东南大学信息学院模电答案作业题

，
IDQ、VGSQ
gm 2
CoxW
2l
I DQ , rds

3-7 双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已
知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0， 要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。
解:
I DQ

n CoxW
2l
(VGS
VGS(th) )VDS
VO VDS VI I D R
VO
VGS越大,MOS管电阻越小
习题
第三章
3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V， ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l)
是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
解:
ID

nCoxW
2l
(VGS
VGS(th) )2
I D1 (W / l)1 I D2 (W / l)2
3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的 pCoxW 2l 80μA/ V2 VGS(th) 1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、 VDSQ、gm 、rds值 。
解:
I DQ

nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 4 (IDQ ) IDQ 4
解: (a): N沟道, JFET (b): N沟道, DMOS FET (c): P沟道, DMOS FET
3-15 由有源电阻构成的分压器如图P3-15所示，设各管 pCoxW (2l)
相同，|VGS(th)|=1V、 =0，试指出各管工作区及其VO值。
解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在饱和区; (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在饱和区; (c): VO=5 V,MOS管都工作在饱和区.
3-16 图P3-16所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作
,在VG非S(th饱)=1和.5区V，，试VI=分20别0m求V出，VGnSC=2ox.W5V、(2l3)V时0.的01VmOA值/，V2并进行
分析.
解:
ID

n CoxWΒιβλιοθήκη Baidu
2l
[(VGS
VGS(th) )VDS
VD2S ]

nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 0 (5 RSIDQ ) 5 RSIDQ
VGSQ 3V
RS 5k, RD 10k
3-13 各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别 指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)值，并画出|VDS| =5V 时相应的转移特性。