光电二极管教程

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光电二极管教程

工作原理

结光电二极管是一种基本器件,其功能类似于一个普通的信号二极管,但在结半导体的耗尽区吸收光时,它会产生光电流。光电二极管是一种快速,高线性度的器件,在应用中具有高量子效率,可应用于各种不同的场合。

根据入射光确定期望的输出电流水平和响应度是有必要的。图1描绘了一个结光电二极管模型,它由基本的独立元件组成,这样便于直观了解光电二极管的主要性质,更好地了解Thorlabs光电二极管工作过程。

图1: 光电二极管模型

光电二极管术语

响应度

光电二极管的响应度可以定义为给定波长下,产生的光电流(I PD)和入射光功率(P)之比:

工作模式(光导模式和光伏模式)

光电二极管可以工作在这两个模式中的一个: 光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置)。工作模式的选择根据应用中速度和可接受暗电流大小(漏电流)而定。

光导模式

处于光导模式时,有一个外加的偏压,这是我们DET系列探测器的基础。电路中测得的电流代表器件接受到的光照; 测量的输出电流与输入光功率成正比。外加偏压使得耗尽区的宽度增大,响应度增大,结电容变小,响应度趋向直线。工作在这些条件下容易产生很大的暗电流,但可以选择光电二极管的材料以限制其大小。(注: 我们的DET器件都是反向偏置的,不能工作在正向偏压下。)

光伏模式

光伏模式下,光电二极管是零偏置的。器件的电流流动被限制,形成一个电压。这种工作模式利用了光伏效应,它是太阳能电池的基础。

当工作在光伏模式时,暗电流最小。

暗电流

暗电流是光电二极管有偏压时的漏电流. 工作在光导模式时, 容易出现更高的暗电流, 并与温度直接相关. 温度每增加 10 °C, 暗电流几乎增加一倍, 温度每增加 6 °C, 分流电阻增大一倍. 显然, 应用更大的偏压会降低结电容, 但也会增加当前暗电流的大小.

当前的暗电流也受光电二极管材料和有源区尺寸的影响. 锗器件暗电流很大, 硅器件通常比锗器件暗电流小.下表给出了几种光电二极管材料及它们相关的暗电流, 速度, 响应波段和价格.

Material Dark Current Speed Sensitivity* Cost Silicon (Si) Low High Speed 400 - 1000 nm Low Germanium (Ge) High Low Speed 900 - 1600 nm Low Gallium Phosphide (GaP) Low High Speed 150 - 550 nm Moderate Indium Gallium Arsenide (InGaAs) Low High Speed 800 - 1800 nm Moderate Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs) High High Speed 1200 - 2600 nm High * 代表近似值

结电容

结电容(C j)是光电二极管的一个重要性质,对光电二极管的带宽和响应有很大影响。需要注意的是,结区面积大的二极管结体积也越大,也拥有较大的充电电容。在反向偏压应用中,结的耗尽区宽度增加,会有效地减小结电容,增大响应速度。

带宽和响应

负载电阻和光电二极管的电容共同限制带宽。要得到最佳的频率响应,一个50欧姆的终端需要使用一条50欧姆的同轴电缆。带宽(f BW)和上升时间响应(t r)可以近似用结电容(C j)和负载电阻(R load)表示:

终端电阻

使用负载电阻将光电流转换为电压(V OUT)以便在示波器上显示:

根据光电二极管的类型,负载电阻影响其响应速度。为达到最大带宽,我们建议在同轴电缆的另一端使用50欧姆的终端电阻。其与电缆的本征阻抗相匹配,将会最小化谐振。如果带宽不重要,您可以增大负载电阻(R load),从而增大给定光功率下的光电压。终端不匹配时,电缆的长度对响应影响很大,所以我们建议使电缆越短越好。

分流电阻

分流电阻代表零偏压下光电二极管的结电阻。理想的光电二极管分流电阻无限大,但实际值可能从十欧姆到几千兆欧不等,与其材料有关。例如,InGaAs探测器分流电阻在10兆欧姆量级,而Ge探测器的分流电阻在千欧量级。这会显著影响光电二极管的噪声电流。然而,在大部分应用中,大电阻几乎不产生效应,因而可以忽略。

串联电阻

串联电阻是半导体材料的电阻,这个小电阻通常可以忽略。串联电阻来自于光电二极管的触点和线接头,通常用来确定二极管在零偏压下的线性度。

通用工作电路

图2:反向偏压电路(DET 系列探测器)

DET系列探测器有上面所示的模块化电路。探测器反向偏置对输入光产生线性响应。光电流的大小与入射光大小以及波长有关,输出端加一个负载电阻就可以在示波器上显示。RC滤波电路的作用是滤掉输入电源的高频噪声,这些噪声会影响输出端的噪声。

图3:放大探测器电路

也可以用光电探测器加放大器来实现所需要的高增益。用户可以选择工作在光导模式和光伏模式。使用这个有源电路有几个优势:

•光伏模式:由于运算放大器A点电势和B点电势相等,因而光电二极管两端的电势差为零伏。这样最小化了暗电流的可能•光导模式:二极管反向偏置,于是增大了带宽降低了结电容。探测器的增益与反馈元件(R f)有关。探测器的带宽可用下面的式子计算:

其中GBP是放大器增益带宽积,C D是结电容和放大器电容之和。

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