电力电子技术考试试题
电子电力技术考试试题
电子电力技术考试试题一、选择题（每题 2 分，共 40 分）1、下列不属于电力电子器件的是（）A 晶闸管B 晶体管C 电阻D 场效应管2、电力电子器件一般工作在（）状态。
A 导通B 截止C 开关D 放大3、晶闸管导通的条件是（）A 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加正电压B 阳极加正电压，阴极加负电压，门极加负电压C 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加正电压D 阳极加正电压，阴极加正电压，门极加负电压4、以下哪种电力电子器件属于电流驱动型器件（）A IGBTB GTOC MOSFETD SCR5、电力电子技术中，用于实现交流变直流的电路称为（）A 整流电路B 逆变电路C 斩波电路D 变频电路6、在单相桥式全控整流电路中，带电阻负载，控制角α的移相范围是（）A 0°～90°B 0°～180°C 90°～180°D 0°～360°7、三相桥式全控整流电路带电阻负载，当控制角α=30°时，输出电压的平均值为（）A 234U₂B 117U₂C 135U₂D 217U₂8、下列属于无源逆变电路的是（）A 直流斩波电路B 晶闸管相控整流电路C 交直交变频电路D 电压型逆变电路9、电流型逆变电路的特点是（）A 直流侧串联大电感B 直流侧并联大电容C 交流侧电流为正弦波D 交流侧电压为正弦波10、以下哪种斩波电路的输入输出电流均连续（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 升降压斩波电路D Cuk 斩波电路11、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特点是（）A 驱动功率大B 开关速度慢C 通态压降高D 输入阻抗高12、电力电子器件在实际应用中，需要考虑的参数有（）A 额定电压B 额定电流C 通态压降D 以上都是13、电力电子装置中，用于缓冲电路中电压和电流变化的元件是（）A 电阻B 电容C 电感D 二极管14、软开关技术的主要目的是（）A 降低开关损耗B 提高开关频率C 减小电磁干扰D 以上都是15、下列哪种控制方式常用于交流调速系统（）A 恒压频比控制B 矢量控制C 直接转矩控制D 以上都是16、在电力电子系统中，用于检测电流的传感器通常是（）A 电压互感器B 电流互感器C 霍尔传感器D 光电传感器17、电力电子系统中的保护电路通常包括（）A 过压保护B 过流保护C 短路保护D 以上都是18、下列哪种电路可以实现直流电压的升压变换（）A 降压斩波电路B 升压斩波电路C 反激式变换电路D 正激式变换电路19、对于 PWM 控制技术，以下说法错误的是（）A 可以改变输出电压的幅值B 可以改变输出电压的频率C 可以改变输出电压的相位D 可以实现能量的双向流动20、电力电子技术在下列哪个领域应用广泛（）A 电力系统B 交通运输C 工业控制D 以上都是二、填空题（每题 2 分，共 20 分）1、电力电子技术包括、、三个部分。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
最全电力电子技术试题及答案
最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
电力电子技术试题及答案
《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术习题(附参考答案)
电力电子技术习题（附参考答案）一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、150°B、180°C、120°D、90°正确答案：B2、电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )。
A、共三只B、共四只C、各一只D、各二只正确答案：C3、单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、90°C、120°D、150°正确答案：B4、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）。
A、α无法确定B、0.5<α<1C、0<α<0.5D、以上说法均是错误的正确答案：C5、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、30～35B、20～25C、10～15D、40～45正确答案：A6、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下正确答案：A7、电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A8、在晶闸管整流电路中，变压器二次侧所供给的有功功率P＝（）A、I2RdB、I2dRdC、UIdD、U2Id正确答案：D9、正弦波脉冲宽度调制英文缩写是（）。
A、PWMB、PAMC、SPWMD、SPAM正确答案：C10、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、干扰信号和触发信号B、干扰信号C、触发电流信号D、触发电压信号正确答案：B11、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、关断状态B、饱和状态C、不定D、导通状态正确答案：A12、单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、0度-90度B、0度C、90度-180度D、180度-360度正确答案：A13、IGBT属于（）控制型元件。
电力电子技术考试试卷
电力电子技术考试试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术是研究什么的学科？A. 电力系统的运行与控制B. 电力设备的设计与制造C. 电力电子器件的工作原理和应用D. 电力系统的经济性分析2. 以下哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 变压器D. 功率模块（PM）3. 电力电子变换器中的整流器主要功能是什么？A. 将交流电转换为直流电B. 将直流电转换为交流电C. 将高压电转换为低压电D. 将交流电的频率进行调节4. PWM控制技术在电力电子技术中主要应用在哪些方面？A. 电机速度控制B. 照明调光C. 电网频率调节D. 所有以上选项5. 电力电子系统中的开关损耗主要由什么引起？A. 电流的变化率B. 电压的变化率C. 电流和电压的乘积D. 器件的热阻6. 以下哪个是电力电子技术中常见的软开关技术？A. 零电压开关（ZVS）B. 零电流开关（ZCS）C. 零电压零电流开关（ZVZCS）D. 所有以上选项7. 电力电子系统中的谐波产生的主要原因是什么？A. 电源的不稳定B. 负载的非线性特性C. 电网的干扰D. 电力电子器件的老化8. 电力电子技术中，同步整流技术的主要优点是什么？A. 提高系统的功率因数B. 减少系统的体积和重量C. 降低系统的电磁干扰D. 减少开关损耗，提高效率9. 电力电子技术中，为什么需要进行电磁兼容性（EMC）设计？A. 为了提高系统的可靠性B. 为了满足安全标准C. 为了减少对其他设备的干扰D. 所有以上选项10. 以下哪个不是电力电子技术中的控制策略？A. 线性控制B. 非线性控制C. 模糊控制D. 遗传算法控制二、简答题（每题10分，共20分）1. 请简述电力电子技术在新能源领域的应用。
2. 简述电力电子技术中软开关技术的优点及其实现方式。
三、计算题（每题15分，共30分）1. 假设一个单相桥式整流电路，负载为纯电阻性，输入电压为220V交流电，求整流后的直流电压值。
电力电子技术测试 选择题 59题
1. 电力电子技术主要涉及哪种类型的电子器件？A. 微电子器件B. 功率电子器件C. 光电子器件D. 传感器2. 下列哪种器件不属于电力电子器件？A. 晶闸管B. 二极管C. 晶体管D. 光电二极管3. 晶闸管的主要功能是什么？A. 放大信号B. 开关控制C. 信号转换D. 信号检测4. 下列哪种电力电子器件具有单向导电性？A. 晶闸管B. 双向可控硅C. 二极管D. IGBT5. IGBT的全称是什么？A. Insulated Gate Bipolar TransistorB. Integrated Gate Bipolar TransistorC. Insulated Gate Bipolar TransformerD. Integrated Gate Bipolar Transformer6. 在电力电子系统中，IGBT常用于哪种应用？A. 高频信号处理B. 低功率开关C. 高电压大电流开关D. 信号放大7. 下列哪种器件适用于高频开关应用？A. MOSFETB. 晶闸管C. 双向可控硅D. 二极管8. 电力电子技术中的PWM是什么的缩写？A. Pulse Width ModulationB. Pulse Wave ModulationC. Power Width ModulationD. Power Wave Modulation9. PWM技术主要用于控制什么？A. 电压B. 电流C. 功率D. 频率10. 在电力电子系统中，软开关技术的主要目的是什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积11. 下列哪种电力电子器件具有自关断能力？A. 晶闸管B. 双向可控硅C. IGBTD. 二极管12. 电力电子技术中的SPWM是什么的缩写？A. Sine Pulse Width ModulationB. Sine Power Width ModulationC. Sine Pulse Wave ModulationD. Sine Power Wave Modulation13. SPWM技术主要用于哪种应用？A. 直流电机控制B. 交流电机控制C. 电源管理D. 信号处理14. 在电力电子系统中，下列哪种器件适用于高电压应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅15. 电力电子技术中的DC-DC转换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换16. 下列哪种电力电子器件适用于高功率应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅17. 电力电子技术中的AC-DC转换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换18. 下列哪种电力电子器件适用于低电压应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅19. 电力电子技术中的DC-AC转换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换20. 下列哪种电力电子器件适用于高频应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅21. 电力电子技术中的AC-AC转换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换22. 下列哪种电力电子器件适用于高效率应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅23. 电力电子技术中的谐振变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换24. 下列哪种电力电子器件适用于高可靠性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅25. 电力电子技术中的软开关技术主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积26. 下列哪种电力电子器件适用于高稳定性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅27. 电力电子技术中的功率因数校正主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积28. 下列哪种电力电子器件适用于高精度应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅29. 电力电子技术中的多电平变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换30. 下列哪种电力电子器件适用于高灵活性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅31. 电力电子技术中的矩阵变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换32. 下列哪种电力电子器件适用于高集成度应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅33. 电力电子技术中的有源滤波器主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积34. 下列哪种电力电子器件适用于高安全性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅35. 电力电子技术中的无源滤波器主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积36. 下列哪种电力电子器件适用于高环境适应性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅37. 电力电子技术中的电压源逆变器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换38. 下列哪种电力电子器件适用于高动态响应应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅39. 电力电子技术中的电流源逆变器主要用于什么？A. 电压转换C. 功率转换D. 频率转换40. 下列哪种电力电子器件适用于高功率密度应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅41. 电力电子技术中的双向变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换42. 下列哪种电力电子器件适用于高能效应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅43. 电力电子技术中的单相变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换44. 下列哪种电力电子器件适用于高可靠性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅45. 电力电子技术中的三相变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换46. 下列哪种电力电子器件适用于高稳定性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅47. 电力电子技术中的多级变换器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换48. 下列哪种电力电子器件适用于高精度应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅49. 电力电子技术中的软开关技术主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积50. 下列哪种电力电子器件适用于高灵活性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅51. 电力电子技术中的功率因数校正主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积52. 下列哪种电力电子器件适用于高安全性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅53. 电力电子技术中的有源滤波器主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积54. 下列哪种电力电子器件适用于高环境适应性应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅55. 电力电子技术中的无源滤波器主要用于什么？A. 提高效率B. 降低成本C. 增加功率D. 减少体积56. 下列哪种电力电子器件适用于高动态响应应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅57. 电力电子技术中的电压源逆变器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换58. 下列哪种电力电子器件适用于高功率密度应用？A. MOSFETB. IGBTC. 晶闸管D. 双向可控硅59. 电力电子技术中的电流源逆变器主要用于什么？A. 电压转换B. 电流转换C. 功率转换D. 频率转换答案：1. B2. D3. B4. C5. A6. C7. A8. A9. A10. A11. C12. A13. B14. C15. A16. B17. A18. A19. D20. A21. D22. A23. A24. B25. A26. B27. A28. A29. A30. A31. A32. A33. A34. B35. A36. B37. A38. A39. B40. A41. A42. A43. A44. B45. A46. B47. A48. A49. A50. A51. A52. B53. A54. B55. A56. A57. A58. A59. B。
电力电子技术试卷（含答案）
电力电子技术试卷（含答案）一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。
6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。
二．单选（共10分，2分/题）1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。
A．180OB.90OC.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。
A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术试题20套答案
20套答案第一套题答案!一、填空题（共8小题，每空1分，共20分)1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关3、空1 载波比；空2 同步;空3 分段同步4、空1 冲量;空2 形状5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空27、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1;空2 V1；空3 VD2;空4 V2;空5 VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B）2、（D）3、（C）4、（C）5、（D)6、(A)7、（C）8、（B)9、（A）10、(B）三、简答题（共3 小题，共22分)1、(7分)晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：(1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2)增加负载回路中的电阻。
（2分）2、(8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分)（2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。
为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管.（3分）3、（7分)（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源,且极性必须与直流电流方向一致,其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于β〈90°区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反,才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。
这两个条件缺一不可。
（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。
当逆变角太小时，也会发生逆变失败.（3分)四、作图题(共 2 小题,每题12分,共24分）1、（12分）晶闸管VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6主电路电压+Uu -Uw +Uv -Uu +Uw -Uv同步电压UsU —UsW UsV -UsU UsW —UsV 2、（12分)五、计算题（共1 小题,20分)1、(1）(a)Ud=0。
电力电子技术考试试卷
电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）1．电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.2、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。
3．电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。
.4. 电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
5、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。
6、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
7、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。
8、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。
9、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。
10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。
二、判断题（每题1分，共10分）1、晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。
（错）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。
（错）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。
（对）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。
（错）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。
（对）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。
（对）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。
( 错)8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。
（对）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。
（错）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。
电力电子技术试题20套及答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题(卷)20套与答案解析
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。
4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术习题与参考答案
电力电子技术习题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～90C、0～180D、0～150正确答案：A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。
A、0°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、30°～150°正确答案：A3.电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A4.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D5.在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案：A6.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、40～45B、20～25C、10～15D、30～35正确答案：D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α＜л/2C、α＞л/2D、α=л/3正确答案：C8.可实现有源逆变的电路为（）。
A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案：D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案：B10.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、120度，B、60度C、0度D、30度正确答案：D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案：C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、15°～125°B、30°～150C、0°～150°D、0°～120°正确答案：C13.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案：D14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子技术试题20套及答案
电⼒电⼦技术试题20套及答案考试试卷( 1 )卷⼀、填空题（本题共8⼩题，每空1分，共20分）1、电⼦技术包括______________和电⼒电⼦技术两⼤分⽀，通常所说的模拟电⼦技术和数字电⼦技术就属于前者。
2、为减少⾃⾝损耗，提⾼效率，电⼒电⼦器件⼀般都⼯作在_________状态。
当器件的⼯作频率较⾼时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之⽐称为_____________，当它为常数时的调制⽅式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若⼲频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之⽐为桓定的调制⽅式称为___分段同步_________调制。
4、⾯积等效原理指的是，___冲量______相等⽽__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最⼤的是__GTO_，应⽤最为⼴泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最⼤反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最⼤正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路⼯作过程中各时间段电流流经的通路(⽤V1,VD1,V2,VD2表⽰)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；⼆、选择题（本题共10⼩题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制⼯作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下⾯说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发⾓⼤于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓⼩于180度B、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常⼯作C、晶闸管的触发⾓⼩于电路的功率因素⾓正常⼯作并达到稳态时，晶闸管的导通⾓为180度D、晶闸管的触发⾓等于电路的功率因素⾓时，晶闸管的导通⾓不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所⽰，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是：A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案：A2.( ) 电压型逆变器输出波形为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为：A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案：B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有：A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案：A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。
答案：晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中，每个器件的导通时间为单个周期的_______________。
答案：1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。
答案：PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。
答：电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。
其优点主要包括：•可以实现能量的调节、转换和控制，提高能源利用效率；•可以精确控制电机的运行状态，实现电动机的调速和起停；•可以实现高效、精确、稳定的电力输出，并且对电网负荷的影响小。
其中，逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。
逆变器能将直流电转换为交流电，广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。
2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。
答：电力电子系统广泛应用于以下场景中：•钢铁、冶金、矿山等重工业领域：逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。
电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。
电力电子技术测试题(含参考答案)
电力电子技术测试题（含参考答案）一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、相半波可控整流电路阻性负载，触发角大于30°，晶闸管各自导通不可能为（）。
A、60°B、180°C、30°D、90°正确答案：B2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（）。
A、2.5～3倍B、1.5～2倍C、3～3.5倍D、2～2.5倍正确答案：B3、三相半波可控整流电路阻感负载，触发角移动范围为（）。
A、0º-180°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-150°正确答案：B4、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、绝缘栅双极晶体管B、门极可关断晶闸管C、电力晶体管D、电力场效应晶体管正确答案：B5、不带二极管续流的单相全控桥式整流电路阻感负载最大触发角度是（）。
A、360°B、0°C、180°D、90°正确答案：D6、通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式称为（）。
A、频率控制B、电力控制C、相位控制D、斩波控制正确答案：C7、三相桥式全控整流电路，共阳极组的晶闸管是（）。
A、VT1，VT3，VT4B、VT2，VT4，VT6C、VT1，VT3，VT5D、VT1，VT2，VT5正确答案：B8、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
A、晶闸管与MOSFETB、二极管与晶闸管C、GTR与GTOD、GTR与MOSFET正确答案：B9、升降压斩波电路，当导通比a（）时，可以实现升压。
A、0<a<1/2B、1<a<2C、2<a<3D、1/2<a<1正确答案：D10、（）不属于换流技术。
A、逆变B、电力电子器件制造C、整流D、斩波正确答案：B11、α大于 ( ) 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于断续状态。
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电力电子技术考试试题
华南农业大学期末考试试卷(A卷)
学号姓名年级专业
题号一二三四总分
得分
评阅人
一、填空题(每题2分，共20分)
1．电压驱动型电力电子器件有，电流驱动型电力电子器件有。
2．全控型电力电子器件有，半控型电力电子器件有，不控型电力电子器件有。
3．晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等，其中电流定额参数包括通态平均电流和、、浪涌电流等。
4．缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的
、，以减小器件的开关损耗。
5．单相半波可控整流电流带电阻性负载，其触发角的移相范围是；
由于其输出脉动大，变压器二次侧电流中含有直流成分，造成变压器铁心的，所以在实际中很少使用。
6．单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大)，其触发角的移相范围是；此时晶闸管的导通角是。
7．采用单相桥式半控型整流电路可能会发生现象，
可以采用 加以解决。
8． 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++，其中δ表示
，γ表示 ，
θ'表示安全裕量角。
9． 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的，一般要求负载
较重或者 。
10． 横向换流三相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是 ；
纵向换流三相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是 。
二、 判断题 (每题1分，10题共10分，对√、错×)
1． 电力系统中整流二极管一般是硅管。
( ) 2． GTR 集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后，如果集电极电流不
超过最大允许耗散功率时对应的限度，GTR 一般不会损坏。
（ ） 3． 晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题，对静态和动态的均压和均
流解决方法是相同的。
（ ） 4． 漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的，应尽量减小或消除。
（ ） 5． 大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并
联电路的连接方式。
（ ） 6． 三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法，其A 、B 相的自然换相点
相差120度。
（ ） 7． 交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。
（ ） 8． 用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，减少
其谐波分量。
（ ） 9． 面积等效原理是PWM 控制技术的理论基础。
（ ） 10． PWM 整流电路可以实现静止无功功率发生器的功
能。
（）
三、简答题(每题6分，5题共30分)
1.门极断路时，晶闸管承受正向阳极电压它会导通吗？若真的导通，是什么
情况？
2.可控整流电路可以工作在有源逆变状态，实现电能的回馈，说明有源逆变
工作的条件。
3.说明交交直接变频方式的特点和局限性。
4.说明换流方式及其应用特点。
5. 分别说明电流型逆变器和电压型逆变器的特点。
四、 分析计算题(5题共40分) 1.
利用双晶体管模型说明GTO 的工作原理及其与SCR 的异同点(从结构上、工作状态上分析)。
R N PN
PN P
G S
E G
I G A
I K
I c2
I c1
I A
V 1V 2
P 1
A
G
K N 1P 2
P 2N 1
N 2a)
b)
2.三相正弦晶闸管桥式整流电路，输入的交流电源线电压有效值为380V，触
发角为30度，电阻性负载为100欧姆。
试计算负载的平均电流和说明晶闸管实际承受的最大正反向电压。
3.
在下图所示的斩波电路中，E=100V ，L 足够大，R=5Ω，EM=30V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当ton=5μs 时，计算输出电压平均值 Uo ，输出电流平均值Io 。
E
+
-
L
i o
E M
u o
i G
M
4.
一调光台灯由单相交流调压电路供电，设该台灯可看作电阻负载，在α=0 时输出功率为最大值，试求功率为最大输出功率的 80%时的开通角α。
5.说明滞环比较方式的PWM电流跟踪单相半桥逆变的控制原理？
负载
L
+
图6-22
-
i
i
i*
VD1
V
D2
V1
V2
2
U d
2
U d
O
图6-23
t
i i i*
+∆ I
i*
-∆ I
i*。