迹线 长周期结构(调制结构)电子衍射谱 有序长周期结构 密堆长周期结构 缺陷引起的超结构 菊池衍射谱 织构衍射谱
2
1927年,戴维孙、革末和汤姆孙的电子 衍射实验证明了电子的波动性,为电子显微 镜的诞生创造了条件。
Miller指数的符号应满足右手螺旋法则,该法则决定了两基本矢量与晶带 轴之间的关系。
两个基本矢量的线性组合,一定能标出属于相同Laue区的所有衍射斑点 的指数。
9
多晶电子衍射谱标定
电子衍射及衍射花样标定讲解
h22 k22 a2
l22 c2
cos
4 3a2
[h1h2
k1k2
1 2
(h1k2
h2k1)]
l1l2 c2
4 3a2
(h12
h1k1
k12 )
l12 c2
4 3a2
(h22
h2k2
k22 )
l22 c2
晶面族
d
a
h2 k2 l2
相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标 定
A
C
B 000
4.单晶电子衍射花样标定
解: 1)从 Rd=lL, 可得 dA=1.99 Å ,dB=1.41 Å, dC=1.15 Å. 2)查对应于 Fe的 PDF卡片, 从卡片上 可知 dA={110}, dB={200}, dC={211}.
选 A=1 1 0, B=002, C= 1 1 2
❖ 但是满足上述条件的要求,也未必一定产生衍射,这样,把满足布拉 格条件而不产生衍射的现象称为结构消光。
这是因为衍射束强度
I hkl Fhkl 2
1.电子衍射的原理
入射束 厄瓦尔德球 试样
2q
倒易点阵
底板 电子衍射花样形成示意图
1.电子衍射的原理
Bragg定律:2d sinθ=λ
d = 晶面间距≈10-1nm
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
简单立方
HKL
Nn
100
1
110
2
111
3
200
4
210
5
211
6
220
电子衍射PPT演示课件
sin 10 2
2d hkl
102 rad 1 2
这表明,电子衍射的衍射角总是非常小的,这也是它的花样
特征之所以区别X射线的主要原因。
10
C
8-2 偏离矢量与倒易点阵扩展
从几何意义上来看,电子束方向与晶带轴重合时,零层倒 易截面上除原点0*以外的各倒易阵点不可能与爱瓦尔德球 相交,因此各晶面都不会产生衍射,如图(a)所示。
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第二篇 材料电子显微分析
第八章 电子衍射
1
C
电子衍射已成为当今研究物质微观结构的重要手段,是电子 显微学的重要分支。
电子衍射可在电子衍射仪或电子显微镜中进行。电子衍射分 为低能电子衍射和高能电子衍射,前者电子加速电压较低 (10~500V),电子能量低。电子的波动性就是利用低能电 子衍射得到证实的。目前,低能电子衍射广泛用于表面结构 分析。高能电子衍射的加速电压≥100kV,电子显微镜中的电 子衍射就是高能电子衍射。
因这为说明,对s于in给定2的dhk晶l 体1 样品,所只以有当入2射dh波kl 长足够短时,
才能产生衍射。而对于电镜的照明光源——高能电子束来说,
比X射线更容易满足。通常的透射电镜的加速电压
100~200kv,即电子波的波长为10-2~10-3nm数量级,而常
见晶体的晶面间距为100~10-1nm数量级,于是
普通电子显微镜的“宽束”衍射(束斑直径≈1μm)只能得 到较大体积内的统计平均信息,而微束衍射可研究分析材料 中亚纳米尺度颗料、单个位错、层错、畴界面和无序结构, 可 电子衍射的优点是可以原位同时得到微观形貌和结构信 息,并能进行对照分析。电子显微镜物镜背焦面上的衍 射像常称为电子衍射花样。电子衍射作为一种独特的结 构分析方法,在材料科学中得到广泛应用,主要有以下 三个方面:
复杂电子衍射
二点, 利用矢量运算确定(h3k3l3)和其它所有点 确定晶带轴指数
昆明理工大学材料学院
复杂电子衍射
王剑华 2012.10
8
未知物相确定和花样标定
测量距离中心斑最近的三个长度R1,R2,R3;测量夹角R1∧R2 , R1∧R3 ,计算比值: R2/R1 ,R3 /R1; 先按立方晶系标尝试定花样; 不能按立方晶系标定的则依据 Rd = Lλ,计算各斑点对应的d值; 根据材料成分和处理条件的有关信息,查找可能物相的粉末衍射卡; 对比计算d值与卡片纪录d,找到最符合的物质; 根据卡片d对应标定(hkl); 用夹角公式验算,使指数自恰; 利用矢量运算确定(h3k3l3)和其它所有点; 确定晶带轴指数; 标定系列倾转得到的其它衍射花样,检验结构是否一致。
a
[hkl]为晶面(hkl)的晶向指数 倒易点构成倒易点阵
(021)
b (011) O*
昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.10
复杂电子衍射
(021)
011 021
010
020
6
电子衍射的基本公式和相机常数
几何关系
R = Ltg2θ
R (hkl)斑点与中心斑点的距离
L 样品与照相底板距离
26
菊池花样分析
d
L R cos2
因此测量R, OM, L, Lλ就可 以确定线对的晶面间距d
当φ=0时,线对位于透射斑 的两侧,距离相应衍射斑点 1/2处。
当φ=θ时,暗线穿过透射斑, 亮线穿过相应衍射斑点
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复杂电子衍射
王剑华 2012.10
电子显微分析4-复杂电子衍射花样
• 简单电子衍射花样
1. 花样中斑点只是一个零层倒易截面上阵点排列的放大像. 2. 假定样品晶体为单质或均匀(无序)固溶体.
• 复杂电子衍射花样
除了简单花样的规则斑点之外,出现一些”额外的斑点”,即 不满足通常的消光规律,或出现其他图案.
如: 高阶劳厄带斑点 超点阵斑点 双衍射斑点 孪晶花 样 菊池衍射花样
3) fcc 结构 fcc结构,F≠0的条件是:h, k, l 全奇数或全偶数 显然(h3k3l3)=(h1k1l1)+(h2k2l2) h3、k3、l3 为全奇数或全偶数,本身是存在的。 因此,不会出现多余的斑点,仅是斑点强度发生了变化。
一般f.c.c和b.c.c晶体中,不会产生额外斑点, 而hcp结构会产生额外斑点。
即在(1011)产生的一次衍 射束在(1010)晶面发生二 次衍射后,将在(0001)位 置出现斑点。
(2) bcc 结构 bcc结构,F≠0的条件
h + k + l = 偶数
若(h1k1l1)和(h2k2l2)之间发生二次衍射,二次衍射斑点 (h3k3l3)=(h1k1l1)+(h2k2l2) h3 + k3 + l3 = 偶数 (h3k3l3)本身Fh3k3l3 ≠0,即应该出现的。 即不会出现多余的斑点,仅是斑点强度发生了变化。
超点阵斑点
对单质或无序结构,当晶面满足消光条件时,其衍射斑点不存 在(如f.c.c,消光条件为h.k.l奇偶混合,(F=0))。
但实际上遇到很多晶体为有序结构或产生有序化转变,构成 所谓超点阵,此时,即使满足无序固溶体中的消光条件,但其 F≠0,即可以使本来消光的斑点出现,于是在衍射花样中出现 额外斑点,叫做超点阵斑点。
第四章复杂电子衍射花样教程
14
• Assume ghkl is a reciprocal vector corresponding to hkl. ghkl can be decomposed to g , the vertical component of ghkl which is perpendicular to the (uvw)0* and g// , the horizontal component of ghkl which lies in (uvw)0* . • g// is the projection of ghkl of (uvw)* in (uvw)0* along the zone direction
Projection of reciprocal point of (uvw)* in (uvw)0*
For any symmetrical crystal, a reciprocal point hkl in a parallel reciprocal plane {uvw}*satisfies
r r
r u a v b w c
(note
), we obtain
2 u ua v( a b ) w( a c ) 2 v u ( a b ) vb w( b c ) w u ( a c ) v( b c ) wc 2
7
7
当晶体试样较薄时( 即倒易点成杆状) ,倒易点拉长更厉 害,增加了Ewald 球与高层倒易面上 的倒易杆相交的几 率
8
88
当入射束不严格 平行于晶带轴时 ,Ewald球可能 与几层相平行的 倒易面相交,产 生几套衍射斑。
材料分析方法课件-17 复杂电子衍射
对H, k, l全奇全偶的晶面组,结构振幅 F = 4f平均 ; 当H, k, l有奇有偶时,F = 0,产生消光。
Cu3Au在有序相中为简立方结构,晶胞中的4个阵点的 位置分别确定地由1个Au原子和3个Cu原子占据,坐标 分别为: Au:(0,0,0); Cu:(0,1/2, 1/2),(1/2,0,1/2), (1/2,1/2,0)
斑点 → 斑点 + 菊池线 → 菊池线
菊池线的产生
由于能量损失极少 的非弹性散射的电 子,当随后入射到 样品某晶面,且满 足布拉格条件时, 再次发生弹性相干 散射的结果。它是 一种动力学效应。
菊池线随样品取向变化
5.9 高阶劳厄带
a.高阶劳埃斑点
[001]
成因:
•当晶体点阵常数较大(即倒易面间距
简单点阵,结构振幅 都不等于0,不产生消光。
以上分析表明,在无序固溶体态时,由于结构因子为0 应当抹去的一些阵点(结构消光),在有序化后其F不 为0,衍射花样中出现相应的额外斑点,即超点阵斑点。
Cu3Au有序合金的超点阵斑点及指数化结果。
5.3 长周期结构
AuCu II长周期结构
Au3Cd的结构图(a)和模拟的衍射图(b)衍 射图中较亮的衍射点是基本衍射斑点,较弱
会聚束举例
5.8 菊池线
在电子衍射花样中,除了正常的斑点之外,还经常出现明、 暗成对平行的衍射衬度条纹,首次由KiKuchi描述,因之 称为菊池线或菊池花样。
出现菊池线的条件
1) 样品晶体比较完整 2) 样品内部缺陷密度较低 3) 在入射束方向上的厚度比较合适
花样随样品厚度增加的变化如下:
5.11 非晶环
0.2 μm
200 nm
100 nm
电子衍射谱标定[优质内容]
指向的方向为晶帯轴方向,晶帯轴的密勒指数[uvw](需约化为最小
公倍数)为:
h1 h2 k1l2 k2l 1
uvw r1 r2 k1 k2 l1h2 l2h1
7
l1 l2 h1k2 h2k1
晶带定律
hi u kiv li w 0
8
晶带定律反应了正倒空间一些有特定关系的矢量与平面指数间的关系:
Rhkl L tg2
(4)
ghkl
•
d hkl
2 sin
(5)
tg2 2 sin
L • Rhkl • dhkl
(6 )
公式(6)中,λ是电子波长,L是像机长度,Rhkl是荧光屏上衍射斑
到透射斑的距离,dhkl是衍射面的面间距,Lλ称为像机常数,单位
是mmÅ.
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单晶电子衍射标定
在标定单晶衍射谱时,需要将两类不同的情形分开,一类
G ——G 0 1 3
d
公式(3)的集合解释就是厄瓦德球,球的半径为1/λ,样品处为厄瓦
德球的球心,只要倒易矢能与厄瓦德球面有交点,就可以产生电子
衍射。
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反射面法线
A
E
F
B
布拉格衍射几何
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厄瓦德球的特征
1、电子的波长很短,相对于晶面间距的倒数,厄瓦德球的半径 很大,因此球面可以近似为平面,使得球面交截同层倒易点的机 会很大; 2、衍射物质总有一定大小和形状,倒易点不是一个几何点,具 有一定大小和形状,倒易点的线尺寸总是沿着试样几何尺寸最小 的方向拉长扩展;如试样为针状,则倒易点强度分布为盘状,试 样为片状,则倒易点强度分布为针状,实际试样中常包含有一定 取向差嵌镶组织,则倒易点被拉成弧状;这些都有利于厄瓦德球 与倒易点相截。 3、入射电子束并非严格平行的电子射线,有一定发散度,而且 不是理想的单色电子束,使厄瓦德球球面具有一定厚度,这对厄 瓦德球面和倒易点的交截是有利的。
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(b)BCC晶体中的孪生
图5.2 两种晶体结构的孪生元素
7
孪晶几何特征:
(1)孪晶面为孪晶部分与基体部分的交界面,该面上的原子在切变 过程中为两相共有,保持不变; (2)孪晶和基体以孪晶面为镜面,通过镜面反映对称操作,可使孪 晶中的原子和基体中的原子完全重合;
(3)孪晶和基体以孪晶面的法向(孪晶轴)为二次对称轴,通过绕
要的作用。例如,Ni-Mn-Ga磁控形状记忆合金就是通过孪 晶界的迁动得以实现的。又如,在Fe-Mn-Si-Al钢中通过孪 生诱发塑性(TWIP)可显著提高钢的塑性,这类钢的塑性 可高达95%,比传统钢高几倍。
2
•
5.1.1、孪晶的几何特征
用一个半径为单位长度的晶球来说明孪晶几何(图5.1)。把直角坐
得到复杂衍射花样,这使花样的标定变得困难,但这种复杂
花样通常能比简单花样呈现更多的信息。
1
5.1 孪晶电子衍射花样
孪晶是两个相同结构的晶体,通过对称操作,其中一个 晶体的原子位置可以与另一个晶体的原子位置相重合,两者 并呈镜面对称。孪晶在材料中具有重要的作用。我们熟知的
孪晶马氏体具有硬而脆的特性。孪晶在形状记忆合金中有重
u v w 1 1 1
(5.8)
BCC:
ht hm H k k n K , t m lt lm L
u v w 1 1 2
17
(5.9)
此时无论FCC或BCC,孪晶斑点均和基体斑点重合,因为每个 [htktlt]都在(hmkmlm)整数倍的位置上。实际上满足
19
在立方晶系孪晶面{HKL}与其法向的孪晶轴<uvw>是同指
数,因此孪晶斑点位于在孪晶轴[uvw]方向上两个基体斑点
的1/3处,因此得出如下重要结论:
在立方晶系中,孪晶斑点的位置有两种可能:与基体斑
点相重;或者位于两个基体斑点的1/3处。由于孪晶斑点在
两个斑点的1/3处,也可以所在2/3处,因此hmu+kmv+lmw=3n
前言:
简单电子衍射花样,是由单质或均匀(无序)固溶体中的某 一晶带衍射所产生的。许多情况都会产生复杂电子衍射花样。 例如,如果由两种或以上的相,它们的复合衍射花样就比较
复杂;如果非零层倒易平面产生的衍射花样与零层倒易平面
的花样复合在一起,也使花样复杂化。除此外,晶体中的孪 晶,固溶体的有序化,成分的调幅,晶体的长周期结构等都会
孪晶轴旋转180°可以与基体完全重合(旋转对称中可以有不同的旋转角, 但180°旋转孪晶是最常见的,故本书只讨论180°旋转孪晶)。
孪晶可以分为生长孪晶和形变孪晶。生长孪晶是在晶体生长过程中
形成,如退火时形成的孪晶;而形变孪晶是在形变过程中以切变方式形 成的孪晶,如形变孪晶、马氏体孪晶。图5.3显示了FCC和BCC两种常见
[uvw]为<111>,因此(5.2)式中的Hu+Kv+Lw=3,故(5.2)式
简化为
2 ht hm H hmu kmv lm w 3 2 kt km K hmu kmv lm w 3 2 lt lm Lhmu kmv lm w 3
(5.6)
gm+ gt=S· gHKL (5.1)
11
hm ht km kt lm lt 展开上式并化简得: S H K L
S 由图5.4可知: g HKL ruvw gm ruvw 2 展开后求得S值 ,并对(5.1)式移项得
2 H hmu k m v lm w Hu Kv Lw 2 K hmu k m v lm w kt k m Hu Kv Lw 2 Lhmu k m v lm w lt lm Hu Kv Lw ht hm
hmu+kmv+lmw=3n这个反射条件还是很多的,例如FCC,(111)孪
晶面,则下列晶面反射满足上述条件:
4 2 4, 4 4 2,04 4,402,11 3,311, 111,153
而对于BCC的( 1 21)孪晶面,则有:1 01 ,024,4 2 4,31 4,114, 在特定条件下,整个倒易面上的所有孪晶斑点均和基体斑点相重。
为了显示180°旋转孪晶的特征,当基体坐标系中某一倒
由图可知,基体倒易矢量gm
绕孪晶轴旋转180°与孪晶倒易矢
量gt重合,同时,gm gt ruvwห้องสมุดไป่ตู้个矢 量共面, ruvw与 gm 和ruvw与 gt之 间的夹角相等。则将gm和gt两矢 量合成,其合成矢量一定在gHKL 方向,但数值不一定等于gHKL, 图5.4 基体与180°孪晶倒 易矢量的关系 故引入比例系数S。故有
晶体的孪晶花样。
8
(a) FCC奥氏体
(b) BCC马氏体
图5.3 两种常见晶体的孪晶花样
9
5.1.2 孪晶关系的转换矩阵
一、任意晶系180°旋转孪晶的转换矩阵
以孪晶要素中的孪晶轴和孪晶面来说明孪晶倒易点阵的几 何特征,如图5.4所示。图中符号表示:
(HKL)-孪晶面,[uvw]-孪晶轴指数
•
gHKL-孪晶面法线方向
见图5.5。 图5.5
(011) 孪晶斑点与基体 21 (110)斑点相重
(2)面心立方(FCC) [112] 晶带,如取[uvw]= [112], (hmkmlm ) (13 1) 则hmu+kmv+lmw=3,故(5.8)式中的n=1,则
ht 1 1 3 k 3 2 1 1 t lt 1 1 1
+1,与若hmu+kmv+lmw=3n+2是等同的。
20
下面举例说明孪晶斑点的位置有两种可能
(1) 体心立方(BCC)[1 11]晶带,取[uvw]= [121] [(HKL)= (121) ]
(hmkmlm ) (01 1) ,则
hmu kmv lmw 0 1 1 2 (1) (1) 3 3 1
以η1表示。垂直于K1面并包含η1方向的平面称为切变平面(shear plane)。
孪生切动时,上半球各点的X和Z坐标都不改变,只有Y坐标改变。设球 的顶点(Z=1)切动的距离为S,即孪生切变S/Z=S。在不同的Z坐标点的 切动距离为SZ,即孪生切动的大小与孪生面的距离成正比。切动后,上 半球变成一个和原来体积相等的椭球。
K
' 1
、K
' 2
' ' 、 1 和 2 ,如果它和原孪晶的孪晶元素对应相
等,称这类孪晶是原来孪晶的倒易孪晶;混合型(有理型孪
晶):4个孪晶元素均是有理指数。对称性较高的晶体结构
的孪晶一般属于有理型孪晶。 常见的面心立方(FCC)和体 心立方(BCC)的孪生元素示于图5.2。
6
(a)FCC晶体中的孪生
标的原点放在球心上,赤道平面(XOY面)是孪生面(twinning plane), 球的上半部形成孪晶。在孪生过程中,赤道平面既不改变形状又不改变
位置,称这个平面就是孪生面,又称第一不畸变面(first undistorted
plane),以K1表示。孪生的切动方向称孪生方向(twinning direction),
(5.7)
16
若hmu+kmv+lmw=3n,n为包括零的任意整数,则(5.6)式
和(5.7)式可分别写成下列形式: FCC:
ht hm H k k 2n K , t m lt lm L
v w 1 1 1
(5.10)
BCC:
ht hm H H k k n K 1 K t m 3 lt lm L L
,u
v w 1 1 2
(5.11)
故(5.6)式中的n=1,则
ht 0 1 1 k 1 2 1 t 0 lt 1 1
即与基体同指数的 (011) 孪晶 斑点与基体(110)斑点相重,
畸变面间的夹角记为 。和切变平面垂直并和K1的夹角小于
面垂直并和K1的夹角大于
孪生切动后变长。
的面(例如图5.1中的OB面)在
5
K1、K2、η1和η2是表述孪生几何的重要参量,称孪生元
素。在3种典型的金属结构中,按照孪生元素的性质,可把
孪晶分成4类。Ⅰ类孪晶:K1和η2具有有理指数,K2和η1具有 无理指数;Ⅱ类孪晶:K2和η1具有有理指数,K1和η2具有无 理指数;倒易型孪晶:若有另一个孪晶,它的孪生元 素
(5.2)
12
将上式逐步写成矩阵形式:
(5.3)
ht hm Hu Hv Hw hm 2 k k Ku Kv Kw k t m Hu Kv Lw m lt lm Lu Lv Lw lm
即与基体同指数的 (131) 孪晶斑点与基体 (311) 相重。
22
如取 (hm kmlm ) (220) ,则hmu+kmv+lmw=0,n=0,则
ht 2 1 2 k 2 0 1 2 t lt 0 1 0
18
若hmu+kmv+lmw=3n+1,n为包括零的任意整数,则
FCC:
ht hm H H , u k k 2n 1 K 1 K t m 3 lt lm L L