模拟电子技术基础(张凤凌主编)第十九讲 习题课
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术基础习题ppt课件
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多,其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中,与相位相反的是___共射 ___电路,与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__,反向电阻为__无穷大___, 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___,在该区内 的反向电流有较大变化,但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时,二极管的正向特性曲线将__左移___, 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性,制成杂质半导体;利用半导
体的__光敏__特性,制成光敏电阻;利用半导体的_热敏__ 特性,制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__,加反向电压时_截止_,这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压,使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中,三个电极的电位分别
为 V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V,试判断晶体管的类型是 ___PNP_____,材料是____锗___。
11. 温度升高时,晶体管的电流放大系数将___增加___,穿 透电流将___增加___,发射极电压将___减小____。
12 温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将____左___移, 输出特性曲线将___上____移,而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。
模拟电子电路学习基础试题及其答案解析(大学期末考试-题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路;1.4.2 1-n ,)1(--n b ;1.4.3 不变;1.4.4 21W ,负载;1.4.5 Ω1.65A , ;1.4.6 1A 3A , ; 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=; 1.4.8 1A ;1.4.9 Ω4.0,A 5.12;1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源;1.4.11 3A ;1.4.12 3A ;1.4.13 Ω2;1.4.14 15V ,Ω5.4;1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ; 1.4.17 B ; 1.4.18 D ; 1.4.19 A ;1.4.20 A ; 1.4.21 C ; 1.4.22 B ; 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路,开路;2.4.2 零输入响应;2.4.3 短路,开路;2.4.4 电容电压,电感电流;2.4.5 越慢;2.4.6 换路瞬间;2.4.7 三角波;2.4.8 s 05.0,k Ω25; 2.4.9 C R R R R 3232+; 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ; 2.4.12 D ; 2.4.13 B ;2.4.14 D ; 2.4.15 B ; 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10, , ; 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ;3.4.3 容性, A 44;3.4.4 10V ,2V3.4.5 相同;3.4.6 V 30,20V ;3.4.7 A 44,W 7744;3.4.8 A 5;3.4.9 减小、不变、提高;3.4.10 F 7.87μ;3.4.11 20kVA ,12kvar -;3.4.12 不变、增加、减少;3.4.13 电阻性,电容性; 3.4.14 LC π21,阻抗,电流;3.4.15 1rad/s ,4;3.4.16 Ω10;3.4.17 P L U U =,P L 3I I =,︒-30; 3.4.18 P L 3U U =,P L I I =,超前。
模电课件
面接触型:结面积 大,结电容大,故结 允许的电流大,最高 工作频率低。
平面型:结面积可小、 可大,小的工作频率 高,大的结允许的电 流大。
华成英 hchya@
二、二极管的伏安特性及电流方程
二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。
i f (u)
u
i IS (eUT 1) (常温下UT 26mV)
漂移运动
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态 平衡,就形成了PN结。
华成英 hchya@
PN 结的单向导电性
PN结加正向电压导通: 耗尽层变窄,扩散运动加
剧,由于外电源的作用,形 成扩散电流,PN结处于导通 状态。
P必N要结吗加?反向电压截止: 耗尽层变宽,阻止扩散运
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
模拟电子技术基础清华大学全套完整版PPT课件
电路中有40亿个晶体管。有科学家预测,集成度还将按10倍
/6年的速度增长,到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展!
华成英 hchya@
值得纪念的几位科学家!
第一只晶体管的发明者
(by John Bardeen , William Schockley and Walter Brattain
近似分析要“合理”。 抓主要矛盾和矛盾的主要方面。 电子电路归根结底是电路。不同条件下构造不同模型。
2. 实践性
常用电子仪器的使用方法 电子电路的测试方法 故障的判断与排除方法 EDA软件的应用方法
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放
的过程,其等效电容称为扩散电容Cd。
结电容: Cj Cb Cd
结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程 度,则失去单向导电性!
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
问题
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 气体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。
N区自由电 子浓度远高
于P区。
扩散运动
扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接 触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
华成英 hchya@
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成 内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进 步的观念和创新意识,学习科学的思维方法。提 倡快乐学习!
华北电力大学模拟电子技术基础习题
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2018.8.15目录第1章习题及答案1第2章习题及答案15第3章习题及答案37第4章习题及答案46第5章习题及答案55第6章习题及答案71第7章习题及答案87第8章习题及答案106第9章习题及答案118第10章习题及答案134模拟电子技术试卷1147模拟电子技术试卷2153模拟电子技术试卷3159第1章习题及答案1.1选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,加入元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)P N结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小(4)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解:(1)A、C(2)A(3)A(4)C1.2.1写出图P1.2.1所示各电路的输出电压值,设二极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)二极管导通U O1=2V(2)二极管截止U O2=2V(3)二极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)二极管截止U O1=0V(2)二极管导通U O2=-1.3V(3)二极管截止U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所示,设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:二极管D1截止,D2导通,U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所示,已知u i=10s i nωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解:当u i>0V时,D导通,u o=u i;当u i≤0V时,D截止,u o=0V。
u i和u o的波形如解图1.3.2所示。
模拟电子技术基础张凤凌主编Q点稳定电路
UE
UBE
IC
IB
上述电路称为分压式电流负反馈Q点稳定电路。
2.4.2 静态工作点的估算
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
I EQ
UBQ UBEQ Re
ICQ IEQ
UCEQ VCC ICQ(Rc Re)
I BQ
IEQ
1
2.4.3 动态参数的估算
Au
Uo Ui
Ib(RC //
Ibrbe
IC IB
温度升高时集电极电流明显增大。
所谓稳定Q点,是指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ 和管压降UCEQ基本不变。
因此,必然依靠IBQ的变化来抵消ICQ和UCEQ的变化。
2.4 .1 电路组成
I2 I1 IBQ
I1 I BQ
U BQ
Rb1 Rb1 Rb2
VCC
I2 I1
T
IC
Ro Rc
小结: 掌握典型静态工作点稳定电路的
静态计算和动态计算。
作业:p62-64 2-6, 2-8
模拟电子技术基础
河北科技大学信息科学与工程学院
1
晶体管简化的h参数等效电路
内容回顾
b
c
e
rbe
rbb'
(1
)
UT I EQ
或
rbe
rbb'
UT I CQ
(1)利用估算法求Q点,并判断Q点是否合适。
(2)画出放大电路的交流等效电路。 画出放大电路的交流通路,用晶体管的微变
等效电路模型取代晶体管便可得到放大电路的交 流等效电路。 (3)利用交流等效电路求解交流参数。
Ib(RC // Ibrbe
RL)
模拟电子技术基础(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、( 1)√ (2)× ( 3)√ ( 4)× ( 5)√ ( 6)× 二、( 1) A (2)C ( 3)C (4) B ( 5)A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2= 0 U O3≈- 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈- 2V四、 U O1= 6V U O2=5V五、根据 P CM = 200mW 可得: U CE = 40V 时 I C = 5mA ,U CE = 30V 时 I C ≈ 6.67mA , U CE= 20V 时 I C = 10mA , U CE = 10V 时 I C = 20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O = U CE =2V 。
2、临界饱和时 U CES = U BE =0.7V ,所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1:恒流区; T 2:夹断区; T 3:可变电阻区。
习题u i /V101.1( 1) A C ( 2)A(3) C( 4)AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系, 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D=( V - U D) /R=2.6mA , r D≈ U T/I D= 10Ω, I d= U i/r D≈ 1mA 。
1.7( 1)两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5A µ和5 mV 。
输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ,并分别换算成dB 数表⽰。
解:(1)电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴(2)电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴(3)功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动,放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。
求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ,并分别转换成dB 数表⽰。
解:Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2(a )所⽰,其输⼊电压u I1和u I2的波形如图(b )所⽰,⼆极管导通电压U D =0.7V 。
模拟电子技术基础_郑州大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础_郑州大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.差动放大电路具有()的特点:参考答案:放大差模信号、抑制共模信号2.半导体中有()参与导电。
参考答案:电子载流子_空穴载流子3.“虚断”是指某一支路中电流十分微小;而“断路”则表示某支路电流为零。
参考答案:正确4.互导放大电路:参考答案:可以实现电压到电流的转换。
_放大倍数是输出电流与输入电压的比值。
5.三极管工作在放大状态时,有:参考答案:IC=βIB_发射结正偏_集电结反偏6.场效应管放大电路和三极管电路相比,具有特点。
参考答案:噪声低_输入阻抗高_温度稳定性好_功耗小7.互导放大电路可以把电压信号转换为电流信号。
参考答案:正确8.()放大电路的零点漂移比较严重。
参考答案:直接耦合9.正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的交流正反馈放大电路。
参考答案:正确10.整流电路的作用是利用电容的储能作用,将交流电压变成单方向的脉动直流电压。
参考答案:错误11.稳压电路的内阻定义为:经过整流滤波后输入到稳压电路的直流电压不变时,稳压电路的输出电压变化量与输出电流变化量之比。
参考答案:正确12.共模抑制比KCMR是()之比。
参考答案:差模电压放大倍数和共模电压放大倍数13.计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据直流通路。
参考答案:错误14.阻止某一频带范围内信号通过,而允许此频带之外的信号通过的电路称为:参考答案:带阻滤波器15.理想集成运放的开环差模电压放大倍数Aud为:参考答案:无穷大16.集成运算放大器的特点是:参考答案:高输入电阻_高增益_低输出电阻17.零点漂移产生的主要原因是因为晶体三极管的参数受温度的影响。
参考答案:正确18.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用:参考答案:带阻滤波器19.差动放大电路是一种具有两个输入端且电路结构对称的放大电路。
参考答案:正确20.集成运算放大器实际上是一个高增益的多级阻容耦合放大电路。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
2019-2019 模拟电子技术基础-课程作业word资料11页
教材模拟电子技术基础(第四版)清华大学模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。
(a)变宽(b)变窄(c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN结的死区电压(b)正向电压等于零(c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D1,D2均为理想元件,已知输入电压u i=150sinωt V如图2所示,试画出电压uO的波形。
解:答:电压U0的波形如下图5电路如图1所示,设输入信号uI1,uI2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压uO的波形,并说明t1,t2时间内二极管D1,D2的工作状态。
解:电压U2的波形如图在t1时间内D1导通,D2截止。
在t2时间内D1截止,D2导通。
第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
U oCCU CCU (c)(d)-ou o2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
(a)增加(b)减少 (c)基本不变4分压式偏置放大电路如图所示,晶体T 的β=40,U BE .V =07,试求当RB1,RB2分别开路时各电极的电位(U B ,U C ,U E )。
并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。
解:解:(1)当R B1断开,直流通路如下图4-1:U B =0V, 三极管T 处于截止区,T 相当于一个开关断开,U C =12V ,U E =0V 。
模拟电子技术基础教案
云南民族大学教案课程名称: 模拟电子技术基础授课班级: 12级电子信息类1班、12级电子信息类2班、12级网络工程班、12级电气类1班、12级电气类2班任课教师: 王霞职称: 助教课程性质: 专业必修课授课学期: 2013-2014学年第一学期云南民族大学教案三、本章节授课教师姓名:四、本章节教学目标和教学要求:教学方法:讲授法、讨论法、问题教学法、实例教学法本次课无作业。
八、选用教材和主要参考书:[1]云南民族大学教案三、本章节授课教师姓名:四、本章节教学目标和教学要求:2五、教学重点、难点:七、布置的作业及复习思考题:P34-38八、选用教材和主要参考书:版社,[1] 童诗白, 华成英主编. 模拟电子技术基础(第4版) . 北京:高等教育出版社,PN结的单向导电性加正向电压加反向电压PN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。
反向电流非常小,PN结处于截止(cut-off)状态。
结论:PN结具有单向导电性:正向导通,反向截止。
)正向特性)反向特性1.2.3 二极管的主要参数1.最大整流电流I F2.最高反向工作电压U R)稳压管必须工作在反向击穿区)稳压管应与负载R L并联,云南民族大学教案三、本章节授课教师姓名:四、本章节教学目标和教学要求:五、教学重点、难点:教学方法:讲授法、讨论法、问题教学法、实例教学法P34-38八、选用教材和主要参考书:[1] 童诗白, 华成英主编. 模拟电子技术基础(第4版) . 北京:高等教育出版社,1.3.2 三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管内部载流子的运动过程:发射输出特性()if=u截止区:的区域,I C≈0 ,发射结和集电结都反偏。
云南民族大学教案三、本章节授课教师姓名:四、本章节教学目标和教学要求:教学方法:讲授法、讨论法、问题教学法、实例教学法P101-111八、选用教材和主要参考书:[1]1.放大倍数2.最大输出幅度无明显失真的最大输出电压(或电流),一般指电压的有效值输入电阻通频带最大输出功率与效率是放大电路的核心,V CC提供输出信号能量,的变化量转化为u CE的变化量,提供发射结偏置电压U和静态基极电流I。
模拟电子技术基础答案 中北大学 下
封面 书名 版权 前言 目录 第1章 半导体二极管及其基本电路 1.1 本章教学基本要求 1.2 本章主要知识点 1.2.1 半导体的基础知识 1.2.2 半导体二极管及其基本电路 1.2.3 特殊二极管 1.3 典型例题和考研试题解析 1.3.1 典型例题 1.3.2 考研试题解析 1.4 自测题及解答 1.5 习题及解答 第2章 晶体管及其基本放大电路 2.1 本章教学基本要求 2.2 本章主要知识点 2.2.1 晶体管的类型及工作状态 2.2.2 晶体管的电流关系及放大作用 2.2.3 放大电路的分析方法 2.2.4 三种组态基本放大电路的判别及各自特点 2.3 典型例题和考研试题解析 2.3.1 典型例题 2.3.2 考研试题解析 2.4 自测题及解答 2.5 习题及解答 第3章 场效应管及其基本放大电路 3.1 本章教学基本要求 3.2 本章主要知识点 3.2.1 场效应管的类型及工作状态 3.2.2 场效应管工作在恒流区时栅源电压uGS与漏极电流iD之间的关系 3.2.3 场效应管放大电路分析 3.2.4 共源、共漏组态放大电路的比较 3.3 典型例题和考研试题解析 3.3.1 典型例题 3.3.2 考研试题解析 3.4 自测题及解答 3.5 习题及解答 第4章 多级放大电路和集成运算放大器 4.1 本章教学基本要求 4.2 本章主要知识点 4.2.1 多级放大电路 4.2.2 集成运算放大器 4.2.3 差动放大电路 4.3 典型例题和考研试题解析 4.3.1 典型例题 4.3.2 考研试题解析 4.4 自测题及解答 4.5 习题及解答 第5章 放大电路的频率特性 5.1 本章教学基本要求 5.2 本章主要知识点大电路的组成、工作原理和指标计算 10.2.3 典型集成功率放大器的电路分析 10.3 典型例题和考研试题解析 10.3.1 典型例题 10.3.2 考研试题解析 10.4 自测题及解答 10.5 习题及解答 第11章 直流电源 11.1 本章教学基本要求 11.2 本章主要知识点 11.2.1 直流稳压电源的组成 11.2.2 整流电路 11.2.3 滤波电路 11.2.4 稳压电路 11.3 典型例题和考研试题解析 11.3.1 典型例题 11.3.2 考研试题解析 11.4 自测题及解答 11.5 习题及解答 第12章 本科生和研究生试题及答案 12.1 本科生期末考试试题及答案 12.2 研究生入学考试试题及答案(模拟部分) 参考文献
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2 R4 Au 2 rbe2
A A A u u1 u2
(1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) 2 R4 ( ) rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe2
Ri R1 ∥[rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥rbe2 )]
Ri Rb1 // Rb 2 //rbe (1 ) Re 6.25kΩ
Ro Rc 2kΩ
Au 减小,Ri增大,Ro不变。
解: (1)第一级为共集放大电路,第二级为共射放大电路 (2)
VCC UBEQ1 IBQ1 R1 (1 1) R 2
IEQ1 (1 1) IBQ1
N P N N
P
硅管Ube 0.7 V 锗管Ube 0.3V
P
放大区:
UC UB UE
UE UB UC
(1)找出相差0.2V或0.7V的两个极,为基极和发射极; 并确定三极管是硅管还是锗管。 (2)根据第三极是最高还是最低确定为NPN型还是PNP型,确定 三个电极的电位。
N P N N
故需在反相端接平衡电 阻R4。
使R4 // R1 // Rf R2 // R3 得R 4 33k
VCC UBEQ IBQ 0.022 mA Rb
ICQ IBQ 1.77mA
UCEQ VCC ICQRc 3.15V
(2)
(3)
o U ( RC // RL) Au 200 i U rbe Ui Ri Rb // rbe 1kΩ Ii
取Rf=100kΩ,
若R1//Rf=R2//R3
uI 1 uI 2 uI 3 uO Rf ( ) R1 R 2 R3
Rf / R1 2, 故R1 50k; Rf / R 2 5, 故R 2 20k; Rf / R3 1, 故R3 100k。
由于 R1 // Rf R2 // R3
R o Rc 5 k Ω
o Ui Uo U Ri Aus Au 66.7 Us Us Ui Rs Ri
解:(1)
U BQ I EQ
Rb1 VCC 4V Rb1 Rb 2
I BQ
UBQ UBEQ 1.65mA Re IEQ 0.033mA 1
模拟电子技术基础
河北科技大学信息科学与工程学院
步骤: 1)假设二极管截止,计算uA、uK。 2 )若 uA-uK<0.7V, 则二极管截止;若 uA-uK>0.7V, 则二极管导 通,UD=0.7V。
Uo1= 4.3V ; Uo4= 3.7V;
Uo2= 0V; Uo5= -2.3V;
Uo3= -2.3V; Uo6= -4.3V
Ro R4
解
(1)
(2)
Ro 2RC RP
解
(1)
VEE UBEQ ICQ1 ICQ 2 0.265 mA 2 Re
RL UCQ1 VCC ICQ1( RC // RL) RC RL 3.23V
UCQ 2 15V
UT (2) rbe rbb ' (1 ) 5.1kΩ IEQ
RP R3 // R 4
RN RP
uI1 uI2 uI3 uO Rf ( ) R1 R2 R3 5uI1 uI2 5u13
uI1 uI2 uI3 uI 4 uO Rf ( ) R1 R2 R3 R 4 5uI1 5uI2 10u13 uI 4
uI1 uI2 uO1 R3 ( ) 5uI1 5uI2 R1 R2 uO1 uI 3 uI4 uO1 R8 ( ) 5uO1 2uI3 2uI 4 R5 R 6 R7
25uI 1 25uI 2 2uI3 2uI 4
解:uI1应作用于反相输入端,uI2和uI3应作用于同相输入端。
UCEQ VCC ICQ ( Rc Re) 5.4V
(2)
(3)
o U ( RC // RL) Au 50 i U rbe
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe 0.87 kΩ Ro Rc 2kΩ
(4)
( RC // RL) Au 0.5 rbe (1 ) Re
P
硅管Ube 0.7 V 锗管Ube 0.3V
P
放大区:
UC UB UE
UE UB UC
A管为NPN型硅管 ,
U1=10V为集电极C,U2=3V为发射极E,U3=3.7V为基极B
B管为PNP型锗管 U1=0V为集电极C,U2=6V为发射极E,U3=5.7V为基极B
解:(1)
UCEQ1 VCC IEQ1R 2
VCC UBEQ2 IBQ 2 R3
ICQ 2 2 IBQ2
UCEQ 2 VCC ICQ 2 R 4
(3)
A u1
(1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 ) rbe1 (1 1 )(R2 ∥ R3 ∥ rbe2 )
Ad
( R // R )c L来自2rbe 33
Ri 2rbe 10.2kΩ Ro Rc 20 kΩ
(3)
uO AdUI 0.33V
Uo UCQ1 uO 2.9V
RN R1 // Rf
RP R 2 // R3
RN R1 // R2 // Rf RN RP