BJT放大电路的零点漂移和差分放大器

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差分放大电路:零漂、组成、直流分析

差分放大电路:零漂、组成、直流分析
温漂指标:温度每升高1度时,输出漂移电压按电压增益折
算到输入端的等效输入漂移电压值。
抑制零漂(温漂)的措施
• 引入直流负反馈:Q点的漂移,故引入Re稳定Q点。
• 用热敏元件进行温度补偿:二极管——图2.4.6。
• 采用差分式放大电路:利用特性相同的管子,使它
们 的温漂相互抵消。
1.2 差分式放大电路的组成及其直流分析
放大倍数大为减小。在实际电路中,均满
足Re>RC ,故|Ac(单)|<0.5,即差动放大器
对共模信号不是放大而是抑制。共模负反
馈电阻Re越大,则抑制作用越强。
1.4 差分放大电路对差模信号的放大作用
uI1=uId1,uI2=uId2 ,
而uId1= - uId2
ib1= -ib2 ie1= -ie2 uc1= -uc2
恒流源电路的简化画法及电路调零措施
差动放大器的传输特性
差分放大电路的电压传输特性
本章小结








(1)零漂——温漂——静漂
(2)差分电路的静态分析
(3)对共模信号的抑制:Re=2Re
理想对称
(4)对差模信号的放大:没Re
(5)共模抑制比KCMR
(6)四种接法时的计算
(7)改进型差分放大电路
输出电压为: uO=Aduid+Acuic
Ac=0时: uO=Aduid
差动放大电路的输出与两个
输入电压的差值成正比,与
输入电压本身的大小无关


单端输入差放电路的分析
Ui1=Ui Ui2=0
处理方法:按任意信号处理
Uic1=Uic2=(Ui+0)/2= Ui/2

模电课件05第一章5BJT放大偏置及电流分配关系

模电课件05第一章5BJT放大偏置及电流分配关系
金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)
由金属、氧化物和半导体组成,包括栅极、源极和漏极三个电极。
BJT的工作原理
BJT通过控制基极电 流来控制集电极电流, 实现电流放大。
BJT具有单向导电性, 即只能实现正向电流 的控制。
当基极电流增加时, 集电极电流也会相应 增加,实现电流的放 大。
BJT的种类
输入电阻和输出电阻
01
02
03
04
输入电阻
指放大器对信号源的等效电阻 ,反映了放大器对信号源的负
载能力。
计算公式
输入电阻 = 输入电压 / 输入 电流。
输出电阻
指放大器对负载的等效电阻, 反映了放大器对负载的驱动能
力。
计算公式
输出电阻 = 输出电压 / 输出 电流。
通频带宽度
通频带宽度
指放大器能够正常工作的频率范 围,通常以放大倍数下降到1时的 频率为界限。
制系统的运行。
电路设计原则
选择合适的偏置电路
根据应用需求,选择合适的偏置电路以获得最佳的放大性能。
考虑信号源阻抗和负载阻抗
在电路设计中,需要考虑信号源阻抗和负载阻抗对放大器性能的影 响。
优化功耗和散热性能
在电路设计中,需要考虑功耗和散热性能,以确保放大器的稳定性 和可靠性。
电路设计实例
共射极放大器
定义
放大偏置电路是指为三极 管提供合适静态工作点的 电路。
作用
通过调整偏置电路,可以 控制三极管的基极电流和 集电极电流,使三极管工 作在合适的静态工作点。
类型
常见的放大偏置电路有固 定偏置电路、分压式偏置 电路和集电极-基极反馈式 偏置电路等。
放大偏置电路分析
方法

模拟电子技能技术总结习题及答案

模拟电子技能技术总结习题及答案

精心整理模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

456781.1A2.A3A4A5A1.12341.1值。

解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U=(6—0.7)V=5.3V。

(b)令二极管断开,可得UP =6V、UN=10V,UP<UN,所以二极管反向偏压而截止,U=10V。

(c)令V1、V2均断开,UN1=0V、UN2=6V、UP=10V,UP—UN1>Up—UN2,故V1优先导通后,V2截止,所以输出电压U=0.7V。

2.电路如图T1.2所示,二极管具有理想特性,已知ui=(sinωt)V,试对应画出ui 、u、iD的波形。

解:输入电压ui 为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即u=0,而流过二极管的电流iD =ui/R,为半波正弦波,其最大值IDm=10V/1kΩ=10mA;当ui为负半周时,二极管反偏截止,iD =0,u=ui为半波正弦波。

因此可画出电压u电流iD的波形如图(b)所示。

3.稳压二极管电路如图T1.3所示,已知UZ =5V,IZ=5mA,电压表中流过的电流忽略不计。

试求当开关s断开和闭合时,电压表和电流表、读数分别为多大?解:当开关S断开,R2支路不通,IA2=0,此时R1与稳压二极管V相串联,因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5V。

当开关S闭合,令稳压二极管开路,可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R1、R2构成串联电路,电流表A1、A2的读数相同,即而电压表的读数,即R2两端压降为3.6V。

第2章半导体三极管及其基本应用2.1填空题12种载流子参与导电。

BJT的电流分配与放大原理

BJT的电流分配与放大原理
iC iB I CE0
四、BJT的主要参数
1. 电流放大系数 共射:
I C I CEO IB

为直流电流放大系数
IC IB
若IC >> ICEO
交流放大系数用 表示
I C I B
如图3-11
iC(A)
4 100 80 60 40 Q i =20(A) B
IE
IC VCC
VEE
图3-6
信号从e极输入,从集电极c输出。
b. 共发射极连接:信号从b极输入,从c极输出
c. 共集电极连接:信号从b极输入,从e极输出
共射连接方式的电流放大作用
IC N P Rb N VCC
a. 由于VBB、Rb的作用, 发射结正偏。
Rc
IB
由于VCC > VBB ,调节Rc, 使VCE > VBE,则VC > VB,
iC N
iB
P
vBE
N
vCE
图3-8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) v
iB(mA)
VCE 1V
CE 常数
60
40
20
vCE=0V
80
25 C
O
0.2 0.4 0.6 0.8
vBE(V)
图3-9
vCE = 0,相当于二极管的正向特性 vCE = 1V,曲线右移(原因是集电结反偏, iE 大部分被拉到集电区, iB ) vCE > 1V后, vCE, iC基本不变, iB亦基 本不变
VBB
集电结反偏
图3-7
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系 IE = IB + IC

中北大学模电BJT基本放大电路详解

中北大学模电BJT基本放大电路详解
68
— 交流电流放大系数
iC iB
(2.4一51般01.为6150几)6十A103
A几百0.8 10
80
模 拟电子技术
4 iC / mA
3
Q
2 1
O2 4
50 µA 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA IB = 0uCE /V
68
2. 共基极电流放大系数
1 一般在 0.98 以上。
如图所示共射接法下晶体管放大电路。若在图中VBB上叠加 一幅度为100mV的正弦电压Δui,则正向发射结电压会引起 相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系,所 以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiB,
例 如 为 ΔiB=20uA , =0.98 。 ΔiE=1mA , ΔiC=0.98mA ,
2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC uCE。
模 拟电子技术
3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。
U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO
模 拟电子技术
iC/mA PCM
ICM
安全
工作区
IB=0μA
0
U(BR)CEO uCE/V
晶体管的安全工作区
4. 频率参数
特征频率fT是当β的模等于1(0dB)时所对应的频率 。
模 拟电子技术
2.1.6 温度对晶体管参数的影响
1. 温度升高,输入特性曲线向左移。
iB
T2 >T1
O
uBE
温度每升高 1C,UBE (2 2.5) mV。

bjt放大区的电位

bjt放大区的电位

bjt放大区的电位1.引言1.1 概述BJT放大区的电位是指在双极型晶体管(BJT)放大区域内的电位分布情况。

BJT是一种常用的放大器件,其放大原理是通过控制输入信号电流来调节输出信号的放大倍数。

为了实现这种放大效果,BJT放大区的电位分布起着至关重要的作用。

概括地说,BJT是由三层半导体材料构成的,包括一个基区(B)、一个发射区(E)和一个集电区(C)。

当输入信号被施加到基区,通过控制输入电流的大小,就可以改变发射区和集电区之间的电位差,从而影响输出信号的放大程度。

在BJT放大区的电位分布中,有两个关键点需要注意。

首先是发射极电位(Vbe),它是基区和发射区之间的电位差。

在正常工作状态下,发射极电位必须为正,通常约为0.6到0.7伏。

这个电位差是通过输入信号的电流在基区产生的压降引起的。

其次是集电极电位(Vce),它是集电区和发射区之间的电位差。

在正常工作状态下,集电极电位可以为正或负,取决于BJT的工作模式(如放大模式或截止模式)。

当BJT处于放大模式时,集电极电位应尽量接近电源电压,以保证输出信号的最大幅度。

为了实现这样的电位分布,BJT放大区一般由两个PN结组成:发射-基结和集电-基结。

这些结的存在导致了电位分布的产生,使得BJT在工作时能够实现信号的放大。

总之,BJT放大区的电位分布在电子学和放大器设计中扮演着重要的角色。

通过控制发射极电位和集电极电位,我们可以调节BJT的放大倍数和输出信号的幅度。

这对于各种电子设备和电路的正常运行至关重要。

在接下来的内容中,我们将更深入地了解BJT放大区的电位分布原理及其在实际电路中的应用。

1.2文章结构文章结构部分是用来介绍文章的整体构架和各个章节的内容安排。

下面是文章结构部分的一个可能的内容:1.2 文章结构本文将围绕着BJT放大区的电位分布展开讨论,并按照以下结构进行阐述:2.1 BJT放大区的基本原理在本章节中,我们将介绍BJT放大区的基本工作原理。

BJT放大电路原理及特性分析

BJT放大电路原理及特性分析

二 图解法与动态工作分析:
3 工作点与消波失真 (1)工作点在交流
iC G
负载线的中点上
动态范围最大
IC
(2)工作点靠近截 止区
容易产生截止失真
(3)工作点靠近饱和区
容易产生饱和失真
·Q ·Q ·Q
UCE
IBQ

D
uCE
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休息1 休息2
直流负载线:输入回路直流负载线 ――确定静态工作点 Q 输出回路直流负载线
动态分析:特性曲线 交流负载线:输入回路交流负载线 ――输入信号和输出信号的关系 输出回路交流负载线
返回 休息1 休息2
1 作直流负载线――图解Q点
(1) 输入回路直流负载线
iB
U BB ≈ U BE + I B [(1 + β )Re + Rb ]
U BB
+ (1 + β )Re
)
A 点 坐 标 :( UBB, 0)
休息1 休息2
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A
uBE
IE
1 作直流负载线――图解Q点
(2) 输出回路直流负载线:
①由输出回路偏置方程:
E C= U CE+ ICR C+IeR e
=U CE+IC(R C+R e)
可得输出回路直流负载线:
/ IC=(EC-UCE) (RC+Re ) 直流负载线
分析方法:图解法
⇒ 交流通道 等效电路法
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2 直流通道(直流等效电路)
(1) 直流通道画法:
原则:放大电路中所有电容开路, 电感短路, 变压器初级和次级之间开路, 所剩电路即为直流通道 交流信号源取零值

模电课件05第一章5BJT放大偏置及电流分配关系

模电课件05第一章5BJT放大偏置及电流分配关系

C
iB iC iE
+ UCE>0 -
B
E
E
iE
E
+
+ UBC>0 -
B
iB
UEC>0
-
C
C
E
iC
iE
UEC<0 -
B
iB
iC
iE
+ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
UCE>0 -
E
NPN管的电路符号
PNP管的电路符号
(2)饱和状态
当BJT的发射结与集电结均加正向偏置电压时,称BJT偏置于 饱和状态(或工作于饱和区) 偏置于饱和区的NPN管基极电位最高,对于PNP管,则饱和 时基极电位最低 BJT的截止与饱和状态其实就是晶体管的开关工作状态
集电极(c)
(C区) N 集电区 集电结 (CB结)
放大偏置状态 1.4 双极型晶体三极管 (BJT)
基极(b)
(B区)
P基区
基极(b)
①发射区杂质密度远大 集电极(c) 于基区杂质密度。 (C区) (0 P. 集电区 集电结 ②基区非常薄 1 微米 (CB结) 到几微米)
(B区) N基区
发射结 (E区) N+ 发射区 (BE结)
BJT 的发射极与集电极 发射结 (E区) P+ 发射区 (BE结) 不能交换使用
发射极(e)
发射极(e)
NPN管的结构示意图
NPN管的结构示意图
2.BJT放大偏置及电流分配关系 (1)BJT的放大偏置 发射结正向偏置、集电结反向偏置的状态,我们称这种偏置状 态为晶体管的放大偏置 对于NPN管,要求UCB>0,UBE>0。 对于PNP管,要求UCB<0,UBE <0。 NPN管:UC > UB > UE PNP管:UC< UB < UE C B

第3章 集成电路运算放大电路

第3章 集成电路运算放大电路

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3.2集成运算放大电路简介
2.理想集成运放的两个重要结论
(1)因rid→∞有i+≈i-≈0,即理想运放两个输入端的输 入电流近似为零。 (2)因Auo→∞,故有u+≈u-即理想运放两个输入端的电 位近似相等。
请看动画
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3.2集成运算放大电路简介
3.集成运放的传输特性
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3.1 差分放大电路
3.动态特性
(1)差模特性 电路的两个输入端各加上一个大小相等、极性相反的 电压信号,称为差模输入方式。此时,uIl =uI /2,uI2 = - uI /2,若用uID 表示差模输入信号,则有uID =uI1 –uI2。 在差模输入信号作用下,差动放大电路一个管的集电极电 流增加,而另一管的集电极电流减少,使得uO1 和uO2 以相 反方向变化,在两个输出端将有一个放大了的输出电压 uO 。 这说明,差动放大电路对差模输入信号有放大作用。
1.通用型 2.低功耗型 3.高精度型 4.高阻型
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3.2集成运算放大电路简介
3.2.5 理想运算放大器
1.理想集成运放的特性
(1)开环电压放大倍数Aod = ∞ ;
(2)差模输入电阻rid = ∞ ; (3)输出电阻ro =0;
(4)共模抑制比KCMR = ∞ ;
(5)输入偏置电流IB1 =IB2 =0。
请看例题
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3.3集成运算放大器的基本运算电路
3.3.2 同相比例运算电路
如图3-7所示,输入信号ui经外接电阻R2送到同相输入 端,而反相输入端通过电阻R1接地。反馈电阻RF跨接在输出 端和同相输入端之间,形成电压串联负反馈。

模拟电子技术基础-自测题答案

模拟电子技术基础-自测题答案

第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2.本征半导体中,假设掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;假设掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是空穴。

3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。

4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。

5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。

8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。

1.2 单项选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B )。

A.减小B.基本不变C.增大4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。

A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作(D )。

、A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

(√)2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×)3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

(×)4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

(×)第2章半导体三极管及其基本应用2.1 填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP 和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。

2.晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。

3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止。

4.当温度升高时,晶体管的参数β增大,I CBO增大,导通电压U BE 减小。

第四讲BJT放大电路

第四讲BJT放大电路
4.0V
30.5ms
31.0ms
31.5ms
32.0ms
32.5ms Time
33.0ms
33.5ms
34.0ms
34.5ms
35.0ms
2.0V
SEL>> 0V 30.0ms V(2)
30.5ms
31.0ms
31.5ms
32.0ms
32.5ms Time
33.0ms
33.5ms
34.0ms
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第四讲 BJT基本放大电路 4.2共集放大电路
2.交流分析
+ VCC
Rb
C1
T C2
RS
v
+
S-
+
Re
RL vo
-
ii
ib
ic
+
RS
rbe ib
vi
Rb
ie
+
vS ?
-
+
io
Re
RL
vo
-
-
第四讲 BJT基本放大电路 4.2共集放大电路
2.交流分析
电压增益和电流增益
ii
ib
ic
+
RS
rbe ib
32.0ms
32.5ms Time
33.0ms
33.5ms
34.0ms
34.5ms 35.0ms
第四讲 BJT基本放大电路 4.1放大电路的工作点稳定问题
1.温度对Q点的影响
SEL>> 4.0V
R c 6k R b 500k
+ V1
6V
-
2
Rs 1 C1

BJT及放大电路基础资料

BJT及放大电路基础资料

N P
(1)内部条b件:
发射区杂质浓度远N
P
N IE=IB+ IC 一组公b式 IC=βIB
大于基区杂质浓度,e 且基区很薄。
P ICe=αIE
思考1:可否用两个二极管相
(2)外部条件:
连构成一个三极管?
发射结正向偏置,
思考2:可否将e和c交换使用
集电结反向偏置。
思考3:外部条件对PNP管和 NPN管各如何实现?
PCM= ICVCE
PCM值与环境温度有关, 温度愈高,则PCM值愈小。 当超过此值时,管子性 能将变坏或烧毁。
4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
1. 温度对BJT参数的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
(2) 温度对 的影响 温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收
集电子,基区复合减少,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。
工作在放大状态的条件: vCE≥1V
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
非线性部分:
iB f (v ) BE VCE C
(2). 输出回路
非线性部分:
iC f (vCE ) iBIBQ
线性部分:
vCE VCC iC RC 称为直流负载线
得出Q( IBQ,ICQ,VCEQ )
(3)电路参数对Q点的影响:
其他参数不变:
变Rb
IB
VBB Rb
Rb Rb

第9讲 BJT放大电路的分析方法

第9讲 BJT放大电路的分析方法

1.6mA
Ro Rc 4k
Av
(4)当RL开路时: vo b RC
vi rbe
184.8
增益变大
4. 小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小,BJT工作在其V-I特性 曲线的线性范围(即放大区)内。H参数的值是在静态工作 点上求得的。所以,放大电路的动态性能与静态工作点参数 值的大小及稳定性密切相关。
4.3.1 图解分析法
1. 静态工作点的图解分析 采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入 输出特性曲线。
共射极放大电路
4.3.1 图解分析法
1. 静态工作点的图解分析 首先,画出直流通路 列输入回路方程 vBE VBB iB Rb 列输出回路方程(直流负载线) vCE=VCC-iCRc
vi vi Ri ii i b ib ( Rb rbe ) ib Rb rbe
输出电阻
vt Ro it
v s 0 , RL
令 vi 0
所以
ib 0
Ro = Rc
β ib 0
例4.3.2 如图所示电路中BJT的β=40, rbb’=200Ω, VBEQ=0.7V,其他元件参数如图所示。 试求该电路的Av、Ri、Ro。若RL开 路,则Av如何变化? 解:(1)画出电路的小信号等效电路 (3)求Av、Ri、Ro
NPN底部削平
饱和失真的波形
3. 静态工作点对波形失真的影响(PNP)
思考:截止失真怎么 办? 截止失真的波形
3. 静态工作点对波形失真的影响(PNP)
vo
t
饱和失真发生在负半周
饱和失真的波形
4. 最大不失真输出电压 是指在不失真的情况下能够输出的最大电压。 如果VCC-VCEQ>VCEQ-VCES ,则首先出现 饱和失真,否则首先出现截止失真。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sin t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sin W t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a )三极管已损坏,发射结开路 (b )放大状态 (c )饱和状态(d )三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

第3章 双极型BJT及其放大电路

第3章 双极型BJT及其放大电路
us
RC RB uS iB uI T
iC
0

2
3
t
uBE
U BEQ
VCC
uO uCE
0
t
iB
I BQ
uBE
VBB
0
t
iC
基本共射极放大电路
uBE U BEQ ube iB I BQ ib iC I CQ ic u U CEQ uce CE
23/101
3.1
双极型BJT
3.1.4 温度对BJT参数及特性的影响
1.温度对发射结正向电压降 uBE的影响 2.温度对反向饱和电流 ICBO 的影响 3.温度对电流放大系数β的影响 T2 T1 iC
iB 40 A μ
30 A μ
20 A μ
10 A μ
0 A μ
0
uCE
24/101
3.2
IC IB
U CE U BE
U EB
输入 回路
IE
IC
IE IB
IE
CE
IB
输出 回路
U CB
U BC U BC
IC
CC
CB
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极 共基极接法,基极作为公共电极 共集电极接法,集电极作为公共电极
10/101
3.1
双极型BJT
3.1.1 BJT的工作原理与电流分配关 系
8/101
3.1
双极型BJT
3.1.1 BJT的工作原理与电流分配关 系 1. BJT内部载流子运动规律
N
I En
P
N
I Cn
E
I Bp
C

BJT放大电路的零点漂移和差分放大器

BJT放大电路的零点漂移和差分放大器

BJT 放大电路放大电路的零点漂移和差分放大器的零点漂移和差分放大器(电子科大微固学院 Xie Meng-xian )在电路应用中,双极型晶体管的温度稳定性系数,主要是用来表征晶体管直流偏置电路所决定的工作点的温度稳定性。

而在晶体管的直接耦合放大电路中,还会出现的一种重要的不稳定现象——零点漂移。

零点漂移是指当放大器的输入电压为零(输入端短路)时,而在输出端有无规律的、变化缓慢的电压产生的现象,这是晶体管直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。

零点漂移不仅与偏置电路有关,而且也与其他许多因素有关。

(1)产生零点漂移的原因:引起晶体管出现零点漂移的原因很多,例如:温度的变化对晶体管参数的影响,电源电压的波动,元器件参数变值,环境温度变化等;其中最主要的因素是温度的变化,因为晶体管是温度的敏感器件,它的参数(V BE 、β、I CBO )都将会随温度而发生变化,最终导致放大电路静态工作点产生偏移。

在诸多因素中,不仅温度的影响最大,而且最难控制的也是温度的变化。

故有时也把零点漂移简称为温度漂移。

如果晶体管的电压放大倍数为K ,输入电压的漂移为∆V pi ,则由于温度的变化(∆T )而使得输出电压的漂移∆V po 可近似地表示为()k T BE po pi B B CBO d V V K V T R C I T I e d T∆∆=⋅∆=−⋅∆+⋅∆+⋅ 式中的∆T=T −T o 是温度的变化,T o 为室温(25℃),T 为任意温度;dV BE /dT 为发射结电压随温度的变化率(一般为−2 mV/℃~−2.5mV/℃);I CBO 为室温下的集电结反向饱和电流;C 为常数(一般为0.5%/℃~1.0%/℃);k 为I CBO 的温度系数(Ge 晶体管的k≈0.08/℃,Si 晶体管的k≈0.12/℃)。

在多级放大器中,直接耦合式放大电路的各级的工作点是相互影响的,由于各级的放大作用,第一级的微弱变化,会使输出级产生很大的变化;因此,第l 级的零点漂移影响最大,级数越多、放大倍数越大,则零点漂移也越严重。

6.3.1BJT差动放大器的组成原理

6.3.1BJT差动放大器的组成原理

模拟电路基础
共模抑制比(CMRR)的定义
CMRR — Common Mode Rejection Ratio Avd KCMRR = Avc
理想情况下KCMRR =∞
Avd KCMRR (dB) = 20 lg Avc
Ad=-200 Ac=0.1

(分贝)
例:
KCMRR=20 lg (-200)/0.1 =66 dB
△iE1=-△ iE2,Re中电流不变,即Re 对差模信 号无反馈作用。差模输入时,对称位置上的点 2019/1/26 为交流地。
双端输入
模拟电路基础
双端输出
vod 差模增益 Avd vid vid iB 2( Rb rbe )
RL ( Rc ∥ ) 2 Avd Rb rbe Rid 2( Rb rbe )
模拟电路基础
[例6.9]目的:确定差动放大器的静态集电极电流和集 -射电压。电路参数为V 10V,V 10V, IQ 1mA, RC 10k VA ,VBE(on) 0.7V 当共模电压 (忽略基极电流), 分别为 VB1 VB2 Vic 0,5V ,5V 时,求IC1和VCE1。
2019/1/26
模拟电路基础
场效应管差分放大电路
2019/1/26
集成运放内部结构(参考)
第 2级
模拟电路基础
+vCC
RC3 RE3 T7 T8 RE4 RE5 T9 RC4 T11 -vEE T10
RL
RC
– + T1 T2 E
RC T5 T6
RE2
第1级:差动放大器 第3级:单管放大器
差动放大器
由 Vic 5V,VE 5.7V 得

bjt差分放大电路

bjt差分放大电路

bjt差分放大电路标题:BJT差分放大电路的工作原理与应用引言:在现代电子技术中,差分放大电路是一种常见且重要的电路结构。

它可以被广泛应用于放大、滤波和信号处理等领域。

本文将介绍BJT差分放大电路的工作原理、电路特点以及其在实际应用中的一些场景。

1. 差分放大电路的基本原理差分放大电路由两个相同的输入信号源驱动两个BJT晶体管组成。

这两个晶体管的发射极通过恰当的电阻连接在一起形成共模输入电阻。

当输入信号作用于差分放大电路时,两个晶体管将分别放大输入信号的正和负半周,从而产生一个差分输出信号。

通过调整电阻和电源电压等参数,我们可以实现不同的放大倍数和频率响应。

2. BJT差分放大电路的特点BJT差分放大电路具有以下特点:- 高增益:由于两个晶体管的放大作用,差分放大电路具有较高的增益,可以放大微弱的输入信号。

- 抗干扰能力强:差分放大电路可以抑制共模干扰信号,提高系统的抗干扰能力。

- 低失真:差分放大电路的非线性失真较低,能够保证信号的准确传输。

- 宽频带:差分放大电路的频率响应范围较宽,适用于不同频率范围的信号处理。

3. BJT差分放大电路的应用场景BJT差分放大电路在实际应用中有广泛的应用场景,以下是其中的几个例子:3.1 语音信号放大在通信系统和音频设备中,语音信号经常需要被放大。

差分放大电路能够提供高增益和低失真的特性,使得语音信号能够被准确地放大并传输。

3.2 仪器测量在科学实验和工业自动化领域,测量仪器需要对微弱的信号进行放大和处理。

差分放大电路可以提供高增益和抗干扰能力,能够满足测量仪器对信号放大的需求。

3.3 传感器信号处理传感器通常会输出微弱的信号,需要进行放大和处理。

差分放大电路可以提供高增益和低失真的特性,能够满足传感器信号处理的需求。

结论:BJT差分放大电路是一种重要的电路结构,具有高增益、抗干扰能力强、低失真和宽频带等特点。

它在语音信号放大、仪器测量和传感器信号处理等应用场景中发挥着重要的作用。

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BJT 放大电路放大电路的零点漂移和差分放大器的零点漂移和差分放大器
(电子科大微固学院 Xie Meng-xian )
在电路应用中,双极型晶体管的温度稳定性系数,主要是用来表征晶体管直流偏置电路所决定的工作点的温度稳定性。

而在晶体管的直接耦合放大电路中,还会出现的一种重要的不稳定现象——零点漂移。

零点漂移是指当放大器的输入电压为零(输入端短路)时,而在输出端有无规律的、变化缓慢的电压产生的现象,这是晶体管直接耦合放大电路中存在的一个特殊问题。

零点漂移不仅与偏置电路有关,而且也与其他许多因素有关。

(1)产生零点漂移的原因:
引起晶体管出现零点漂移的原因很多,例如:温度的变化对晶体管参数的影响,电源电压的波动,元器件参数变值,环境温度变化等;其中最主要的因素是温度的变化,因为晶体管是温度的敏感器件,它的参数(V BE 、β、I CBO )都将会随温度而发生变化,最终导致放大电路静态工作点产生偏移。

在诸多因素中,不仅温度的影响最大,而且最难控制的也是温度的变化。

故有时也把零点漂移简称为温度漂移。

如果晶体管的电压放大倍数为K ,输入电压的漂移为∆V pi ,则由于温度的变化(∆T )而使得输出电压的漂移∆V po 可近似地表示为
()k T BE po pi B B CBO d V V K V T R C I T I e d T
∆∆=⋅∆=−⋅∆+⋅∆+⋅ 式中的∆T=T −T o 是温度的变化,T o 为室温(25℃)
,T 为任意温度;dV BE /dT 为发射结电压随温度的变化率(一般为−2 mV/℃~−2.5mV/℃);I CBO 为室温下的集电结反向饱和电流;C 为常数(一般为0.5%/℃~1.0%/℃);k 为I CBO 的温度系数(Ge 晶体管的k≈0.08/℃,Si 晶体管的k≈0.12/℃)。

在多级放大器中,直接耦合式放大电路的各级的工作点是相互影响的,由于各级的放大作用,第一级的微弱变化,会使输出级产生很大的变化;因此,第l 级的零点漂移影响最大,级数越多、放大倍数越大,则零点漂移也越严重。

可见,减小零点漂移的关键是改善放大电路第1级的性能。

在零点漂移现象严重的情况下,往往会使有效信号被“淹没”,则这时直接耦合放大电路就不能正常工作。

因此,必须要采取措施来抑制零点漂移。

(2)抑制零点漂移的措施:
(a) 选用高质量的硅管。

因为硅管的I CBO 要比锗管的小好几个数量级,因此目前高质量的直流放大电路几乎都采用硅管。

另外,晶体管的制造工艺也很重要,即使是同一种类型的晶体管,如工艺不够严格,半导体表面不干净,将会使漂移程度增加。

所以必须严格挑选合格的半导体器件。

(b) 在电路中引入直流负反馈,稳定静态工作点。

(c) 采用温度补偿的方法,即利用热敏元件来抵消晶体管特性的变化。

补偿是指用另外一个元器件的漂移来抵消放大电路的漂移,如果参数配合得当,就能把漂移抑制在较低的限度之内。

在分立元件组成的电路中,常用二极管补偿方式来稳定静态工作点。

此方法简单实用,但效果不尽理想,适用于对温漂要求不高的电路。

(d) 采用调制手段,调制是指将直流变化量转换为其他形式的变化量(如正弦波幅度的变化),并通过漂移很小的阻容耦合电路放大,再设法将放大了的信号还原为直流成份的变化。

这种方式电路结构复杂、成本高、频率特性差。

实现这种方法成本投入较高。

(e) 采用差动放大电路。

这是根据温度补偿的方法,利用两个特性都相同的晶体管来进
行补偿,即可很好地抑制零点漂移。

在集成电路芯片内部,应用最广的单元电路就是基于参数补偿原理而构成的差动式放大电路。

在直接耦合放大电路中,抑制零点漂移最有效地方法是采用差动式放大电路。

(3)差动放大电路:
差动放大电路又叫差分放大器,如图1所示;其中的图(a)是基本形式的差动放大电路,图(b)是电流负反馈形式的差动放大电路。

差动放大电路不仅能有效地放大直流信号,而且还能有效地减小由于电源波动和晶体管随温度变化而引起的零点漂移,因而获得了广泛的应用,特别是大量地应用于集成运放电路,常常被用作多级放大器的前置级。

对于图1(a)的基本差动式放大器,图中T1、T2是两个特性相同的晶体管(β1=β2=β),电路的接法对称、参数也对称(即基极和集电极上的电阻分别相等)。

该放大电路有两个输入端和两个输出端。

因左右两个放大电路完全对称,故在没有信号情况下输出也为0,即输入信号为0时,输出电压V o=0,即表明差分放大器具有零输入时零输出的特;当温度变化时,左右两个管子的输出电压都要发生变动,也由于晶体管和电路的对称性,则两管的输出变化量(即每个晶体管的零点漂移)相同,就使得两个晶体管的零点漂移管在输出端相互抵消,从而导致总的输出电压V o=O。

可见,差动放大电路能够有效地抑制零点漂移。

但是,由于性能完全一致的晶体管并不存在,因此完全对称的理想差动放大电路也就不可能实现;所以单靠提高电路的对称性来抑制零点漂移的效果是有限的。

特别是,当采用单端输出(即输出电压从一个管的集电极与“地”之间取出)时,零点漂移就根本无法抑制。

实际上,这种情况的出现主要是由于基本差动电路中的每个晶体管的集电极电位的漂移并末受到抑制的缘故。

为此,常常采用的差动放大电路是图1(b)的典型电路;在这种典型差动放大电路中,主要是增加了一个发射极的公共电阻R E和一个负电源(−V CC)。

调零电位器R P可以看成是R E的一部分。

由于发射极电阻R E的电流负反馈作用,就稳定了晶体管的静态工作点,使得晶体管的集电极电位基本不变,从而限制了每个晶体管的零点漂移范围,这就进一步减小了差分电路的零点漂移。

所以带有发射极电阻R E的典型差动放大电路具有很小的零点漂移。

这种典型差动放大电路即使是采用单端输出,其零点漂移也能得到有效地抑制。

差分电路放大的是差模信号(相位相反的信号),而零点漂移属于共模信号(相位相同的信号)。

则可以说晶体管发射极电阻R E能够抑制共模信号,而对差模信号不起抑制作用。

显然,若R E的阻值取得大一些,则电流负反馈作用就强一些,因而抑制每个晶体管零点漂移的作用也就显著一些,电路的稳定性也就更好一些。

但是R E对差模信号将起着负反馈的作用,会影响到晶体管的增益,因此R E的阻值也不宜过大,一般调零电位器R P的值可取在几十Ω~几百Ω之间。

总之,差动放大电路既可利用晶体管和电路的对称性、采用双端输出的方式来抑制零点漂移;也可以利用发射极公共电阻R E的电流负反馈作用来稳定静态工作点,并从而抑制每个晶体管的零点漂移,这时即使采用单端输出也可以获得很小的零点漂移。

差动放大电路这种抑制零点漂移的能力,也就是对共模输入信号的放大作用进行抑制的能力。

差分放大器能够放大差模信号和抑制共模信号的能力,通常采用所谓共模抑制比(C.M.R)这个参数来表征:C.M.R=[差模输入信号的放大倍数]/[共模输入信号的放大倍数]。

增大R E,选用高β及其高对称的晶体管,提高电路参数对称性,以及减小基极回路的电阻,都可以提高差分放大器的共模抑制比。

(a)基本差动放大电路(b)典型差动放大电路
(4)四种主要的差动放大电路:
在图1(b )典型差动放大电路的基础上,根据应用的要求,按照输入、输出的端头情况(是单端还是双端),可以有四种主要的差动放大电路(见图2):(a )双端输入、双端输出差动电路;(b )单端输入、单端输出差动电路;(c )双端输入、单端输出差动电路;(d )单端输入、双端输出差动电路。

(a) 双端输入、双端输出 (b) 单端输入、单端输出
(c) 双端输入、单端输出 (d) 单端输入、双端输出
图2 四种接法的差动放大电路。

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