sentaurus中文教程.pdf

目录

Sentaurus TCAD培训 (1)

工具简介 (2)

A．TCAD是什么？（10分钟） (2)

A.1TCAD与半导体工业 (2)

A.2工艺模拟 (2)

A.3器件模拟 (2)

B．TCAD包含哪些工具？（20分钟） (3)

B.1Sentaurus Workbench (3)

B.2Ligament (4)

B.3Sentaurus Process (4)

B.4Sentaurus Structure Editor（SDE） (5)

B.5Mesh and Noffset3D (5)

B.6Sentaurus Device (6)

B.7Tecplot SV (6)

B.8Inspect (7)

B.9Calibration Kit (7)

SWB (8)

A.Getting Started（15分钟） (8)

A.1概述 (8)

A.2启动SWB (8)

B.运行工程（30分钟） (9)

B.1加载SWB工程 (9)

B.2改变树的显示属性 (10)

B.3清空工程目录 (10)

B.4运行工程 (10)

B.5查看输出结果 (11)

C.创建工程（30分钟） (11)

C.1设置工具流 (11)

D.组装多个实验（30分钟） (12)

D.1添加参数 (12)

D.2设置多个实验 (13)

D.4创建方案 (14)

D.5裁剪工程树 (15)

D.6添加变量 (15)

Ligament (16)

A.Getting Started10min (16)

A.1简介 (16)

A.2Ligament流程编辑器 (16)

A.3Ligament版图编辑器 (16)

A.4Ligament Translator (16)

B.Ligament流程编辑器30min (16)

B.1启动Ligament流程编辑器 (16)

B.2开始装配一个新的工艺流程 (17)

B.4改变宏调用的参数 (17)

B.7用户定义的变量 (17)

B.8转换和语法检查 (18)

C.Ligament版图编辑器30min (19)

C.1启动Ligament版图编辑器 (19)

C.4保存版图 (19)

C.6定义模拟区域 (19)

C.7使用版图 (20)

D.在SWB中运行Ligament30min (20)

D.1在SWB中启动Ligament工具 (20)

D.2导入Ligament文件 (20)

D.5Ligament版图编辑器中的版图参数化 (21)

D.6SWB中的参数化 (21)

D.7Ligament工作区 (21)

D.8SWB的预处理和Ligament转换 (22)

Sentaurus Process (23)

A.Getting Started15min (23)

A.1简介 (23)

A.2Sprocess使用的文件类型 (23)

A.3启动Sprocess (23)

B.一维工艺模拟45min (24)

B.1简介 (24)

B.2定义初始一维网格 (24)

B.3定义初始模拟域(domain) (24)

B.4初始化 (24)

B.5设置MGOALS网格化策略 (24)

B.6Growing Screening Oxide (24)

B.7测量氧化物的厚度 (25)

B.8Depositing Screening Oxide (25)

B.9Tcl控制语句 (25)

B.10注入 (25)

B.11Saving the as-implanted Profile (26)

B.12热退火,Drive-in,Activation,and Screening Oxide Strip (26)

C.二维工艺模拟45min (27)

C.1简介 (27)

C.2定义初始的二维网格 (27)

C.3模拟域与初始化 (27)

C.4B的注入 (28)

C.5生长栅氧 (28)

C.6制作多晶硅栅 (28)

C.7多晶硅重氧化 (28)

C.8保存Snapshots (29)

C.9在LDD和Halo注入之前进行网格重定义 (29)

C.12在源/漏注入之前进行网格重定义 (30)

C.13源/漏注入 (31)

C.14Contact Pads (31)

C.15保存整个结构 (31)

C.16提取一维分布 (32)

D.定义模型和指定参数30min (32)

D.1属性数据库浏览器 (32)

D.2在输入文件中改变参数 (33)

E.采用全定制的校准文件30min (33)

E.1简介 (33)

E.2全局设置 (33)

F.采用高级校准30min (33)

F.1简介 (33)

F.2激活高级校准 (33)

G.工艺模拟与SWB和Ligament30min (34)

G.1简介 (34)

G.2参数化版图 (34)

G.3定义网格 (35)

H.Custom Models with Alagator45min (35)

H.1简介 (35)

I.Special Focus:槽刻蚀35min (36)

I.1简介 (36)

I.2Initialization (36)

I.3生长Pad Oxide (36)

I.4淀积氮化层 (37)

I.5STI光刻 (37)

I.6浅槽刻蚀 (37)

I.7生长衬垫氧化物 (38)

I.8TEOS的淀积与CMP (38)

I.9氮化物的剥离/反射 (39)

J.Special Focus:Meshing with MGOALS(15分钟) (39)

J.1简介 (39)

J.2Initialization (39)

J.3MGOALS Remesh (40)

J.4MGOALS网格优化框 (40)

K.Special Focus:3D工艺模拟（Sprocess与sde结合）(30min) (41)

K.1简介 (41)

K.2各项异性刻蚀 (41)

K.3各向同性淀积 (42)

K.4Multimaterial Etching (43)

K.5Reflect and Clip (44)

SDE（结构编辑器） (46)

A.Getting Started（15分钟） (46)