光电子习题1
张永林第二版《光电子技术》课后习题答案解析
1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少?波长:380~780nm 400~760nm频率:385T~790THz 400T~750THz能量:1.6~3.2eV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么?为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量?为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应,分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算,常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。
辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。
根本区别在于:前者是物理(或客观)的计量方法,称为辐射度量学计量方法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射量进行物理的计量;后者是生理(或主观)的计量方法,是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算,称为光度参数。
因为光度参数只适用于0.38~0.78um的可见光谱区域,是对光强度的主观评价,超过这个谱区,光度参数没有任何意义。
而量子流是在整个电磁辐射,所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处,将λ~λ+dλ范围内发射的辐射通量dΦe,除以该波长λ的光子能量hν,就得到光源在λ处每秒发射的光子数,称为光谱量子流速率。
1.3一只白炽灯,假设各向发光均匀,悬挂在离地面1.5m的高处,用照度计测得正下方地面的照度为30lx,求出该灯的光通量。
Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx1.4一支氦-氖激光器(波长为632.8nm )发出激光的功率为2mW 。
该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。
求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。
若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上,该漫反射屏的发射比为0.85,求该屏上的光亮度。
32251122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.362 1.15102(1cos )2(1cos 0.001) 1.4610/cos cos cos 0()0.3v m e v v v v v v v v v v v K V lmd I d S Rh R RI cd dI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=⨯⨯⨯=Φ∆Φ==Ω∆Ω∆∆Ω===-∆Φ===⨯--∆∆====⨯∆Φ==52262 4.610/0.0005lm m π=⨯⨯'2'''222''2'2'100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v v v v v v v v l m r mP d r M E L dS lr L d dM l L cd m d dS d πθπθπ=>>=Φ===⋅⋅Φ====ΩΩ1.6从黑体辐射曲线图可以看书,不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长 随温度T 的升高而减小。
光电子学课程习题集答案
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1.在增益介质中,一束光从X=0处出发,光强 为I0。经过5CM后光强增加一倍。当光强达到 8I0时,光所传播的距离是多少?
解:利用增益系数表达式
当x=5时,I(5)=2I(0). 当I(x)=8I(0)时,仍可认为G属于小信号增益,则
则辐射能量 e e t 0.293 60 0.510 8.96W
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4. 解:线性函数表示总辐射功率为I 0 的光谱中,其中落在频率
~ d
内的辐射功率与总功率之比随频率的分布情况 。
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,
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,
v2 c 0 2
11.解: 1nm
v1
8
c 0 2
c v N 2 , 2 0 4
则:
C 3 10 m / s
vN
0 =0.5 m时,
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6。实现光放大的必要条件是什么,负温度状 态的概念是什么?
答:粒子数反转是得到光放大的必要条件(见书P39)。 当出现粒子数反转时,如果在形式上使用热平衡分布公式, 就会得到负温度状态的概念。与粒子数反转相对应的等效 温度为:
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9. 经典物理观点:跃迁所发出的电磁波不是单色波,而是分 布在中心频率附近的一个小的频率范围的单色波的组合, 在谱图上正好表现为一定宽度。 量子力学观点:由测不准关系,在某一时刻,粒子所处的 能级也是不确定的,即能级不是单一的,跃迁的结果也就 相当发出了多种不同频率的光子,形成了谱线宽度。自发 辐射过程中这种增宽效益是不可避免的,也是谱线宽度所 能达到的最低值,因而决不存在线宽为0的情况,即不可 能发出绝对的单色光。 由此可见,没有绝对单一波长的光波存在。
光电子技术课后习题答案
第一章1. 设在半径为R c 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为l 0处有一个辐射强度为I e 的点源S ,如图所示。
试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。
解:因为ΩΦd d ee I =, 且 ()⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=-===Ω⎰22000212cos 12sin c R R l l d d rdSd c πθπϕθθ 所以⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+-=Ω=Φ220012c e e e R l l I d I π2. 如图所示,设小面源的面积为∆A s ,辐射亮度为L e ,面源法线与l 0的夹角为θs ;被照面的面积为∆A c ,到面源∆A s 的距离为l 0。
若θc 为辐射在被照面∆A c 的入射角,试计算小面源在∆A c 上产生的辐射照度。
解:亮度定义:r r ee A dI L θ∆cos =强度定义:ΩΦ=d d I ee可得辐射通量:Ω∆=Φd A L d s s e e θcos在给定方向上立体角为:20cos l A d c c θ∆=Ω则在小面源在∆A c 上辐射照度为:20cos cos l A L dA d E cs s e e e θθ∆=Φ=3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置面对的天空背景),其各处的辐亮度L e 均相同,试计算该扩展源在面积为A d 的探测器表面上产生的辐照度。
答:由θcos dA d d L e ΩΦ=得θcos dA d L d e Ω=Φ,且()22cos rl A d d +=Ωθ 则辐照度:()e e e L d rlrdrl L E πθπ=+=⎰⎰∞20022224. 霓虹灯发的光是热辐射吗?l 0SR c第1.1题图L e ∆A s ∆A cl 0 θsθc第1.2题图不是热辐射。
霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受到激发。
光电子技术基础习题答案
光电子技术基础习题答案第一章绪论1.光电子器件按功能分成哪几类?每类大致包含哪些器件?光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件。
光源器件分成电磁波光源和非电磁波光源。
电磁波光源主要包含激光和非线性光学器件等。
非电磁波光源包含照明设备光源、表明光源和信息处理用光源等。
光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。
光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。
光探测器件分成光电导型探测器、光伏型探测器、冷伏型探测器、各种传感器等。
光存储器件分成光盘(包含cd、vcd、dvd、ld等)、光驱、光盘塔等。
2.谈谈你对光电子技术的认知。
光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术,以光源激光化,传输波导(光纤)化,手段电子化,现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特征,是一门新兴的综合性交叉学科。
3.谈谈光电子技术各个发展时期的情况。
20世纪60年代,光电子技术领域最典型的成就就是各种激光器的相继问世。
20世纪70年代,光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现,半导体激光器的成熟特别是量子阱激光器的问世以及ccd的问世。
20世纪80年代,发生了大功率量子阱阵列激光器;半导体光学双稳态功能器件的获得了快速发展;也发生信汇偏光纤、光纤传感器,光纤放大器和光纤激光器。
20世纪90年代,掺铒光纤放大器(edfa)问世,光电子技术在通信领域取得了极大成功,形成了光纤通信产业;。
另外,光电子技术在光存储方面也取得了很大进展,光盘已成为计算机存储数据的重要手段。
21世纪,我们正步入信息化社会,信息与信息交换量的爆炸性快速增长对信息的收集、传输、处置、存储与表明都明确提出了紧迫的挑战,国家经济与社会的发展,国防实力的进一步增强等都更加依赖信息的广度、深度和速度。
⒋举出几个你所知道的光电子技术应用实例。
例如:光纤通信,光盘存储,光电显示器、光纤传感器、光计算机等等。
光电子技术基础与应用习题答案
7 第七章 光电显示技术(十三、十四、十五讲) 8 第八章 光通信无源器件技术(十六、十七、十八、十九讲) 9 第九章 光盘与光存储技术(二十、二十一、二十二讲) 10 第十章 表面等离子体共振现象与应用的探究(二十三讲) 11 第十一章 连续可调太赫兹超常材料宽带低损超吸收器(二十四讲)
8. 从麦克斯韦通式(2-28)出发,推导波动方程(2-44)。
1. 填空题:
第二章 习题答案(1)
第二章 习题答案(2)
第二章 习题答案(3)
6. 输出波长为=632.8nm的He-Ne激光器中的反射镜是在玻璃上交替涂覆ZnS和 ThF2形成的,这两种材料的折射率系数分别为1.5和2.5。问至少涂覆多少个双层 才能使镜面反射系数大于99.5%?
6. 输出波长为=632.8nm的He-Ne激光器中的反射镜是在玻璃上交替涂覆ZnS和 ThF2形成的,这两种材料的折射率系数分别为1.5和2.5。问至少涂覆多少个双层 才能使镜面反射系数大于99.5%?
7. 有m个相距为d的平行反射平面。一束光以倾角投射至反射面。设每一反射平面 仅反射一小部分光,大部分光仅透射过去;又设各层的反射波幅值相等。证明 当sin=/2d时,合成的反射波强度达到最大值,这一角度称为Bragg角。
第三章复习思考题(13)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
第三章复习思考题(14)
4. 简述题 (8)简述光谱线展宽的分类,每类的特点与光谱线线型函数的类型。
4. 简述题
第三章复习思考题(15)
第三章复习思考题(16)
4. 简述题 (10)激光器按激光工作介质来划分可分为几类?各举出一个 典型激光器,并给出其典型波长、转换效率、典型优点。
光电子技术及应用(第2版)章节习题及自测题参考答案
光电子技术及应用(第2版)章节习题及自测题参考答案第一章习题参考答案一、单选题1.ABCD2.ABC3.ABC4.D5.B6.C7.B8.B9. A 10.A二、填空题11.500,30012.无线电波,.红外光,可见光和紫外光,X 射线,γ射线13.0.77---1000μm ,近红外,中红外和远红外14.泵浦源,谐振腔和激活介质15.频率,相位,振幅及传播方向16.受激辐射,实现粒子数反转,谐振腔;方向性好,相干性好,亮度高 17.935μm18.919.125103.1--⋅⋅⨯s m kg20.三、计算题21.解:(1)根据距离平方反比定律2/R I E e e =,太阳的辐射强度为sr W R E I e e /10028.3252⨯==。
得到太阳的总功率为W I e e 26108.34⨯==Φπ(2)太阳的辐射亮度为()sr cm W A I L e ./10989.127⨯== 太阳的辐射出射度为27/1025.6m W L M e e ⨯==π 太阳的温度为K M T e 57614==σ22.解:222z r r ='=,22cos cos z r z+'='=θθ,r d r dS '∆'=ϕ 由:2cos cos r BdS S d d dE θθ'='Φ'=2202222022)(2cos 2z R RB z r r d r z B r d r r B E R R+=+'''=''=⎰⎰ππθπ 23.解:设相干时间为τ,则相干长度为光束与相干时间的乘积,即c L c ⋅=τ 根据相干时间和谱线宽度的关系c L c v ==∆τ1 又因为00γλλv ∆=∆,λc v =0,nm 8.6320=λ由以上各关系及数据可以得到如下形式:单色性=101200010328.6108.632-⨯===∆=∆nm nm L v v c λλλ 24.证明:若t=0时刻,单位体积中E 2能级的粒子数为n 20,则单位体积中在t→t+dt 时间内因自发辐射而减少的E2能级的粒子数为:2122122120A t dn A n dt A n e dt --==故这部分粒子的寿命为t ,因此E2能级粒子的平均寿命为212120020211A t tA n e dtn A τ∞-==⎰ 25.解:设两腔镜1M 和2M 的曲率半径分别为1R 和2R ,121m,2m R R =-=工作物质长0.5m l =,折射率 1.52η=根据稳定条件判据:(1) 其中(2) 由(1)解出2m 1m L '>>由(2)得所以得到: 2.17m 1.17m L >>第二章习题参考答案011 1 21L L ''⎛⎫⎛⎫<-+< ⎪⎪⎝⎭⎝⎭() l L L l η'=-+10.5(1)0.171.52L L L ''=+⨯-=+一、选择题1.ABCD2.D3.ABCD4.AC5.ABCD6.A7.A8.A9.A 10. B二、 是非题911.√ 12.× 13.× 14.× 15.√ 16.√三、 填空题17.大气气体分子及气溶胶的吸收和散射;空气折射率不均匀;晶体介质的介电系数与晶体中的电荷分布有关,当晶体被施加电压后,将引起束缚电荷的重新分布,并导致离子晶格的微小形变,从而引起介电系数的变化,并最终导致晶体折射率变化的现象。
光电子技术-习题解答
1. 什么是光电子技术?当前光电子技术备受重视的原因是什么?答:光电子技术是研究从红外波、可见光、X射线直至γ射线波段范围内的光波。
电子技术,是研究运用光子和电子的特性,通过一定媒介实现信息与能量转换、传递、处理及应用的科学。
因为光电子技术的飞速发展,使得光电子技术逐渐成为高新科学技术领域内的先导和核心,在科学技术,国防建设,工农业生产、交通、邮电、天文、地质、医疗、卫生等国民经济的各个领域内都获得了愈来愈重要的应用,特别是正逐渐进入人们的家庭,因此光电子技术备受重视。
2. 什么叫光的空间相干性?时间相干性?光的相干性能好差程度分别用什么衡量?它们的意义是什么?答:空间相干性是指在同一时刻垂直于光传播方向上的两个不同空间点上的光波场之间的相干性,空间相干性是用相干面积Ac来衡量,Ac愈大,则光的空间相干性愈好。
时间相干性是指同一空间点上,两个不同时刻的光波场之间的相干性,用相干时间t c=L c/c来衡量,t c愈大,光的时间相干性愈好。
3. 世界上第一台激光器是由谁发明的?它是什么激光器?它主要输出波长为多少?答:1960年5月16日、美国梅曼博士、红宝石激光器、6943Å。
4. 自发辐射与受激辐射的根本差别是什么?为什么说激励光子和受激光子属同一光子态?答:差别在有没有受到外界电磁辐射的作用;因为有相同的频率、相位、波矢和偏振状态。
5. 为什么说三能级系统实现能态集居数分布反转要比四能级系统困难?答:因为三能级系统的上能级为E2,下能级为E1,在E2上停留的时间很短,而四能级系统在E3上呆的时间较长,容易实现粒子数反转。
6. 激光器的基本组成有哪几部分?它们的基本作用是什么?答:组成部分:工作物质、泵浦系统、谐振腔工作物质提供能级系统、泵浦源为泵浦抽运让粒子从下能级到上能级条件、谐振腔起正反馈作用7. 工作物质能实现能态集居数分布反转的条件是什么?为什么?对产生激光来说,是必要条件还是充分条件,为什么?答:工作物质要具有丰富的泵浦吸收带,寿命较长的亚稳态,要求泵浦光足够强;必要条件,因为它还以kkk谐振腔内以提供正反馈。
光电子技术复习题(一)
一.单项选择题1. 光电转换定律中的光电流与 BA 温度成正比B光功率成正比 C暗电流成正比 D光子的能量成正比2. 发生拉曼—纳斯衍射必须满足的条件是 AA 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度短B 超声波频率高,光波平行声波面入射,声光作用长度短C 超声波频率低,光波平行声波面入射,声光作用长度长D 超声波频率低,光束与声波面间以一定角度入射,声光作用长度短3.光束调制中,下面属于外调制的是 ABDA 声光调制B 电光波导调制C 半导体光源调制D 电光强度调制4.红外辐射的波长为[ d ] A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm5.激光具有的优点为相干性好、亮度高与[ b ]A 多色性好B单色性好 C 吸收性强 D吸收性弱6.能发生光电导效应的半导体是 cA本征型和激子型 B本征型和晶格型C本征型和杂质型D本征型和自由载流子型7.光敏电阻的光电特性由光电转换因子γ描述,在强辐射作用下AA. γ=0.5B. γ=1C. γ=1.5D. γ=28.电荷耦合器件分 [ A ]A 线阵CCD和面阵CCDB 线阵CCD和点阵CCDC 面阵CCD和体阵CCD D 体阵CCD和点阵CCD9.光通亮φ的单位是[ C ]A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C流明 (lm) D坎德拉(cd)10.硅光二极管主要适用于[D]A紫外光与红外光谱区 B可见光与紫外光谱区 C可见光区 D 可见光与红外光谱区13.光视效能Kλ为最大值时的波长是AA.555nm B.666nm C.777nm D.888nm14.可见光的波长范围为[C ]A 200—300nmB 300—380nmC 380—780nmD 780—1500nm15.电荷耦合器件的工作过程主要是信号的产生、存储、传输和C ]A 计算B 显示C 检测D 输出16. 辐射通亮φe的单位是[B ]A 焦耳 (J)B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)二.填空题1. 光在大气中传播,将会使光速的能量衰减,其主要因素来源于大气衰减、大气湍流效应。
光电子技术习题
1. 一氦氖激光器,发射波长为6.328710-⨯m 的激光束,辐射量为5mW ,光束的发散角为1.0310-⨯rad ,求此激光束的光通量及发光强度。
又此激光器输出光束的截面(即放电毛细管的截面)直径为1mm ,求其亮度。
解:波长632.8nm 的光的视见函数值为=)(λV 0.238,W lm K m /683=则其激光束的光通量为:e m v V K Φ⨯⨯=Φ)(λ=683⨯⨯238.05310-⨯=0.813lm1弧度 = 1单位弧长/1单位半径, 1立体角=以该弧长为直径的圆面积/1单位半径的值的平方,则光束的发散角为1.0310-⨯rad 时的立体角为24απ=Ω=23)100.1(4-⨯⨯π=0.79610-⨯sr发光强度为:cd I vv 610035.1⨯=ΩΦ=亮度为:2cos rIA I L v v v πθ=•==1.318212/10m cd ⨯2.已知氦氖激光器输出的激光束束腰半径为0.5mm ,波长为632.8nm ,在离束腰100mm 处放置一个倒置的伽利略望远系统对激光束进行准直与扩束,伽利略望远系统的目镜焦距mm f e 10-=',物镜焦距mm f o 100=',试求经伽利略望远系统变换后激光束束腰大小、位置、激光束的发散角和准直倍率。
解:已知束腰半径010.5w mm =,632.8nm λ=,束腰到目镜的距离为1100z mm =∴可以求得目镜前主平面上的截面半径210.50.502w w mm === 波阵曲面的曲率半径:2201221161 3.140.5(1())100(+())=-15488.857mm 100632.810w R z z πλ-⨯=+=-⨯-⨯⨯1''11111R R f -= ∴将115488.857mm R =-,'10f mm =-带入得'1R :''111111115488.85710R R f =+=+--∴'19.99R mm =-由于'110.502w w mm ==,所以根据'1w 和'1R 可以求出目镜后射出的光束的束腰位置'1z 和束腰半径02w :'1020.00398w mm ==='2'1'1'6122219.99z 9.99632.810(9.99)1()1()3.140.502R mm R w λπ--===-⨯⨯-++⨯ 入射光束束腰离物镜距离为mm d z z 99.99)10100(99.912-=---=-'=由2z 和02w 可以求出物镜前主面上的光束截面半径2w 和波面半径2R :20.00398 5.063w w mm === 2202222262 3.140.00398(1())99.99(+())=-99.99mm 99.99632.810w R z z πλ-⨯=+=-⨯-⨯⨯1 对光束进行物镜变换,求出物镜后主面上的光束截面半径'2w 和波面半径'2R :'22 5.063w w mm ==''221111199.99100R R f =+=+- '2999900R mm =-由'2w 和'2R 可知:求出最后的束腰位置'2z 和束腰半径03w :'2'2'2'622222999900z 15923.18632.810(999900)1()1()3.14 5.063R mm R w λπ--===-⨯⨯-++⨯'203 5.023w mm ===扩束后远场发散角:-6''-503632.810=4.01103.14 5.023rad w λθπ⨯==⨯⨯入射时的发散角:-6-40632.810=4.03103.140.5rad w λθπ⨯==⨯⨯所以激光束的准直倍率为:4''54.031010.054.0110T θθ--⨯===⨯3. 为使氦氖激光器的相干长度达到1km,它的单色性λλ∆是多少?解: 氦氖激光器的光波长为632.8nm 。
《光电子技术》章节练习题及答案
《光电⼦技术》章节练习题及答案第⼀章⼀、填空题1、⾊温是指在规定两波长处具有与热辐射光源的辐射⽐率相同的⿊体的温度。
其并⾮热辐射光源本⾝的温度。
2、⾃发跃迁是指处于⾼能级的⼀个原⼦⾃发地向低能级跃迁,并发出⼀个光⼦的过程。
受激跃迁是指处于⾼能级态的⼀个原⼦在⼀定的辐射场作⽤下跃迁⾄低能级态,并辐射出⼀个与⼊射光⼦全同的光⼦的过程。
3、受激辐射下光谱线展宽的类型分为均匀展宽和⾮均匀展宽,其中均匀展宽主要⾃然展宽、碰撞展宽、热振动展宽,⾮均匀展宽主要有多普勒展宽与残余应⼒展宽。
4、常见的固体激光器有红宝⽯激光器、钕激光器或钛宝⽯激光器(写出两种),常见的⽓体激光器有 He-Ne激光器、CO激光器或Ar+激光器(写2出两种)。
5、光是⼀种以光速运动的光⼦流,光⼦和其它基本粒⼦⼀样,具有能量、动量和质量;其静⽌质量为 0 。
6、激光与普通光源相⽐具有如下明显的特点:⽅向性好、单⾊性好、相⼲性好,强度⼤。
7、设⼀个功率100W的灯泡向各个⽅向辐射的能量是均匀的,则其辐射强度为100/4π W/sr。
8、设⼀个功率100W的灯泡向各个⽅向辐射的能量是均匀的,则其在1m远处形成的辐射照度为100/4π W/m2。
9、设⼀个功率100W的灯泡向各个⽅向辐射的能量是均匀的,则其在2m远处形成的辐射照度为100/16π W/m2。
⼆、解答题1、简述光⼦的基本特性(10分)[答]:光是⼀种以光速运动的光⼦流,光⼦和其它基本粒⼦⼀样,具有能量、动量和质量。
它的粒⼦属性(能量、动量、质量等)和波动属性(频率、波⽮、偏振等)之间的关系满⾜:(1)ωνη==h E ;(2)22c h c E m ν==,光⼦具有运动质量,但静⽌质量为零;(3) k P ?η?=;(4)、光⼦具有两种可能的独⽴偏振态,对应于光波场的两个独⽴偏振⽅向;(5)、光⼦具有⾃旋,并且⾃旋量⼦数为整数,是玻⾊⼦。
2、简述激光产⽣的条件、激光器的组成及各组成部分的作⽤。
光电子学练习题
第一章 光与物质相互作用基础一、 名词解释1、辐射能、辐射通量、辐射出射度、辐射强度、辐射亮度、辐射照度;(包括定义和计算方式)2、光谱光视效能、视见函数;(包括定义和计算方式)3、光通量、发光强度、照度;(包括定义和计算方式)4、自发辐射、受激辐射、受激吸收二、 简答及计算题1、给出光子能量、动量、运动质量的表达式。
2、(1)光子状态的描述不同于宏观物体,对光子状态的描述有何特点?(2)什么是光子的简并现象?(3)给出“相格”、“光子简并度”概念。
3、在对热辐射的度量中,“辐射度学单位”和“光度学单位”的根本区别是什么?4、(1)在自发辐射过程中,高能级粒子数的变化规律是什么?给出其推导过程。
(2)在自发辐射过程中,辐射光强的变化规律是什么?给出其推导过程。
5、什么是跃迁过程中的谱线加宽现象?“没有绝对的单一波长的光波存在”这句话如何从能级跃迁的角度给以说明?6、(1)什么是辐射谱的线型函数?其物理意义是什么?(2)“均匀加宽”和“非均匀加宽”如何定义?(3)“碰撞加宽”属于均匀还是非均匀加宽?其起因是什么?(4)解释气体分子中由于多普勒效益引起的辐射谱线的非均匀加宽现象。
(5)写出均匀增宽与非均匀增宽线型函数的N v Δ与D v Δ的表达式,以及在半宽频率处的的表达式。
)(v g 8、(1)在T=1500K 的热平衡空腔中,腔内折射率1≈η,求m μλ5.0=的可见光的自发辐射功率与受激辐射功率之比。
(2)要使受激辐射功率超过自发辐射,辐射场的能量密度必须大于多少?9、波长为m μ51.0的绿光的光通量为100lm ,其视见函数5.0)(=λV ,入射到一屏幕上,求在1min 时间内该屏所接收的辐射能量。
10、说明v A Δγτ,,,21这4个量的物理意义及相互联系。
11、若激光器分别以m μλ10=和m μλ5.0=输出1W 的连续光功率,试求这两种情况下,每秒钟从激光上能级向下能级跃迁的粒子数分别是多少?12、设一对激光能级和1(2E E 12g g =),两能级间的跃迁频率为(对应波长为v λ),能级上的粒子数密度分别为和。
光电子(1,2章)复习题(1)
光电器件基础·期末复习指导第一章半导体光学基础知识[基本概念]1.光电子技术:光子技术和电子技术相结合而形成的一门技术。
2.光的波粒二象性:某物质同时具备波的特质及粒子的特质。
3.直接带隙半导体:导带底和价带顶在k 空间同一点的半导体4.间接带隙半导体:导带底和价带顶不在k 空间同一点的半导体5.内建电场:半导体pn结界面处两侧的离子带电类型不同,使得空间电荷层中存在着从n 型区一侧指向p 型区一侧的电场6.半导体异质结构:专指不同单晶半导体之间的晶体界面。
[基本理论]1.光的电磁波谱众所周知,光是一种电磁波。
如图1.5 所示,从无线电波到γ射线的整个电磁波谱中,光辐射只是从波长1 nm ~ 1 mm(频率为3×1011 Hz ~ 3×1017 Hz)范围内的电磁辐射,它包括真空紫外线、紫外线、可见光、红外辐射等部分。
可见光是波长为380 nm ~ 780 nm 的光辐射,这一波段范围内的电磁波被人眼所感知。
图1.5 光的电磁波谱2.pn 结的伏安特性pn 结加正向偏压时,通过pn 结的电流主要为扩散电流,电流随电压成指数增加;加负向偏压时,扩散运动受到严重抑制,通过pn 结的电流主要是很小的漂移电流。
这里仅给出电流电压关系为[exp(/)1]s a b J J eV K T =-其中0[]p n n p p n eD P eD n Js L L =+上式称为理想二极管方程。
它是在很大电流与电压范围内pn 结电流电压特性的最佳描述。
图1.17 为pn 结电流电压关系曲线。
假如V a 为负值(反向偏压),反偏电流会随着反偏电压的增大而迅速趋向于一个恒定值-J s ,与反向偏压的大小就无关了。
J s 称为反向饱和电流密度。
很显然,pn 结的电流电压特性是非对称的。
[综合问题]1.单晶硅、锗与砷化镓能带结构有何特点?硅和锗的能带结构有何特点:硅和锗的导带在布里渊区中心虽然都有极小值,但导带中最小的极小值却不在布里渊区中心Γ 点,如图1.10所示,硅导带中的最小极值在空间[1 0 0]方向上,Γ 点之间的距离约为Γ 点和X 点间距的5/6,锗导带中的最小极值在空间[1 1 1]方向上的L 点处。
光电子技术同步练习题1
西南科技大学《光电子技术》第一章练习试题一、单选题(20分,2分/题)1、电磁波具有的性质有()A. 电场、磁场和波的传播方向满足右手定则B. 具有偏振C. 电场和磁场相位同步D. 电场与磁场存在相互依存关系2、光辐射按照波长分为()A.紫外辐射B.可见光辐射C.红外辐射D.X射线辐射3、下面有关辐射度学与光度学的说法正确的有()A.辐射通量辐射度学中的基本量B.发光强度是光度学中基本量C.光度学只适用于可见光光波段D.余弦辐射体的辐射出射度只与辐射亮度有关4、一绝对黑体在温度T1 = 1450K时,辐射峰值所对应的波长为λ1,当温度降为725K时,辐射峰值所对应的波长为λ2,则λ1/λ2为()1. C. 2 . D. 1/2 .A. 2.B.25、原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光,它们所产生的光的特点是:()A. 两个原子自发辐射的同频率的光是相干的,受激辐射的光与入射光是不相干的B. 两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的,受激辐射的光与入射光是相干的C. 两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的,受激辐射的光与入射光是不相干的D. 两个原子自发辐射的同频率的光是相干的,受激辐射的光与入射光是相干的6、在激光器中利用光学谐振腔()A. 可提高激光束的方向性,而不能提高激光束的单色性B. 可提高激光束的单色性,而不能提高激光束的方向性C. 可同时提高激光束的方向性和单色性D. 即不能提高激光束的方向性,也不能提高激光束的单色性7、发生受激辐射时,产生激光的原子的总能量E n、电子的电势能E p、电子动能E k的变化关系是()A. E p增大、E k减小、E n减小B. E p减小、E k增大、E n减小C.E p增大、E k增大、E n增大D. E p减小、E k增大、E n不变8、处于基态的氢原子,能够从相互碰撞中或从入射光子中吸收一定的能量,由基态跃迁到激发态。
已知氢原子从基态跃迁到n=2的激发态需要吸收的能量为10.2eV,如果静止的氢原子受其他运动的氢原子的碰撞跃迁到该激发态,则运动的氢原子具有的动能()A.一定等于10.2eVB.一定大于10.2eV,且大的足够多C.只要大于10.2eV,就可以D.一定等于10.2eV的整数倍9、世界上第一台激光器是( )A. 氦-氖激光器B. 二氧化碳激光器C. 钕玻璃激光器D. 红宝石激光器10、随着激光器温度的上升,其输出光功率会( )A.减少B.增大C.保持不变D.先逐渐增大,后逐渐减少二、填空题(20分,2分/题)11、频率为600kHz到1.5MHz的电磁波其波长由m到m。
微纳光电子练习题
一、简答题:1. 套准精度的定义,套准容差的定义。
大约关键尺寸的多少是套准容差.套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力。
套准容差描述要形成图形层和前层的最大相对位移。
一般,套准容差大约是关键尺寸的三分之一。
2. 亚波长结构的光学特性。
亚波长结构的光学特性:--光波通过亚波长结构时,光的衍射消失,仅产生零级反射和透射,等效为薄膜,可用于抗反射元件和双折射元件;--采用空间连续变化的亚波长结构可获得偏振面的衍射,形成新型偏振器件;--表面等离子波亚波长光学利用表面等离子体波共振(SPR)原理:波导,小孔增强,局域增强等4. 微电子的发展的摩尔定律是什么?何谓后摩尔定律?集成电路芯片的集成度每三年提高4倍,而加工特征尺寸缩小倍,这就是摩尔定律5. 单晶、多晶和非晶的特点各是什么?单晶:几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置,即晶格位置;——有源器件的衬底非晶:如SiO2, 原子不具有长程有序,其中的化学键,键长和方向在一定的范围内变化;多晶:是彼此间随机取向的小单晶的聚集体,在工艺过程中,小单晶的晶胞大小和取向会时常发生变化,有时在电路工作期间也发生变化。
6. 半导体是导电能力介于___导体_____和___绝缘体_____之间的物质;当受外界光和热作用时,半导体的导电能力___明显变化______; _______往纯净的半导体中掺入某些杂质_______可以使半导体的导电能力发生数量级的变化。
7. 在光滑的金属和空气界面,为什么不能激发表面等离子体波?对于光滑的金属表面,因为表面等离子体波的波矢大于光波的波矢,所以不能激发表面等离子体波。
8. 磁控溅射镀膜工艺中,加磁场的主要目的是什么?将电子约束在靶材料表面附近,延长其在等离子体中运动的轨迹,提高与气体分子碰撞和电离的几率9. 谐衍射光学元件的优点是什么?高衍射效率、优良的色散功能、减小微细加工的难度、独特的光学功能10.描述曝光波长与图像分辨率的关系,提高图像分辨率,有哪些方法?K1 is the system constant 工艺因子:0.6~0.8NA = 2 ro/D, 数值孔径改进分辨率的方法增加NA减小波长减小K111. 什么是等离子体去胶,去胶机的目的是什么?氧气在强电场作用下电离产生的活性氧,使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O及其他气体而被带走;目的是去除光刻后残留的聚合物12. 硅槽干法刻蚀过程中侧壁是如何被保护而不被横向刻蚀的?通过控制F/C的比例,形成聚合物,在侧壁上生成抗腐蚀膜13. 折衍混合光学的特点是什么?折衍混杂的光学系统能突破传统光学系统的许多局限,在改善系统成像质量减小系统体积和质量等诸多方面表现出传统光学不可比拟的优势14. 刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
光电子习题1
一·光电子技术1)谐振子处于n ψ态下,计算()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆x x x ,()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆p p p ,?=∆⋅∆p x解:()2/1222/1222/12)(]2[x x x x x x x x x -=+-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆同理可得出:()2/1222/12)(p p p p p -=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆由本征函数的正交归一性可知:)(0)(1{*n m n m dx n m ≠==⎰∞+∞-ψψ由厄密(Hermite )多项式递推关系得:)]()2)(1()()12()()1([21)()](21)(2[1)(222211x n n x n x n n x x x n x n x x n n n n n n n +-+-+++++-=++=ψψψαψψψαψ则由以上三个公式可以得出:⎰⎰∞+∞-+-∞+∞-=++==0)](21)(2[1)(11**dx x n x n x dx x x n n n n n ψψαψψψ dx x n n x n x n n x dx x x x n n n n n n⎰⎰+∞∞-+∞∞-+-+++++-==)]()2)(1()()12()()1([21)()(222*2*2ψψψαψψψ ⎰+∞∞-+=dx x n x n n )()12(21)(2*ψαψ)12(212+=n α又 ωαm =2x ∴)12(212+=n αωωm n m n )21(212+=+= 由厄密(Hermite )多项式的求导公式可得:]212[)(11+-+-=n n n n n x dx d ψψαψ ])2)(1()12()1([2)(22222+-++++--=n n n n n n n n n x dx d ψψψαψ 则0]212[)()(11**=+--=∇-=⎰⎰+-dx n n i dx ih P n n n n n ψψαψψψwm n mw n n n dxn n n n n dx ih P n n n nn n)21(2)12(2)12()]12([2])2)(1()12()1([2)()(22222222*22*2+=+=+=+--=++++---=∇-=⎰⎰+-ααψψψαψψψ因此可以得出:()212122212])21[()(mwn x x x x x +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆,()212122212])21[()(w m n p p p p p +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆)21(.+=∆∆∴n p x2)荷电q 的谐振子,受到外电场ε的作用,x q x m x V εω-=2221)( (1)求能量本征值和本征函数。
半导体光电子学导论作业1
半导体光电子学导论第一章 半导体中光子-电子的相互作用6.推导伯纳德-杜拉福格条件,并说明其物理意义。
对于电子从价带向导带的受激吸收,其跃迁速率为)()()1(1212hv P hv f f B r red v v ρ-= (1) 而电子从导带向价带的受激发射的跃迁速率为)()()1(2121hv P hv f f B r red c c ρ-= (2)当被光子激励的半导体能带系统处在平衡态下并忽略导带电子自发辐射复合的影响时,受激发射与受激吸收速率是相等的,即有2112r r =。
但在有电子注入等非平衡条件下,就有可能使2112r r <,并令净r 为受激发射与受激吸收的速率之差,即2112r r r -=净 (3)将式(1)和式(2)代入式(3)可得)())((21hv P f f hv B r v c red -=ρ净 (4) 其中已考虑了爱因斯坦关系2112B B =,因为在净的受激发射下,必定有0>净r ,即式(4)必须满足V c f f > (5) c f 和v f 分别代表导带和价带中某一能量c E 和v E 为电子所占据的几率: 1)]exp(1[--+=Tk F E f B c c c (6) 1)]exp(1[--+=Tk F E f B v v v (7) 其中c F 和v F 为准费米能级,用来描述导带与价带载流子的分布。
将式(6)和式(7)代入式(5),并考虑到hv E E c v -=(hv 为光子能量),则有 )exp()exp(Tk F E T k F hv E B c c B v v ->-- (8) 或者更简单的表述为hv F F v c >- (9)对于带间跃迁的受激发射,需满足g E hv ≥,故式(9)还可以写为g E F ≥∆ (10) 式(7)及其演变式(8)和(9)即伯纳德-杜拉福格条件。
它是半导体中产生受激发射的必要条件,也可称为半导体激光器的粒子数反转条件,是半导体激光器得以成功的理论基础。
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一·光电子技术1)谐振子处于n ψ态下,计算()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆x x x ,()212⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆p p p ,?=∆⋅∆p x解:()2/1222/1222/12)(]2[x x x x x x x x x -=+-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆同理可得出:()2/1222/12)(p p p p p -=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆由本征函数的正交归一性可知:)(0)(1{*n m n m dx n m ≠==⎰∞+∞-ψψ由厄密(Hermite )多项式递推关系得:)]()2)(1()()12()()1([21)()](21)(2[1)(222211x n n x n x n n x x x n x n x x n n n n n n n +-+-+++++-=++=ψψψαψψψαψ则由以上三个公式可以得出:⎰⎰∞+∞-+-∞+∞-=++==0)](21)(2[1)(11**dx x n x n x dx x x n n n n n ψψαψψψ dx x n n x n x n n x dx x x x n n n n n n⎰⎰+∞∞-+∞∞-+-+++++-==)]()2)(1()()12()()1([21)()(222*2*2ψψψαψψψ ⎰+∞∞-+=dx x n x n n )()12(21)(2*ψαψ)12(212+=n α又 ωαm =2x ∴)12(212+=n αωωm n m n )21(212+=+= 由厄密(Hermite )多项式的求导公式可得:]212[)(11+-+-=n n n n n x dx d ψψαψ ])2)(1()12()1([2)(22222+-++++--=n n n n n n n n n x dx d ψψψαψ 则0]212[)()(11**=+--=∇-=⎰⎰+-dx n n i dx ih P n n n n n ψψαψψψwm n mw n n n dxn n n n n dx ih P n n n nn n)21(2)12(2)12()]12([2])2)(1()12()1([2)()(22222222*22*2+=+=+=+--=++++---=∇-=⎰⎰+-ααψψψαψψψ因此可以得出:()212122212])21[()(mwn x x x x x +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆,()212122212])21[()(w m n p p p p p +=-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡-=∆)21(.+=∆∆∴n p x2)荷电q 的谐振子,受到外电场ε的作用,x q x m x V εω-=2221)( (1)求能量本征值和本征函数。
解:222222222)(2121)(mwq mw q x mw x q x m x V εεεω--=-= 则令222'22,mw q E E mw q x X εε+=-=,哈密顿算符222222222212mw q X mw dx d m H ε-+-=∧ 因此本征函数为ψψψ'22222212E X mw dx d m =+- ,其中222'22,mwq E E mw qE x X ε+=-= 则特征解为:2202/)()(x X x Xn n n eH N X -=ψ, ,.....2,1,0,)21('=+=n w n E n 能量本征值为:,......2,1,0,2)21(2222222'=-+=-=n mw q w n mw q E E nn εε 3)设粒子在下列势阱中运动,⎪⎩⎪⎨⎧><∞=.0,21,0,)(22x x m x x V ω 求粒子能级。
解:由已知条件可知,粒子不能穿过0<x 区域,所以0<x 时,0)(=x n ψ 由函数的连续性可知:0)0(=n ψ 而当0>x 时,2221)(x m x V ω=,此时与一维线性谐振子的情况相符。
此时又有0)0(=n ψ,因此可知偶宇称情况不成立,振子只具有,..)2,1,0(12=+=k k n 的奇宇称情况。
所以,.....2,1,0,)223()21(=+=+=k w k w n E 或者,.....5,3,1,)21(=+=n w n E4)利用测不准关系估算谐振子的基态能量。
解:假设该谐振子为沿x 轴方向的一维线性谐振子,则该谐振子的能量为:22222212/2121x mw m p kx mv E +=+=由于振子在平衡位置附近振动,所以取p p x x ≈∆≈∆,,则222)(212)(x mw m p E ∆+∆=因为测不准关系为:2. ≥∆∆p x ,取等号,则xp ∆=∆2因此2222)(21)(8x mw x m E ∆+∆= 因为当位于基态时能量E 最小,因此:0)()(4)(23222=∆+∆-=∆x mw x m x d E d 此时mw x 2 =∆,则基态能量为:w E 21min = 若当谐振子处于三维状态下,同理可得:w E ox 21=,w E w E oz oy 21,21== 谐振子处于三维状态下的基态能量为:w E E E E oz oy ox 23=++=二·光电子技术1.已知厄米算符z L 有三个本征值,按序排列为 -,0,,在z L 表象中,y L 的矩阵为⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛--=0000022ˆi i i i L y ,(a )求y L 的本征值和归一化本征函数,(b )以它们为基组,可以建立y L 表象,求从z L 表象到y L 的么正矩阵,(c )并求出z L 在y L 表象中的矩阵表示。
解:z Z L L 在∧自身表象中的矩阵表示为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=1000000010000000 z L 这是一个对角阵,对角元即本征值。
z L ∴表象的基组在z L 表象中得表示为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡==001 z l ,⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡==0100z l ,⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=-=100 z l (a )设y L 在z L 表象中得本征矢为⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡c b a ,本征值方程为: ⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡--c b a c b a l c b a i y λ 010******** 其中 λ=y l 为本征值,待定。
此式也可改写成:0202202=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-----c b a i i ii λλλ (a ) 方程解为:022202=-----λλλi ii i 将行列式展开后得出:03=+-λλ,1,0±=λ于是y l 也有三个本征值,按从大到小的次序排列为: -=,0,y l 分别以1,0,1-=λ代入(a )式,解出a,b,c 的关系,再归一化1),,(***=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡c b a c b a对归一化常数选取适当的不定因子(取α=0),可有:⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡-==212221i l y ,⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡==220220y l ,⎥⎥⎥⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎢⎢⎢⎣⎡--=-=212221i l y(b )以这三个本征矢作列向量,所构成的矩阵就是从z L 表象到y L 的么正变换矩阵:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡---=12120212121i iS (c )y L 在自身表象中得表示为对角的,对角元即本征值,z L 在y L 表象中得表示可由S L S L z z +='求出(实际地做三个矩阵的乘法),结果为:⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡=⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡-=010*******,0000000'' z y L L ⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡--=000002'i i i i L z2.证明:ˆˆˆˆˆˆ,cos sin ,,sin cos Ni N i φφφφ⎡⎤⎡⎤=-=⎣⎦⎣⎦证明: )(21cos ∧∧-∧+=φφφi i e e ;)(21sin ∧∧-∧-=φφφi i e e i∴],[21],[21)](21,[]cos ,[∧∧∧∧-∧∧-∧∧∧+=+=φφφφφi i i i e N e N e e N N ;],[21],[21)](21,[]sin ,[∧∧∧∧-∧∧-∧∧∧-=-=φφφφφi i i i e N ie N i e e i N N又 ∧∧+=∧a N e i 11φ;11ˆ+=∧+-∧N a e i φ;aa N ˆ],[-=∧∧;]ˆ,[+∧a N =+a ˆ ∴=∧∧],[φi e N =+-=+=+∧∧∧∧∧∧∧∧1],[11]11,[N a a N N a N N ∧-φi e=∧-∧],[φi eN =+=+=+∧++∧∧∧+∧1ˆ]ˆ,[11]11ˆ,[N aaN N N aN ∧-φi e∴],[21],[21]cos ,[∧∧-∧∧∧∧+==φφφi i e N e N N =--=+-=∧∧∧∧--)(2121)(21φφφφi i i i e e e e ∧-φsin i],[21],[21]sin ,[∧∧-∧∧∧∧-=φφφi i e N i e N i N =∧--=+=--∧∧∧∧φφφφφcos )(221)(21i e e i e i e i i i i i三·光电子技术1. 何为电光晶体半波电压?半波电压由晶体那些参数决定?解:光波在光晶体中传播时,当光波的两个垂直分量Ex’,Ey’的光程差为半个波长时(对应的相位差为180度)所需要加的电压,称为半波电压。
半波电压由晶体的折射率,波长,晶体厚度,非线性系数决定。
2. 一纵向运用的KDP 电光调制器,长为2cm ,折射率n =2.5,工作频率为1000kHz 。
试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。
解:渡越时间 τ=cnL=2.5⨯0.02÷(3⨯108)≈1.67⨯10-10S 相位延时∆ϕ(t )=e e m mi m i t t i t d t E n ac τττωτωωϕ)1()(---∆=''⎰ 其中f m =τ414=nL c ωm =τπ2 3. 在电光调制器中,为了得到线性调制,在调制器中插入一个λ/4波片,波片的轴向如何设置最好?若旋转λ/4波片,它所提供的直流偏置有何变化?解:其快慢轴与晶体的主轴x 成45︒角,从而使E x ’和E y ’两个分量之间产生π/2固定相位差。
总相位差为∆ϕ=∆θ+∆ϕm 其中△ϕm = πV/V π 获得线性调制,调制器的电压偏置T =50%的工作点上。